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        GDC 3D微通道LSC214/LSC113異質(zhì)結(jié)構(gòu)中溫SOEC材料制備研究

        2022-08-23 09:04:54婁曉明王津津唐雨晴
        電源技術(shù) 2022年8期
        關(guān)鍵詞:坯體冷凍干燥孔道

        婁曉明,王津津,吳 智,唐雨晴

        (湖南工學(xué)院新型建筑材料研究院,湖南衡陽 421002)

        能源短缺、環(huán)境污染,特別是CO2等溫室氣體的排放,是當(dāng)今世界各國(guó)面臨的重大難題。SOEC 作為一種能持續(xù)轉(zhuǎn)化CO2的新型能源轉(zhuǎn)化設(shè)備,可與SOFC(solid oxide fuel cell,固體氧化物燃料電池)可逆轉(zhuǎn)化,因其清潔、高效、安全、無噪音、適用性廣等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛關(guān)注[1-2]。它通過電解H2O/CO2高效、快速、低耗地生成H2、CO 合成氣,合成氣再通過費(fèi)托工藝制成碳?xì)淙剂蟍3]。若能和風(fēng)能、太陽能、核能等有效偶聯(lián)進(jìn)行大規(guī)模制氫,同時(shí)將部分電能以化學(xué)能的形式儲(chǔ)存起來滿足峰值用電需求,有望實(shí)現(xiàn)CO2的高效轉(zhuǎn)化及大規(guī)模儲(chǔ)能,并能解決可再生能源發(fā)電可能產(chǎn)生的“三棄”(棄風(fēng)、棄光、棄水)問題[4]。因此,高溫共電解技術(shù)被認(rèn)為是一項(xiàng)極有前途的CO2高效轉(zhuǎn)化與利用的技術(shù)。

        2005 年,美國(guó)的Idaho 實(shí)驗(yàn)室與Ceramatec 公司首次報(bào)道了SOEC 單電池電解水制氫技術(shù)[5]。但因其反應(yīng)溫度較高(~1 000 ℃)而影響其廣泛應(yīng)用[6]。研究表明,OER/ORR(oxygen evolution/reduction reaction,氧氣氧化/還原反應(yīng))主要在電子導(dǎo)體、離子導(dǎo)體和氣相的TPB/3PB(triple phase boundaries,三相區(qū))或混合離子電子導(dǎo)體與氣相的兩相區(qū)(2PB)進(jìn)行[1]。高溫能顯著提高決速步OER/ORR 的速率,但在SOEC 中因劇烈的析氧反應(yīng)導(dǎo)致陽極和電解質(zhì)界面脫層,加之電堆長(zhǎng)期高溫運(yùn)行,連接體中的高價(jià)鉻化合物導(dǎo)致陽極中毒和破壞TPB 界面結(jié)構(gòu),大幅增加極化電阻,從而破壞其微結(jié)構(gòu)及化學(xué)穩(wěn)定性,降低使用壽命,增加成本。在SOFC 中,中溫(500~700 ℃;intermediate temperature,IT)和低溫(300~500 ℃)時(shí)較低的ORR 速率是首要的難點(diǎn)。因此,探索中低溫高效、可靠、耐久、經(jīng)濟(jì)的氧電極材料成為研究的熱點(diǎn)[6]。然而,降低反應(yīng)溫度會(huì)降低催化活性,增加極化阻抗,特別是降低氧電極的反應(yīng)速率[7]。

        其主要解決思路有:(1)拓展三相反應(yīng)或兩相反應(yīng)區(qū)域,增加反應(yīng)位點(diǎn);(2)提升反應(yīng)位置的反應(yīng)速率。為此,研究人員探索了混合離子電子導(dǎo)體(ABO3-δ鈣鈦礦型氧化物、RP(ruddlesden-popper)氧化物(An+1BO2n+2,n=1,2,3…)以及雙鈣鈦礦型氧化物(AA'BB'O5+δ)、摻雜(貴金屬和稀土)[8]、質(zhì)子導(dǎo)體[9]、復(fù)合電極[10]等途徑來解決上述問題。其中,異質(zhì)結(jié)構(gòu)和多孔材料備受關(guān)注。

        異質(zhì)結(jié)構(gòu)自1980 年代被發(fā)現(xiàn)以來[11],因其性能卓著廣受關(guān)注,并在電解質(zhì)[12]、氧電極[10]、燃料電極[13]中廣泛研究。發(fā)現(xiàn)其能大幅提高氧電極反應(yīng)速率,同時(shí)對(duì)其反應(yīng)機(jī)理、是否增益及增益程度存在不同觀點(diǎn)[10,12-13]。

        氧電極的異質(zhì)結(jié)構(gòu)中以LSC214/LSC113(LaSrCoO4/LaxSr1-xCoO3-δ)研究較多。研究發(fā)現(xiàn)將二者組合成LSC214/LSC113異質(zhì)結(jié)構(gòu)能大幅提高電化學(xué)性能,但對(duì)其機(jī)理仍存在一定異 議[10,14]。2015 年,Dongkyu Lee 等在GDC 上構(gòu)建了垂直定向納米復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)LSC113/LSC214,發(fā)現(xiàn)了大約10 倍的性能提升,以及該結(jié)構(gòu)在400 ℃以上時(shí)表面化學(xué)性能不穩(wěn)定[14]。在該類大量緊密結(jié)合的異質(zhì)界面處產(chǎn)生的氧氣排出時(shí)對(duì)材料產(chǎn)生較大沖擊,導(dǎo)致結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定,特別是隨著溫度升高,反應(yīng)加快。為此,需要合成一種快速排氧的材料,并探究LSC214/LSC113異質(zhì)結(jié)構(gòu)提升性能的原因。

        同時(shí),為拓展三相反應(yīng)或兩相反應(yīng)區(qū)域,增加反應(yīng)位點(diǎn),多孔電極受到廣泛關(guān)注[15-16]。但由于其孔道往往是無序的,氧氣在排出過程受到的阻力會(huì)較大。若能制備一種有序定向排列的微通道材料作為支撐體,并在微通道內(nèi)部覆以異質(zhì)界面,利用其增益效果,將會(huì)有效提高氧氣排放速度,提升反應(yīng)速率,解決脫層失活等問題,極大增加電極使用壽命,促進(jìn)SOEC 推廣應(yīng)用。而冷凍干燥法可以利用冰晶定向生長(zhǎng)并升華后留下的微通道構(gòu)建有序、定向的微通道。

        但異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備往往采用PLD(pulsed laser deposition,脈沖激光沉淀)或MBE (molecular beam epitaxy,分子束外延生長(zhǎng))的方法,成本較高,難以在微通道內(nèi)實(shí)施。而LBL(layer-by-layer)浸滲法能在微通道材料內(nèi)部表面包覆催化層材料。

        為此,基于Gd0.1Ce0.9O1.95較好的中低溫電導(dǎo)率(500/600/700 ℃分別為0.009 5/0.025 3/0.054 0 S/cm)[17],本文以GDC為原料,通過冷凍干燥法制備有序、定向、快速排氧的3D 微通道氧電極支撐體;利用LBL 浸滲法在GDC 3D 微通道內(nèi)構(gòu)建LSC214/LSC113異質(zhì)界面層,得到基于GDC 3D 微通道的LSC214/LSC113異質(zhì)界面氧電極材料。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 原料與儀器

        GDC 粉體、陶氏分散劑、陶氏粘結(jié)劑、硅酸鎂鋁、氨水、La(NO3)3·nH2O、Sr(NO3)2、Co(NO3)2·6 H2O、檸檬酸、尿素、polyvinyl pyrrolidone(PVP)、去離子水。

        采用X 射線衍射儀(Bruker D8 Advance)在Cu 靶衍射(λ=0.154 06 nm)下測(cè)試合成的樣品的晶格參數(shù),掃描角度10°~80°,掃描速率4(°)/min,掃描步長(zhǎng)0.02°。

        采用掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,簡(jiǎn)稱SEM,JSM-6301F)測(cè)試其晶粒大小和形貌。

        電化學(xué)性能測(cè)試采用德國(guó)Zahner 公司IM6ex 型電化學(xué)工作站,采用三電極法,頻率為100 mHz~1 MHz,交流擾動(dòng)電壓振幅為10 mV,測(cè)試溫度為700 ℃條件下進(jìn)行EIS 測(cè)試。

        1.2 GDC 3D 微通道的制備

        (1)漿料配制:稱取化學(xué)計(jì)量的GDC 粉體、去離子水、陶氏分散劑、陶氏粘結(jié)劑、硅酸鎂鋁,用氨水調(diào)節(jié)pH=7 后加入GDC 粉體,攪拌并超聲15 min,于150 r/min 球磨2 h,得漿料。

        (2)冷凍干燥:將聚丙烯樹脂模具置于冷凍干燥的銅質(zhì)冷凍板上,將球磨好的漿料用移液槍注入模具中,低溫恒溫?cái)嚢枰掖荚√峁├湓矗瑵{料在低溫下快速冷凍成型,快速將冷凍好的樣品轉(zhuǎn)移到真空冷凍干燥機(jī)中,冷凍干燥24 h,冰晶升華得到微米級(jí)的定向、有序孔道。冷凍后脫模得到3D 微通道的GDC 電極支撐骨架。

        (3)坯體固化:因脫模后的支撐骨架機(jī)械強(qiáng)度很低,所以將支撐骨架在1 250 ℃煅燒2 h 得初坯體,以獲得較好的機(jī)械強(qiáng)度。

        (4)LBL 浸滲異質(zhì) 結(jié)構(gòu):將La(NO3)3·nH2O、Sr(NO3)2、Co(NO3)2·6 H2O、檸檬酸、尿素、PVP 按比例配制成浸滲液。將浸滲液LSC113 滴加到初坯體上,靜置12 h,60 ℃干燥6 h,800 ℃煅燒2 h,得浸滲坯體1;將浸滲液LSC214 滴加到坯體1 上,靜置12 h,60 ℃干燥6 h,800 ℃煅燒2 h,得坯體2;重復(fù)步驟(4)(12~15 次左右),直到達(dá)到最佳負(fù)載量(40%質(zhì)量分?jǐn)?shù)),得到具有3D 微通道結(jié)構(gòu)的固體氧化物電解池/燃料電池電極材料。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 X 射線衍射分析

        圖1 為3D 微通道XRD 結(jié)果。圖中從上到下依次為在GDC 3D 微通道上包覆LSC214、LSC113 和LSC214,以 及LSC113 的X 射線衍射結(jié)果。圖中心形符號(hào)位置的峰表示GDC 支撐體材料,菱形圖案的峰表示LSC214 的特征峰,空白三角形符號(hào)位置的峰為L(zhǎng)SC113 材料的特征峰。因材料是先制備出GDC 支撐體(即3D 微通道),再在GDC 支撐體內(nèi)壁沉積LSC113 或LSC214 材料。所以,各圖中應(yīng)可見GDC 支撐體的峰以及沉積在其內(nèi)部的LSC113 或LSC214 材料的峰。從圖中可見,LSC113、LSC214 包覆GDC 3D 微通道的衍射峰強(qiáng)度較強(qiáng),沒有雜峰,晶體結(jié)晶度較高。LSC113/214 包覆GDC 3D 微通道的衍射峰融合了LSC113 和LSC214 的特征峰,且沒有出現(xiàn)雜峰,表明合成的材料純度很高,以上結(jié)果和文獻(xiàn)[18]一致。

        圖1 LSC113/GDC、LSC214/GDC、LSC113/214 GDC 3D微通道XRD結(jié)果

        2.2 形貌分析

        GDC 3D 微通道支撐體和浸滲LSC113 和LSC214 材料的掃描電鏡結(jié)果如圖2 所示。圖2(a~c)為冷凍干燥后在1 250 ℃煅燒2 h 得到的固化支撐坯體;圖2(d~f)為將固化后的支撐體采用LBL 浸滲法浸滲LSC113 或LSC214 后得到的LSC113/214 GDC 3D 微通道SEM 圖。從圖2(a)中可見,固化后的支撐坯體整體厚度均勻,微通道密集,且整體呈現(xiàn)上部微通道直徑略寬于下部的形態(tài)。3D 微通道的形成原理為漿料注入模具后,在低溫恒溫冷源的作用下,凝固成型。將其轉(zhuǎn)移到冷凍干燥機(jī)中,水分升華,留下3D 微通道的孔道,形成機(jī)械強(qiáng)度很低的坯體。在一定溫度下煅燒該坯體得到3D 微通道支撐體。因此,漿料的濃度、冷凍干燥的溫度對(duì)3D 微通道的形態(tài)和分布,以及最終產(chǎn)品的性能產(chǎn)生決定性的影響。

        圖2 GDC 3D 微通道支撐體和LSC113/214 GDC 3D 微通道SEM圖

        將圖2(a)中紅色部分放大后得到圖2(b),圖中可見孔道規(guī)整,平行排列,呈現(xiàn)多個(gè)方向,微通道的寬度均勻,約為10 μm。繼續(xù)放大圖2(b)紅色圓圈部分,得到圖2(c)。圖中可見,3D 微通道寬度均一,平行排列規(guī)整。將經(jīng)過12 次交替浸滲LSC113和LSC214的GDC 3D 微通道煅燒后得到LSC113/214 3D 微通道的SEM 圖2(d)。從圖2(d)中可見微通道壁面有龜裂的LSC包覆層。圖2(e)和圖2(f)為微通道的斷面結(jié)構(gòu)。從圖2(e)中可見,微通道之間有約15 μm 的孔道壁面,同時(shí),孔道壁中有大量微孔。這些微孔有助于微通道之間連通,提高三相界面和反應(yīng)速率。將圖2(e)紅色圓圈部分放大后得到圖2(f)。從圖2(d)、(f)中可見在孔道內(nèi)壁及凹槽底部均勻包覆一層的LSC113/214 活性物質(zhì)。圖中開裂的部分即為沉積在材料內(nèi)壁的LSC113/214。因采用冷凍干燥法制備GDC 支撐體,其表面會(huì)因升華得到凹凸不平、小孔的形貌,如圖2(c)所示。而圖2(d)和圖2(f)中可見有大面積的板結(jié)和裂紋,即沉積成功。

        2.3 溫度的影響

        冷凍干燥溫度主要通過影響冰晶的成核速率和生長(zhǎng)速率之間的平衡關(guān)系來控制3D 微通道的結(jié)構(gòu)。當(dāng)冷凍溫度較低時(shí),冰晶的成核速率高于生長(zhǎng)速率,趨于形成尺寸較小的冰晶,有利于構(gòu)建較小的3D 微通道。反之,冷凍溫度較高時(shí)將獲得較大的冰晶,不利于形成均勻、細(xì)小的微通道。為此,本文探索了不同冷凍干燥溫度對(duì)微通道結(jié)構(gòu)的影響,并通過調(diào)控冷凍干燥溫度,優(yōu)化3D 微通道的微觀結(jié)構(gòu)。本文以8%(體積分?jǐn)?shù))的漿料分別在-40、-60、-70 ℃進(jìn)行冷凍干燥,在1 250 ℃煅燒2 h 后得圖3 所示結(jié)果。圖3 為-40 ℃[圖3(a)和圖3(b)]、-60 ℃[圖3(c)和圖3(d)]、-70 ℃[圖3(e)和圖3(f)]時(shí)的SEM 結(jié)果,其孔道寬度分別約為20、15、10 μm??梢?70 ℃GDC 3D 微通道的孔道寬度最小,且圖中可見分布較均勻。其原因是冷凍溫度較低時(shí),冰晶的成核速率高于其生長(zhǎng)速率,傾向于生成尺寸較小的冰晶;冷凍溫度較高時(shí),將傾向于獲得尺寸較大的冰晶。因此,在冷凍溫度較高時(shí)支撐體孔徑較大,孔道數(shù)量較少、路徑不夠規(guī)則、通道間壁較厚,結(jié)構(gòu)不理想。所以,降低冷凍干燥溫度有助于優(yōu)化微通道結(jié)構(gòu)、提升產(chǎn)品性能。

        圖3 不同溫度下制備的GDC 3D 微通道支撐體微通道SEM 圖

        為此,當(dāng)冷凍溫度下降到-60 ℃時(shí),如圖3(c~d)所示,孔徑下降,路徑規(guī)則度提高,孔道平行度提高,通道間壁上的孔洞較多,孔道結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。溫度繼續(xù)下降到-70 ℃時(shí),如圖3(e~f)所示,3D 微通道路徑規(guī)整、平行,孔徑進(jìn)一步減小,結(jié)構(gòu)達(dá)到最佳。所以,-70 ℃為最佳冷凍干燥溫度(因設(shè)備最低冷凍溫度為-70 ℃,暫時(shí)只能獲得該數(shù)據(jù)為最佳溫度)。

        2.4 電化學(xué)性能測(cè)試

        2.4.1 冷凍干燥溫度的影響

        為進(jìn)一步研究溫度對(duì)樣品的電化學(xué)性能的影響,將-40、-60、-70 ℃的GDC 3D 微通道浸滲得LSC113/214 負(fù)載40%(體積分?jǐn)?shù))的電極材料,在700 ℃進(jìn)行電化學(xué)阻抗譜(electrochemical impedance spectroscopy,簡(jiǎn)稱EIS) 測(cè)試。圖4為使用德國(guó)Zahner 公司IM6ex 型電化學(xué)工作站,采用三電極法,頻率為100 mHz~1 MHz,交流擾動(dòng)電壓振幅為10 mV,測(cè)試溫度為700 ℃條件下的EIS 測(cè)試結(jié)果。圖4 中插圖為局部放大圖。由圖4 可見,冷凍干燥溫度為-70 ℃時(shí)的GDC 3D 微通道LSC113/214 電極材料的阻抗最小,約為0.75 Ω/cm2。所以,以-70 ℃為最佳冷凍干燥溫度。

        圖4 -40、-60、-70 ℃制備的LSC113/214 GDC 3D微通道EIS 測(cè)試結(jié)果

        2.4.2 浸滲方法的影響

        為明確浸滲方法對(duì)材料性能的影響,將未浸滲的GDC 3D 微通道[5(a)]、傳統(tǒng)浸滲法浸滲15 次的GDC 3D 微通道[5(b)]以及LBL 浸滲12 次的GDC 3D 微通道[5(c)]進(jìn)行EIS 測(cè)試,結(jié)果如圖5 所示。由圖中可見,未浸滲的GDC 電極的阻抗約為375 Ω/cm2,傳統(tǒng)浸滲液浸滲15 次GDC 電極的阻抗約150 Ω/cm2。而采用LSC113/214 浸滲12 次后GDC 電極的阻抗降低為0.7 Ω/cm2,較傳統(tǒng)浸滲液浸滲15 次的GDC 電極提高200 多倍。由此可以大幅提高性能并縮短制備時(shí)間。

        圖5 未浸滲和不同浸滲方式及不同浸滲次數(shù)的GDC 3D微通道EIS測(cè)試

        3 結(jié)論

        本文以GDC 為原料,在-70 ℃冷凍干燥得支撐體材料,將其煅燒得具有一定機(jī)械強(qiáng)度的坯體;在此基礎(chǔ)上采用LBL浸滲法,并煅燒得LSC113/214 3D 微通道結(jié)構(gòu)異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。測(cè)試結(jié)果表明,浸滲12 次得到的3D 微通道異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料在700 ℃的阻抗約為0.75 Ω/cm2,其電導(dǎo)性能比傳統(tǒng)浸滲法提高約200 倍,同時(shí)縮短材料制備時(shí)間,能滿足IT-SOEC/SOFC 電極材料的要求。

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