殷立雄,韓 浪,霍京浩,黃劍鋒, 李潞瑤,趙 津
(陜西科技大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院 陜西省無機(jī)材料綠色制備與功能化重點實驗室,陜西 西安 710021)
隨著社會經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,經(jīng)濟(jì)全球化的程度不斷加深,人們對于能源的需求量大大增加,但能源儲備捉襟見肘,此外,傳統(tǒng)的化石燃料造成的環(huán)境污染程度也越來越嚴(yán)重,人類面臨能源危機(jī)和環(huán)境污染兩方面的壓力逐漸變大[1].因此,尋找更加清潔,儲量豐富的新能源,對于解決能量短缺、環(huán)境污染的問題是十分有必要的.太陽能是一種新型能源,具有儲量豐富、無污染以及可再生等優(yōu)點而被人們所關(guān)注[2-5].太陽能電池是利用太陽能轉(zhuǎn)化為電能的方式來提供能源,其具有污染小,資源豐富,無需保養(yǎng)等優(yōu)點,因此被主要應(yīng)用于能源、電子器件等領(lǐng)域.
鈣鈦礦太陽能電池作為一種制備工藝簡單、經(jīng)濟(jì)成本低的太陽能電池,是目前研究的熱點,其主要機(jī)理是光生伏特效應(yīng),太陽光照射吸光層產(chǎn)生電子和空穴對,通過電子和空穴傳輸層及時導(dǎo)走載流子且流向兩極,連接外電路形成閉合回路,產(chǎn)生電流.近年來,研究者們通過對鈣鈦礦太陽能電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,使得電池光電轉(zhuǎn)換效率不斷提升[6-8].
TiO2具有較好的傳輸電子的能力且來源廣泛,其中銳鈦礦相TiO2的禁帶寬度在3.2 eV左右[9],其導(dǎo)帶底稍低于鈣鈦礦CH3NH3PbI3的最低未占據(jù)軌道能級,這將有利于光生電子的流入,因此被廣泛的作為電子傳輸材料使用.TiO2是鈣鈦礦太陽能電池中普遍使用的介孔層材料,但是依然存在電導(dǎo)率低、載流子復(fù)合程度較高等問題,這極大地限制了TiO2作為電子傳輸層在鈣鈦礦太陽能電池方面的發(fā)展.常見的改善方法主要有優(yōu)化薄膜的形貌和結(jié)晶度,進(jìn)行層與層之間的修飾和鈍化,減少載流子的復(fù)合,以及增加電子和空穴傳輸層的傳輸速率等[10,11].
對TiO2進(jìn)行元素的摻雜是改善電子傳輸層性能的一種有效的方法[12-14].2013年,Bai-Xue Chen等[15]將鈮元素引入到TiO2中并作為電子傳輸層應(yīng)用在鈣鈦礦太陽能電池中.實驗結(jié)果表明,鈮的引入使得材料的電導(dǎo)率明顯提高,由此促進(jìn)了載流子的注入,最終提高了器件的光伏性能;2018年,Lv Y等[16]成功將釔摻雜到TiO2中,并作為鈣鈦礦太陽能電池的電子傳輸層.實驗結(jié)果表明,引入釔之后TiO2的帶隙從3.07 eV變化到3.02 eV,并且電池的Jsc、電子-空穴對的分離、減少復(fù)合以及光電轉(zhuǎn)換效率等方面均得到提高;2019年,Chawalit B等[17]將N元素?fù)诫s到ZnO中,以此來作為電子傳輸層,研究發(fā)現(xiàn)N元素的引入使得器件具有更好的穩(wěn)定性且具有促進(jìn)電荷傳輸?shù)淖饔?
本文采用溶膠-凝膠法來將Gd3+引入到TiO2中并作為鈣鈦礦太陽能電池的電子傳輸層,探究Gd3+對TiO2形貌以及對器件電性能的影響.研究發(fā)現(xiàn)微量的Gd3+摻雜對于TiO2微觀形貌影響不大,但提高了TiO2紫外吸收強(qiáng)度以及改善了TiO2帶隙結(jié)構(gòu),調(diào)節(jié)了TiO2電子傳輸層的導(dǎo)帶位置,提高了鈣鈦礦太陽能電池中載流子的傳輸效率.最終提升了器件的光伏性能.
本次實驗中的藥品有:冰醋酸(分析純)、鈦酸四正丁酯(C16H36O4Ti,分析純)、無水乙醇(分析純)、氧化釓(Gd2O3,分析純).
首先,稱量一定質(zhì)量的Gd2O3后用硝酸進(jìn)行溶解,隨后與少量去離子水混合均勻得到2 mL溶液,其中Gd∶Ti的摩爾比為0.75%,在加熱臺上進(jìn)行加熱攪拌,促使其溶解,接著將上述溶液與5 mL乙醇和2 mL冰醋酸充分混合,得到溶液A,后將4 mL鈦酸四正丁酯與10 mL無水乙醇混合均勻得到溶液B.在劇烈攪拌狀態(tài)下,將溶液B通過濾頭緩慢滴加到溶液A中進(jìn)行水解,繼續(xù)攪拌直至溶液透明,得到所需的TiO2溶膠.靜置72 h得到凝膠,烘干研磨后,放入到馬弗爐中保持450 ℃煅燒3 h,冷卻后取出再次研磨.得到所需要Gd3+摻雜TiO2納米材料.為了進(jìn)行對比分析,純TiO2的制備過程與上述流程一致,但不加入Gd3+.
本次實驗通過德國Bruker公司生產(chǎn)的X射線衍射儀(XRD)對樣品的物相進(jìn)行分析.掃描角度范圍為20 °~70 °,掃描速率5 °/min,對樣品的晶型結(jié)構(gòu)和物相進(jìn)行分析;采用日本理學(xué)生產(chǎn)的場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)型號為S4800,來對于樣品的微觀形貌進(jìn)行表征分析,結(jié)合能量色散光譜(EDS)測試樣品中各元素的分布以及含量;采用美國FEI生產(chǎn)透射電子顯微鏡(TEM)來觀察材料的晶格間距,并且通過晶格間距確定材料的組成以及晶面;通過紫外光電子能譜(UPS)對于改性前后樣品的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行測試分析;采用美國安捷倫生產(chǎn)的型號為Cary 5000的紫外-可見光吸收光譜(UV-Vis)來對于樣品紫外吸收進(jìn)行分析,并且利用公式計算其帶隙情況.
1.4.1 鈣鈦礦太陽能電池的組裝
首先,用洗潔精、丙酮、異丙醇、無水乙醇分別對FTO玻璃超聲30 min進(jìn)行清洗,隨后浸泡在無水乙醇中備用.使用時將玻璃吹干.將上一步制備的TiO2溶膠旋涂在FTO導(dǎo)電玻璃上,用沾有無水乙醇的棉簽在導(dǎo)電玻璃刻蝕線對面擦拭一道,漏出電極.后在450 ℃下進(jìn)行30 min的退火.采用兩步法來旋涂一層鈣鈦礦層,后經(jīng)100 ℃退火1 h.隨后再旋涂一層空穴傳輸層Spiro-OMeTAD,上述兩步均在手套箱(水氧含量<0.5 ppm)中進(jìn)行.完成后在干燥器中放置一天.隨后按照前述方式擦拭一道,漏出電極.最后在上一步的基礎(chǔ)上將碳電極刮涂在鈣鈦礦層上,后在80 ℃下進(jìn)行烘干.得到組裝后的器件.
1.4.2 線性掃描伏安(LSV)測試
為了得到在光照條件下太陽能電池產(chǎn)生的電流和電壓之間的關(guān)系以及光電轉(zhuǎn)化效率,本論文采用上海辰華儀器公司的型號為CHI604的電化學(xué)工作站對太陽能電池進(jìn)行LSV測試.頻率為1 000 Hz,掃速為500 mV/s.另一端連接太陽能模擬器(100 mW/cm2,AM 1.5G)來模擬太陽光照.通過計算得出開路電壓(Voc)、短路電流密度(Jsc)、填充因子(FF)、以及光電轉(zhuǎn)換效率(PCE).
圖1為改性前后TiO2的XRD圖譜.圖1中,納米材料在25.28 °、37.80 °、48.04 °、53.89 °、55.06 °、62.68 °位置均可觀察到衍射峰,所形成的衍射峰清晰、無雜峰,即產(chǎn)物結(jié)晶性好,并且與銳鈦礦TiO2標(biāo)準(zhǔn)卡片(PDF.21-1272)相互對應(yīng).上述衍射峰分別代表(101)、(004)、(200)、(105)、(211)、(204)晶面,說明采用溶膠-凝膠的方法成功制備了Gd3+摻雜TiO2納米材料.與純TiO2的XRD相比,Gd3+摻雜TiO2衍射峰的強(qiáng)度有少許降低,并且峰寬較之前有所增加,表明微量Gd3+摻雜影響了TiO2的結(jié)晶程度,并未改變TiO2的晶型結(jié)構(gòu)[18-20].
圖1 TiO2和Gd3+摻雜TiO2的XRD圖譜
圖2對摻雜前后TiO2的微觀形貌進(jìn)行了比較分析.由圖2可以看出,在摻雜前后,產(chǎn)物相貌變化不大,均為小顆粒狀,通過對比可知,摻雜Gd3+之后納米顆粒的粒徑略有減小,且分布均勻;圖3是Gd3+摻雜TiO2納米材料的EDS圖.表1為EDS對應(yīng)的元素比例表.從圖3、表1可知,樣品中含有Ti、O元素,除此之外還有微量的Gd元素;圖4為Gd3+摻雜前后的TEM圖.從圖4(a)、(b)可以看出,摻雜前后樣品均為納米顆粒狀,且分布均勻.由圖4(c)、(d)對比可看出,條紋間距d=0.352 nm是純TiO2(101)晶面對應(yīng)的晶面間距,d=0.364 nm是進(jìn)行Gd3+摻雜之后的TiO2(101)晶面的晶面間距,原因是Gd3+進(jìn)入到了TiO2納米晶格中,導(dǎo)致晶格間距d增大.由此,證明Gd3+被成功摻雜到TiO2晶格內(nèi)部[21-23].
(a)TiO2
圖3 Gd3+摻雜TiO2樣品中元素比例圖
表1 Gd3+摻雜TiO2樣品中元素比例表
(a)、(c)TiO(b)、(d)Gd3+摻雜TiO2
圖5是純TiO2以及Gd3+摻雜TiO2的紫外-可見光吸收光譜圖.由圖5可見,在進(jìn)行摻雜之后TiO2在波長為200~400 nm處的吸收強(qiáng)度有明顯的升高.
圖5 摻雜前后樣品的UV-Vis吸收光譜圖
圖6是利用公式(1)得到改性前后材料的帶隙結(jié)構(gòu).
(a)TiO2
(αhv)2=A(hv-Eg)
(1)
式(1)中:α—吸光指數(shù);v—頻率.繪制出(αhv)2-hv曲線,切線在橫坐標(biāo)處的截距即為材料的帶隙.
對于公式換算以后,發(fā)現(xiàn)在摻雜之后TiO2的帶隙結(jié)構(gòu)由3.27 eV變?yōu)榱?.25 eV,這可能是在摻雜之后產(chǎn)生了新的雜質(zhì)能級,雜質(zhì)能級可以成為光生載流子的捕獲陷阱,對于電子和空穴的分離具有促進(jìn)作用.
采用紫外光電子能譜對于摻雜前后的TiO2薄膜費米能級進(jìn)行表征,進(jìn)一步分析其原因.圖7顯示了TiO2和Gd3+摻雜TiO2薄膜的UPS光譜圖.可通過公式(2)計算得出樣品的功函數(shù)以及費米能級.
(a)TiO2
Φ=hv-Ecut+Eonset
(2)
式(2)中:Ecut—二次電子截至區(qū)域;hν—H1發(fā)射的能量(21.22 eV);Eonset—費米能級邊緣的起點;Φ—樣品的表面功函數(shù).
經(jīng)過處理后,得到摻雜前后TiO2的費米能級從-4.30 eV調(diào)整為-3.96 eV.電子傳輸層費米能級的上移將導(dǎo)致其更接近于鈣鈦礦層的導(dǎo)帶位置,使得電子更容易從鈣鈦礦層流向電子傳輸層,這對于載流子濃度的提高十分重要,提高電子在電子傳輸層的傳輸速率,增加其導(dǎo)電性,最終改善鈣鈦礦太陽能電池的性能[24,25].
利用太陽能模擬器(100 mW/cm2,AM 1.5G)來模擬測試所需要的環(huán)境.經(jīng)過數(shù)據(jù)處理以后,得到其光電性能圖如圖8所示.圖8是Jsc、Voc、FF、PCE處理后各自的箱式統(tǒng)計圖.樣品1、2分別是TiO2改性前后作為電子傳輸層電池的電性能分析.由圖8可知,統(tǒng)計分析十組器件數(shù)據(jù),在進(jìn)行改性之后,由于電池的電流密度(Jsc)和開路電壓(Voc)有明顯提升,導(dǎo)致電池的光電轉(zhuǎn)化效率(PCE)有所提升,其原因是,在進(jìn)行改性之后,電子更容易從鈣鈦礦層流向電子傳輸層,減少了電子和空穴對的復(fù)合,最終提升了光電轉(zhuǎn)換效率.
(a)Jsc箱式統(tǒng)計圖
此外,對于上述十組數(shù)據(jù)進(jìn)行平均數(shù)值計算,可以得到組統(tǒng)計數(shù)值,如表2所示.
表2 改性前后TiO2組裝的電池性能數(shù)據(jù)
利用公式(3),可得到平均PCE從1.07%改變?yōu)?.31%;利用公式(4),可得到平均FF從0.264改變?yōu)?.273.由此可知,Gd摻雜TiO2作為電子傳輸層對于電池的FF影響不大,而對于Jsc和PCE的提升都是有效果的.
PCE=Voc×Jsc
(3)
(4)
本文采用溶膠-凝膠法來將Gd3+引入到TiO2中并作為鈣鈦礦太陽能電池的電子傳輸層.從UV-Vis和UPS可知,摻雜之后材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,其費米能級上移,有利于電子從鈣鈦礦層流向電子傳輸層.通過電性能測試發(fā)現(xiàn),與TiO2電子傳輸層相比,Gd3+摻雜TiO2材料作為電子傳輸層對于器件的Jsc的提升是有幫助的,其原因是能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)整使得,電子和空穴對的復(fù)合程度降低,電子的利用率得以提升,從而導(dǎo)致最終的PCE的提升.