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        納米二氧化硅粒徑尺寸調(diào)控及其對表面化學(xué)修飾的影響研究

        2020-08-12 09:23:58徐本梁嚴(yán)順洪肖立鮮
        硅酸鹽通報 2020年7期
        關(guān)鍵詞:改性

        楊 威,徐本梁,嚴(yán)順洪,肖立鮮

        (十九冶成都建設(shè)有限公司,成都 610073)

        0 引 言

        納米SiO2因其具有大的比表面積、力學(xué)強(qiáng)度、極高的穩(wěn)定性和耐老化性而被廣泛應(yīng)用于樹脂基雜化材料的改性,塑料和橡膠中的添加劑以及用于改性粘接劑[1-4]。氣相法制備的粉末狀納米SiO2已經(jīng)工業(yè)化,但無法控制粒子尺寸的單分散性和形貌。溶膠-凝膠法是通過硅酸酯(如TEOS)的水解縮合反應(yīng)制備納米SiO2,已成為制備單分散納米SiO2的主要方法,采用硅氧烷前驅(qū)體水解的方法,通過調(diào)整反應(yīng)溫度、組成和pH值,可以獲得不同粒徑的納米SiO2。為拓展納米SiO2應(yīng)用領(lǐng)域和功能,其表面常需要進(jìn)行化學(xué)改性。在SiO2的表面改性材料中,有機(jī)硅氧烷被廣泛用于納米SiO2的表面改性[5-6]。大量的研究結(jié)果表明,改性后的納米SiO2表面能夠接枝有機(jī)分子鏈段,增加了其與聚合物之間的相容性并能夠有效提高SiO2的分散性。盡管已有大量研究提出了關(guān)于納米SiO2的表面修飾方法,但納米SiO2表面改性的影響因素,尤其是納米粒子尺寸及其表面的化學(xué)狀態(tài)對化學(xué)修飾的影響機(jī)制,仍未被研究者關(guān)注和報道。

        為了深入研究納米SiO2粒徑尺寸與表面特性的關(guān)系以及表面特性對化學(xué)修飾的影響,本文通過制備不同粒徑的納米SiO2,通過硅氧烷MPS改性,研究SiO2表面羥基的結(jié)合狀態(tài)與粒子尺寸之間的關(guān)系及其對化學(xué)改性的影響并提出了反應(yīng)機(jī)理。

        1 實(shí) 驗(yàn)

        1.1 原料及儀器

        實(shí)驗(yàn)原料為:無水乙醇(99.5%,北京化工廠),正硅酸乙酯(TEOS,廣州西隴化工有限公司),去離子水,氨水(25%~28%,北京化工廠),甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(MPS,南京向前化工有限公司)。

        實(shí)驗(yàn)儀器為:FESEM JSM-7500F場發(fā)射掃描電子顯微鏡(JEOL,日本),康塔氣體吸附系統(tǒng)Quantachrome Autosorb Automated Gas Sorption System(美國),紅外光譜儀NEXUS-470(Nicolet,美國)。

        1.2 實(shí)驗(yàn)過程

        1.2.1 納米SiO2的制備

        將無水乙醇、去離子水和氨水加入帶有溫度計,冷凝管和磁力攪拌器的250 mL三口瓶中,然后將TEOS的乙醇溶液滴加到三口瓶中,并于15 min內(nèi)滴完,攪拌反應(yīng)24 h,得到不同粒徑的納米SiO2分散液[7]。

        圖1是TEOS水解制備納米SiO2的過程,采用TEOS制備納米SiO2粒子的過程分為兩個階段:首先TEOS在堿性條件下水解生成羥基(Si(OH)4),隨后羥基之間發(fā)生縮合反應(yīng),生成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

        圖1 TEOS在堿性條件下生成納米SiO2機(jī)理Fig.1 Growth mechanism of nano SiO2 in alkaline condition

        1.2.2 分析測試

        掃描電子顯微鏡表征(SEM),將SiO2懸浮液離心干燥后重新分散到乙醇中,取一滴乙醇分散液于硅片表面,待溶劑揮發(fā)后對樣品表面噴金(Pt),采用FESEM JSM-7500F場發(fā)射掃描電子顯微鏡(JEOL,日本)表征SiO2的形貌。

        透射電子顯微鏡表征(TEM),將SiO2用乙醇分散后取一滴樣品滴在銅網(wǎng)表面,待溶劑揮發(fā)后進(jìn)行測試,使用JEM-2100型透射電子顯微鏡(JEOL,日本)對樣品的形貌進(jìn)行分析,測試過程的電子加速電壓為200 kV。

        比表面積測試(BET),采用康塔氣體吸附系統(tǒng)Quantachrome Autosorb Automated Gas Sorption System(美國)測試納米SiO2的比表面積,將干燥的納米SiO2粉末于100 ℃中脫氣16 h,通過Brunauer-Emmett-Teller(BET)法測試納米SiO2的比表面積S(m2/g)。

        傅里葉變換紅外光譜分析(FT-IR),將納米SiO2與KBr粉末共混壓片制樣,采用紅外光譜儀NEXUS-470(Nicolet,美國)分析納米SiO2表面特征基團(tuán),紅外光譜的掃描范圍500~4 000 cm-1,分辨率為6 cm-1,掃描32次。

        三是積極培育內(nèi)部人才市場,完善人才內(nèi)部流動機(jī)制。逐步建立分區(qū)域、分板塊,有形和無形市場相結(jié)合的人才市場體系,不斷完善市場功能,擴(kuò)大信息量,增加覆蓋面,進(jìn)一步疏通三支隊(duì)伍之間、板塊之間、企業(yè)之間的人才流動渠道,促進(jìn)人才系統(tǒng)內(nèi)部合理流動,減少人才流失。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 納米SiO2粒徑尺寸與比表面積

        表1是納米SiO2的制備條件以及顆粒比表面積,由表1可知,當(dāng)反應(yīng)溫度為室溫25 ℃,TEOS用量為3.5 g,水用量為5 mL,乙醇為50 mL,氨水2 mL時,納米SiO2的平均粒徑為330 nm。當(dāng)反應(yīng)溫度升高到40 ℃時,納米SiO2平均粒徑為180 nm,表明升高溫度會導(dǎo)致納米SiO2粒徑尺寸下降。

        表1 不同粒徑納米SiO2的制備條件及其比表面積Table 1 Condition of preparation for nano SiO2 with various particle size and the specific surface area

        在室溫反應(yīng)時,TEOS的水解速率和Si-OH的縮合速率較慢,顆粒容易聚集生長,有利于納米粒子的長大。當(dāng)溫度升高時,TEOS的水解和Si-OH的縮合速率都明顯提高,在反應(yīng)體系中短時間內(nèi)即產(chǎn)生大量顆粒,導(dǎo)致最終形成的SiO2粒子尺寸較小[7]。當(dāng)TEOS用量3.5 g,反應(yīng)溫度為40 ℃,乙醇用量為50 mL,水的用量為2 mL時,納米SiO2的尺寸為80 nm,當(dāng)水的用量提高到5 mL而乙醇和氨水的用量不變時,所得SiO2的粒徑尺寸增加到180 nm,表明水的用量增加,能夠提高SiO2粒徑尺寸。這是由于當(dāng)反應(yīng)體系中水量為2 mL時,TEOS的水解速率較低,水解反應(yīng)受到抑制,進(jìn)而限制了縮合反應(yīng)的發(fā)生,因而所得SiO2粒徑較小,而增加水的用量之后,提高了TEOS水解程度,促進(jìn)縮合反應(yīng)的進(jìn)行,使SiO2粒徑增長。

        當(dāng)TEOS用量為3.5 g,乙醇50 mL,氨水2 mL,并于室溫下反應(yīng)時,隨著水的用量由5 mL增加到10 mL,SiO2的粒徑尺寸由330 nm下降到220 nm,表明水的用量提高使得SiO2粒子尺寸下降。由于水含量的增加促進(jìn)了TEOS的水解和Si-OH縮合反應(yīng),形成大量的生長中心和微小顆粒,在反應(yīng)的后期沒有足夠的TEOS水解補(bǔ)充,粒子的生長幅度不大,導(dǎo)致納米SiO2粒徑變小。

        由表1可知,隨著納米SiO2粒子尺寸由35 nm增加到330 nm,其比表面積由279.5 m2/g下降到15.5 m2/g,粒徑尺寸的增加導(dǎo)致比表面積大幅下降。

        2.2 納米SiO2表面形貌

        圖2是納米SiO2的SEM和TEM照片,由圖2可知,當(dāng)納米SiO2的平均粒徑由35 nm提高到220 nm時,粒子表面由比較粗糙逐漸變?yōu)樾螤钜?guī)整的球形。如圖2(a)所示,35 nm SiO2表面比較粗糙,由于反應(yīng)體系中的水來源于氨水,反應(yīng)體系中的水不足以促進(jìn)TEOS水解,TEOS水解程度較低,導(dǎo)致Si-OH較少,限制了Si-OH的縮合,使得SiO2粒子的表面出現(xiàn)粗糙的形貌。隨著水用量的增加,TEOS的水解和縮合程度提高,因此粒子表面逐漸變得平滑,得到形狀規(guī)整的球形SiO2。由圖2可知,反應(yīng)條件的改變對SiO2粒子的單分散性影響較小,對SiO2粒徑尺寸影響較大。盡管不同粒徑的納米SiO2表面微觀形貌存在差別,但基本都具有粒徑尺寸單分散的特點(diǎn)。

        圖2 不同粒徑SiO2的SEM和TEM照片F(xiàn)ig.2 SEM and TEM images of nano SiO2 with different particle size

        2.3 納米SiO2的紅外光譜分析

        圖3 SiO2改性前后的紅外光譜Fig.3 FT-IR spectra for nano SiO2 before and after modification

        由此可知,35 nm SiO2表面的-OH主要以孤立的狀態(tài)存在,而220 nm SiO2表面的-OH主要以氫鍵相結(jié)合的方式存在。Kamiya等[8]認(rèn)為,不同粒徑的納米SiO2表面羥基的結(jié)合狀態(tài)存在明顯差別,當(dāng)粒徑尺寸小于30 nm時,SiO2表面羥基主要以孤立羥基的形式存在,當(dāng)粒徑大于60 nm時,粒子表面的羥基主要以氫鍵的方式結(jié)合。圖3(b),圖3(c),圖3(d)和圖3(f)是不同粒徑納米SiO2經(jīng)MPS改性后的紅外光譜。由圖3(b)可知,35 nm SiO2改性后,紅外光譜在1 723 cm-1出現(xiàn)了C=O的吸收峰,表明MPS成功接枝到了SiO2表面。如圖3(c)所示,當(dāng)納米SiO2粒徑為80 nm時,改性后的粒子紅外光譜也出現(xiàn)了C=O吸收峰,說明MPS與80 nm SiO2表面的羥基發(fā)生了反應(yīng)。由圖3(d)可知,當(dāng)SiO2粒徑尺寸大于180 nm時,經(jīng)MPS改性后紅外光譜中沒有出現(xiàn)C=O的吸收峰,說明MPS沒有與SiO2表面的羥基發(fā)生反應(yīng),對大粒徑納米SiO2不能發(fā)生有效的化學(xué)接枝。

        Rahman等[9-10]認(rèn)為,隨著粒子尺寸的增長,SiO2表面的羥基數(shù)量增加,但SiO2的比表面積下降,表面Si-OH濃度下降。由此可知,當(dāng)采用MPS對SiO2進(jìn)行修飾改性時,能夠接枝到SiO2表面的MPS取決于單位質(zhì)量的SiO2粒子表面的Si-OH濃度,與35 nm SiO2相比,180 nm SiO2表面的羥基濃度下降,而且羥基之間主要以氫鍵結(jié)合的方式存在,孤立的羥基少于小粒徑SiO2,表面化學(xué)修飾的空間位阻增大,因此MPS無法對納米粒子進(jìn)行化學(xué)修飾。

        有研究結(jié)果指出,納米SiO2表面的Si-OH主要存在兩種結(jié)合形式,分別是孤立的Si-OH和以氫鍵結(jié)合的Si-OH[11-12]。當(dāng)SiO2粒子尺寸大于60 nm時,大部分的硅羥基(Si-OH)以氫鍵的方式結(jié)合。當(dāng)SiO2粒子尺寸小于30 nm時,其表面Si-OH主要以孤立的形式存在[13],如圖4所示。

        圖4 不同粒徑SiO2表面羥基的結(jié)合形式Fig.4 The bonded condition of Si-OH on surface of nano-silica with different particle size

        根據(jù)上述分析可知,SiO2納米粒子的尺寸決定其與MPS的反應(yīng)活性,表面含有大量孤立Si-OH的小粒徑納米SiO2能與MPS發(fā)生化學(xué)接枝反應(yīng),從而得到MPS改性的SiO2納米粒子。35 nm的SiO2表面存在大量孤立的羥基,因此容易與MPS發(fā)生反應(yīng),生成MSiO2納米粒子。而180 nm以上的大粒徑SiO2表面的羥基主要以氫鍵的方式結(jié)合在一起,限制了其與MPS的縮合反應(yīng),不利于粒子表面的化學(xué)修飾。

        3 結(jié) 論

        (1)反應(yīng)溫度由25 ℃升高至40 ℃時,SiO2粒徑尺寸下降。當(dāng)水的用量增加時,SiO2粒子尺寸先增大后減小。當(dāng)體系中的水含量較低時,TEOS水解不完全,抑制了縮合反應(yīng)的進(jìn)行,所得SiO2粒徑較小,表面粗糙。

        (2)隨著SiO2粒徑尺寸的增大,比表面積下降,表面孤立的羥基濃度降低,小粒徑納米SiO2表面的羥基主要以孤立的形式存在,大粒徑納米SiO2表面的羥基主要以氫鍵的結(jié)合形式存在。

        (3)對于納米SiO2,表面孤立的羥基濃度高,有利于MPS與其發(fā)生反應(yīng),生成MPS改性的納米SiO2,與小粒徑納米SiO2相比,大粒徑納米SiO2無法通過MPS進(jìn)行化學(xué)修飾。

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