周偉 梁旭 朱禮想 王梓鑫 沈欣軍
(沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院,遼寧沈陽(yáng) 110870)
大氣中硫化氫(H2S)主要來(lái)源于天然氣凈化、人造纖維、石油精煉、造紙、硫化燃料、食品工業(yè)、煤氣制造等生產(chǎn)過(guò)程或者污水處理、有機(jī)物腐敗、垃圾廠處理過(guò)程[1]。H2S是一種污染程度較高的廢氣,其密度比空氣略大,低濃度的H2S會(huì)導(dǎo)致人的眼睛刺痛、流淚,也可能會(huì)嘔吐,出現(xiàn)肺炎、肺水腫等問(wèn)題。當(dāng)人吸入高濃度的H2S時(shí),后果會(huì)更加嚴(yán)重,有可能昏迷甚至窒息死亡等[2]。較為傳統(tǒng)的H2S處理方法主要有吸附法、吸收法、氧化法、生物法等[3-4],而對(duì)于高濃度、大流量的H2S氣體,并且需要提高處理效率的情況下,傳統(tǒng)的處理方法已經(jīng)不能滿足需要,急需高效的處理方法,等離子體技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
等離子體技術(shù)如今在國(guó)內(nèi)外有很高的研究熱度。低溫等離子體技術(shù)是放電過(guò)程中的微放電引發(fā)高能電場(chǎng),進(jìn)而產(chǎn)生高能電子;高能電子與O2,H2O等分子碰撞后生成許多電子、離子、亞穩(wěn)態(tài)粒子及自由基等活性粒子,常見的自由基如·OH、基態(tài)氧原子O(3p)、亞穩(wěn)態(tài)氧原子O(1D),HO2·,與H2S氣體分子反應(yīng),最終降解為小分子H2O和SO2[5-6]。王曉鵬等[7]用低溫等離子體技術(shù)降解H2S時(shí),發(fā)現(xiàn)H2S降解產(chǎn)物主要是SO2。Dang等[8]以金屬氧化物催化劑填充在介質(zhì)阻擋放電等離子體的放電間隙,用來(lái)處理H2S,主要產(chǎn)物為S,H2SO3,H2SO4等,且不同金屬氧化物種類的催化劑轉(zhuǎn)化效率有所不同,Mn氧化物催化劑的降解效率最高。Chen等[9]采用介質(zhì)阻擋放電和活性炭纖維聯(lián)合技術(shù)降解H2S,降解效率最高可達(dá)99.9%,并且有效抑制了O3和SO2的產(chǎn)生。
本實(shí)驗(yàn)采用DBD反應(yīng)器考察放電長(zhǎng)度對(duì)DBD放電裝置放電特性及H2S處理效果的影響,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步討論H2S初始濃度、停留時(shí)間、O3產(chǎn)生量對(duì)H2S處理效果的影響。
自制DBD放電裝置;低溫等離子體實(shí)驗(yàn)電源(CTP-2000K);示波器;空壓機(jī);H2S鋼氣瓶;H2S檢測(cè)器;O3檢測(cè)儀。
實(shí)驗(yàn)流程如圖1所示,主要由配氣裝置、低溫等離子體實(shí)驗(yàn)電源、發(fā)生器、檢測(cè)裝置以及尾氣吸收裝置構(gòu)成。
圖1 實(shí)驗(yàn)流程
DBD發(fā)生器自制,呈線管式,石英玻璃作殼體(內(nèi)徑為6 mm,壁厚1 mm,長(zhǎng)度為45 cm);內(nèi)電極為銅絲,表面光滑,居于絕緣介質(zhì)層中軸位置,與高壓電源相連;外電極為銅網(wǎng),緊密纏繞在石英玻璃外壁。放電長(zhǎng)度由外電極覆蓋石英玻璃管的長(zhǎng)度決定。實(shí)驗(yàn)所用的低溫等離子體高壓電源輸出電壓范圍3~40 kV,放電頻率調(diào)節(jié)范圍5~25 kHz。
2.3.1 放電功率計(jì)算
DBD放電反應(yīng)器的放電功率由李薩如圖形測(cè)定,如圖2所示。
圖2 李薩如圖形
設(shè)李薩如圖形所圍面積為A,則由下式可知,DBD放電功率為:
式(1)中,P為放電功率,W;f為頻率,kHz;CM為附加電容的電容值,μF;k為分壓器的變比,1∶1 000。
2.3.2 能量密度計(jì)算
通過(guò)式(1)可以進(jìn)一步計(jì)算出能量密度,如下式:
式(2)中,P為放電功率,W;Q為氣體流量,L/h;SED為能量密度,J/L。
2.3.3 H2S降解效率計(jì)算
采用H2S檢測(cè)器可以在線測(cè)量氣路中的H2S濃度,H2S降解效率的計(jì)算公式如下:
式(3)中,C進(jìn),C出分別為H2S的進(jìn)口濃度和出口濃度,mg/m3。
將空氣以80 L/h的流量通入DBD反應(yīng)器,通過(guò)調(diào)壓器調(diào)節(jié)高壓電源給DBD反應(yīng)器輸入的能量,以及引起的其他電參數(shù)的改變,在線檢測(cè)氣體流出口O3的濃度,研究放電長(zhǎng)度對(duì)放電特性的影響,結(jié)果如圖3所示。
圖3 不同放電長(zhǎng)度下外加電壓與放電功率的關(guān)系
由圖3可知,當(dāng)調(diào)大外加電壓時(shí),3種放電長(zhǎng)度下DBD發(fā)生器的放電功率亦隨之增大。隨著外加電壓逐漸增大,DBD發(fā)生器逐漸開始放電,放電長(zhǎng)度(L1)為10 cm時(shí),在電壓為20 V時(shí)開始放電,放電長(zhǎng)度為20 cm(L2)及30 cm(L3)時(shí)放電起始電壓為25 V,放電功率隨即產(chǎn)生。當(dāng)外加電壓超過(guò)30 V時(shí),不同放電長(zhǎng)度的放電功率大小依次為L(zhǎng)3>L2>L1。當(dāng)外加電壓一定時(shí),放電功率隨著放電長(zhǎng)度的增大而增大,這表明放電長(zhǎng)度為30 cm時(shí),放電效果最好,對(duì)于污染物的處理效果更佳。
低溫等離子體對(duì)空氣放電時(shí),會(huì)發(fā)生如下反應(yīng):
e+O2→2O·
e+H2O→O·+OH·
O·+O2→O3
由以上反應(yīng)可以看出,等離子體發(fā)生器產(chǎn)生的高能電子與空氣中的O2和H2O發(fā)生反應(yīng),產(chǎn)生各種自由基等活性物質(zhì)。因此O3濃度可以作為評(píng)價(jià)低溫等離子體能量強(qiáng)度的一個(gè)指標(biāo)。如圖4所示,DBD發(fā)生器放電過(guò)程中產(chǎn)生的O3濃度隨著能量密度的逐漸增大而增大。在同一能量密度的情況下,不同放電長(zhǎng)度的O3濃度大小關(guān)系為L(zhǎng)3>L2>L1,說(shuō)明O3濃度的大小和放電長(zhǎng)度大小呈正比例關(guān)系。這是因?yàn)殡S著放電長(zhǎng)度增大,放電空間在長(zhǎng)度上呈增加趨勢(shì),導(dǎo)致放電面積增大,當(dāng)注入相同的能量時(shí),放電面積越大產(chǎn)生的O3濃度越大。
圖4 不同放電長(zhǎng)度下能量密度與O3濃度的關(guān)系
由圖5可知,當(dāng)能量密度增大時(shí),3種放電長(zhǎng)度下的H2S去除率均呈上升趨勢(shì),但處理能力并不相同,放電長(zhǎng)度為30 cm時(shí),相比于其他2種放電長(zhǎng)度,在同一個(gè)能量密度下對(duì)H2S處理效果更好,并且能量密度為2 280.6 J/L時(shí),H2S去除率為100%;而放電長(zhǎng)度為10 cm和20 cm,H2S去除率為100%時(shí),能量密度分別為2 943.45,2 714.85 J/L。這是因?yàn)榉烹婇L(zhǎng)度增大,導(dǎo)致高能電子與空氣發(fā)生反應(yīng),生成的·OH,·O等各種基團(tuán)與H2S分子接觸的時(shí)間增長(zhǎng),增大了高能電子或自由基與H2S分子的碰撞幾率。經(jīng)計(jì)算,放電長(zhǎng)度分別為10,20,30 cm時(shí),H2S分子在DBD發(fā)生器空間的停留時(shí)間依次為0.13,0.25,0.38 s。這一結(jié)果驗(yàn)證了上述結(jié)論。
圖5 不同放電長(zhǎng)度下能量密度和H2S去除率的關(guān)系(H2S初始濃度50 mg/m3,空氣流量80 L/h,空氣濕度23.6%)
放電長(zhǎng)度對(duì)于不同濃度H2S去除效果的影響如圖6所示。隨著H2S濃度的增大,3種放電長(zhǎng)度下DBD發(fā)生器的H2S去除率均減小,H2S濃度小于60 mg/m3時(shí),3種放電長(zhǎng)度的H2S去除率接近100%;當(dāng)H2S濃度大于60 mg/m3時(shí),3種放電長(zhǎng)度的H2S去除率均有所下降。這是因?yàn)檎麄€(gè)反應(yīng)器注入的能量一定,放電產(chǎn)生的高能電子的量一定,而H2S濃度不斷增大,說(shuō)明單位體積內(nèi)的H2S分子量增加,每個(gè)分子與高能電子碰撞的幾率減小,從而導(dǎo)致H2S處理效率下降。
圖6 放電長(zhǎng)度對(duì)不同濃度H2S去除率的影響(能量密度1 578.5 J/L,空氣流量80 L/h,相對(duì)濕度23.6%)
由圖3和圖4可知,放電長(zhǎng)度為30 cm時(shí),放電效果最佳。因此,下文探討了放電長(zhǎng)度為30 cm時(shí),H2S初始濃度(C0)、停留時(shí)間(t)、O3濃度等工藝參數(shù)對(duì)H2S處理效果的影響。
3.3.1 H2S初始濃度對(duì)H2S處理效果的影響
由圖7可知,外加電壓一定時(shí),H2S初始濃度增大,其去除率呈下降趨勢(shì)。當(dāng)H2S的初始濃度保持不變時(shí),隨著外加電壓的增大,H2S的去除效率均增大,最終可以達(dá)到100%的處理效果。這是因?yàn)橥饧与妷涸礁撸珼BD發(fā)生器產(chǎn)生的高能電子越多,這就增大了其與H2S分子的碰撞幾率,導(dǎo)致H2S分子結(jié)構(gòu)被打開反應(yīng),生成無(wú)害化小分子,從而達(dá)到提高H2S處理率的目的。然而在H2S初始濃度為50 mg/m3,外加電壓為55 V時(shí),H2S的去除率就達(dá)到了100%;當(dāng)H2S初始濃度為100 mg/m3,外加電壓為65 V時(shí),H2S去除率可達(dá)到100%;而要將初始濃度為150 mg/m3的H2S完全降解,則需要外加電壓為85 V,這就意味著H2S濃度越大,越需要更多的高能電子來(lái)降解。這一結(jié)論與3.2類似,驗(yàn)證了其正確性。
圖7 不同初始濃度下外加電壓和H2S去除率的關(guān)系(空氣流量80 L/h,相對(duì)濕度23.6%)
3.3.2 停留時(shí)間對(duì)H2S處理效果的影響
由圖8可知,停留時(shí)間一定時(shí),隨著外加電壓的增大,H2S去除效率提高;當(dāng)外加電壓一定時(shí),停留時(shí)間越久,H2S去除效率越高。外加電壓為55 V,H2S分子停留在DBD反應(yīng)器的時(shí)間為0.76 s時(shí),H2S去除率為100%,而當(dāng)停留時(shí)間為0.38,0.25,0.19 s時(shí),H2S的去除率為83.22%,67.20%,45.12%。H2S分子在DBD發(fā)生器停留時(shí)間的長(zhǎng)短和氣體流速息息相關(guān),流速越小,H2S分子的停留時(shí)間越長(zhǎng),高能電子與其撞擊的幾率隨之增加,其去除率也隨之提高。
圖8 不同停留時(shí)間下外加電壓和H2S去除率的關(guān)系(H2S初始濃度100 mg/m3,相對(duì)濕度23.6%)
3.3.3 O3濃度對(duì)H2S處理效果的影響
由圖7和圖9可知,總體而言,當(dāng)H2S濃度一定時(shí),外加電壓增大,H2S去除率增大,O3濃度先增加后下降;當(dāng)H2S初始濃度為50 mg/m3時(shí),外加電壓增大,高能電子增多,H2S濃度一定,則O3濃度稍稍有所增加;而隨著外加電壓的進(jìn)一步增大,由于放電過(guò)程中有一部分能量被用來(lái)加熱DBD反應(yīng)器做無(wú)用功,導(dǎo)致反應(yīng)器內(nèi)部溫度升高,并且超過(guò)了O3可以存在的限值,所以O(shè)3濃度開始下降,當(dāng)DBD反應(yīng)器溫度達(dá)到56℃時(shí),O3濃度降為0。
圖9 不同外加電壓下O3濃度變化(空氣流量80 L/h,空氣濕度23.6%)
當(dāng)外加電壓一定時(shí),H2S濃度增大,其去除率降低,O3濃度同時(shí)降低有兩個(gè)原因:一是H2S鍵能小于O=O雙鍵的鍵能,所提供的能量在一定的情況下,H2S分子更容易被高能電子打開;二是H2S具有還原性,而O3具有氧化性,二者可以發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而導(dǎo)致O3濃度降低。
(1)當(dāng)增大外加電壓時(shí),3種放電長(zhǎng)度下DBD發(fā)生器的放電功率亦隨之增大,放電長(zhǎng)度為30 cm時(shí),放電功率大于其他2種情況,放電效果最佳。隨著能量密度的增大,O3濃度同樣也增大,在同一能量密度情況下,放電長(zhǎng)度越大,O3濃度越高。
(2)放電長(zhǎng)度大小對(duì)H2S去除率影響顯著,3種放電長(zhǎng)度下的H2S去除率均呈上升趨勢(shì),但處理能力并不相同,放電長(zhǎng)度為30 cm,能量密度為2 280.6 J/L時(shí),H2S去除率為100%;而放電長(zhǎng)度為10 cm和20 cm,H2S去除率為100%時(shí),能量密度分別為2 943.45,2 714.85 J/L。
(3)H2S初始濃度、停留時(shí)間以及O3濃度對(duì)H2S去除率均有一定影響。H2S初始濃度越小,停留時(shí)間越長(zhǎng),其去除率越高,處理效果越好;O3濃度大小與H2S去除率關(guān)系密切,O3濃度降低,H2S去除率增大。