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        基于改進(jìn)MMC的靜止無(wú)功發(fā)生器

        2021-08-30 05:35:58朱亮亮陳潔王小軍段生強(qiáng)鄭凱凱楊國(guó)
        南方電網(wǎng)技術(shù) 2021年7期
        關(guān)鍵詞:級(jí)聯(lián)電平控制策略

        朱亮亮,陳潔,王小軍,段生強(qiáng),鄭凱凱,楊國(guó)

        (1.新疆大學(xué)電氣工程學(xué)院教育部可再生能源發(fā)電與并網(wǎng)控制工程技術(shù)研究中心,烏魯木齊 830046;2. 國(guó)網(wǎng)新疆克州供電公司,新疆 克孜勒蘇柯爾克孜自治州 845350)

        0 引言

        模塊化多電平換流器(modular multilevel converter, MMC)通過(guò)將若干個(gè)子模塊級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)低壓開關(guān)器件在高壓等級(jí)的使用,在實(shí)際應(yīng)用中,還可以根據(jù)需求對(duì)級(jí)聯(lián)模塊的數(shù)量進(jìn)行改變以適應(yīng)不同電壓等級(jí),在改善電網(wǎng)的電能質(zhì)量以及提高系統(tǒng)動(dòng)靜態(tài)穩(wěn)定性的過(guò)程中具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。其中,級(jí)聯(lián)H橋結(jié)構(gòu)在中高壓無(wú)功補(bǔ)償現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用廣泛[1],但由于大量使用功率開關(guān)器件,導(dǎo)致成本偏高;傳統(tǒng)半橋MMC結(jié)構(gòu)也存在同樣的問(wèn)題。

        目前關(guān)于MMC在STATCOM的應(yīng)用,研究的方向主要集中在直流側(cè)電壓均衡控制,無(wú)功補(bǔ)償控制及環(huán)流分析等方面。文獻(xiàn)[2]通過(guò)對(duì)相與相、傳統(tǒng)MMC上橋臂與下橋臂、子模塊與子模塊之間的能量轉(zhuǎn)換機(jī)理進(jìn)行了深入分析,并探討了影響電壓平衡的因素,在原有的三級(jí)能量平衡控制策略的基礎(chǔ)上增加了環(huán)流抑制部分,實(shí)現(xiàn)了電容電壓的平衡控制。文獻(xiàn)[3]詳細(xì)分析了公共耦合點(diǎn)(point of common coupling, PCC)電壓調(diào)節(jié)原理,提出的下垂調(diào)節(jié)方法可不受電流內(nèi)環(huán)控制性能的影響,PCC電壓可在一定范圍內(nèi)波動(dòng)。文獻(xiàn)[4]分析了MMC環(huán)流形成機(jī)理,并列出了環(huán)流、橋臂電流和公共直流側(cè)電流的數(shù)學(xué)關(guān)系,在此基礎(chǔ)上提出了通用的環(huán)流抑制策略。

        本文提出了一種改進(jìn)的MMC拓?fù)?,僅使用傳統(tǒng)MMC的下半橋臂,并在級(jí)聯(lián)模塊上層增加一組H橋,該結(jié)構(gòu)在大量級(jí)聯(lián)時(shí)可降低IGBT使用數(shù)量,在使用相同數(shù)量的開關(guān)器件時(shí)產(chǎn)生的電平數(shù)較級(jí)聯(lián)H橋更多,控制方法簡(jiǎn)單。對(duì)電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,通過(guò)仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)在無(wú)功補(bǔ)償中應(yīng)用的可行性。

        1 新型級(jí)聯(lián)靜止無(wú)功發(fā)生器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

        對(duì)傳統(tǒng)半橋MMC電路[2 - 5]進(jìn)行分析后,發(fā)現(xiàn)可對(duì)傳統(tǒng)半橋MMC電路進(jìn)行優(yōu)化,僅使用傳統(tǒng)MMC下半橋臂的結(jié)構(gòu),并在上層增加H橋結(jié)構(gòu),在不影響輸出的情況下,可以減少近一半的開關(guān)器件數(shù)量。同時(shí)沒有了上下橋臂之間的環(huán)流回路,因此控制策略也會(huì)有所不同。

        下橋臂的級(jí)聯(lián)半橋模塊可通過(guò)開斷IGBT實(shí)現(xiàn)由恒定直流向饅頭波的變換。在級(jí)聯(lián)模塊的上層增加H橋結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)DC/AC變換,由于級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)多應(yīng)用在中高壓場(chǎng)景,因此選擇由含門級(jí)可關(guān)斷晶閘管(gate turn-off thyristor, GTO)組成H橋電路,新型級(jí)聯(lián)靜止無(wú)功發(fā)生器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2所示,可根據(jù)實(shí)際情況對(duì)子模塊進(jìn)行擴(kuò)容。

        圖1 傳統(tǒng)MMC結(jié)構(gòu)Fig.1 Traditional MMC structure

        圖2 改進(jìn)MMC-STATCOM的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)Fig.2 Improved MMC-STATCOM topology

        假定直流側(cè)電容電壓相等,即Ud1=Ud2=…=Udn=E,對(duì)應(yīng)的半橋模塊輸出電壓為U1、U2等,Ui可通過(guò)半橋結(jié)構(gòu)的開關(guān)函數(shù)Mi來(lái)表示。

        (1)

        Ui=Mi×Udi

        (2)

        則:

        (3)

        式中Us為半橋級(jí)聯(lián)模塊的輸出電壓。

        同理,A相模塊輸出電壓Ua可通過(guò)H橋結(jié)構(gòu)的開關(guān)函數(shù)K來(lái)表示。

        則有:Ua=K×Us。 此時(shí)可得到輸入電壓與輸出電壓的關(guān)系如式(4)所示。

        (4)

        針對(duì)多電平結(jié)構(gòu)拓?fù)浞治觯容^多電平變換器使用器件的數(shù)量[6],本次對(duì)比選用較為常見的級(jí)聯(lián)H橋,傳統(tǒng)半橋MMC和改進(jìn)MMC-STATCOM進(jìn)行比較,各方案元器件使用數(shù)量對(duì)比如表1所示。

        表1 各方案元器件使用數(shù)量對(duì)比表Tab.1 Comparison of the number of devices used in each program

        由表1可知,在產(chǎn)生相同電平數(shù)的情況下,本文所提方案能夠節(jié)約功率開關(guān)器件數(shù)量,因電力電子器件價(jià)格較高,因此節(jié)約功率開關(guān)器件,可節(jié)約成本。

        為了使研究更具實(shí)際意義,給出級(jí)聯(lián)H橋與改進(jìn)MMC-STATCOM在各電壓等級(jí)下的詳細(xì)對(duì)比。為方便對(duì)比,選用耐壓值相同的開關(guān)器件進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如表2所示。由表2可以看出,隨著電壓等級(jí)的增加,改進(jìn)MMC-STATCOM使用的開關(guān)元件相對(duì)級(jí)聯(lián)H橋結(jié)構(gòu)越來(lái)越少??梢娭懈邏簣?chǎng)景中改進(jìn)MMC-STATCOM具有較大實(shí)用價(jià)值。

        表2 級(jí)聯(lián)H橋與改進(jìn)MMC結(jié)構(gòu)對(duì)比表Tab.2 Comparison table of cascaded H bridge and improved MMC structure

        2 改進(jìn)MMC-STATCOM的調(diào)制與控制策略

        改進(jìn)MMC-STATCOM與傳統(tǒng)MMC半橋的結(jié)構(gòu)相似,對(duì)該結(jié)構(gòu)的模態(tài)分析等工作已有較多研究,本文在此不再贅述,接下來(lái)將直接對(duì)調(diào)制與控制策略進(jìn)行敘述。

        2.1 載波移相調(diào)制

        載波移相正弦脈寬調(diào)制(carrier phase shifted sinusoidal pulse width modulation, CPS-SPWM)是在正弦脈寬調(diào)制的基礎(chǔ)上發(fā)展來(lái)的[7 - 9,14],通過(guò)將載波互相錯(cuò)位相應(yīng)的角度,從而得到多電平的輸出電壓。

        具體來(lái)看,在具有N個(gè)子模塊級(jí)聯(lián)的改進(jìn)MMC-STATCOM結(jié)構(gòu)中,每個(gè)子模塊對(duì)應(yīng)的載波錯(cuò)位π/N°,本結(jié)構(gòu)只有傳統(tǒng)半橋MMC的下橋臂,因此,調(diào)制波需要取絕對(duì)值,級(jí)聯(lián)模塊輸出的電壓為饅頭波,電平數(shù)為N+1,經(jīng)H橋結(jié)構(gòu)后,輸出電平數(shù)為2N+1。

        載波移相調(diào)制過(guò)程圖見附錄A圖A1,如圖A1所示為N=5時(shí),A相的載波移相調(diào)制過(guò)程。其中Vref為調(diào)制波;V1,V2,V3,V4,V5為對(duì)應(yīng)子模塊的輸出電壓;Vs為級(jí)聯(lián)半橋模塊輸出電壓;Va為H橋模塊輸出電壓。由圖中可以看出,級(jí)聯(lián)子模塊輸出為電壓為六電平饅頭波,經(jīng)H橋變換后,可得到原始調(diào)制波對(duì)應(yīng)的11電平電壓。

        2.2 控制策略

        改進(jìn)MMC-STATCOM結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)半橋MMC結(jié)構(gòu)雖然有所不同,但改進(jìn)MMC-STATCOM的控制策略方面仍然可以借鑒傳統(tǒng)半橋MMC結(jié)構(gòu)的控制策略[4,7 - 9]。本文主要敘述改進(jìn)MMC-SATCOM的直流側(cè)控制策略,其余模塊在本文中不再贅述。采用電流直接控制策略,以電流環(huán)為內(nèi)環(huán),直流側(cè)電容電壓為外環(huán),直流側(cè)電容電壓平衡采用3層控制。第1層為電壓全局控制,通過(guò)計(jì)算與電網(wǎng)有功功率進(jìn)行交換,維持全局直流側(cè)平均電壓恒定;第2層為相間電容電壓控制,可使三相中每一相得直流側(cè)電壓之和與其他兩相均相等;第3層為相間電容電壓控制。

        2.2.1 直流側(cè)電壓全局控制策略

        直流側(cè)電壓全局控制是通過(guò)與電網(wǎng)進(jìn)行有功功率交換,保證改進(jìn)MMC-STATCOM的整體有功功率恒定,進(jìn)而使直流側(cè)平均電壓不變。該方法的實(shí)現(xiàn)過(guò)程是通過(guò)對(duì)所有半橋子模塊的直流側(cè)電壓求平均后與指令值做差,經(jīng)PI控制器后送入電流閉環(huán),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)改進(jìn)MMC-STATCOM從電網(wǎng)吸收有功功率的控制。

        圖3 全局電壓控制Fig.3 Global voltage control

        2.2.2 相間電容電壓平衡控制

        全局電壓達(dá)到指令值后,由于每相之間存在的損耗不同,因此相與相之間仍然存在偏差[6 - 8],因此還需采取相間電容電壓平衡控制。由于基波零序電壓與基波正序電流作用可產(chǎn)生不同的三相平均功率,所以可用于平衡相間直流側(cè)電壓。

        設(shè)系統(tǒng)負(fù)載電流中不含基波負(fù)序成分,裝置的零序電壓與負(fù)載電流分別為:

        Uz=Uz×sin(ωt+θz)

        (5)

        式中:Uz為零序電壓;θz為零序相位角。

        (6)

        式中:Ip為流入MMC-STATCOM的正序分量的幅值;φp為流入MMC-STATCOM的正序分量的相位。

        則正序電流與基波零序電壓作用,產(chǎn)生的平均功率被改進(jìn)MMC-STATCOM吸收,功率為:

        (7)

        對(duì)式(7)進(jìn)行求解,可得到改進(jìn)MMC-STATCOM產(chǎn)生的零序電壓的幅值和相位,如式(8)—(9)所示。

        (8)

        (9)

        將零序電壓疊加至每一相的調(diào)制電壓中,便可以起到修正指令電壓的作用,控制框圖如圖4所示。

        圖4 相間電容電壓控制框圖Fig.4 Block diagram of phase-to-phase capacitor voltage control

        圖4中,Uda_ave、Udb_ave分別為A、B相半橋子模塊直流側(cè)電壓的平均值,Ud_ave為所有半橋子模塊直流側(cè)電壓的平均值,Usabc為電網(wǎng)電壓,Ip、ψp為改進(jìn)MMC-STATCOM輸出電流的正序分量幅值與相位,Utabc為相間電容電壓控制輸出的參考電壓,將該部分疊加至對(duì)應(yīng)的調(diào)制電壓中,便能實(shí)現(xiàn)有功功率的平衡,即可保證各相直流側(cè)電壓平衡。

        2.2.3 相內(nèi)電容電壓控制

        由于各子模塊間的損耗也不同等問(wèn)題,會(huì)造成相內(nèi)各電容電壓不平衡,本文通過(guò)改變有功功率對(duì)電容電壓進(jìn)行調(diào)整[5,6,10 - 11],采用有功功率矢量控制算法選定開關(guān)狀態(tài)后,根據(jù)各模塊中電容電壓大小進(jìn)行選擇,相內(nèi)電壓平衡控制框圖如圖5所示。

        圖5 相內(nèi)電容電壓控制圖Fig.5 Control diagram of capacitor voltage in phase

        圖5中Ua_ave為A相各子模塊電容電壓的平均值,UAn為A相第n個(gè)子模塊電容電壓,IA為A相電流,Uta為經(jīng)過(guò)解耦控制與相間電壓控制疊加的調(diào)制波電壓,將二者疊加后可保證相內(nèi)各子模塊電容電壓平衡。

        以A相為例,若子模塊電壓小于電容電壓平均值,則二者做差大于0,A相電流方向定義流入為大于0,則此時(shí)產(chǎn)生的有功電壓矢量為正,當(dāng)有功電壓矢量為正,則調(diào)制波變大,此時(shí)電容放電時(shí)間變短;相反,若電壓差小于0,有功矢量為負(fù),則電容放電時(shí)間變長(zhǎng)。

        由以上各部分,可組成改進(jìn)MMC-STATCOM的完整控制策略[12 - 15],控制框圖見附錄圖A2。

        4 仿真驗(yàn)證

        為進(jìn)一步分析改進(jìn)MMC-STATCOM在無(wú)功補(bǔ)償下的電路結(jié)構(gòu)與控制策略的有效性,在Simulink中搭建了中壓仿真模型,系統(tǒng)工作在容性工況;為驗(yàn)證將控制策略應(yīng)用在改進(jìn)MMC-STATCOM拓?fù)湎碌挠行?,并與傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)H橋結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比,并進(jìn)行了仿真分析。

        通過(guò)仿真驗(yàn)證直流側(cè)電容均壓控制的有效性。將同樣的控制策略分別應(yīng)用在級(jí)聯(lián)H橋與改進(jìn)MMC-STATCOM上,對(duì)比使用的開關(guān)器件數(shù)量及輸出電流的諧波含量,驗(yàn)證改進(jìn)MMC-STATCOM的經(jīng)濟(jì)性。通過(guò)無(wú)功電流指令值與實(shí)際補(bǔ)償電流無(wú)功分量進(jìn)行對(duì)比,在0.1 s負(fù)載動(dòng)作,驗(yàn)證補(bǔ)償效果。電路參數(shù)如表3所示。

        表3 系統(tǒng)仿真參數(shù)Tab.3 System simulation parameters

        相內(nèi)電容電壓和相間電容電壓分別如圖6—7所示。由圖6—7可知,在本文所提調(diào)制及控制策略下,改進(jìn)MMC-STATCOM結(jié)構(gòu)的直流側(cè)電容電壓能夠?qū)崿F(xiàn)平衡,負(fù)載在0.1 s動(dòng)作時(shí),電容電壓也能再次平衡,驗(yàn)證了本文所提調(diào)制及控制策略的有效性。

        圖6 相內(nèi)電容電壓Fig.6 Capacitor voltage within a phase

        圖7 相間電容電壓Fig.7 Capacitor voltage between phases

        級(jí)聯(lián)H橋與改進(jìn)MMC-STATCOM使用相同的控制方式,補(bǔ)償電流的諧波含量如圖8—9所示。

        圖8 級(jí)聯(lián)H橋補(bǔ)償電流諧波分析Fig.8 Harmonic wave analysis of cascaded H-bridge compensation current

        圖9 改進(jìn)MMC-STATCOM補(bǔ)償電流諧波分析Fig.9 Harmonic analysis of improved MMC-STATCOM compensation current

        通過(guò)諧波分析發(fā)現(xiàn),改進(jìn)MMC-STATCOM補(bǔ)償電流諧波含量相對(duì)較低,二者的總諧波畸變(Total harmonic distortion, THD)均小于2%。此時(shí)兩種結(jié)構(gòu)均使用了5個(gè)級(jí)聯(lián)模塊,其中級(jí)聯(lián)H橋結(jié)構(gòu)使用了60個(gè)開關(guān)器件,而改進(jìn)MMC-STATCOM結(jié)構(gòu)僅使用了42個(gè)開關(guān)器件。因此,在補(bǔ)償效果相似的情況下,使用改進(jìn)MMC-STATCOM更加節(jié)省開關(guān)器件的數(shù)量。

        圖10 改進(jìn)MMC-STATCOM輸出電壓電流波形Fig.10 Output voltage and current waveform of improved MMC-STATCOM

        圖11 無(wú)功電流指令值及補(bǔ)償電流無(wú)功分量Fig.11 Reactive current command value and compensation current reactive component

        由圖11可以看出,輸出電壓波形為11電平,且可以發(fā)出補(bǔ)償電流,驗(yàn)證了本文所提結(jié)構(gòu)在無(wú)功補(bǔ)償場(chǎng)景中的有效性。

        5 結(jié)語(yǔ)

        通過(guò)分析級(jí)聯(lián)半橋MMC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),本文提出了改進(jìn)的MMC-STATCOM電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并給出了相應(yīng)的調(diào)制與控制策略,通過(guò)仿真驗(yàn)證了所提控制方案的有效性。與級(jí)聯(lián)H橋進(jìn)行對(duì)比,改進(jìn)MMC-STATCOM可以極大地減少開關(guān)器件的使用數(shù)量;最后通過(guò)對(duì)比無(wú)功電流指令值與補(bǔ)償電流的無(wú)功分量,可知本文所提無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能較好,可應(yīng)用于無(wú)功補(bǔ)償場(chǎng)景中。

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