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        基于電學(xué)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)拓展FBAR濾波器帶寬研究

        2022-11-18 05:03:20常亞慧汪為民
        壓電與聲光 2022年5期
        關(guān)鍵詞:通帶諧振器波紋

        常亞慧,汪為民

        (重慶大學(xué) 光電技術(shù)及系統(tǒng)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,新型微納器件與系統(tǒng)技術(shù)國(guó)防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室,重慶 400044)

        0 引言

        本文從FBAR的基本結(jié)構(gòu)入手,使用Comsol軟件進(jìn)行三維仿真,驗(yàn)證了不同電極形狀對(duì)Q值的影響。提取FBAR器件參數(shù)到ADS中,并聯(lián)合外匹配電路進(jìn)行頻帶拓展,探究了外匹配電路中3個(gè)參數(shù)對(duì)于頻帶寬度及帶外抑制的影響。

        1 有限元仿真

        表1 Comsol仿真初始結(jié)構(gòu)參數(shù)

        通過(guò)構(gòu)建幾何結(jié)構(gòu),設(shè)置損耗,劃分網(wǎng)格等操作,得到FBAR模型如圖1所示。

        圖1 非正五邊形的FBAR有限元模型

        當(dāng)上電極面積為8 000 μm2,形狀分別為圓形、矩形、變跡五邊形(任意兩邊不平行,任意兩角不相等)時(shí),其對(duì)阻抗Z和Q值的影響,結(jié)果如圖2、3所示。

        圖2 不同上電極形狀下的阻抗曲線

        圖3 不同上電極形狀下的Q值曲線

        由圖2可見(jiàn),當(dāng)上電極為變跡五邊形時(shí),其阻抗曲線波動(dòng)最小,圓形上電極的阻抗曲線的波動(dòng)起伏次之,正方形上電極的阻抗曲線的雜散波紋最大,這主要是由于在并聯(lián)諧振頻率處存在寄生諧振峰,這些寄生諧振峰是上下電極激發(fā)出的剪切波[9],其在濾波器的通帶中表現(xiàn)為帶內(nèi)紋波,使得濾波器損耗增加,矩形度變差。由圖3可見(jiàn),當(dāng)上電極為圓形時(shí),其Q值較大,但與變跡五邊形的Q值差別不大。經(jīng)綜合考慮,選取變跡五邊形作為上電極形狀。通過(guò)設(shè)置各膜層材料及其厚度,研究設(shè)計(jì)了串聯(lián)諧振頻率fs=1.97 GHz,并聯(lián)諧振頻率fp=2.03 GHz的體聲波諧振器。

        2 等效電路模型

        目前經(jīng)常使用的FBAR機(jī)電等效電路模型為梅森(Mason)[10]模型和MBVD模型[11]。由于Mason模型無(wú)法仿真電極形狀對(duì)FBAR的影響,故使用MBVD模型作為FBAR諧振器的機(jī)電等效模型。圖4 為Comsol模型圖。圖中C0為靜電容,R0為壓電薄膜介電損耗,Cm、Lm和Rm分別為動(dòng)態(tài)電容、電感和電阻,Rs為等效引線電阻。

        圖4 MBVD機(jī)電等效電路

        FBAR的電學(xué)特性曲線為

        (1)

        式中ω為角頻率。

        根據(jù)參數(shù)提取方法[12],在遠(yuǎn)離諧振頻率處取8個(gè)頻點(diǎn)對(duì)應(yīng)的阻抗曲線,分別求實(shí)部R′,虛部Xi,以及fs、fp的Q值。

        (2)

        Cm=C0[(fp/fs)2-1]

        (3)

        (4)

        (5)

        R′=Rs+R0

        (6)

        式中C0為電容Ci的平均值。根據(jù)式(2)~(6)求得MBVD模型中各元件數(shù)值,并在ADS中建立相關(guān)模型,將電路封裝為二端口網(wǎng)絡(luò)如圖5所示,進(jìn)行下一步處理。

        圖5 FBAR二端口封裝示意圖

        3 拓展帶寬的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

        拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖6所示,其由并聯(lián)電感L0及外匹配電路組成。L0可在fs不變的情況下增大,fp使頻帶獲得拓寬,有

        (7)

        外匹配電路在fs處共振,同樣可以拓寬濾波器的帶寬,三集總元件數(shù)值關(guān)系[3]為

        (8)

        式中ωs為串聯(lián)諧振時(shí)的角頻率。

        圖6 匹配網(wǎng)絡(luò)示意圖

        由式(7)可知,在確認(rèn)了FBAR諧振器的等效電路模型后,L0的數(shù)值也隨之被確認(rèn)。研究主要關(guān)注外匹配電路的3個(gè)集總元件對(duì)于濾波器3 dB帶寬以及1 GHz處帶外抑制的影響。

        在調(diào)整三元件參數(shù)值的過(guò)程中出現(xiàn)的6種情況如圖7所示。圖中黑色水平直線表示S21=-3 dB。在帶外抑制減弱的過(guò)程中,圖7(a)通帶內(nèi)存在兩處明顯的波紋且兩處波紋明顯小于-3 dB;圖7(b)通帶內(nèi)存在兩處波紋且一處波紋小于-3 dB;圖7(c)通帶內(nèi)存在兩處波紋且兩處波紋均大于-3 dB;圖7(d)通帶內(nèi)不存在明顯波紋,帶內(nèi)S21值均大于-3 dB;圖7(e)通帶變窄且通帶矩形度變差;圖7(f)為帶外抑制能力最弱時(shí)對(duì)應(yīng)最窄通帶的極端情況。

        圖7 FBAR濾波器S21參數(shù)仿真曲線

        作為對(duì)照,對(duì)比研究了不滿足式(8)時(shí)的6種情況,如圖8所示。

        圖8 FBAR濾波器異常對(duì)比曲線

        如圖7(a)所示,可選取的3 dB帶寬共有三段,取最大的中間段作為帶寬數(shù)值。同理,圖7(b)也選取最大的頻段作為帶寬。在圖7仿真曲線變化過(guò)程中,帶寬有兩次突然增大的過(guò)程,分別發(fā)生在圖7(a)向圖7(b)轉(zhuǎn)變,圖7(b)向圖7(c)轉(zhuǎn)變時(shí)。

        式(8)中的Lp和Ls具有對(duì)稱性,當(dāng)Cp為定值時(shí),兩者數(shù)值可以互換。圖9、10表明了Lp、Ls對(duì)帶寬和1 GHz處帶外抑制的影響關(guān)系。

        圖9 Lp,Ls與帶寬關(guān)系曲線圖

        圖10 Lp,Ls與帶外抑制關(guān)系曲線圖

        由圖9可見(jiàn),Lp和Ls對(duì)帶寬的影響大致相同。由圖10可見(jiàn),Lp和Ls對(duì)帶外抑制的影響趨勢(shì)相反。將Lp/Ls視為一個(gè)新變量以取代Lp、Ls兩個(gè)因素。同理保持Lp不變,發(fā)現(xiàn)Cp、Lp/Ls對(duì)濾波器兩個(gè)因素影響趨勢(shì)相同,具體結(jié)果如圖11、12所示。

        圖11 Cp對(duì)濾波器性能影響關(guān)系圖

        圖12 Lp/Ls對(duì)濾波器性能影響關(guān)系圖

        將Ls設(shè)為固定值時(shí),根據(jù)式(8),通過(guò)改變Cp數(shù)值可得到對(duì)應(yīng)不同Cp的三集總元件數(shù)值,就此確定一組拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),進(jìn)而得到這組拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)的帶寬和帶外抑制。圖13、14是將Ls分別固定為10,15,20,25,29,35,40,45,50 nH時(shí)獲得的帶寬和帶外抑制曲線。由圖可見(jiàn),隨著Ls的增大,對(duì)于帶寬最大值、帶內(nèi)損耗及整體的帶外抑制均呈現(xiàn)增大趨勢(shì);但增大到一定程度,帶內(nèi)損耗大于3 dB,帶寬反而會(huì)下降。研究發(fā)現(xiàn),在0~29 nH,帶寬和帶外抑制隨著Ls增大而增加;Ls>29 nH時(shí),帶寬下降,帶外抑制不受影響,繼續(xù)增加。經(jīng)調(diào)節(jié),在Ls=29 nH時(shí),其具有最大帶寬,此時(shí)Cp=0.228 pF,Lp=2 224.5 nH,對(duì)應(yīng)的S21曲線圖如圖15所示。

        圖13 Ls對(duì)帶寬影響關(guān)系圖

        圖14 Ls與帶外抑制關(guān)系

        圖15 最大帶寬處對(duì)應(yīng)的S21曲線圖

        由圖15可知,濾波器通帶的左側(cè)下降至-3 dB的頻率fL= 1.772 GHz,右側(cè)下降至-3 dB的頻率fH= 2.191 GHz。根據(jù)fL、fH值可計(jì)算得到帶寬為419 MHz,中心頻率f0=1.981 5 GHz,由二者比值((fH—fL)/f0)可算出實(shí)現(xiàn)了21.15%的相對(duì)帶寬,同時(shí)可知1 GHz處的帶外抑制為11.616 dB。

        4 結(jié)束語(yǔ)

        寬帶FBAR可傳輸更多的數(shù)據(jù)量,在發(fā)揮了FBAR濾波器各項(xiàng)優(yōu)異性能的同時(shí)還克服了其通帶極窄的問(wèn)題,適用于傳輸數(shù)據(jù)量大,傳播速度快的場(chǎng)景,如5G移動(dòng)通信等。AlN-FBAR屬于窄帶濾波器的一種,因而有針對(duì)性地研究了一種電學(xué)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)濾波器帶寬的影響。首先仿真了FBAR諧振器的三維結(jié)構(gòu)中不同上電極形狀對(duì)阻抗曲線和Q值的影響,提取諧振器參數(shù)并聯(lián)合電學(xué)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行二次仿真,探究濾波器帶寬及帶外抑制的實(shí)際影響因素。通過(guò)優(yōu)化相關(guān)元件參數(shù)值,最終在元器件參數(shù)Ls=29 nH,Cp=0.228 pF,Lp=2 224.5 nH時(shí),實(shí)現(xiàn)了21.15%的相對(duì)帶寬,對(duì)應(yīng)的3 dB帶寬為419 MHz,1 GHz處的帶外抑制為11.616 dB,對(duì)應(yīng)諧振器串聯(lián)諧振頻率fs=1.97 GHz,并聯(lián)諧振頻率fp=2.03 GHz。

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