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        摻雜對2H- CuAlO2 結(jié)構(gòu)和性能影響的第一性原理研究

        2022-02-19 09:20:14沈佐銘劉文婷畢毓嘉李陽平
        關(guān)鍵詞:價帶導(dǎo)帶帶隙

        沈佐銘 劉文婷* 畢毓嘉 李陽平

        (1、西安石油大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,陜西 西安 710065 2、西北工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院,陜西 西安 710072)

        1 概述

        透明導(dǎo)電氧化物(Transparent conductive oxide 簡稱TCO)是一種重要的光電材料,它不僅導(dǎo)電率高,而且在可見光范圍內(nèi)透光度好,在紅外范圍內(nèi)反射率高,在紫外區(qū)域具有截止特性。目前,TCO 薄膜材料己經(jīng)被廣泛應(yīng)用于平板顯示器、太陽能電池、觸摸屏的透明電極、特殊功能窗口涂層和其它薄膜光電器件等領(lǐng)域,而且在微電子、光電子等領(lǐng)域也有著重要的用途[1,2]。

        過去若干年內(nèi),TCO 材料受到人們的廣泛關(guān)注和蓬勃發(fā)展,但是其應(yīng)用仍存在很大的限制。這是因為這些TCO 材料大多都是n 型材料,而p 型材料不僅非常少,其電導(dǎo)率通常比n 型低3-4 個數(shù)量級,無法實現(xiàn)具有良好性能的全透明p-n 結(jié)[3,4]。直到1997 年,Kawazoe 教授的研究小組提出價帶化學(xué)修飾理論,并根據(jù)此理論設(shè)計制備出了本征p 型透明導(dǎo)電氧化物-CuAlO2,開辟了p 型透明導(dǎo)電材料的嶄新研究領(lǐng)域[1]。CuAlO2具有銅鐵礦結(jié)構(gòu),有沿c 軸方向排列的O-Cu-O啞鈴狀線形結(jié)構(gòu),垂直c 軸的六角密排Cu 原子層和AlO6共棱八面體3 個特征結(jié)構(gòu)單元。AlO6沿c 軸方向以不同的方式堆垛,會產(chǎn)生不同的結(jié)構(gòu),最常見的是2H(P63/mmc 空間群,六方)和3R(R-3m 空間群,菱方)結(jié)構(gòu)[3]。

        盡管研究者們針對CuAlO2展開了一系列實驗和理論模擬計算的研究,但是CuAlO2薄膜的電導(dǎo)率依然不能滿足使用要求,而摻雜被認(rèn)為是解決這一問題的有效方法[5]。目前,CuAlO2摻雜相關(guān)的實驗研究[6-11]和理論研究[12-18]已經(jīng)開展,但是這些研究中基本都集中在3R 結(jié)構(gòu)的CuAlO2。

        因此,本論文開展2H-CuAlO2的摻雜理論模擬計算,研究Ca 和Mg 元素?fù)诫s對2H-CuAlO2的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的影響規(guī)律。

        2 計算過程

        采用Material Studio 軟件中的CASTEP 模塊進(jìn)行理論模擬計算,采用Materials Studio 軟件中的CASTEP 模塊進(jìn)行計算。交換關(guān)聯(lián)能采用廣義梯度近似(GGA) 中的Perdew-Wang 1991(PW91),平面波截斷能取571.4eV。自洽場運算中,自洽精度設(shè)為每個原子能量收斂至5.0×10-6eV,作用在每個原子上的力不超過0.03eV/?,在模型的結(jié)構(gòu)優(yōu)化中采用了BFGS 算法,布里淵區(qū)積分采用Monkhorst-Pack 進(jìn)行分格。在用超軟贗勢描述價電子與芯態(tài)關(guān)系時,Cu 的價電子取3d104s1,Al 的價電子取Al3s23p1,O 的價電子取2s22p4,Mg 的價電子取2p63s2,Ca 的價電子取3p64s2。2H-CuAlO2晶胞中Cu 原子的坐標(biāo)為(1/3;2/3;1/4),Al 原子的坐標(biāo)為(0;0;0),O 原子的坐標(biāo)為(1/3;2/3;0.0851[19])。

        摻雜計算過程中,通過建立分別包含96、72 和32 個原子的33×2×2、3×3×1 和2×2×1 的2H-CuAlO2超胞,用一個Mg 或者Ca 原子替換一個Al 原子,相應(yīng)的摻雜濃度分別為1.04%、1.39%和3.13%。

        3 結(jié)果和討論

        3.1 晶體結(jié)構(gòu)

        未摻雜2H-CuAlO2的晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)化后得到的晶胞參數(shù)a=2.8520?,c=11.43256?,與實驗結(jié)果[19]差別不大,表明所采用的計算方法和結(jié)果合理可靠。結(jié)構(gòu)優(yōu)化后得到的不同濃度Mg 和Ca 摻雜2H-CuAlO2的晶胞參數(shù)a 和c、晶胞體積如圖1 所示。由圖中可以看出,隨著摻雜濃度的升高,Mg 和Ca 摻雜2H-CuAlO2的晶胞參數(shù)a 都逐漸增大,c 都逐漸減小,而且a 的變化比c 更顯著,此外晶胞體積都逐漸增大。這說明Mg 和Ca 摻雜導(dǎo)致2H-CuAlO2的晶胞沿X 和Y 軸方向出現(xiàn)伸長,沿Z 軸方向出現(xiàn)壓縮,沿X 和Y 軸方向的變形大于Z軸,而且變形程度隨著摻雜濃度增加而增加,最終導(dǎo)致晶胞體積不斷增加。此外,在相同摻雜濃度下,Ca 摻雜2H-CuAlO2的晶胞參數(shù)a、c 值均大于Mg 摻雜。這可能是因為Ca 的離子半徑(0.72?)比Mg 的離子半徑(0.99?)大,因此Ca 摻雜引起的晶格畸變比Mg 摻雜更大,導(dǎo)致晶格參數(shù)的變化也更大。

        圖1 未摻雜及不同濃度Mg、Ca 摻雜2H-CuAlO2 的晶胞參數(shù)a、c 及晶胞體積

        3.2 電子特性

        未摻雜2H-CuAlO2的能帶結(jié)構(gòu)圖如圖2 所示,由圖中可以看出,2H-CuAlO2的價帶的最高點位于H 點,而導(dǎo)帶的最低點位于A 點,最高點和最低點不在同一位置,故它為間接帶隙半導(dǎo)體,計算得到的間接帶隙值約為1.817eV,與相關(guān)文獻(xiàn)的計算值[20,21]基本相符。

        圖2 未摻雜2H-CuAlO2 的能帶結(jié)構(gòu)

        Mg 和Ca 摻雜后,2H-CuAlO2的帶隙仍然是間接帶隙,不同摻雜濃度下2H-CuAlO2的帶隙值變化如圖3 所示。由圖中可以看出,當(dāng)摻雜濃度分別為1.04%、1.39%和3.13%時,Mg 摻雜2H-CuAlO2的帶隙分別為1.845eV、1.957eV 和2.203eV,Ca 摻雜2H-CuAlO2的帶隙分別為1.827eV、1.932eV 和2.016eV。隨著摻雜濃度的增加,Mg 和Ca 摻雜2H-CuAlO2的帶隙值逐漸增加,而且相同摻雜濃度下,Mg 摻雜對帶隙值的增大作用略高于Ca 摻雜。

        圖3 未摻雜和不同濃度Mg、Ca 摻雜2H-CuAlO2 的帶隙

        圖4 是未摻雜和不同濃度Mg、Ca 摻雜2H-CuAlO2的總態(tài)密度圖。由圖中可以看出,摻雜后2H-CuAlO2的總態(tài)密度呈現(xiàn)增加的趨勢,隨著摻雜濃度的升高總態(tài)密度逐漸減小。從圖中還可以發(fā)現(xiàn),相同濃度Mg、Ca 摻雜2H-CuAlO2的總態(tài)密度差別非常小,說明總態(tài)密度與受到摻雜元素Mg、Ca的影響不大,而與摻雜濃度的大小有關(guān)。

        圖4 未摻雜和不同濃度Mg、Ca 摻雜2H-CuAlO2 的總態(tài)密度圖

        圖5 是未摻雜2H-CuAlO2的分態(tài)密度圖。從圖中可以看出,未摻雜2H-CuAlO2在費米能級附近的價帶主要由Cu-3d 態(tài)、O-2p 態(tài)和少量Al-3p 態(tài)組成,導(dǎo)帶主要由Cu-3p態(tài)、O-2p 態(tài)組成。

        圖5 未摻雜2H-CuAlO2 的分態(tài)密度

        圖6 是不同濃度Mg 摻雜2H-CuAlO2的分態(tài)密度圖。由圖中可以看出,Mg 摻雜2H-CuAlO2在費米能級附近的價帶主要由Cu-3d 態(tài)、O-2p 態(tài)和少量Al-3p 態(tài)組成,導(dǎo)帶主要由Cu-3p 態(tài)、O-2p 態(tài)組成。Mg 摻雜對2H-CuAlO2在費米能級附近的價帶、導(dǎo)帶影響很小,Mg 主要影響了2H-CuAlO2在-72eV 和-40eV 附近的價帶,對10eV~20eV 范圍的導(dǎo)帶也有一定的影響。另外,摻雜濃度的變化對Mg 摻雜2H-CuAlO2分態(tài)密度的影響整體不大。

        圖6 不同濃度Mg 摻雜2H-CuAlO2 的分態(tài)密度

        圖7 是不同濃度Ca 摻雜2H-CuAlO2的分態(tài)密度圖。由圖中可以看出,Ca 摻雜2H-CuAlO2在費米能級附近的導(dǎo)帶也主要由Cu-3d 態(tài)、O-2p 態(tài)和少量Al-3p 態(tài)組成,導(dǎo)帶主要由Cu-3p 態(tài)、O-2p 態(tài)組成。與Mg 摻雜類似,不同濃度的Ca摻雜對費米能級附近的導(dǎo)帶和價帶影響都不大,主要影響了在-37eV 附近和和-21eV~-15eV 之間的價帶和5eV~12eV之間的導(dǎo)帶。

        圖7 不同濃度Ca 摻雜2H-CuAlO2 的分態(tài)密度

        4 結(jié)論

        通過第一性原理的方法研究了Mg、Ca 摻雜對2H-CuAlO2晶體結(jié)構(gòu)和電子特性的影響規(guī)律。Mg、Ca 摻雜元素的引入都導(dǎo)致2H-CuAlO2的晶格參數(shù)出現(xiàn)變化,隨著摻雜濃度的增加,a 逐漸增加而c 逐漸減小,晶胞體積逐漸增加;Ca 元素對晶格參數(shù)的影響大于Mg 元素。Mg、Ca 摻雜沒有改變2H-CuAlO2的間接帶隙屬性,但是都使2H-CuAlO2的帶隙增大,而且Mg 元素增大的程度大于Ca 元素;Mg、Ca元素?fù)诫s對2H-CuAlO2態(tài)密度的作用相似,對費米能級附近的導(dǎo)帶和價帶影響都不大。

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