何佳佳,周揚忠,劉汪彤
(福州大學 福建省新能源發(fā)電與電能變換重點實驗室,福州 350108)
永磁型無軸承磁通切換電機(以下簡稱BFSPMM)是將無軸承技術應用到磁通切換電機中的一種新型電機,其轉(zhuǎn)子由硅鋼片簡單疊壓而成,結構簡單,機械強度高;而永磁體和繞組均放置在定子側,轉(zhuǎn)矩密度更高,也便于散熱冷卻[1-3]。BFSPMM同時還具有無軸承電機定轉(zhuǎn)子完全隔離的優(yōu)點,在電機運行過程中無需考慮機械軸承摩擦和潤滑處理,因此其在生物醫(yī)藥、半導體及化學化工領域具有廣闊的應用前景[4-5]。
目前的BFSPMM在繞組結構上可分為雙繞組和單繞組兩種。雙繞組即在定子上分別安裝兩套獨立繞組,一套控制切向旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)矩繞組置于U形槽中,另一套控制徑向懸浮的懸浮繞組置于永磁體槽中。這種結構便于理解,但存在繞組間強耦合等問題。單繞組則是通過數(shù)學變換,使得繞組電流同時包含轉(zhuǎn)矩分量和懸浮分量,充分利用了定子繞組空間,提高了電機運行效率[6]。
對于傳統(tǒng)的單繞組BFSPMM,為了實現(xiàn)通過磁場調(diào)制的方式讓轉(zhuǎn)子穩(wěn)定懸浮,常將偏置磁場設置在鐵心材料B-H曲線飽和點以下,這就使得BFSPMM永磁體徑向長度受到了限制,從而導致定子永磁體槽空間沒有充分利用,且不可避免地降低了電機單位體積的負載能力。若定子永磁體槽中引入電勵磁繞組,使電勵磁磁勢和永磁體磁勢同時作用于氣隙磁場,便可以充分利用永磁體槽空間,由此構成的無軸承電機稱之為混合勵磁型無軸承磁通切換電機(以下簡稱BFSHEM)?;旌蟿畲烹姍C內(nèi)部同時具有永磁磁勢和電勵磁磁勢兩種激勵,既繼承了永磁電機功率密度和轉(zhuǎn)矩密度更高的優(yōu)點,又因勵磁磁勢的引入,能夠更好地調(diào)節(jié)氣隙磁場[7]。
文獻[8]以簡單磁路法為基礎,提出了一種混合勵磁磁通切換電機(以下簡稱FSHEM)的快速設計方法,并設計出了一臺12槽/10極FSHEM樣機。隨后文獻[9]針對典型12槽/10極FSHEM,研究不同永磁材料及不同永磁體位置下電機的電磁特性,表明永磁體在定子最低端時,勵磁電流對電機的調(diào)磁能力最強。此外,文獻[10]和文獻[11]基于有限元法分別研究了過飽和效應對FSHEM電磁特性的影響以及FSHEM的電感特性,為進一步研究該類型電機奠定了一定的理論基礎。
本文以12槽/10極BFSHEM為研究對象,闡述了該電機懸浮力生成原理,并基于有限元仿真推導了混合勵磁下的偏置磁場情況、懸浮力及轉(zhuǎn)矩數(shù)學模型。通過有限元仿真對BFSHEM的懸浮力及電磁轉(zhuǎn)矩進行分析并驗證數(shù)學模型。在一臺BFSHEM樣機上進行反電動勢測量實驗,以進一步驗證該電機的調(diào)磁能力。
本文研究的BFSHEM為12槽/10極結構,如圖1所示。其中,沿切向交替充磁的永磁體置于相鄰的兩個U形鐵心中間,電機六相繞組和勵磁繞組均放置在定子上,而轉(zhuǎn)子上并無放置繞組或永磁體。
圖1 電機拓撲結構
BFSHEM共有A~F六相功率繞組及電勵磁繞組,為了利用繞組的互補性來增加各相繞組反電動勢的正弦度,每相功率繞組是由空間上相互垂直的兩個線圈串聯(lián)而成。電機六相繞組電流iA~iF可同時含有控制轉(zhuǎn)子切向旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)矩電流iAT~iFT和控制轉(zhuǎn)子徑向懸浮的懸浮電流iAS~iFS,但懸浮電流需滿足關系:iAS=iDS=iAD,iBS=iES=iEB,iCS=iFS=iCF。向電勵磁繞組通入直流電流IL可生成電勵磁磁勢,借以對電機氣隙磁場進行調(diào)節(jié)。本文將產(chǎn)生磁通方向與永磁體產(chǎn)生磁通同向的勵磁電流定義為正方向,θM為轉(zhuǎn)子的機械角度。
BFSHEM相關參數(shù)如表1所示。
表1 BFSHEM相關參數(shù)
在電機運行過程中通常利用麥克斯韋力來使轉(zhuǎn)子懸浮,而麥克斯韋力又與轉(zhuǎn)子表面磁場有關,因此可以在電機中通入懸浮電流分量,用以打破電機內(nèi)部原本對稱分布的磁場,使電機轉(zhuǎn)子受到相應的磁拉力以實現(xiàn)穩(wěn)定懸浮。如圖1中,A相繞組通入正向懸浮電流將會使氣隙φ1和氣隙φ2處的磁通增大,而氣隙φ3和氣隙φ4處的磁通基本不變,氣隙φ1和φ2處的磁場強度要大于氣隙φ3和φ4處的,從而使電機轉(zhuǎn)子受到一個沿A相繞組軸線的懸浮力。
圖2為BFSHEM在不同激勵情況下的磁密分布情況。由圖2(a)、圖2(b)、圖2(c)可以看到,由于電勵磁繞組與永磁體放置在同一軸線上,二者產(chǎn)生的磁力線所經(jīng)過的磁路相同,所以在加入電勵磁繞組后并不改變其氣隙磁密分布情況,而通入增磁電流可以有效增加其氣隙磁場強度。圖2(d)說明加入較大的去磁電流時,可以使得穿過氣隙的磁力線減小至0,此時電機氣隙磁場密度也將接近0。
圖2 不同激勵下磁密分布情況
圖3為加入不同勵磁電流情況下BFSHEM的氣隙分布情況,圖4為轉(zhuǎn)子位置角分別為0、45°、90°及135°附近的氣隙磁密分布情況??梢钥吹?加入不同電勵磁電流時電機氣隙磁密分布趨勢一致,只在幅值上有所差異。
圖3 不同勵磁電流下氣隙磁密分布(IL=-4 A,-2 A,0,+2 A,+4 A)
圖4 不同勵磁電流各轉(zhuǎn)子位置附近氣隙磁密分布(IL=-4 A,-2 A,0,+2 A,+4 A)
表2為電機轉(zhuǎn)子在不同位置下和不同勵磁電流下的氣隙磁密幅值。由表2可以得到,在不同轉(zhuǎn)子位置角下,氣隙磁密幅值與勵磁電流均成線性正相關關系。該關系:
Br_HE=(1+KLIL)Br_PM
(1)
式中:Br_HE與Br_PM分別為混合勵磁與僅永磁體激勵下氣隙磁密幅值;KL為僅勵磁電流激勵與僅永磁體激勵下的氣隙磁密幅值之比,本文稱為勵磁系數(shù),量綱為1/A。
表2 不同位置、不同勵磁電流下氣隙磁密幅值
通過式(1)可以將混合勵磁下的磁勢視為一個可調(diào)的永磁體磁勢,為后續(xù)研究帶來便利,但勵磁系數(shù)在不同位置下的取值仍存在差異。為了簡化分析,文獻[10]提出將定轉(zhuǎn)子齒部對齊面積最大部分對應的氣隙磁密定義為氣隙磁密平均值,則可得到不同勵磁電流下氣隙磁密平均值的變化情況,如圖5所示,氣隙平均磁密與勵磁電流成正比關系,利用該關系得到的勵磁系數(shù)具有普遍性,誤差較小。
由圖5可得勵磁系數(shù)KL約為0.176 2 A-1。令混合勵磁下平均氣隙磁密為0,可計算得到相應的勵磁電流IL約為-5.67 A,即通入5.67 A的去磁電流,可將永磁體產(chǎn)生的平均氣隙磁密抵消??紤]到在電機運行過程中,如果加入過大的增磁電流,有可能導致氣隙磁場磁飽和;如果加入過大的去磁電流,長時間運行下有永磁體退磁的風險,故本文將勵磁電流限幅值設置為±5 A。
圖5 不同勵磁電流下氣隙磁密平均值的變化情況
通過T6恒功率變換矩陣可將定子電流分解成兩個機電能量轉(zhuǎn)換平面(轉(zhuǎn)矩平面iαTiβT、懸浮平面iαSiβS)及零序平面,其中機電能量轉(zhuǎn)換平面坐標系定義如圖6所示。A~F為六相繞組軸線,θr為電機轉(zhuǎn)子位置角,圖6(a)中,αT,βT為轉(zhuǎn)矩平面靜止坐標系;dT,qT為轉(zhuǎn)矩平面旋轉(zhuǎn)坐標系;iαT,iβT分別為轉(zhuǎn)矩電流矢量iST在αT,βT軸上的投影。圖6(b)中,αS,βS為懸浮平面靜止坐標系;dS,qS為懸浮平面旋轉(zhuǎn)坐標系;iαS,iβS分別為懸浮電流矢量iSS在αS,βS軸上的投影,φS的定義在下文給出。
圖6 機電能量轉(zhuǎn)換平面坐標系定義
文獻[12]對BFSPMM的懸浮力模型進行了建模研究,可以得到六相懸浮電流在永磁體激勵下的懸浮力數(shù)學模型。其中A相懸浮電流與懸浮力關系如下:
(2)
式中:KDC_PM為懸浮力直流偏置;Kpm為單位懸浮電流在永磁體磁場下的懸浮力基波幅值。這兩個系數(shù)均和永磁體產(chǎn)生氣隙磁密成正比。
通過前文提到的勵磁系數(shù)KL及式(1),可將BFSPMM中的永磁體產(chǎn)生氣隙磁密用混合勵磁下的氣隙磁密來代替,即將KDC_PM和Kpm用KDC_HE和KHE來替代。其關系如下:
KDC_HE=(1+KLIL)KDC_PM
(3)
KHE=(1+KLIL)KPM
(4)
此時便可將BFSPMM懸浮力模型拓展至BFSHEM懸浮力模型,如下:
(5)
同理,可以將BFSPMM其余五相電流的懸浮力數(shù)學模型擴展至BFSHEM懸浮力數(shù)學模型。
為了兼顧功率電流對懸浮電流產(chǎn)生懸浮力的影響,文獻[12]也給出了BFSPMM在兩相靜止坐標系下,功率電流和永磁體共同激勵時的懸浮力數(shù)學模型:
(6)
其中,系數(shù)Kαβpm與永磁體產(chǎn)生氣隙磁密成正比,而KαβdT和KαβqT分別與功率電流idT和iqT有關,與永磁體產(chǎn)生氣隙磁密無關。因此也可通過勵磁系數(shù)將BFSPMM在兩相靜止坐標系下數(shù)學模型擴展至BFSHEM的數(shù)學模型:
(7)
式中:
KαβHE=(1+KLIL)Kαβpm
(8)
(9)
(10)
以上系數(shù)均可由有限元仿真得到。
通過T6恒功率變換矩陣可將定子電流分解至懸浮平面和轉(zhuǎn)矩平面,實現(xiàn)懸浮電流和轉(zhuǎn)矩電流的解耦[13]。此時,BFSHEM在轉(zhuǎn)矩平面下的轉(zhuǎn)矩數(shù)學模型與FSHEM一致,但電流成分有所差異。BFSHEM在轉(zhuǎn)矩平面兩相旋轉(zhuǎn)坐標系下的磁鏈方程:
(11)
式中:Ld、Lq分別為直軸和交軸電感;Msfm為勵磁繞組與電樞繞組互感的幅值;Lf為勵磁繞組自感;ψPM為永磁體匝鏈電樞繞組的磁鏈幅值。
由電壓方程得到電流微分方程:
(12)
電磁轉(zhuǎn)矩方程:
Te=p(iqTψd-idTψq)=
p[iqT(LdidT+MsfmIf+ψpm)-idTLqiqT]=
p[ψpmiqT+idTiqT(Ld-Lq)+MsfmIfiqT]
(13)
可以看到,相較于永磁型電機,混合勵磁的引入使得電機電磁轉(zhuǎn)矩方程中包含一項電勵磁轉(zhuǎn)矩分量Tr=pMsfmIfiqT。BFSHEM可在保持轉(zhuǎn)矩電流不變的情況下,通過增大勵磁電流來增大電磁轉(zhuǎn)矩,提升電機的負載能力。
圖7為5 A勵磁電流下的BFSHEM懸浮力模型與有限元仿真的對比,圖7(a)為通入αS軸懸浮電流5 A時X方向的懸浮力,圖7(b)為通入βS軸懸浮電流5 A時Y方向的懸浮力。由比較結果可以看出,二者基本吻合,且波形變化趨勢一致。該數(shù)學模型忽略了聚磁效應對于氣隙磁密的影響,存在著一定的誤差,但是這個誤差較小。
圖7 有限元仿真與數(shù)學模型懸浮力對比
圖8~圖10分別為BFSHEM的轉(zhuǎn)矩電流、勵磁電流及αS軸懸浮電流三項中,兩項為1 A,另一項變化時的懸浮力有限元分析與數(shù)學模型對比。圖8說明不同的轉(zhuǎn)矩電流對懸浮力的影響不大;圖9表明勵磁電流對懸浮力大小同樣有著調(diào)控作用,即增加了懸浮力的控制維度;圖10則表明懸浮電流能夠線性地調(diào)制磁場,使得懸浮力幅值與懸浮電流成正比。對比圖8~圖10可見,通過BFSHEM懸浮力數(shù)學模型得到的計算結果與有限元仿真分析基本一致。
圖8 不同轉(zhuǎn)矩電流下有限元仿真與數(shù)學模型懸浮力對比
圖9 不同勵磁電流下有限元仿真與數(shù)學模型懸浮力對比
圖10 不同αS軸懸浮電流下有限元仿真與數(shù)學模型懸浮力對比
圖11分別為BFSHEM的轉(zhuǎn)矩電流、勵磁電流及αS軸懸浮電流三項中,兩項為1 A,另一項變化時的電磁轉(zhuǎn)矩有限元分析情況。圖11(a)表明BFSHEM轉(zhuǎn)矩電流對電磁轉(zhuǎn)矩具有良好的調(diào)控作用;圖11(b)說明增加勵磁電流也能增加電磁轉(zhuǎn)矩的平均值,但是同樣會使電機的轉(zhuǎn)矩脈動增大。圖11(c)則表明懸浮電流對BFSHEM的電磁轉(zhuǎn)矩影響不大。表3為不同勵磁電流下,電磁轉(zhuǎn)矩平均值的數(shù)學模型與有限元仿真的對比??梢钥吹剑葿FSHEM電磁轉(zhuǎn)矩數(shù)學模型得到的計算結果與有限元分析基本一致。結合圖11(b)及表3可以看到,在通入5 A勵磁電流情況下,BFSHEM的電磁轉(zhuǎn)矩平均值增大至1 N·m左右,較BFSPMM提升了近一倍。因此,可以通過增大勵磁電流來有效地增加BFSHEM的電磁轉(zhuǎn)矩輸出,提升電機單位體積的負載能力。
表3 不同勵磁電流下電磁轉(zhuǎn)矩平均值的數(shù)學模型與有限元仿真對比
圖11 不同電流下電磁轉(zhuǎn)矩有限元分析情況
為了驗證本文BFSHEM的調(diào)磁能力,在一臺BFSHEM樣機上進行轉(zhuǎn)速為100 r/min,通入不同增磁電流時的單相電樞繞組空載反電動勢測量,結果如圖12所示。圖12(a)為通入不同增磁電流時的反電動勢波形,可以看到,反電動勢的波形正弦度較高,且加入增磁電流可以有效增大空載反電動勢的幅值。圖12(b)為反電動勢幅值的有限元仿真、計算模型及實驗結果對比,在轉(zhuǎn)速恒定情況下,反電動勢幅值與勵磁電流大小成正相關,且實驗結果與仿真及計算結果吻合較好。
圖12 反電動勢測量實驗結果
本文介紹了12/10單繞組BFSHEM的拓撲結構,闡述了電機懸浮力生成原理?;谟邢拊治觯玫紹FSHEM的氣隙偏置磁場情況,并引進勵磁系數(shù),推導出BFSHEM的懸浮力及電磁轉(zhuǎn)矩數(shù)學模型。之后對混合勵磁下的懸浮力及轉(zhuǎn)矩特性進行分析,驗證數(shù)學模型,并在一臺BFSHEM樣機上進行反電動勢測量實驗。主要結論如下:
1)通過引入電勵磁繞組可以充分利用定子槽空間,且能有效調(diào)節(jié)氣隙磁場;
2)所建數(shù)學模型能夠基本反映該電機的懸浮力及電磁轉(zhuǎn)矩特性;
3)建模及有限元分析表明BFSHEM具有較大的應用價值。