林世澤,房超青(通信作者)
福建省泉州市第三醫(yī)院精神科(福建泉州 362121)
精神分裂癥是我國(guó)重點(diǎn)防治的精神疾病,一旦患病,不僅會(huì)影響患者生命質(zhì)量,還會(huì)帶來不同程度的社會(huì)安全問題。認(rèn)知功能缺陷作為精神分裂癥的核心癥狀之一,涉及記憶、注意、言語、思維、推理及執(zhí)行功能等多方面,其中記憶損害是廣泛存在而非選擇性的[1]。前瞻性記憶(prospective memory,PM)作為記憶的一種類型,是指記住于將來某個(gè)特定時(shí)間完成某項(xiàng)任務(wù)或按時(shí)完成某項(xiàng)任務(wù)。PM 損傷很可能是導(dǎo)致患者基本社會(huì)功能受損的重要原因,近年來,精神分裂癥患者的PM 功能缺陷受到越來越多的關(guān)注[2],在精神分裂癥患者的無癥狀一級(jí)親屬中亦存在PM 前瞻記憶功能缺陷[3]?,F(xiàn)階段,藥物治療手段對(duì)精神分裂癥患者認(rèn)知功能的改善收效甚微,甚至?xí)a(chǎn)生一定的不良反應(yīng)。重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)作為一種非侵入性、安全、無痛苦的治療方法,有研究發(fā)現(xiàn),采用rTMS 治療可改善精神分裂癥患者的執(zhí)行、記憶和言語功能[4]?;诖?,本研究采用不同模式rTMS 對(duì)精神分裂癥患者進(jìn)行治療,探討其對(duì)PM 的影響,現(xiàn)報(bào)道如下。
選取2019年1月至2020年12月在我院就診的120例精神分裂癥患者,隨機(jī)分為偽刺激組、1 Hz組、10 Hz組、θ短陣快速脈沖刺激(theta burst stimulation,TBS)組,各30例。偽刺激組男14例,女16例;年齡21~35歲,平均(28.34±3.12)歲;病程3~10年,平均(5.4±0.6)年;平均陽性和陰性精神癥狀評(píng)定量表(positive and negative syndrome scale,PANSS)[5]評(píng)分(72.63±11.30)分。1 Hz組男15例,女15例;年齡21~35歲,平均(29.32±3.27)歲;病程3~10年,平均(5.6±0.7)年;平均PANSS評(píng)分(70.32±12.80)分。10 Hz組男13例,女17例;年齡21~35歲,平均(30.08±2.98)歲;病程3~10年,平均(5.5±0.5)年;平均PANSS評(píng)分(71.43±10.60)分。TBS組男16例,女14例;年齡21~35歲,平均(29.34±3.04)歲;病程3~10年,平均(5.7±0.5)年;平均PANSS評(píng)分(72.11±12.30)分。4組一般資料比較,差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05),具有可比性。本研究已獲得醫(yī)院醫(yī)學(xué)倫理委員會(huì)批準(zhǔn)。
納入標(biāo)準(zhǔn):符合國(guó)際疾病分類第10版(International Classification of Diseases-10,ICD-10)精神分裂癥診斷標(biāo)準(zhǔn)[6];病情穩(wěn)定,當(dāng)前正在服用非典型抗精神病藥物;可接受神經(jīng)心理檢查,并簽署知情同意書。排除標(biāo)準(zhǔn):有藥物、酒精濫用史;過去1個(gè)月接受過電休克治療;患有嚴(yán)重軀體疾病或腦器質(zhì)性病變;有顱腦損傷史及精神發(fā)育遲滯;嚴(yán)重不合作;存在聽覺或視覺障礙。
儀器選用南京偉思醫(yī)療科技股份有限公司生產(chǎn)的Magneuro 60經(jīng)顱磁刺激儀,“8”字形線圈。4組分別接受偽刺激、左側(cè)背外側(cè)前額葉(left dorsolateral prefrontal cortex,L-DLPFC)1 Hz低頻刺激、L-DLPFC 10 Hz高頻刺激、TBS 4種模式rTMS治療,5次/周,共治療4周(20次),具體操作模式如下。(1)偽刺激組:翻轉(zhuǎn)刺激磁頭,確保與患者頭部完全貼合,其余操作同其他真刺激組。(2)1 Hz組:治療部位為L(zhǎng)-DLPFC,刺激強(qiáng)度為110%運(yùn)動(dòng)閾值,刺激頻率為1 Hz,20 min/d(30串刺激,每串刺激持續(xù)5 s,間歇30 s,共1500次刺激)。(3)10 Hz組:治療部位為L(zhǎng)-DLPFC,刺激強(qiáng)度為110%運(yùn)動(dòng)閾值,刺激頻率為10 Hz,20 min/d(30串刺激,每串刺激持續(xù)5 s,間歇30 s,共1500 次刺激)。(4)TBS組:治療部位為L(zhǎng)-DLPFC,刺激強(qiáng)度為80%運(yùn)動(dòng)閾值、單次共給予1200個(gè)脈沖、單次總刺激維持約19 min,基本刺激頻率為5 Hz、每200毫秒進(jìn)行1個(gè)短陣刺激、每個(gè)短陣刺激中含3個(gè)頻率為50 Hz的單個(gè)脈沖(每10個(gè)短陣刺激表示1個(gè)刺激串,間隔8 s,共400個(gè)短陣刺激)。
采用PM 實(shí)驗(yàn)室范式評(píng)估PM 測(cè)試法對(duì)PM 進(jìn)行評(píng)估,該記憶測(cè)試法共分為兩個(gè)組塊,即基于事件的前瞻性記憶(event-based prospective memory,EBPM)組塊和基于時(shí)間的前瞻性記憶(time-based prospective memory,TBPM)組塊,每個(gè)組塊滿分為8分,評(píng)分越高提示患者記憶能力越強(qiáng)[7],采用以上方法比較4組治療前及治療4周后的EBPM 評(píng)分和TBPM 評(píng)分,以及1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分差值。
采用SPSS 21.0統(tǒng)計(jì)軟件對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。計(jì)量資料以表示,治療前后比較采用t檢驗(yàn),多個(gè)樣本間比較采用F檢驗(yàn),多個(gè)樣本兩兩比較采用SNK-q檢驗(yàn);計(jì)數(shù)資料以率表示,采用χ2檢驗(yàn)。P<0.05為差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。
偽刺激組治療前與治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分比較,差異均無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05);1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分比較,差異均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05);1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分組間比較及兩兩比較,差異均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05),見表1。
表1 4組治療前及治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分比較(分,)
表1 4組治療前及治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分比較(分,)
注:a 表示3 組真刺激組治療4 周后的EBPM 評(píng)分比較,F(xiàn)=129.0854,P<0.01;3 組間兩兩比較,q1Hz組與TBS組=21.3482,q1Hz組與10Hz組=17.4156,q10Hz組與TBS組=3.9326,P 均<0.01。b 表示3 組真刺激組治療4 周后的TBPM 評(píng)分比較,F(xiàn)=33.4178,P<0.01;3 組間兩兩比較,q1Hz組與TBS組=11.5518,q1Hz組與10Hz組=5.3633,q10Hz組與TBS組=6.1885,P 均<0.01。TBS 為θ 短陣快速脈沖刺激;EBPM 為基于事件的前瞻性記憶;TBPM 為基于時(shí)間的前瞻性記憶
3組治療前與治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM評(píng)分差值比較,差異均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05),且TBS 組EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分差值最大,見表2。
表2 1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分差值比較(分,)
表2 1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分差值比較(分,)
注:TBS 為θ 短陣快速脈沖刺激;dEBPM 為基于事件的前瞻性記憶治療前與治療4 周后評(píng)分的差值;dTBPM 為基于時(shí)間的前瞻性記憶治療前與治療4 周后評(píng)分的差值
精神分裂癥患者認(rèn)知功能損傷的神經(jīng)生物學(xué)機(jī)制建立在腦內(nèi)前額葉、海馬等腦區(qū)多巴胺功能下降以及五羥色胺、乙酰膽堿和谷氨酸等神經(jīng)遞質(zhì)異常的基礎(chǔ)上[8]?;颊逷M 損害與前額葉、丘腦、內(nèi)側(cè)顳葉等腦區(qū)相關(guān),而現(xiàn)階段藥物治療手段對(duì)精神分裂癥患者認(rèn)知功能的改善收效甚微,甚至?xí)a(chǎn)生一定的不良反應(yīng)。有研究表明,rTMS 左側(cè)顳頂葉、左背和雙側(cè)背外側(cè)前額葉均可改善精神分裂癥患者的癥狀[9]。
本研究選擇L-DLPFC 作為刺激部位進(jìn)行rTMS治療,旨在通過交變磁場(chǎng)產(chǎn)生的電流使上述區(qū)域腦神經(jīng)細(xì)胞去極化而產(chǎn)生生物效應(yīng),進(jìn)而促進(jìn)PM 改善。rTMS 可通過給精神分裂癥患者顱內(nèi)特定區(qū)域施加電流,上調(diào)皮層興奮性,激活受抑制腦區(qū),增加大腦認(rèn)知區(qū)域功能性改變[10-11]。本研究中,1 Hz組、10 Hz組及TBS組經(jīng)真刺激治療后的EBPM評(píng)分、TBPM 評(píng)分均升高,提示不同模式rTMS 均可改善精神分裂癥患者的PM 功能。不同模式rTMS 對(duì)大腦皮層的抑制和興奮作用不同,如20 Hz、10 Hz、TBS 等模式對(duì)精神分裂癥患者的認(rèn)知功能均有不同的影響[12]。本研究中,1 Hz 組、10 Hz 組、TBS 組經(jīng)真刺激治療后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分組間比較及兩兩比較,差異均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05),提示不同模式對(duì)PM 的影響程度不同,選擇合適的刺激模式具有實(shí)際的臨床意義。本研究中,3組治療前后的EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分差值比較,差異均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05),且TBS 組EBPM 評(píng)分、TBPM 評(píng)分差值最大,提示TBS 治療模式為改善精神分裂癥患者PM 損害的最佳模式,有擴(kuò)大臨床應(yīng)用的意義。TBS 治療效果更佳的可能機(jī)制為TBS 較常規(guī)刺激更符合人體神經(jīng)元的放電模式,有待動(dòng)物實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步證實(shí)。
本研究尚存在許多不足之處:現(xiàn)階段研究樣本量少,考慮到老年患者及長(zhǎng)期病程患者對(duì)PM 實(shí)驗(yàn)室范式評(píng)估PM 測(cè)試法的配合度差,故納入的患者年齡及病程均有設(shè)定范圍,樣本選擇面較窄,有待擴(kuò)大樣本群及樣本例數(shù)進(jìn)一步驗(yàn)證;此外,本研究的刺激部位僅選取了L-DLPFC,目前尚缺少對(duì)其他部位干預(yù)效果的分析,有待進(jìn)一步驗(yàn)證。