李紅凱 李墨 董尚威 洪進(jìn) 陳曄 敬承斌 越方禹 褚君浩

摘 要：InAs/GaSbⅡ型超晶格因其特殊的能帶結(jié)構(gòu)及成熟的材料生長(zhǎng)技術(shù)， 被視為第三代紅外探測(cè)器的優(yōu)質(zhì)材料。 本文介紹了長(zhǎng)、 短波紅外探測(cè)用的InAs/GaSbⅡ型超晶格探測(cè)器結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)， 對(duì)比超晶格和襯底的拉曼光譜， 指認(rèn)了結(jié)構(gòu)中存在的主要拉曼振動(dòng)模式， 分波段光致發(fā)光譜揭示了器件存在近紅外和遠(yuǎn)紅外雙波段特性。 通過(guò)反射光譜、 光電流譜以及寬波段紅外透射光譜， 表征了短波紅外和長(zhǎng)波紅外的明顯吸收特性， 合理解釋了基于InAs/GaSbⅡ型結(jié)構(gòu)在近、 中、 遠(yuǎn)紅外波段的探測(cè)功能。 研究結(jié)果可為研制基于InAs/GaSbⅡ型超晶格的雙/多/寬波段紅外探測(cè)器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和機(jī)理分析提供指導(dǎo)。

關(guān)鍵詞：InAs/GaSb; Ⅱ型超晶格; 多波段探測(cè); 拉曼光譜; 光學(xué)性質(zhì); 紅外探測(cè)器

中圖分類(lèi)號(hào)：??? TJ765.3+33?? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：??? A? 文章編號(hào)：???? 1673-5048（2021）06-0095-05

0 引? 言

視覺(jué)是人類(lèi)感知外界信息的最重要渠道， 但是在可見(jiàn)光長(zhǎng)波一側(cè)十分寬廣的紅外波段（0.76 ～1 000 μm）不能被人眼感知， 卻蘊(yùn)含著豐富的信息。 為了探知并利用這一特殊且寬廣的電磁波譜段， 人類(lèi)研制了各種紅外探測(cè)器。 紅外探測(cè)器的發(fā)展很大程度上來(lái)自于軍方的應(yīng)用需求， 20世紀(jì)50年代， 工作波段為1～3 μm硫化鉛（PbS）光導(dǎo)型探測(cè)器最先用于紅外型空空導(dǎo)彈， 這可以說(shuō)是近代紅外探測(cè)器開(kāi)始迅速發(fā)展的轉(zhuǎn)折點(diǎn); 在同一時(shí)期， 工作波段為3～5 μm窄禁帶銻化銦（InSb）以及工作波段為8～14 μm的非本征鍺（Ge： Hg）也得到了研究[1]; 1959年， 半導(dǎo)體材料碲鎘汞（Hg1-xCdxTe）的報(bào)道[2]開(kāi)啟了一個(gè)HgCdTe盛行的時(shí)代， HgCdTe材料具備可調(diào)節(jié)的直接帶隙、 高吸收系數(shù)、 高量子效率、 較寬的工作溫度范圍等優(yōu)點(diǎn)， 因此， 時(shí)至今日HgCdTe仍在紅外探測(cè)領(lǐng)域中處于主導(dǎo)地位[3-4]。 隨著技術(shù)要求的提高， HgCdTe材料也顯現(xiàn)出了各種缺點(diǎn)， 如大面積制造均勻性差、 隧穿電流大、 俄歇復(fù)合速率高等。 相較于HgCdTe， 量子阱紅外探測(cè)器[5]得益于Ⅲ-Ⅴ族材料成熟的生長(zhǎng)技術(shù)， 器件的穩(wěn)定性和均勻性較好， 成本相對(duì)較低， 更利于產(chǎn)業(yè)化的普及， 但是由于子帶間躍遷選擇定則的制約[6]， 量子阱的吸收系數(shù)和量子效率很低， 大大制約了量子阱器件的應(yīng)用范圍。

超晶格（SL）結(jié)構(gòu)與量子阱類(lèi)似， 是兩種不同材料層狀排列形成的周期性結(jié)構(gòu)。 不同的是超晶格結(jié)構(gòu)的每層厚度僅為原子間距量級(jí)， 相鄰勢(shì)阱中載流子的波函數(shù)發(fā)生交疊形成微能帶（mini-band）， 其間存在窄的禁帶， 不同于量子阱的子帶吸收， 超晶格的光吸收發(fā)生在微能帶之間。 通過(guò)調(diào)控材料在單周期內(nèi)的厚度、? 組分以及應(yīng)變來(lái)改變微能帶間的帶隙， 可實(shí)現(xiàn)覆蓋1.7～32 μm的探測(cè)波長(zhǎng)范圍[7-8]。 圖1給出了InAs/GaSbⅡ型超晶格的能帶結(jié)構(gòu)示意圖， 其中， InAs導(dǎo)帶底低于GaSb價(jià)帶頂， 使得二者具有“破帶隙”（broken band gap）的特殊能帶結(jié)構(gòu)， 電子位于InAs層內(nèi)， 而空穴位于GaSb層內(nèi)， 電子和空穴在實(shí)空間上分離， 且由于應(yīng)力場(chǎng)的作用GaSb層中輕重空穴帶分離， 這些特性在理論上可有效抑制俄歇復(fù)合[9]。 除上述優(yōu)點(diǎn)外， InAs/GaSbⅡ型超晶格的制備與量子阱相似， 易摻雜且大面積生長(zhǎng)的均勻性良好， 利于大規(guī)模焦平面陣列紅外探測(cè)器的制造。 可見(jiàn)，

InAs/GaSbⅡ型超晶格紅外探測(cè)器在理論上將上述兩種探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合于一身， 因此， InAs/GaSbⅡ型超晶格被認(rèn)為是新一代紅外檢測(cè)和成像技術(shù)領(lǐng)域中最有力的競(jìng)爭(zhēng)者[10]。

目前報(bào)道的超晶格器件載流子壽命遠(yuǎn)低于HgCdTe[11]， 并沒(méi)有觀察到理論上抑制俄歇復(fù)合現(xiàn)象的出現(xiàn)， 已有的研究表明， 這主要是因?yàn)镚a相關(guān)的深能級(jí)缺陷[12]促進(jìn)了Shockley-Read-Hall（SRH）復(fù)合， 但針對(duì)此類(lèi)問(wèn)題尚無(wú)完美解決方案。 為了解InAs/GaSbⅡ型超晶格的光電特性， 提升器件性能， 進(jìn)一步研究超晶格的光電物理特性是有必要的。 本文利用多種光譜測(cè)量手段對(duì)基于InAs/GaSbⅡ型超晶格的寬波段探測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行光學(xué)性質(zhì)的研究。

1 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

寬波段InAs/GaSbⅡ型超晶格探測(cè)器的生長(zhǎng)采用分子束外延（MBE）技術(shù)。 圖2為器件的結(jié)構(gòu)示意圖， 左側(cè)標(biāo)注了每個(gè)薄層的摻雜類(lèi)型。 在～500 μm的GaSb襯底上依次外延出長(zhǎng)波（LW）紅外超晶格和短波（SW）紅外超晶格， 短波紅外超晶格（SWSL）的截止波長(zhǎng)估算小于3 μm， 長(zhǎng)波紅外超晶格（LWSL）的截止波長(zhǎng)大于8 μm。 便于比較并消除測(cè)試的誤差， 對(duì)比研究?jī)蓚€(gè)樣品的光學(xué)性質(zhì)。? 1號(hào)樣品n-doped InAs： Si/GaSb薄層的厚度為 1 743 nm， 摻雜濃度為～1×1015 cm-3; 2號(hào)樣品n-doped InAs：Si/GaSb薄層厚度為1 356 nm， 摻雜濃度為～3×1018 cm-3， 其余各薄層的參數(shù)均相同。

樣品拉曼光譜測(cè)試基于分光型共聚焦顯微拉曼光譜儀（inVia reflex）并采取背散射幾何配置， 拉曼光譜測(cè)試范圍為75～350 cm-1， 激發(fā)光源為532 nm固體激光器; 光致發(fā)光譜測(cè)試、 紅外透射、 反射光譜以及光電流譜的測(cè)試基于真空型傅里葉變換紅外光譜儀（VERTEX 80v）， 內(nèi)置近中遠(yuǎn)紅外光源， 配置了遠(yuǎn)紅外DLaTGS、 液氮制冷的HgCdTe和液氮制冷的鍺等探測(cè)器， 系統(tǒng)可探測(cè)波長(zhǎng)范圍為1～80 μm。 光致發(fā)光譜激發(fā)光源波長(zhǎng)為405 nm， 其最大輸出功率～300 mW。

2 結(jié)果與討論

2.1 拉曼光譜

圖3給出了兩個(gè)樣品在室溫下的拉曼光譜， 測(cè)試時(shí)激發(fā)光源從超晶格探測(cè)器結(jié)構(gòu)的正面入射。 由圖可知， 兩個(gè)樣品拉曼光譜強(qiáng)度及線型無(wú)明顯差異， 主要拉曼信號(hào)位于200～250 cm-1波數(shù)范圍內(nèi)， 通過(guò)對(duì)其進(jìn)行洛倫茲擬合， 可以得出其存在三種主要的拉曼振動(dòng)模式。 215 cm-1處較弱的拉曼峰來(lái)自于InAs的TO振動(dòng)模[13]， 且由于激光的熱效應(yīng)及摻雜存在略微紅移; 231 cm-1處的拉曼峰來(lái)自于InAs與GaSb耦合的LO振動(dòng)模[14]; 236 cm-1處較強(qiáng)的拉曼峰為GaSb的LO振動(dòng)模[15]。 同時(shí)， 在108 cm-1處有一較弱的拉曼信號(hào)。 因兩樣品譜型基本相同， 下面主要聚焦1號(hào)樣品的拉曼結(jié)果進(jìn)一步說(shuō)明。

圖4給出了1號(hào)樣品GaSb襯底的拉曼光譜， 便于比較， 圖中也給出了圖3中1號(hào)樣品的拉曼譜。 紅色虛線箭頭和藍(lán)色實(shí)線箭頭示意了激光的入射位置， 并與光譜結(jié)果的顏色對(duì)應(yīng)。 由圖4可以知道， GaSb襯底并沒(méi)有出現(xiàn)108 cm-1的拉曼峰， 所以推測(cè)該模式可能與InAs或者InAs-GaSb間的界面混合態(tài)有關(guān)， 需要指出的是， 該模式與文獻(xiàn)報(bào)道的InAs的2TA振動(dòng)模式相似[16]; 同時(shí)， 從圖中還可以明顯看出， 200～250 cm-1頻移范圍內(nèi)的峰寬在低頻側(cè)變窄。 圖4中插圖給出了GaSb襯底拉曼光譜的洛倫茲擬合結(jié)果， 得到的227 cm-1和236 cm-1處的兩個(gè)拉曼峰為GaSb典型的TO和LO振動(dòng)模[15]， 且可以看出215 cm-1和231 cm-1兩處的振動(dòng)模式消失， 這也進(jìn)一步證實(shí)了超晶格結(jié)構(gòu)中215 cm-1和231 cm-1兩處的振動(dòng)模式與InAs相關(guān)， 分別為InAs的TO振動(dòng)模和InAs+GaSb的LO振動(dòng)模， 而108 cm-1的拉曼峰可能為InAs的2TA振動(dòng)模。

2.2 光致發(fā)光譜

為研究器件中電子能級(jí)的躍遷機(jī)制以及發(fā)光能力， 在室溫下對(duì)兩個(gè)樣品進(jìn)行了光致發(fā)光譜測(cè)試， 405 nm激發(fā)光源的功率為～300 mW。 因1號(hào)和2號(hào)樣品的測(cè)量結(jié)果變化規(guī)律基本相似， 所以合并討論。 圖5給出了1號(hào)樣品在4 K下的光致發(fā)光譜。 需要指出的是， 0.7eV以下的中遠(yuǎn)紅外波段信號(hào)通過(guò)光調(diào)制技術(shù)完全消除了室溫背景輻射的干擾信號(hào)。 由圖5可見(jiàn)， 在0.12 eV（～10.3? μm）和0.75? eV（～1.65? μm）處出現(xiàn)兩個(gè)尖銳的發(fā)光信號(hào)。 考慮InAs和GaSb在低溫時(shí)的發(fā)光特性， 10 K時(shí)InAs的發(fā)光峰位置在～0.42? eV能量處[17];? 4.2? K時(shí)

GaSb的主要發(fā)光峰位于～0.77 eV能量處[18]， 這與圖5中GaSb襯底的發(fā)光峰對(duì)應(yīng)。 故可推測(cè)0.12 eV和0.75 eV處的發(fā)光信號(hào)分別來(lái)自LWSL和SWSL中量子能級(jí)形成的微帶輻射復(fù)合， 發(fā)光波段符合器件設(shè)計(jì)要求， 較窄的峰寬也表明了各層參量有著較好的均勻性。 值得注意的是， SWSL中通過(guò)超晶格層厚度調(diào)控獲得的微帶發(fā)光峰能量與基底材料GaSb的峰能量接近。

2.3 近、 中、 遠(yuǎn)紅外透射光譜

圖6（a）給出了超晶格探測(cè)器結(jié)構(gòu)室溫下近、 中、 遠(yuǎn)紅外波段透射譜。 由圖可見(jiàn)， 1號(hào)和2號(hào)樣品的光學(xué)透射響應(yīng)無(wú)本質(zhì)差異。 在40 meV～0.7 eV（～30～1.8 μm）具有明顯的吸收/透射特征。 在遠(yuǎn)紅外波段， 小于40 meV（～30 μm）后透射率直接下降至0， 由于吸收曲線無(wú)明顯結(jié)構(gòu)， 并且透射率隨著波長(zhǎng)單調(diào)減少， 所以30 μm以上的長(zhǎng)波段吸收可歸為結(jié)構(gòu)中的自由載流子吸收。 圖6（b）給出了超晶格探測(cè)室溫下近、 中紅外波段的反射光譜， 反射率的變化趨勢(shì)與對(duì)應(yīng)波段透射率的變化類(lèi)似， 最大反射率約為40%， 并出現(xiàn)明顯的干涉條紋， 1號(hào)和2號(hào)樣品的干涉條紋間距（Δv）分別為461 cm-1和530 cm-1。 根據(jù)膜厚的計(jì)算公式[19]：

2nd=104Δv（1）

可得到外延膜的厚度d（μm）， Δv的單位為cm-1。 為便于分析， 式（1）中忽略了小入射角的影響， 并認(rèn)為超晶格的折射率n保持不變， 為3.6[20]， 通過(guò)計(jì)算得到1號(hào)和2號(hào)樣品的膜厚分別為3.01 μm和2.62 μm， 結(jié)果與圖2中給出的外延膜厚度相近， 約0.4 μm的厚度差與兩個(gè)樣品n-doped InAs：Si/GaSb薄層厚度差對(duì)應(yīng)。 不考慮在測(cè)量透射/反射光譜時(shí)器件極其微弱的發(fā)光， 有T+A+R=1（T， A和R分別代表透射率、 吸收率和反射率）， 結(jié)合樣品在整個(gè)波段的透過(guò)率值及近、 中紅外波段反射率的值可知， 超晶格探測(cè)器在整個(gè)波段有著30%～70%的光吸收。

光電流譜在某種程度上可以說(shuō)是對(duì)透射光譜的補(bǔ)充。 圖6（c）給出了1號(hào)樣品室溫下的光電流譜。 光電流響應(yīng)在2.1 μm處截止， 并在紅外短波側(cè)因樣品表面復(fù)合， 其信號(hào)逐漸變?nèi)酰?這表明器件具有較高的表面態(tài)密度; 從透射光譜可以看出， 器件在0.4～0.7 eV（3.1 μm～1.8 μm）波段范圍內(nèi)透射率迅速下降， 大于0.7 eV后器件變得“不透明”， 這是很典型的帶間吸收過(guò)程， 結(jié)合器件的能帶結(jié)構(gòu)， 可以分析這一波段透射率的變化來(lái)自于SWSL層的微帶吸收， 其光電流譜給出的截止波長(zhǎng)（2.1 μm）也符合SWSL截止波長(zhǎng)的設(shè)計(jì)要求。 在波長(zhǎng)大于3.1 μm后， 透射率又迅速下降， 代表著其他吸收過(guò)程/機(jī)制的存在。 從圖6（a）可以看出， 在8.3～14.7 μm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)存在吸收， 且有一透射率的極小值， 這部分的波段與LWSL層的截止波長(zhǎng)設(shè)計(jì)（>8 μm）相對(duì)應(yīng)， 所以這一波段內(nèi)的透射率變化可歸于LWSL微帶的吸收。 圖6（d）給出了器件的微能帶結(jié)構(gòu)示意， 長(zhǎng)波和短波兩個(gè)微帶的吸收導(dǎo)致了不同波段透射率的變化， InAs/GaSbⅡ型超晶格通過(guò)SWSL和LWSL的結(jié)合可實(shí)現(xiàn)雙/寬波段紅外光的探測(cè)。

3 結(jié)? 論

通過(guò)拉曼光譜、 光致發(fā)光譜、 反射光譜、 光電流譜以及寬波段紅外透射光譜， 研究了InAs/GaSbⅡ型探測(cè)器結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)。 結(jié)果表明， n-doped InAs：Si/GaSb薄層參數(shù)并未對(duì)器件探測(cè)波段產(chǎn)生影響， 但是超晶格層厚度的變化可能會(huì)影響非平衡載流子壽命和遷移率， 進(jìn)而影響器件的靈敏度和響應(yīng)率。 拉曼光譜指認(rèn)了超晶格器件結(jié)構(gòu)236 cm-1處的拉曼峰來(lái)自GaSb的LO振動(dòng)模， 231 cm-1處的拉曼峰來(lái)自InAs和GaSb耦合的LO振動(dòng)模， 215 cm-1處的拉曼峰來(lái)自InAs的TO振動(dòng)模， 108 cm-1處的拉曼峰可能為InAs的2TA振動(dòng)模。 光致發(fā)光譜表明器件在0.12 eV和0.75 eV兩處存在發(fā)光峰， 揭示了器件的雙波段特性。 結(jié)合探測(cè)器結(jié)構(gòu)和寬波段范圍內(nèi)的透射譜和譜分辨光電流譜， 合理地解釋了器件具備寬波段紅外探測(cè)的功能， 但器件結(jié)構(gòu)的高界/表面態(tài)密度會(huì)限制器件性能。 上述研究結(jié)果可為理解InAs/GaSbⅡ型超晶格探測(cè)器的物理機(jī)制和特性， 以及器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制備提供參考。

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Optical Properties of Type-Ⅱ InAs/GaSb Superlattices for

Wide Band Infrared Detection

Li Hongkai1， Li Mo2，3， Dong Shangwei1， Hong Jin1， Chen Ye1， Jing Chengbin1， Yue Fangyu1*， Chu Junhao1， 4

（1. Key Laboratory of Polar Materials and Devices， School of Physics and Electronic Science，

East China Normal University， Shanghai 200241， China;

2. China Airborne Missile Academy， Luoyang 471009， China;

3. Aviation Key Laboratory of Science and Technology on Infrared Detector， Luoyang 471009， China;

4. National Laboratory for Infrared Physics， Shanghai Institute of Technical Physics，

Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200083， China）

Abstract：? InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices （T2SLs） are considered as high-quality material for the third-generation infrared detectors due to the special energy band structure and mature material growth technology. This paper introduces the optical properties of InAs/GaSb T2SLs for long-wave and short-wave infrared detection. The Raman vibration modes in the superlattice detector structure are obtained by Raman spectra at different layers， and the sub-band photoluminescence spectrum reveals that the device has dual band characteristics of near-infrared and far-infrared. The obvious absorption characteristics of short wave infrared and long wave infrared are characterized by reflection spectrum， photocurrent spectrum and wide band infrared transmission spectrum. The detection mechanism in the near， middle and far infrared bands is reasonably interpreted. The investigation can provide reference for the structural design and mechanism analysis of the development of dual/multi/broadband infrared detectors based on InAs/GaSb T2SLs.

Key words：? InAs/GaSb; type-Ⅱ superlattices; multi-band detection; Raman spectroscopy; optical pro-perty; infrared detector