宋玲玲

（中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032）

1 引言

在微電子元器件生產(chǎn)質(zhì)量管理過程中，會應(yīng)用諸多技術(shù)和方法來發(fā)現(xiàn)問題、解決問題，改進產(chǎn)品質(zhì)量，其中，統(tǒng)計技術(shù)是很有價值的一類方法，廣泛應(yīng)用于產(chǎn)品壽命周期的各階段和質(zhì)量管理體系的全過程[1]。從20世紀(jì)80年代后期開始，國際上元器件生產(chǎn)廠家已廣泛采用Cpk[2]、SPC和PPM等技術(shù)監(jiān)控生產(chǎn)線的運行狀態(tài)，確保生產(chǎn)的元器件具有較高的質(zhì)量等級。隨著電子產(chǎn)品質(zhì)量水平迅速提高，20世紀(jì)90年代，國際上元器件產(chǎn)品失效率已降至FIT（非特）數(shù)量級[3]。

然而微電子元器件的生產(chǎn)制造要經(jīng)過諸多工藝步驟，如成膜、光刻、刻蝕、注入、擴散等，為了既保證產(chǎn)品具有較高的質(zhì)量和可靠性，又不過多增加成本，普遍選擇對關(guān)鍵工序采用Cpk、SPC和PPM數(shù)據(jù)統(tǒng)計進行監(jiān)控。

Cpk（工藝能力評價）的目的是評價工藝線是否具備生產(chǎn)質(zhì)量好可靠性高的元器件所要求的工藝水平。目前國際上采用的評價指標(biāo)是生產(chǎn)線上關(guān)鍵工序的工序能力指數(shù)Cpk不小于1.5，認(rèn)為工藝線若達不到這一要求，很難保證生產(chǎn)出的元器件能滿足大型整機廠對元器件質(zhì)量和可靠性的要求。Cpk是過程能力指數(shù)，數(shù)值越大表示產(chǎn)品品質(zhì)越佳，通常任務(wù)Cpk大于1.33時，就說明過程能力良好，狀態(tài)穩(wěn)定。

SPC（Statistical Process Control,統(tǒng)計過程控制）在工藝過程統(tǒng)計受控狀態(tài)分析中被采用，用于計算和分析，確保生產(chǎn)線具較高的工藝能力，且日常生產(chǎn)過程中能一直保持這種高水平、受控的生產(chǎn)狀態(tài)，未出現(xiàn)異常情況，提供的元器件產(chǎn)品具有較高的質(zhì)量和可靠性。

PPM（Parts Per Million,百萬分之幾）是元器件出廠平均質(zhì)量水平的考核，目前國際上采用的評價指標(biāo)是元器件企業(yè)每生產(chǎn)百萬個產(chǎn)品機會缺陷數(shù)不大于3.4，則證明該產(chǎn)品的出廠不合格率PPM值已控制在比較低的水平。

2 光刻工藝原理及工序

在微電子元器件生產(chǎn)制造過程中，光刻工序是利用光學(xué)復(fù)制的方法把超小圖樣刻印到半導(dǎo)體薄片上[4]，即由投影光學(xué)系統(tǒng)和掩模版相結(jié)合，把光刻版上的圖形精確復(fù)印在涂有感光膠的介質(zhì)層上[5]，然后利用光刻膠的保護作用，進行選擇性的刻蝕和注入等，得到與光刻版上相應(yīng)的表面圖形和元器件的縱向結(jié)構(gòu)，可見光刻工序是工藝制程中非常關(guān)鍵的工序。圖1是硅片制造工藝流程簡圖[6]。

圖1硅片制造工藝流程

光刻膠分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠兩種類型。正膠曝光部分在顯影液中被溶解，沒有曝光的膠層留下；負(fù)膠曝光部分在顯影液中不溶解，而沒有曝光的膠層被溶解掉，均是通過曝光顯影將需要的圖形留下來。光刻的主要步驟有如下6個：

步驟1：硅片清洗

為增強硅片和光刻膠之間的粘附性，光刻前首先是清洗、脫水和硅片表面的底膜處理，通過濕法清洗去除沾污物，再通過烘干除去吸附在硅片表面的水汽，保持硅片表面清潔干燥。

步驟2：旋轉(zhuǎn)涂膠

硅片清洗后，利用涂膠設(shè)備，采用旋轉(zhuǎn)涂膠的方法進行光刻膠涂敷，根據(jù)不同的光刻膠特性和刻蝕工藝對光刻膠厚度的要求，選擇不同的涂敷條件，包括轉(zhuǎn)速、時間等。

步驟3：對準(zhǔn)和曝光

通過對準(zhǔn)標(biāo)記將掩膜版與涂了膠的硅片正確位置對準(zhǔn)，進行曝光，光能激活了光刻膠中的光敏成分，把掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅片上。

步驟4：顯影

光刻膠可溶解的區(qū)域被化學(xué)顯影劑溶解，將窗口圖形留在硅片表面，完成了圖形復(fù)制。

步驟5：固膠

固膠是顯影后的熱烘，提高光刻膠對硅片表面的粘附性。

步驟6：顯影后檢查

由于光刻工序可以返工，因此顯影后的檢查尤為重要，可以通過檢查，及時發(fā)現(xiàn)光刻圖形的質(zhì)量，若有缺陷則去膠返工，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量。

3 統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價技術(shù)流程

元器件生產(chǎn)過程繁雜，工序多、流程長，要在元器件生產(chǎn)過程中應(yīng)用統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價，首先需要確定元器件生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵工序，通過實驗確定工藝參數(shù)和條件，對關(guān)鍵工序加以統(tǒng)計過程控制，進而開展工序能力評價，具體元器件生產(chǎn)過程統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價的技術(shù)流程可分為7個步驟[7]，如圖2所示。

圖2元器件生產(chǎn)過程統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價技術(shù)流程圖

生產(chǎn)過程統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價主要針對關(guān)鍵工序。光刻涂膠工序涂膠質(zhì)量影響產(chǎn)品特征尺寸等關(guān)鍵參數(shù)，影響刻蝕質(zhì)量和注入精度，進而影響產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，且涂膠厚度適用于測量和統(tǒng)計，因此，特將涂膠工序確定為關(guān)鍵工序節(jié)點。質(zhì)量控制與評價的具體步驟如下：

步驟1：確定關(guān)鍵工藝參數(shù)

光刻膠厚度既能反映關(guān)鍵工序狀態(tài)，又便于數(shù)據(jù)采集，適用于Cpk定量分析和SPC評價，可作為監(jiān)控光刻工序工藝水平是否處于受控狀態(tài)的依據(jù)，通過及時發(fā)現(xiàn)失控（或失控傾向），可以判斷出現(xiàn)的問題并提出解決方案。

步驟2：實驗設(shè)計

通過實驗設(shè)計確定滿足刻蝕、注入等下道工序要求的光刻膠厚度，通過調(diào)整轉(zhuǎn)速、溫度、時間等條件，滿足實驗設(shè)計要求。

步驟3：工藝條件的優(yōu)化確定

針對不同的光刻設(shè)備或光刻膠品種，進行工藝調(diào)試，優(yōu)化涂膠機轉(zhuǎn)速、溫度、時間等參數(shù)，保證最佳條件。

步驟4：工藝參數(shù)數(shù)據(jù)的采集

統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價的基礎(chǔ)是“數(shù)據(jù)”[8]，根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計的要求，涂膠工序采集的是片內(nèi)上、中、下、左、右五點的厚度，通過數(shù)據(jù)積累，分析片內(nèi)和片間數(shù)據(jù)的一致性。

步驟5：工序能力評價（Cpk）技術(shù)

統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價需要對工藝達到的實際水平進行評價，目前國際上對現(xiàn)代電子工業(yè)生產(chǎn)工序能力指數(shù)要求的是實際工序能力指數(shù)Cpk不小于1.5，國內(nèi)可靠性增長工程攻關(guān)對于工序能力指數(shù)的一般要求為Cpk不低于1.33[9]。

步驟6：統(tǒng)計過程控制（SPC）狀態(tài)評價技術(shù)

生產(chǎn)線日常生產(chǎn)中，通過軟件實現(xiàn)對采集數(shù)據(jù)的分析，判斷生產(chǎn)線是否一直處于統(tǒng)計受控狀態(tài)、是否具備較高的工藝能力、是否可生產(chǎn)出高質(zhì)量的產(chǎn)品。

步驟7：統(tǒng)計分析工具的應(yīng)用

如果通過SPC發(fā)現(xiàn)工藝出現(xiàn)失控或者失控傾向，可通過查找原因，采取相應(yīng)措施，使工藝盡快恢復(fù)，達到統(tǒng)計受控狀態(tài)。

4 對光刻工序的應(yīng)用實驗

根據(jù)上述理論，列舉了在光刻涂膠工序應(yīng)用統(tǒng)計質(zhì)量控制和評價技術(shù)的結(jié)果。試驗采用的設(shè)備是DUNA700涂膠機，分別選用6812型和1813型兩種光刻膠，每天采集涂敷硅片內(nèi)上、中、下、左、右五點光刻膠厚度數(shù)據(jù)，通過數(shù)據(jù)積累和分析，涂膠工序的工序能力Cpk大于1.5目標(biāo)值，標(biāo)準(zhǔn)差符合正態(tài)分布，長期處于受控狀態(tài)，即硅片涂膠片內(nèi)均勻性較好，涂膠厚度滿足工藝要求。

以下分別截取月度和半年試驗數(shù)據(jù)做統(tǒng)計和評價結(jié)論予以說明：

(1)月度實驗數(shù)據(jù)

變量類型：6812型光刻膠厚度

目標(biāo)值：12100埃

數(shù)據(jù)個數(shù)：155 共31組，每組5個

數(shù)據(jù)均值：12159.8 標(biāo)準(zhǔn)偏差：169.8

正態(tài)分布擬合：成功！

實際工序能力指數(shù)（Cpk）：1.67

光刻工序涂膠實施SPC結(jié)果：光刻工序涂膠厚度SPC控制圖受控。

實際工序能力（Cpk）評價結(jié)果：光刻工序涂膠厚度實際Cpk為1.67，大于1.5目標(biāo)值，達到要求。

實驗數(shù)據(jù)及統(tǒng)計分析如圖3。

圖3月度實驗數(shù)據(jù)及統(tǒng)計分析圖

(4)半年實驗數(shù)據(jù)

變量類型：1813型光刻膠厚度

目標(biāo)值：13000埃

數(shù)據(jù)個數(shù)：650 共130組，每組5個

數(shù)據(jù)均值：13162 標(biāo)準(zhǔn)偏差：289.5

正態(tài)分布擬合：成功！

實際工序能力指數(shù)（Cpk）：1.66

光刻工序涂膠實施SPC結(jié)果：光刻工序涂膠厚度SPC控制圖受控。

實際工序能力（Cpk）評價結(jié)果：光刻工序涂膠厚度實際Cpk為1.66，大于1.5目標(biāo)值，達到要求。

半年實驗數(shù)據(jù)及統(tǒng)計分析如圖4。

圖4半年實驗數(shù)據(jù)及統(tǒng)計分析圖

如圖可見，子組102和107出現(xiàn)單點偏差超限報警。此時根據(jù)報警結(jié)果進行原因分析，查找問題。

子組102內(nèi)部極差超限報警后，經(jīng)排查發(fā)現(xiàn)是由于操作人員涂膠前未清洗膠嘴，操作不當(dāng)導(dǎo)致，對存在膠棱的硅片及時返工，并強化對操作規(guī)范的培訓(xùn)，制定了懲罰措施，自此杜絕了上述情況導(dǎo)致返工，提升了生產(chǎn)線的管理水平，降低了返工成本。

子組107單點測試膜厚數(shù)據(jù)超限報警后，經(jīng)排查發(fā)現(xiàn)是因新入職操作人員對膜厚測試儀使用不熟練導(dǎo)致，重新測試未發(fā)現(xiàn)超差數(shù)據(jù)。通過對新入職人員進行專項培訓(xùn)，并制定新入職員工培訓(xùn)和師徒結(jié)對等相關(guān)規(guī)定，自此再未出現(xiàn)上述情況導(dǎo)致的超限報警，生產(chǎn)線管理水平進一步提升。

5 結(jié)束語

統(tǒng)計過程控制在微電子元器件制造工藝中的應(yīng)用，對工藝控制有一定的指導(dǎo)作用，能夠?qū)﹃P(guān)鍵工序生產(chǎn)狀態(tài)進行監(jiān)控，及時發(fā)現(xiàn)問題，對提升生產(chǎn)線管理水平和產(chǎn)品質(zhì)量具有重要的指導(dǎo)意義。