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        納米二氧化硅摻雜聚偏氟乙烯高介電納米纖維膜的制備

        2021-05-27 01:40:38蔡曼曼
        紡織報(bào)告 2021年3期
        關(guān)鍵詞:介電常數(shù)紡絲壓電

        蔡曼曼,徐 磊

        (天津工業(yè)大學(xué) 紡織科學(xué)與工程學(xué)院,天津 300387)

        聚偏氟乙烯(PVDF)作為一種化學(xué)性能穩(wěn)定的壓電聚合物,具有優(yōu)異的鐵電、壓電和熱電等性能,可廣泛應(yīng)用于電子材料[1],已在駐極體吸附過濾材料[2]、納米發(fā)電機(jī)、電子皮膚、壓力傳感器和能量收集器等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。PVDF特殊的電學(xué)性質(zhì)來源于其內(nèi)部結(jié)晶結(jié)構(gòu),R.Gregorio Jr.提到,在PVDF的5種晶型中,β晶型是PVDF產(chǎn)生駐極性和壓電性能的根源,已知提高β晶主要有拉伸、粒子摻雜和電極化等方法。

        本研究以50 nm粒徑SiO2納米顆粒為摻雜劑,通過陽離子表面活性劑分散配制PVDF紡絲溶液。通過調(diào)節(jié)不同的摻雜量,以掃描電鏡和X-射線衍射儀(XRD)對(duì)薄膜表面形貌和晶相結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,對(duì)極化處理后的納米纖維膜采用阻抗譜分析儀和靜電計(jì),分析樣品的介電性能和駐極效果,探討此類產(chǎn)品在過濾除塵和壓電材料上的應(yīng)用。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 原料與設(shè)備

        實(shí)驗(yàn)材料:聚偏二氟乙烯(PVDF)(分子質(zhì)量600 ku,熔點(diǎn)175 ℃,美國蘇威);N,N-二甲基甲酰胺(DMF)(分析純,天津市光復(fù)科技發(fā)展有限公司);丙酮(試劑級(jí),天津市福晨化學(xué)試劑廠);納米SiO2(50 nm粒徑,上海阿拉丁試劑)。

        實(shí)驗(yàn)設(shè)備:自制的針頭滾筒式靜電紡絲小樣機(jī);85-2磁力攪拌器(江蘇中大儀器廠);PS-40A超聲波分散儀(深圳市深華泰公司)。

        1.2 摻雜SiO2的PVDF制備

        用電子天平稱取一定量的SiO2,加入DMF/丙酮(體積比約為7∶3)的混合溶液中,并加入分散劑,超聲波分散1 h,配成指定濃度的SiO2溶液。然后將1 g的PVDF加入SiO2溶液中,用磁力攪拌器攪拌12 h,最終得到質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~5%的SiO2/PVDF的混合紡絲液。

        采用前期優(yōu)化工藝,在實(shí)驗(yàn)室溫度為25 ℃、空氣相對(duì)濕度為35%的條件下進(jìn)行靜電紡。靜電紡紡絲電壓為27 kV,紡絲速度為1 mL/h,紡絲距離為20 cm,紡絲時(shí)間為8 h,滾筒轉(zhuǎn)速為60 r/min,針頭動(dòng)程為12 cm,得到的納米纖維膜厚度為17.5 μm。

        1.3 測(cè)試表征

        采用日本Hitachi公司的TM3030、德國Bruker-D-8 X射線、Novo control concept 40中科儀器和自制的薄膜表面靜電帶電量測(cè)試儀,對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 SiO2/PVDF納米纖維膜表面形貌

        圖1為不同SiO2摻雜量下的PVDF納米纖維膜表面形貌,可以看出,在2%摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)下,纖維粗細(xì)均勻且團(tuán)聚現(xiàn)象不明顯,此時(shí)的纖維膜質(zhì)輕、透氣性良好,適合與柔性織物相結(jié)合。

        圖1 不同SiO2摻雜量下得到的PVDF納米纖維膜的表面形貌

        2.2 SiO2摻雜對(duì)PVDF納米纖維介電特性的影響

        圖2 為摻入不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)SiO2的PVDF納米纖維膜的介電系數(shù)和介電損耗角與頻率間的關(guān)系。從圖2(a)中可以看出,摻雜SiO2會(huì)使納米纖維膜的介電常數(shù)整體增加,在同一頻率時(shí),隨著SiO2摻雜量的增加,介電系數(shù)呈現(xiàn)先顯著增加后小幅回落的趨勢(shì)。從圖2(b)中發(fā)現(xiàn),介電損耗角正切值也呈先減小后增大的趨勢(shì),同介電常數(shù)影響規(guī)律相似,證實(shí)在低電壓交變電場(chǎng)下,介電常數(shù)對(duì)介電損耗的影響僅次于頻率。

        圖2 不同SiO2摻雜量下納米纖維膜的介電常數(shù)和損耗角正切

        2.3 極化對(duì)PVDF納米纖維膜的表面靜電荷作用

        圖3 為在不同電場(chǎng)強(qiáng)度下極化不同時(shí)間后,納米纖維膜表面帶有穩(wěn)定的靜電荷。由于在測(cè)試過程中,靜電荷是在試樣內(nèi)部自由產(chǎn)生的,積累靜電荷的大小同薄膜材質(zhì)、介電常數(shù)、極化程度有關(guān)??梢钥闯?,極化電壓越大,極化時(shí)間越長,試樣表面帶電量越大。

        圖3 20 mm×20 mm的PVDF納米纖維膜表面靜電特性

        3 結(jié)語

        通過摻雜納米SiO2,以靜電紡絲工藝制備PVDF納米纖維膜,對(duì)試樣表面形貌、晶相結(jié)構(gòu)和介電駐極特性進(jìn)行研究,得出如下結(jié)論。

        (1)摻雜2%納米SiO2時(shí)紡出的纖維粗細(xì)均勻,且不容易團(tuán)聚,能夠形成穩(wěn)定的紡絲。

        (2)納米SiO2的加入降低了PVDF原有的β相,因此,對(duì)結(jié)構(gòu)壓電特性有消除作用。

        (3)納米SiO2的摻雜提高了PVDF的介電和駐極特性,納米纖維膜的介電常數(shù)和損耗角正切可以達(dá)到5.4和0.6,表面靜電荷量超過1.25 μC/cm2,在氣體過濾除塵領(lǐng)域有望得到更好的應(yīng)用。

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