陳 雨
(合肥市測(cè)繪設(shè)計(jì)研究院,安徽 合肥 230000)
在東南沿海地區(qū)淺部土層中富含大量氣體,給工程施工建設(shè)帶來很大的麻煩[1~3]。因此,精準(zhǔn)探測(cè)淺層氣富存特征問題亟待解決??v觀國(guó)內(nèi)外研究,探測(cè)技術(shù)多樣,以測(cè)井、地質(zhì)雷達(dá)、靜力觸探等探測(cè)方法居多,各探測(cè)方法特性不一[4,5]。對(duì)于電性特征識(shí)別技術(shù)是以地下介質(zhì)間的地電場(chǎng)差異為物性基礎(chǔ)識(shí)別淺層氣,周錫堂、孟慶國(guó)等基于此,進(jìn)行了數(shù)值模擬和理論分析研究工作的開展[6,7]。本文以電性特征為基礎(chǔ)進(jìn)行數(shù)值模擬,利用現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行三維電阻率成像,研究富氣土層地電性識(shí)別特征,為工程安全建設(shè)提供保障。
探查試驗(yàn)區(qū)為杭州一地鐵施工區(qū),試驗(yàn)區(qū)內(nèi)自然地理?xiàng)l件優(yōu)越,可為淺層生物氣體生成提供條件[8]。根據(jù)前期勘察及踏勘結(jié)果[9],試驗(yàn)場(chǎng)地內(nèi)主要出露新生界第四系地層。圖1為試驗(yàn)區(qū)內(nèi)的地層柱狀圖,根據(jù)勘察結(jié)果,試驗(yàn)場(chǎng)地內(nèi)埋深6~30 m地層為主要的富氣段。
電阻率法識(shí)別淺層氣時(shí),通過探測(cè)設(shè)備向土層通電,建立地下電流場(chǎng),電流場(chǎng)因富氣區(qū)與周圍土層的差異表現(xiàn)出異常地電場(chǎng),以此分析研究淺層氣的富存特征[10,11]。查閱資料,部分研究也表明了,土層富氣后,氣體會(huì)充填在孔隙中,土層中含水量降低,部分孔隙膨脹,致使土層電性特征發(fā)現(xiàn)改變,呈現(xiàn)出電阻率值異常升高的現(xiàn)象[12~16]。
運(yùn)用EarthImager模擬軟件從不同含氣程度展開數(shù)值模擬,基于試驗(yàn)區(qū)土層分布特征及土層電性特征建立數(shù)值模擬地電模型,采用有限差分建模,Mixde邊界條件,最大均方誤差為1%,6次迭代,阻尼最小二乘法反演對(duì)富氣土層電性響應(yīng)特征進(jìn)行數(shù)值模擬。
在電阻率值測(cè)試中,③1與③2土層電阻率值較為相近,為避免地電模型地層太過復(fù)雜,影響模擬效果呈現(xiàn),模型構(gòu)建時(shí),合并為均一土層;④1與④2土層電阻率值相近,合并為均一土層。背景地電模型參數(shù)如表1。
圖1 地層柱狀圖
表1 背景模型參數(shù)
本文主要研究土層富氣前后及不同含氣程度土層的電性響應(yīng)特征規(guī)律。依據(jù)相關(guān)研究[3,13,14],在模擬試驗(yàn)中,設(shè)置上下兩個(gè)富氣區(qū),深度分別為7.5 m和20.6 m,大小設(shè)置為21 m×6 m,模擬過程中,富氣區(qū)電阻率值分別設(shè)置為50 Ω·m、100 Ω·m、200 Ω·m、400 Ω·m。
圖2 不同含氣程度數(shù)值模擬結(jié)果
圖2為5種不同含氣程度地電模型模擬結(jié)果。在模型中,測(cè)試系統(tǒng)共布設(shè)了64個(gè)電極,間距為3 m,總長(zhǎng)189 m??臻g采樣間隔縱橫向均為1.5 m,橫向?qū)挾?89 m,縱向高度40 m。在電阻率反演剖面圖中,綠色為基本色調(diào),藍(lán)色青色為低電阻率值表現(xiàn),紅黃暖色為高電阻率值表現(xiàn)。為較好呈現(xiàn)電性特征,各剖面圖色標(biāo)有所差異,數(shù)據(jù)分析時(shí)需結(jié)合各剖面圖色標(biāo)進(jìn)行分析。
圖2(b)為背景模型電性響應(yīng)特征,電阻率分帶明顯,與地電模型中各層位置相一致,且電阻率值也相對(duì)應(yīng)。圖2(c)~2(f)為不同含氣程度電阻率反演剖面圖,由圖可知,電阻率設(shè)置為50 Ω·m時(shí),富氣區(qū)上部電阻率值分布在40~60 Ω·m之間,下部電阻率值分布在20~35 Ω·m之間。當(dāng)設(shè)置電阻率值由50 Ω·m逐步升高到400 Ω·m時(shí),富氣區(qū)上部電阻率值也逐步升高,與設(shè)置電阻率值相近,下部富氣區(qū)電阻率值升高幅度較小,多分布在20~55 Ω·m之間。數(shù)值模擬分析,土層富氣時(shí)呈現(xiàn)明顯的高電阻異常,隨富氣區(qū)含氣程度升高,電性響應(yīng)特征越明顯,異常區(qū)范圍、層位與模型相一致;分析下部富氣區(qū)電阻率值升高幅度小受埋深及下部地層電阻率值影響,這一影響因素分析將在相關(guān)研究中進(jìn)行。
基于地質(zhì)條件及數(shù)值模擬結(jié)果,現(xiàn)場(chǎng)采用電阻率法對(duì)試驗(yàn)區(qū)內(nèi)地下富氣土層進(jìn)行探測(cè)試驗(yàn)。試驗(yàn)時(shí),根據(jù)試驗(yàn)環(huán)境分別從東西、南北兩個(gè)走向布置測(cè)線,利用垂向數(shù)據(jù)進(jìn)行三維電阻率成像。
本次探測(cè)試驗(yàn)共布設(shè)6條測(cè)線,一號(hào)、二號(hào)測(cè)線為東西走向,均布設(shè)64個(gè)電極,電極間距3 m,測(cè)線長(zhǎng)度189 m,兩條測(cè)線間隔110 m;四號(hào)測(cè)線為南北方向布設(shè),穿過一號(hào)、二號(hào)測(cè)線,從垂向上探測(cè)試驗(yàn)區(qū)內(nèi)富氣土層電性響應(yīng)特征,由于試驗(yàn)區(qū)內(nèi)地形和建筑環(huán)境限制,四號(hào)測(cè)線長(zhǎng)度為165 m,電極數(shù)56個(gè),電極間距3 m,圖3為現(xiàn)場(chǎng)測(cè)線布置示意圖。
圖3 現(xiàn)場(chǎng)測(cè)線布置示意圖
現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)采集地電場(chǎng)數(shù)據(jù)后,采用WBD解析軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)解編,通過EarthImager軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,將富氣土層電性響應(yīng)特征以圖像呈現(xiàn)出來。
試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理中,選擇一、二、四號(hào)測(cè)線數(shù)據(jù)進(jìn)行電阻率反演三維成像。
圖4為電阻率反演三維成像,清晰呈現(xiàn)測(cè)區(qū)富氣土層三維電性響應(yīng)特征,由圖4(a)、圖4(b)可知,一號(hào)測(cè)線下方10~30 m埋深位置呈現(xiàn)出透鏡狀高阻區(qū),電阻率值分布在30~250 Ω·m之間,二號(hào)測(cè)線下方6~25 m埋深位置呈現(xiàn)出扁豆?fàn)詈筒灰?guī)則狀高阻區(qū),電阻率值分布在30~300 Ω·m之間,四號(hào)測(cè)線下方6~15 m埋深位置呈現(xiàn)條帶狀高阻區(qū),電阻率值分布在30~150 Ω·m之間。結(jié)合數(shù)值模擬結(jié)果及地質(zhì)勘察資料分析,測(cè)線下方粉砂層和黏土層中高阻區(qū)多為淺層氣富集區(qū)。后期施工過程中,采用鉆孔施工排氣措施,證實(shí)了地下淺層氣的存在,同時(shí)也驗(yàn)證了電阻率法測(cè)試技術(shù)對(duì)土層中富氣區(qū)位置和范圍的響應(yīng)識(shí)別具備一定效果。
圖4 電阻率反演三維成像
(1)數(shù)值模擬結(jié)果表明,土層富氣時(shí)呈現(xiàn)明顯的高電阻異常,隨富氣區(qū)含氣程度升高,電性響應(yīng)特征越明顯。
(2)現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)表明,電阻率反演三維成像可清晰呈現(xiàn)富氣土層電性響應(yīng)特征,電阻率法在淺表土層富氣區(qū)探測(cè)識(shí)別中具有一定效果,可為淺層氣研究和工程應(yīng)用提供重要參考。
(3)電法測(cè)試時(shí),影響因素較多,需要對(duì)電極的耦合效果及其他影響因素綜合考慮,提高對(duì)土層中富氣區(qū)的響應(yīng)與識(shí)別能力。