張露漩,李敬國(guó),袁 媛

(中電科光電科技有限公司,北京 100015)

1 引 言

隨著現(xiàn)代科技發(fā)展,對(duì)集成電路的性能要求快速提高,其中,模擬集成電路中的CMOS運(yùn)算放大器是大規(guī)模高速低功耗芯片中的重要核心模塊。其性能直接影響整體應(yīng)用系統(tǒng)的關(guān)鍵指標(biāo)。在紅外探測(cè)應(yīng)用系統(tǒng),運(yùn)算放大器廣泛應(yīng)用于不同模塊單元,如探測(cè)輸入級(jí)、數(shù)據(jù)處理中間級(jí)、輸出級(jí)和偏置電路等。模擬運(yùn)放通常起到信號(hào)放大、高速輸出的作用。在追求這些性能的同時(shí),穩(wěn)定性、功耗和噪聲是設(shè)計(jì)時(shí)需要關(guān)注的重點(diǎn)。通常我們可以通過兩級(jí)運(yùn)放的結(jié)構(gòu),并且引入彌勒補(bǔ)償?shù)姆绞?實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)運(yùn)放整體的性能[1-2]。

本文設(shè)計(jì)了一款高性能的輸出級(jí)運(yùn)算放大器,最高可工作于20 MHz工作頻率,負(fù)載電阻100 kΩ和電容25 pF。為了解決高工作頻率和大負(fù)載對(duì)運(yùn)算放大器的擺率和功耗損失,設(shè)計(jì)折疊共源共柵差分運(yùn)放作為一級(jí)運(yùn)放,主要為電路提供高增益、高輸出阻抗,甲乙類共源推挽反向運(yùn)放作為第二級(jí)運(yùn)放,為電路負(fù)載提供大驅(qū)動(dòng)電流,有效減小整體輸出級(jí)運(yùn)放的功耗。

2 運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

2.1 折疊共源共柵差分運(yùn)放

如圖1中(I)所示,為兩級(jí)運(yùn)放中的第一級(jí)運(yùn)放折疊共源共柵差分運(yùn)放。具有較高的輸出阻抗、較大的電壓輸出擺幅、增益高等優(yōu)點(diǎn),但有功耗、低電壓增益、低極點(diǎn)頻率和高噪聲的缺點(diǎn)[3]。

圖1 高性能的輸出級(jí)運(yùn)算放大器

本文設(shè)計(jì)的折疊共源共柵差分運(yùn)放,考慮到尾電流源的變化會(huì)影響運(yùn)放的直流工作點(diǎn)及輸出工模電壓,設(shè)計(jì)了反饋偏置,可以實(shí)現(xiàn)在不降低其他性能的前提下,對(duì)折疊共源共柵由于工模輸入電壓的變化以及工藝匹配偏差造成的尾電流源的電流變化起到抑制作用,從而提高運(yùn)放的共模抑制比CMRR。利用自偏壓互補(bǔ)折疊設(shè)計(jì)可以減少外部偏壓數(shù)量,提高輸出擺幅和開環(huán)增益。降低由于更多外部輸入偏壓導(dǎo)致的噪聲和串?dāng)_影響。

差分輸入管NMOS管M1和M2在尾電流源M3提供的固定偏置電流作用下,將差分輸入電壓轉(zhuǎn)化為差分電流,經(jīng)過由M4、M5和M10、M11組成的兩個(gè)電流鏡實(shí)現(xiàn)雙端到單端的轉(zhuǎn)換,輸出OUT1給下一級(jí)電路。M6～M9用來獲得更高的電壓輸出擺幅。在設(shè)計(jì)時(shí),需要注意的是,I4和I5的值通常設(shè)在I3到2I3之間,以此來保證共源共柵電流鏡的直流電流I6,I7不為零。

2.2 甲乙類推挽反相運(yùn)放

如圖1中(Ⅱ)所示,為兩級(jí)運(yùn)放中的第二級(jí)運(yùn)放甲乙類推挽反相運(yùn)放,對(duì)第二級(jí)運(yùn)放的設(shè)計(jì)要求為:具有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力、高電壓電流轉(zhuǎn)換效率,可以靈活地從負(fù)載得到電流或者向負(fù)載提供電流,實(shí)現(xiàn)高電流增益,驅(qū)動(dòng)大負(fù)載[4-5]。

甲乙類推挽反相運(yùn)放M16的柵偏壓決定于一級(jí)運(yùn)放輸出電壓OUT1和電源電壓VDD的差值；M17的柵偏壓決定于M15的漏端電壓。適當(dāng)選取M16和M17的偏壓來保證電路工作在甲乙類。當(dāng)輸入電壓OUT1正向變化時(shí),M15的電流增加,其漏端電壓也正向變化,M17的電流增加,輸出電壓OUT電壓向負(fù)方向變化。同時(shí),M16的電流減少,負(fù)載電流由M17提供；反之,輸入電壓OUT1向正方向變化,M16電流增加,負(fù)載電流由M16提供,實(shí)現(xiàn)大電流驅(qū)動(dòng)大負(fù)載能力。

2.3 運(yùn)放增益

運(yùn)放增益由兩級(jí)運(yùn)放級(jí)聯(lián)構(gòu)成,增益主要由第一級(jí)運(yùn)放提供,如公式(1)～(3)所示,可以通過提高第一級(jí)輸入管跨導(dǎo)和增大第一級(jí)的負(fù)載電阻來提高整體運(yùn)放的增益。

Av=AvⅠ×AvⅡ

(1)

AvⅠ=gmⅠ×RI=gm1×[(gm7ro7ro4)//(gm9ro9ro11)]

(2)

AvⅡ=gmⅡ×RⅡ=gm16×(ro16)//(ro17)

(3)

2.4 運(yùn)放擺率

如公式(4)～(6)所示,兩級(jí)運(yùn)放的擺率受限于兩級(jí)運(yùn)放的最小擺率:

(4)

(5)

SR=min {SRⅠ,SRⅡ}

(6)

2.5 頻率補(bǔ)償

頻率補(bǔ)償?shù)姆椒╗6-8]在密勒電容CC的前饋通路中插進(jìn)與CC串聯(lián)的調(diào)零電阻RZ,從而改善零點(diǎn)的頻率。圖2為這種方法的示意圖,對(duì)應(yīng)于圖1中II第二級(jí)運(yùn)放甲乙類推挽反相運(yùn)放模塊中的M9晶體管。將M9等效電阻用作調(diào)零電阻RZ。使兩級(jí)運(yùn)放級(jí)聯(lián)后的零點(diǎn)值與第一極點(diǎn)相同,實(shí)現(xiàn)相位補(bǔ)償,提高兩級(jí)運(yùn)放的相位裕度。

圖2 消除RHP零點(diǎn)的結(jié)構(gòu)圖

3 偏置電路

如圖3所示,為高速運(yùn)放的偏置電路。該電路由基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路、啟動(dòng)電路以及偏置電路共同構(gòu)成。其中,基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路為運(yùn)放單獨(dú)提供基準(zhǔn)電壓電流,區(qū)分于供電電源。啟動(dòng)電路觸發(fā)偏置電路正常工作。偏置電路為兩級(jí)運(yùn)放中偏置管提供準(zhǔn)確的偏置電壓。

圖3 偏置電路

4 性能仿真

基于SMIC 0.18 um 5 V CMOS工藝對(duì)圖4和圖5所示電路進(jìn)行Hspice仿真,電源電壓為5 V,進(jìn)行蒙特卡洛仿真。

圖4 輸出級(jí)運(yùn)放增益和相位裕度仿真結(jié)果

圖5 輸出級(jí)運(yùn)放擺率仿真結(jié)果

放大器的幅頻、相頻特性如圖4所示,運(yùn)放增益>84 dB,相位裕度79°,單位增益帶寬>100 MHz,建立時(shí)間<10 ns。

放大器仿真結(jié)果列于表1可以看出,設(shè)計(jì)的放大器整體性能良好,具有開環(huán)增益高、單位增益帶寬大、電源抑制比和共模抑制比高、總諧波失真低等特點(diǎn)。

表1 放大器的性能參數(shù)

5 結(jié) 論

本文設(shè)計(jì)的一款適用于高速讀出電路的輸出級(jí)運(yùn)算放大器,基于SMIC 0.18 μm工藝,在負(fù)載電阻100 kΩ,負(fù)載電容25 pF的條件下,使讀出電路的工作頻率大于20 MHz。最終實(shí)現(xiàn)指標(biāo):功耗不大于10 mW,運(yùn)放增益>84 dB,相位裕度79°,單位增益帶寬>100 MHz,噪聲78 μV(1～500 MHz),輸出電壓范圍1～5 V,建立時(shí)間<15 ns。通過設(shè)計(jì)高速輸出級(jí)運(yùn)算放大器,紅外讀出電路的讀出速率和幀頻得到有效提高。未來可以應(yīng)用于高速讀出電路,提升紅外探測(cè)器性能。