王玉新,藺冬雪,王 磊
(遼寧師范大學(xué) 物理與電子技術(shù)學(xué)院,遼寧 大連 116029)
TiO2作為半導(dǎo)體氧化物,在自然界中通常有3種晶相,分別為銳鈦礦相、金紅石相和板鈦礦相,與金紅石相相比,銳鈦礦相表現(xiàn)出更高的光催化活性[1]. 因?yàn)榫邆涓吖饷粜?、?qiáng)氧化性、高穩(wěn)定性、不溶于水、化學(xué)惰性、生物相溶性、相對(duì)廉價(jià)、無毒等優(yōu)點(diǎn),TiO2被廣泛應(yīng)用于降解各種工業(yè)廢水、排放物及有機(jī)染料[2],如甲基橙、亞甲基藍(lán)、羅丹明B等. TiO2的寬帶隙值(銳鈦礦相3.2 eV)及光生電子/空穴對(duì)復(fù)合速率快,抑制了它在可見光范圍內(nèi)的光響應(yīng),限制了其在實(shí)際生產(chǎn)中的應(yīng)用[3]. 因此,如何增加TiO2在可見光范圍內(nèi)的光響應(yīng)強(qiáng)度及降低光生電子/空穴對(duì)復(fù)合的速率成為TiO2改性的重要研究方向.
TiO2的改性手段有很多,如摻雜過渡金屬元素(Cu,F(xiàn)e,Co等)[4-6]、貴金屬元素(Au,Ag,Pt等)[7-9]、非金屬元素(N,S,C等)[10-12],半導(dǎo)體復(fù)合薄膜[13],異質(zhì)結(jié)納米結(jié)構(gòu)[14],等等. Deuk Yong Lee等分別采用溶膠-凝膠衍生靜電紡絲法和溶膠-凝膠旋涂法制備了Nb摻雜TiO2的納米纖維和薄膜. 研究表明:隨著Nb/TiO2物質(zhì)的量比增加,TiO2由銳鈦礦相轉(zhuǎn)變?yōu)榻鸺t石相,帶隙能從3.25 eV減小到2.87 eV[15]. Li Fang等利用溶膠-凝膠法制備了本征TiO2及V-Zn共摻雜的TiO2薄膜. 結(jié)果表明:V和Zn共摻雜不僅能明顯提高TiO2的比表面積,而且縮小了TiO2樣品的帶隙值,樣品在可見光和紫外光下都表現(xiàn)出了良好的光催化活性[16].
研究表明,相對(duì)于單摻,2種甚至多種摻雜劑在增強(qiáng)可見光區(qū)域的吸光度、減小薄膜的禁帶寬度、提高薄膜的光催化活性等眾多方面具有更好的協(xié)同作用[17]. 因此,為進(jìn)一步減小TiO2的光學(xué)帶隙,提高其光學(xué)性能和光催化性能等,選用溶膠-凝膠法制備Ag/Zn共摻的TiO2薄膜.
為了減少外界條件對(duì)實(shí)驗(yàn)的干擾,增加所制備薄膜的純凈程度,實(shí)驗(yàn)前需要對(duì)襯底及玻璃儀器進(jìn)行清洗,實(shí)驗(yàn)選玻璃和Si片作為襯底.
將10 mL無水乙醇(C2H5OH,AR,國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)和2 mL去離子水混合,在室溫下攪拌20 min,標(biāo)記為A溶液;將5 mL鈦酸丁酯[Ti(OC4H9)4,AR,天津市科密歐化學(xué)試劑有限公司]、1.5 mL乙酰丙酮(C5H8O2,AR,天津市大茂化學(xué)試劑廠) 和20 mL無水乙醇混合,在室溫下攪拌20 min,標(biāo)記為B溶液. 混合A和B溶液,在室溫下攪拌5 min后,加入少許濃鹽酸(HCl,AR,國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)調(diào)節(jié)溶液的pH值,邊滴加濃鹽酸邊用試紙測(cè)量溶液的pH值,直到溶液pH值范圍在2~3;攪拌10 min后,加入0.69 g聚乙二醇800[HO(CH2CH2O)nH,AR,天津市光夏精細(xì)化工研究所],在室溫下攪拌1 h后,即可得到本征TiO2溶液. 將制備的溶液倒入已清洗好的試劑瓶中,在室溫下陳化24 h,即為本征TiO2溶膠.
旋涂法制膜階段,先將襯底放置在勻膠機(jī)(KW-4A)上,利用真空泵抽成真空以固定襯底. 將制備好的溶膠均勻、少量、逐滴滴覆在襯底上,低速(1 000 r/min)旋轉(zhuǎn)6 s,再以高速(3 000 r/min)旋轉(zhuǎn)30 s,取下樣品置于烤膠機(jī)(KW-4AH)進(jìn)行干燥處理,以70 ℃預(yù)退火10 min并自然冷卻至室溫. 上述步驟重復(fù)3次后,將樣品放置萬用電阻爐(SX2-2-4-10)內(nèi),以600 ℃的高溫對(duì)薄膜進(jìn)行大退火處理1 h,最終得到本征TiO2薄膜,標(biāo)記為A0.
制備摻雜樣品的方法與本征樣品一致,只需在A溶液中加入摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為1.50%的硝酸銀(AgNO3,AR,天津博迪化工股份有限公司)作為Ag源,以及摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)分別為0.25%,0.75%,1.25%,2.00%的硝酸鋅[Zn(NO3)2·6H2O,AR,天津市大茂化學(xué)試劑廠]作為Zn源,將樣品分別標(biāo)記為A1,A2,A3,A4,A5.
利用XRD (Empyrean銳影)以Cu靶作為目標(biāo)靶,設(shè)定掃描范圍為15°~50°,探究薄膜的晶格結(jié)構(gòu)及特征. SEM (SU8010)用來探究薄膜的表面生長(zhǎng)情況及形貌,薄膜測(cè)厚儀(SGC-10)用來測(cè)量薄膜樣品的厚度,采用UV-Vis (UV4501S)測(cè)量樣品的吸光度,最后分析樣品的光學(xué)性能.
圖1為樣品TiO2(A0),Ag-TiO2(A1)和Ag/Zn-TiO2(A2~A5)的X射線衍射圖譜. 所有Ag/Zn-TiO2樣品均為銳鈦礦相且峰型尖銳,均表現(xiàn)出沿(101)晶面擇優(yōu)取向生長(zhǎng),沒有出現(xiàn)其他雜質(zhì)的衍射峰,表明所制備的樣品較為純凈. 圖1中并未出現(xiàn)Ag,Zn,Ag2O,ZnO等與摻雜元素相關(guān)的衍射峰,一方面是因?yàn)閾诫s元素的含量較少;另一方面是因?yàn)锳g和Zn均以替位方式摻雜到TiO2的晶格中,且所選用的Ag源、Zn源及Ti源等藥品之間均未發(fā)生化學(xué)反應(yīng). 與本征TiO2和Ag單摻的TiO2相比,當(dāng)Zn的摻雜量較少(原子數(shù)分?jǐn)?shù)為0.25%,0.75%)時(shí),樣品的(101)衍射峰略有下降,這可能是由于除替位摻雜方式外,還有少部分Zn以間隙雜質(zhì)的方式摻入到TiO2晶格,抑制了晶體的生長(zhǎng);隨著Zn的摻雜量逐漸增大,(101)衍射峰又出現(xiàn)了增強(qiáng)的趨勢(shì),樣品中當(dāng)Zn的摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為2.00%時(shí),(101)衍射峰峰值最大、最為尖銳.
圖1 各樣品薄膜的XRD圖
表1所示為各樣品的(101)衍射峰的峰位、半高全寬、晶面間距和晶粒尺寸. 與Ag單摻相比,Ag/Zn共摻后的樣品(101)衍射峰的峰位均有不同程度向小角度方向移動(dòng)的趨勢(shì),半高全寬θFWHM增大,晶面間距d減小(但是均大于本征TiO2),晶粒尺寸D均小于TiO2. Zn2+的半徑為0.074 nm,Ti4+的半徑為0.075 nm,二者的離子半徑接近,因此TiO2晶格中的部分Ti4+不僅被Ag+以替位形式所取代,同樣有一部分被Zn2+所代替,這導(dǎo)致了晶體內(nèi)部應(yīng)力的改變,降低了樣品內(nèi)部的缺陷,減小了樣品的間距,晶粒得到細(xì)化. 通常,光催化反應(yīng)發(fā)生在催化劑的表面,結(jié)晶度的下降是由于晶粒尺寸的減小,這會(huì)導(dǎo)致比表面積的增加. 薄膜具有較大的比表面積會(huì)提高自身的光催化活性[18].
表1 各薄膜的晶格參量
薄膜的表面形貌是決定薄膜性質(zhì)的重要因素之一. 圖2為各樣品的SEM圖. 與本征TiO2和Ag單摻TiO2相比,Ag/Zn共摻后TiO2薄膜的表面形貌變化明顯. 由于Zn的摻雜,晶粒尺寸明顯減小,這與圖1及表1中所計(jì)算的結(jié)果相符合. 隨著Zn摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)的增加,薄膜表面變得更為均勻、平整、致密,晶粒間的孔隙及團(tuán)簇逐漸消失. Zn的摻雜進(jìn)一步改善了TiO2薄膜的表面形貌,樣品中當(dāng)Zn摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為2.00%時(shí),表面形貌最佳.
(a)A0 (b)A1
(c)A2 (d)A3
(e)A4 (f)A5圖2 各樣品的SEM圖
圖3為各樣品在300~500 nm的吸收光譜. 當(dāng)Zn的摻雜量較少(摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為0.25%和0.75%)時(shí),TiO2薄膜的吸光度下降,出現(xiàn)了向短波長(zhǎng)方向移動(dòng)的現(xiàn)象,即為藍(lán)移. 此時(shí)薄膜的生長(zhǎng)狀況較差,晶界折射較為明顯,導(dǎo)致了吸光度的下降. Zn的摻雜量較高時(shí),樣品的吸收邊出現(xiàn)了向長(zhǎng)波長(zhǎng)方向移動(dòng)的現(xiàn)象,即為紅移,樣品中Zn的摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為2.00%時(shí),吸收邊紅移最為明顯,TiO2薄膜在可見光范圍內(nèi)的吸光度增加. 這是因?yàn)楫?dāng)Zn的摻雜量增加,達(dá)到TiO2薄膜的固溶濃度后,Zn原子全填充狀態(tài)的3d軌道出現(xiàn),電子可以吸收光子. 共摻抑制了光生電子/空穴對(duì)的復(fù)合,從而降低了其復(fù)合速率,進(jìn)而提高TiO2的光量子效率. 同時(shí),由于雜質(zhì)能級(jí)為電子的躍遷提供了“臺(tái)階”,從而提高了TiO2薄膜對(duì)可見光的吸光度和利用率[19].
圖3 各樣品的吸收光譜圖
圖4 各樣品的關(guān)系圖
采用溶膠-凝膠旋涂法制備了本征TiO2及Ag摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為1.50%、Zn摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)分別為0.25%,0.75%,1.25%,2.00%的Ag/Zn-TiO2薄膜. 采用不同表征手段對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌及光學(xué)性能進(jìn)行探究和分析,從而得到了摻雜效果較好的薄膜樣品. XRD結(jié)果表明:所制備的樣品均為銳鈦礦相,Ag/Zn共摻雜沒有改變TiO2薄膜的基本結(jié)構(gòu),樣品較為純凈. 樣品中當(dāng)Zn摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為2.00%時(shí),(101)衍射峰的峰型最好,峰值最大,晶粒尺寸最小,晶粒得到細(xì)化的效果最為明顯. SEM結(jié)果表明:Zn的摻雜明顯改善了薄膜的表面形貌,晶粒減小明顯,晶粒間的孔隙及團(tuán)聚減少,樣品表面更為平整致密. UV-Vis結(jié)果表明:適量的Zn摻雜(原子數(shù)分?jǐn)?shù)為1.25%~2.00%)可以提高TiO2薄膜對(duì)可見光的吸光度,從而增加對(duì)可見光的利用率;禁帶寬度從3.515 eV變化到3.419 eV. 樣品中當(dāng)Zn摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為2.00%時(shí),禁帶寬度最小值為3.419 eV.