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        基于正交試驗(yàn)的膠帶硫化機(jī)熱板溫度場(chǎng)研究

        2021-11-29 08:50:24劉鳴宇李軍霞張弘玉宋佳輝
        煤炭工程 2021年11期
        關(guān)鍵詞:熱板單通道硅橡膠

        劉鳴宇,李軍霞,張弘玉,宋佳輝

        (1.太原理工大學(xué) 機(jī)械與運(yùn)載工程學(xué)院,山西 太原 030024;2.礦山流體控制國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室,山西 太原 030024;3.山西省礦山流體控制工程技術(shù)研究中心,山西 太原 030024)

        煤炭資源作為我國(guó)能源結(jié)構(gòu)中的主要能源[1],為經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供有力的保障。帶式輸送機(jī)作為煤炭現(xiàn)代化進(jìn)程中重要的運(yùn)輸設(shè)備[2],輸送帶接頭質(zhì)量對(duì)其使用壽命有著決定性的影響。而傳統(tǒng)的硫化機(jī)所采用的加熱方式有電加熱管加熱、導(dǎo)熱油加熱、蒸汽加熱和硅橡膠加熱片加熱等,但在輸送帶的硫化加熱過(guò)程中,均存在熱板溫度不均勻現(xiàn)象,而這會(huì)導(dǎo)致輸送帶強(qiáng)度降低,因此通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)提高硫化機(jī)加熱板的溫度場(chǎng)均勻性,提升輸送帶力學(xué)性能,從而對(duì)減少生產(chǎn)安全事故的發(fā)生[3]具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。國(guó)內(nèi)外學(xué)者針對(duì)上述問(wèn)題展開(kāi)了大量的科學(xué)研究與生產(chǎn)實(shí)踐。對(duì)于電加熱管加熱,文獻(xiàn)[4]、[5]分別通過(guò)調(diào)整熱管數(shù)目、間距以及功率等參數(shù)進(jìn)行相關(guān)性分析及進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。當(dāng)加熱載體為導(dǎo)熱油時(shí),調(diào)整熱板加熱油液通道結(jié)構(gòu)分布對(duì)改善加熱板溫度場(chǎng)有著積極的作用[6]。采用蒸汽加熱時(shí),調(diào)整熱管間距來(lái)改善熱板的均勻性[7]。綜上所述,加熱載體的分布數(shù)目、間距以及功率決定著加熱板溫度場(chǎng)的均勻性,但縱觀國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀及工程應(yīng)用,相較于上述三類加熱方式,以硅橡膠加熱片為加熱載體的硫化機(jī)溫度場(chǎng)均勻性研究較少。

        常規(guī)硅橡膠加熱片為單通道布置,而單通道加熱布置有著結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉的優(yōu)點(diǎn),但不可避免存在著靈敏度低、穩(wěn)定性差以及無(wú)法靈活控制等問(wèn)題,正如文獻(xiàn)[8,9]所述。本文以B-1200硫化機(jī)為研究對(duì)象,其加熱裝置由硅橡膠加熱片和加熱板組成,如圖1所示。首先對(duì)單通道方案進(jìn)行試驗(yàn)探究,針對(duì)加熱板溫度不均勻性規(guī)律,提出以三通道回字型布置來(lái)代替單通道布置的方案,進(jìn)一步基于Comsol固體傳熱仿真技術(shù)對(duì)各環(huán)形回路間距及其對(duì)應(yīng)的熱流密度值等因素進(jìn)行正交試驗(yàn)分析,探究了加熱板溫度分布和溫升規(guī)律,得到最佳設(shè)計(jì)方案,并進(jìn)行物理試驗(yàn)驗(yàn)證,為進(jìn)一步推廣硅橡膠加熱片在硫化機(jī)熱板中的應(yīng)用提供了設(shè)計(jì)參考,并奠定了一定的研究基礎(chǔ)。

        圖1 B-1200硫化機(jī)

        1 單通道方案加熱試驗(yàn)

        1.1 搭建單通道方案加熱試驗(yàn)平臺(tái)

        為探究單通道方案硫化加熱的熱板均勻程度,搭建的單通道方案試驗(yàn)平臺(tái)如圖2所示,單通道硅橡膠加熱片的熱流密度值為5000W/m2,硅橡膠加熱片由鎳鉻合金電熱絲和硅橡膠高溫絕緣布組成,當(dāng)硅橡膠加熱片與加熱板相貼時(shí),熱量經(jīng)由加熱板快速傳遞給輸送帶,在一定時(shí)間和壓力作用下,完成輸送帶接頭硫化[10]。

        圖2 單通道方案試驗(yàn)平臺(tái)

        1.2 單通道方案溫度監(jiān)測(cè)平臺(tái)

        為探究加熱板表面溫度變化和不同位置的溫度,搭建了溫度數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)平臺(tái),其由K型熱電偶、TP1000多回路數(shù)據(jù)記錄儀組成,將K型熱電偶按照?qǐng)D3設(shè)計(jì)的測(cè)溫點(diǎn)在加熱板上進(jìn)行均勻排布,能夠?qū)崟r(shí)準(zhǔn)確地觀測(cè)加熱板的溫度場(chǎng)變化及分布。

        圖3 測(cè)溫點(diǎn)的布置方式

        1.3 試驗(yàn)過(guò)程及分析

        試驗(yàn)加熱之前,必須進(jìn)行適當(dāng)?shù)募訅海馆斔蛶?、加熱板和硅橡膠加熱片緊密接觸,確保硅橡膠加熱片產(chǎn)生的熱量及時(shí)的傳出,防止局部高溫,從而導(dǎo)致燒壞硅橡膠加熱片。當(dāng)加熱板監(jiān)測(cè)點(diǎn)溫度最高為145℃時(shí),停止加熱,按照測(cè)溫點(diǎn)的相對(duì)位置記錄數(shù)據(jù),見(jiàn)表1。

        由于加熱板表面溫度需要控制在140~150℃之間,溫度越接近145℃越好,為了定量分析熱板的溫度均勻性,引入函數(shù)F來(lái)描述,F(xiàn)值不小于0,F(xiàn)的值越小,說(shuō)明熱板的均勻性越好[11]。

        式中,N為測(cè)溫點(diǎn)的個(gè)數(shù);ei為對(duì)應(yīng)點(diǎn)的溫度,℃;e0為熱板的各測(cè)溫點(diǎn)的平均溫度,℃。

        結(jié)合表1,得出單通道方案加熱板最大溫度為145℃時(shí),其最低溫度為133℃,下表面溫差為12℃,計(jì)算F值為2.3。加熱板呈現(xiàn)出中心溫度高和邊緣溫度低,對(duì)角處溫度差梯度大,加熱板的不均勻性明顯。導(dǎo)致此現(xiàn)象的關(guān)鍵在于加熱板四周與空氣存在熱交換。

        表1 單通道方案測(cè)溫點(diǎn)溫度

        2 加熱板溫度場(chǎng)優(yōu)化

        2.1 三通道回字型布置圖設(shè)計(jì)

        常規(guī)硅橡膠加熱片為單通道布置,由一個(gè)控制器連接,當(dāng)電壓變大或者減小時(shí),加熱板的功率相應(yīng)的增大或者減小,無(wú)法改善加熱板的均勻性。根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果分析后,硅橡膠加熱片改為三通道回字型布置,每個(gè)通道由單獨(dú)的控制器連接,可分別控制功率。

        設(shè)計(jì)的硅橡膠加熱片回字型區(qū)域布置如圖4所示,加熱區(qū)域依次分為X區(qū)域、Y區(qū)域和Z區(qū)域,同時(shí)也保持各區(qū)域長(zhǎng)寬比不變,故加熱區(qū)域的平行四邊形邊長(zhǎng)關(guān)系:

        圖4 硅橡膠加熱板區(qū)域布置圖

        2.2 正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)

        正交實(shí)驗(yàn)可以短時(shí)間內(nèi)用較少試驗(yàn)次數(shù)確定最佳的匹配關(guān)系[12]??紤]電路設(shè)計(jì)、高溫絕緣布的壽命以及耐壓程度,對(duì)上述因素進(jìn)行篩選,以探究各因素對(duì)熱板表面溫度影響情況,設(shè)計(jì)的因素水平表見(jiàn)表2。

        表2 正交試驗(yàn)因素水平表

        表中A為長(zhǎng)度L1,mm;B為長(zhǎng)度L4=L2-L1,mm;C為X區(qū)域的熱流密度q1,W/m2;D為Y區(qū)域的熱流密度q2,W/m2;E為Z區(qū)域的熱流密度q3,W/m2。

        2.3 仿真及數(shù)據(jù)分析

        B-1200的加板熱尺寸為1380×870×19mm,材料為鋁合金5052,其上端平行四邊形銳角為72.7°,在其下端導(dǎo)入各試驗(yàn)方案的電熱絲布置圖。

        傳熱模型基本假設(shè)為:

        1)加熱板板四周溫度恒定,空氣與熱板的初始溫度為20℃。

        2)加熱板溫度為145℃,熱板輻射小,因此不考慮熱輻射。

        3)加熱板與硅橡膠加熱片接觸的邊界面為第二類邊界條件,規(guī)定了邊界面的熱流密度值,關(guān)系式為:

        式中,qw為熱流密度值;λ為導(dǎo)熱物體的導(dǎo)熱系數(shù);t為溫度;n為表面的法線方向。

        4)硅橡膠加熱片由于兩邊導(dǎo)熱,所以硅橡膠加熱片產(chǎn)生的一半熱量均勻傳遞至加熱板。在Comsol中進(jìn)行網(wǎng)格劃分,采用非結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格,網(wǎng)格格數(shù)為70萬(wàn),設(shè)置單元材料屬性,加熱板材料選為鋁合金,型號(hào)為5052。設(shè)置邊界條件,在下表面施加相應(yīng)的各區(qū)域的熱源線載荷,四周為自然對(duì)流,硅橡膠加熱片給加熱板下表面施加相應(yīng)的熱流密度載荷,即:

        式中,qw為有效熱流密度值,W/m2;p為硅橡膠加熱片有效功率,W;S為硅橡膠加熱片接觸面積,m2。

        當(dāng)加熱板的最高溫度145℃時(shí)停止,根據(jù)設(shè)置的測(cè)溫點(diǎn)采集數(shù)據(jù)。根據(jù)因素個(gè)數(shù)與水平數(shù),由正交試驗(yàn)原理最終得到27組方案[13],分別對(duì)每組方案進(jìn)行數(shù)值模擬,其結(jié)果見(jiàn)表3。

        表3 正交試驗(yàn)的試驗(yàn)方案及仿真結(jié)果

        對(duì)正交試驗(yàn)的結(jié)果進(jìn)行極差計(jì)算(表4),各因素i各水平之和的均值為ki。

        表4 熱板F值極差計(jì)算

        由表4得到的極差值和ki值,可以分析出:

        1)正交試驗(yàn)的27組仿真結(jié)果中,根據(jù)直接分析法,F(xiàn)值最小的因素水平組合為32113,其值為1.073,溫度分布最均勻,F(xiàn)值最大的因素水平組合為11331,其值為1.581,溫度分布最不均勻。

        2)極差越大,該因素對(duì)熱板均勻性影響最大。在影響熱板均勻性的因素中,Z區(qū)域熱流密度載荷影響最大,其影響因素大小排序?yàn)镋>C>B>A>D。

        3)觀察各列ki值,A、B、C、D、E的最優(yōu)水平分別為3、3、1、1、3,經(jīng)極差分析使熱板均勻性最優(yōu)的組合為A3B3C1D1E3。

        通過(guò)直接分析法和極差分析法得到的F值不同,因此對(duì)因素水平組合為A3B3C1D1E3進(jìn)行仿真分析,得到F值為1.071,而直接法得到的最佳組合A3B2C1D1E3的F值為1.0732,通過(guò)極差分析法得到的F值更小,熱板更加均勻。

        2.4 優(yōu)化結(jié)果及分析

        當(dāng)熱板表面最高溫度到145℃時(shí),單通道方案和因素水平組合為A3B3C1D1E3的三通道方案的熱板表面的溫度分布云圖,如圖5所示。

        圖5 熱板的溫度分布云圖

        圖5(a)中單通道方案熱板最大溫度為145℃時(shí),其最低溫度為136.6℃,下表面溫差為8.4℃,而圖5(b)中三通道方案熱板最大溫度為145℃時(shí),其最低溫度為140.36℃,表面溫差為4.64℃。通過(guò)正交試驗(yàn)分析和優(yōu)化,溫差從8.4℃降到4.64℃,F(xiàn)值由1.67降到1.07。

        單通道方案中加熱板被施加均勻的熱流密度載荷,熱板四周與空氣接觸,產(chǎn)生了熱交換,導(dǎo)致導(dǎo)致邊緣溫度較中心偏低。同時(shí)加熱板四個(gè)角為尖角,較其他四周散熱量大,導(dǎo)致尖角處溫度更低。由于中心溫度較邊緣溫度高,則存在一定的溫度梯度,從而產(chǎn)生高溫向低溫的擴(kuò)散趨勢(shì)。采用三通道電路方案和正交試驗(yàn)方法,單通道F值為1,7,三通道F值為1.07,均勻性提高了44.76%,驗(yàn)證了此方法的可靠性。

        3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

        3.1 搭建三通道方案試驗(yàn)平臺(tái)

        為了驗(yàn)證三通道方案的加熱板比單通道方案的更均勻,硅橡膠加熱片為三通道加熱片,其中L1=806mm,L2=1169mm,L3=1169mm,三通道加熱片中X、Y、Z區(qū)域的熱流密度均為4900W/m2,經(jīng)調(diào)壓器調(diào)壓后Z區(qū)域達(dá)到5100W/cm2,圖6為三通道方案試驗(yàn)平臺(tái),其加熱系統(tǒng)由CHB3智能溫控箱、TSGC2調(diào)壓器以及三通通回字型硅橡膠加熱片組成。而溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)由TP1000多回路數(shù)據(jù)記錄儀和K型熱電偶組成。

        圖6 三通道方案試驗(yàn)平臺(tái)

        CHB3智能溫控箱采用3通道獨(dú)立控制如圖7所示,每通道配單獨(dú)一個(gè)CHB智能溫度控制器、接觸器和旋鈕開(kāi)關(guān)。打開(kāi)旋鈕開(kāi)關(guān),380V電源進(jìn)入接觸器,之后通過(guò)TSGC2調(diào)壓器調(diào)壓。改變硅橡膠加熱板Z區(qū)域的電壓,達(dá)到改變Z區(qū)域功率,從而改變熱流密度值,要達(dá)到5100W/m2,根據(jù)功率和電壓的關(guān)系,調(diào)壓器旋鈕設(shè)定為387V。當(dāng)熱板的監(jiān)測(cè)點(diǎn)最高溫度達(dá)到145℃時(shí),停止試驗(yàn)。

        圖7 CHB3路溫度控制器和調(diào)壓器

        3.2 溫度數(shù)據(jù)的監(jiān)測(cè)與分析

        利用該試驗(yàn)平臺(tái)進(jìn)行三通道方案的硫化加熱試驗(yàn),按照測(cè)溫點(diǎn)的相對(duì)位置填熱板溫度,三通道方案的溫度及其與原單通方案的溫度對(duì)比見(jiàn)表5。當(dāng)熱板的最大溫度達(dá)到145℃時(shí),三通道優(yōu)化方案各點(diǎn)溫度比常規(guī)方案的更接近145℃。通過(guò)計(jì)算,常規(guī)方案的熱板溫差和F值分別為12℃和2.3,優(yōu)化方案分別為3.8℃和1.0,可知優(yōu)化后F值降低,熱板溫度的均勻性提高。

        表5 三通道方案監(jiān)測(cè)結(jié)果

        優(yōu)化后溫度差值可以看出,通過(guò)提高Z區(qū)域熱流密度值,對(duì)熱板邊緣溫度進(jìn)行了提高,進(jìn)行溫度補(bǔ)償,使得熱板的均勻性得到改善。

        測(cè)溫區(qū)域中選擇溫度變化最大的對(duì)角線方向(測(cè)溫點(diǎn)5、9、13)進(jìn)行監(jiān)測(cè),與仿真數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。從圖8(a)可以看出,隨著加熱板的溫度升高,四周與外界換熱量增加,導(dǎo)致升溫速度降低。物理試驗(yàn)時(shí),由于長(zhǎng)時(shí)間的加熱,硅橡膠絕緣布軟化,與加熱板貼合較緊,導(dǎo)致更多熱量流入加熱板,升溫速度比理想狀態(tài)下有所上升,導(dǎo)致高于仿真測(cè)溫點(diǎn)。圖8(b)中三通道方案對(duì)角線方向溫差較小,加熱較均勻。

        圖8 對(duì)角線上的點(diǎn)溫升圖

        試驗(yàn)誤差包括測(cè)試環(huán)境、測(cè)試工具誤差及人為誤差對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,對(duì)有限元模擬優(yōu)化進(jìn)行的驗(yàn)證表明正交試驗(yàn)方法合理可靠。相同時(shí)間下,平均誤差為2.5%。小于5%,說(shuō)明建模、網(wǎng)格劃分與仿真參數(shù)設(shè)置可以反映實(shí)驗(yàn)的真實(shí)情況。

        4 結(jié) 論

        1)通過(guò)對(duì)單通道方案進(jìn)行物理試驗(yàn),說(shuō)明了加熱板存在熱板不均勻,下表面溫差為12℃,F(xiàn)值為2.3。

        2)利用正交試驗(yàn)法和極差分析法對(duì)影響熱板溫度均勻性參數(shù)進(jìn)行模擬優(yōu)化,分析出影響加熱板均勻性最為顯著的因素為邊緣熱流密度。通過(guò)物理試驗(yàn)得出優(yōu)化后方案溫差為3.8℃以及F值為1.0,而單通道方案熱板溫差為12℃以及F值為2.3,優(yōu)化后溫差降低了9.7℃,均勻性指標(biāo)F值降低了1.3。

        3)通過(guò)三通道優(yōu)化方案測(cè)試數(shù)據(jù)與原單通道方案的進(jìn)行對(duì)比,加熱板均勻性提高了,驗(yàn)證了正交試驗(yàn)優(yōu)化結(jié)果的可靠性,可以硅橡膠加熱片在硫化機(jī)熱板中的應(yīng)用提供了研究方法與理論依據(jù)。

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