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        缺血再灌注誘導(dǎo)PC12細(xì)胞發(fā)生細(xì)胞損傷的分子研究*

        2020-06-12 01:55:14謝鵬任真奎呂菊胡玉梅吳昌學(xué)禹文峰
        關(guān)鍵詞:孵育分子培養(yǎng)基

        謝鵬, 任真奎, 呂菊, 胡玉梅, 吳昌學(xué)*, 禹文峰*

        (1.貴州醫(yī)科大學(xué) 分子生物學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,貴州 貴陽 550004; 2.貴州醫(yī)科大學(xué) 地方病與少數(shù)民族疾病教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,貴州 貴陽 550004; 3.黔西南州人民醫(yī)院 檢驗(yàn)科,貴州 興義 562400)

        腦卒中是世界上排名第二的死亡原因,嚴(yán)重威脅人類生命健康[1]。腦血管破裂或阻塞引起的大腦缺血再灌注損傷是導(dǎo)致腦卒中的主要原因,缺血再灌注損傷是卒中大腦損傷的一個(gè)不可逆性事件。研究表明,缺血再灌注導(dǎo)致的細(xì)胞線粒體功能障礙、氧化應(yīng)激、能量耗竭、氨基酸興奮性中毒、神經(jīng)炎癥和鈣離子負(fù)荷超載等過程都參與了缺血再灌注損傷[2-4],提示缺血再灌注損傷是一個(gè)復(fù)雜的病理過程。因此,明確缺血再灌注損傷的分子機(jī)理對(duì)認(rèn)識(shí)腦卒中的發(fā)病機(jī)制及治療具有重要意義。自噬體是指細(xì)胞內(nèi)部形成一個(gè)包裹胞質(zhì)成分或衰老細(xì)胞器的雙層膜泡[5],自噬體外膜與溶酶體膜融合,形成自噬溶酶體,利用溶酶體內(nèi)的水解酶降解被包裹的成分,并將降解的小分子物質(zhì)合成新的細(xì)胞成分。正常生理狀態(tài)下,自噬過程會(huì)維持在本底水平以維持細(xì)胞的內(nèi)穩(wěn)態(tài),但在應(yīng)激、饑餓等刺激條件下可被誘導(dǎo)至較高的水平[6-7]。細(xì)胞內(nèi)自噬水平的異常調(diào)控會(huì)導(dǎo)致如癌癥、肌肉疾病、代謝疾病、感染和神經(jīng)退行性疾病等一系列疾病的發(fā)生[8-9];自噬是一個(gè)具有雙重作用的生理過程,對(duì)維持細(xì)胞內(nèi)環(huán)境穩(wěn)態(tài)具有積極作用,但異常的細(xì)胞自噬調(diào)控過程會(huì)導(dǎo)致機(jī)體出現(xiàn)“自噬性的死亡”[10-11]。近年的研究顯示,組織缺血缺氧會(huì)導(dǎo)致細(xì)胞產(chǎn)生自噬反應(yīng),進(jìn)而調(diào)節(jié)機(jī)體自身的內(nèi)環(huán)境穩(wěn)態(tài),當(dāng)自噬功能障礙時(shí)又會(huì)反過來協(xié)同加劇細(xì)胞組織壞死[12-14]。目前自噬在缺血再灌注損傷中的作用尚不清楚,因此,本研究通過對(duì)氧糖剝奪/復(fù)氧(oxygen glucose deprivation/reoxygenation, OGD/R)體外構(gòu)建的缺血再灌注高分化大鼠嗜鉻神經(jīng)瘤細(xì)胞(PC12)模型來探討自噬在缺血再灌注損傷中的分子機(jī)制。

        1 材料與方法

        1.1 細(xì)胞與試劑

        PC12細(xì)胞系購買自中國(guó)科學(xué)院典型培養(yǎng)物保藏委員會(huì)細(xì)胞庫,DMEM培養(yǎng)基(賽默飛世爾科技有限公司)、胎牛血清(美國(guó)Gibco 公司)、DMEM無糖培養(yǎng)基(美國(guó)Gibco 公司)、磷酸鹽緩沖溶液(以色列Biological Industries)、蛋白酶抑制劑(CST)、0.25%胰酶消化液(美國(guó)Gibco公司)、雙染細(xì)胞凋亡檢測(cè)試劑盒(貝博生物)和ROS檢測(cè)試劑盒(貝博生物)、ECL-Plus發(fā)光液(賽默飛世爾科技有限公司)、PVDF膜(美國(guó)Millipore公司),微管相關(guān)蛋白輕鏈-1A/1B (microtubule-associated protein 1A/1B-light, LC3-Ⅰ/LC3-Ⅱ)、泛素結(jié)合蛋白(P62)、自噬相關(guān)基因BECN1(Beclin-1)和凋亡分子裂解型胱天蛋白水解酶3 (Cleaved-caspase3)抗體購買自美國(guó)CST。

        1.2 方法

        1.2.1PC12細(xì)胞培養(yǎng)及缺血再灌注模型建立 1%雙抗+10%FBS+89%DMEM培養(yǎng)基配方傳代培養(yǎng)細(xì)胞,當(dāng)細(xì)胞密度長(zhǎng)至80%~90%時(shí)進(jìn)行傳代培養(yǎng)。細(xì)胞按2×105/孔密度接種至六孔板內(nèi),細(xì)胞密度長(zhǎng)至70%時(shí)進(jìn)行缺血再灌注模型建立。對(duì)合適密度的細(xì)胞吸棄原培養(yǎng)基,預(yù)冷PBS洗細(xì)胞兩遍后加2 mL無糖培養(yǎng)基(不含血清),置于三氣培養(yǎng)箱[37 ℃,1%氧氣(O2)+94%氮?dú)?N2)+5%二氧化碳(CO2)]進(jìn)行OGD處理,OGD 4 h后棄原培養(yǎng)基,PBS洗細(xì)胞兩遍,加高糖培養(yǎng)基2 mL(不含血清),置于正常培養(yǎng)箱(37 ℃,5%CO2)行復(fù)氧糖處理以模擬再灌注(reoxygenation),后于不同時(shí)間段(0、6、12、18和24 h)進(jìn)行后續(xù)干預(yù)處理。

        1.2.2實(shí)驗(yàn)分組及干預(yù)處理 實(shí)驗(yàn)分為正常對(duì)照組(Control)、缺氧4 h組(OGD4)、缺氧4 h復(fù)氧(OGD4/R)不同時(shí)間段組(OGD4+R6、OGD4+R12、OGD4+R18、OGD4+R24)、自噬特異性抑制劑3-甲基腺嘌呤(3-methyladenine, 3-MA)預(yù)處理再缺氧/復(fù)氧組(OGD/R+3-MA)。Control組細(xì)胞在含正常糖培養(yǎng)基置于正常氧培養(yǎng)箱中培養(yǎng)作為對(duì)照;OGD4/R組細(xì)胞按上述方法進(jìn)行培養(yǎng)處理;OGD/R+3-MA組細(xì)胞先進(jìn)行3-MA(2.5 mmol/L)預(yù)處理2 h后再行OGD4/R24處理作為藥物干預(yù)處理組。

        1.2.3流式細(xì)胞術(shù)檢測(cè)細(xì)胞凋亡情況 分組干預(yù)處理后的細(xì)胞按照說明書操作步驟進(jìn)行流式分析檢測(cè)細(xì)胞的凋亡水平變化。不含EDTA的胰酶消化細(xì)胞后離心收集,預(yù)冷PBS洗滌細(xì)胞兩次,去除PBS后用結(jié)合液400 μL懸浮細(xì)胞,在懸液中加入Annexin V-FITC染色液5μL,輕輕混勻后避光孵育15 min,再加入PI染色液10 μL輕輕混勻避光孵育5 min,上機(jī)流式細(xì)胞儀檢測(cè)細(xì)胞凋亡率變化,結(jié)果以百分比表示。

        1.2.4DCFH-DA熒光探針法檢測(cè)細(xì)胞活性氧(ROS) 收集干預(yù)處理后的細(xì)胞樣本按照操作說明書步驟進(jìn)行,用不含血清的培養(yǎng)基按照1 ∶1 000的比例稀釋活性氧檢測(cè)探針,離心收集后的細(xì)胞用預(yù)冷的PBS洗細(xì)胞,離心后用按比例稀釋的探針1 mL重懸細(xì)胞置于37 ℃,5% CO2的培養(yǎng)箱中孵育細(xì)胞45 min,其間輕輕顛倒混勻4次,孵育結(jié)束后用培養(yǎng)基洗滌細(xì)胞兩次,1 000 r/min離心收集細(xì)胞,最后用培養(yǎng)基0.5 mL懸浮細(xì)胞進(jìn)行上機(jī)檢測(cè)分析,平均熒光強(qiáng)度表示ROS含量,結(jié)果以相對(duì)Control組的倍數(shù)表示。

        1.2.5細(xì)胞自噬(P62、Beclin-1、LC3-Ⅰ、LC3-Ⅱ)和凋亡(Cleaved-caspase3)相關(guān)分子檢測(cè) 采用蛋白免疫印跡法(Western blot)檢測(cè)自噬標(biāo)志分子LC3-Ⅰ、LC3-Ⅱ、P62、自噬相關(guān)基因Beclin-1和凋亡分子Cleaved-caspase3的表達(dá)變化。細(xì)胞經(jīng)過干預(yù)處理后,吸棄培養(yǎng)基,PBS洗細(xì)胞兩遍,盡量吸棄PBS后按每孔120 μL的量加裂解液(RIPA),置于冰上裂解細(xì)胞5 min后用細(xì)胞刮刀收集細(xì)胞至1.5 mL干凈的離心管中,于冰上繼續(xù)裂解20 min后,12 000 r/min離心收集上清至新的干凈1.5 mL離心管中。采用BCA蛋白定量試劑盒定量分析蛋白濃度,5×SDS buffer,100 ℃,5~10 min變性蛋白后按每孔30 μg等量上樣30 mA恒流電泳分離蛋白,220 mA恒流轉(zhuǎn)膜120 min,轉(zhuǎn)膜結(jié)束后5%脫脂奶粉室溫封閉膜1.5 h,PBST洗膜5 min后孵育一抗,4 ℃搖床過夜;次日,每10 min 1×TBST洗膜3次,室溫孵育二抗2 h,每10 min TBST洗膜3次,ECL-Plus發(fā)光液于GeneGnome XRQ曝光,GAPDH作為內(nèi)參,ImageJ軟件進(jìn)行蛋白定量分析。

        1.3 統(tǒng)計(jì)學(xué)分析

        2 結(jié)果

        2.1 OGD4 h后復(fù)氧不同時(shí)間PC12細(xì)胞凋亡的影響

        與Control組比較,OGD4+R6、OGD4+R12、OGD4+R18和OGD4+R24組誘導(dǎo)了PC12細(xì)胞凋亡率明顯升高,細(xì)胞凋亡率伴隨復(fù)氧時(shí)間的延長(zhǎng)而增加,其中OGD4+R24組細(xì)胞凋亡率最高,差異均具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05)。見圖1。

        注:A為細(xì)胞流式圖;B為凋亡率柱狀圖;(1)與control組比較P<0.05。圖1 OGD4 h后復(fù)氧不同時(shí)間對(duì)PC12細(xì)胞凋亡的影響Fig.1 Effects of apoptosis of PC12 cells on the different time of reoxygenation after OGD 4 h

        2.2 OGD4 h后不同復(fù)氧時(shí)間對(duì)PC12細(xì)胞ROS的影響

        與Control組比較,OGD4、OGD4+R6和OGD4+R12、OGD4+R18和OGD4+R24組誘導(dǎo)ROS升高,細(xì)胞 ROS伴隨復(fù)氧時(shí)間的延長(zhǎng)而增加,其中OGD4+R24組細(xì)胞ROS最高,差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05)。見圖2。

        注:A為ROS熒光強(qiáng)度,B為ROS相對(duì)表達(dá)倍數(shù)柱狀圖;(1)與control組比較,P<0.05。圖2 OGD4 h后復(fù)氧不同時(shí)間對(duì)PC12細(xì)胞ROS的影響Fig.2 Effects of ROS production of PC12 cells on the different time of reoxygenation after OGD 4 h

        2.3 OGD4 h后復(fù)氧不同時(shí)間對(duì)P12細(xì)胞P62、Beclin-1、LC3-Ⅰ、LC3-Ⅱ和Cleaved-caspase3表達(dá)的影響

        與Control組比較,OGD4 h后復(fù)氧不同時(shí)間段(R0、R6、R12、R18和R24 h)組的LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ的比率、P62、Beclin-1和C-caspase3的表達(dá)均增加,差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05),見圖3。結(jié)果顯示,OGD4+R24組細(xì)胞自噬和凋亡相關(guān)分子水平上升最高,因此后續(xù)的實(shí)驗(yàn)中選擇OGD4+R24組作為藥物干預(yù)的模型組。

        注:A為Western blot條帶圖,B為相對(duì)表達(dá)量柱狀圖; (1)與control組比較P<0.05。圖3 OGD4 h后復(fù)氧不同時(shí)間對(duì)PC12細(xì)胞P62、Beclin-1、LC3-Ⅰ、LC3-Ⅱ和C-caspase3表達(dá)的影響Fig.3 Expression of P62,Beclin-1,LC3-Ⅰ,LC3-Ⅱ and C-caspase3 of PC12 cells on the different time of reoxygenation after OGD 4 h

        2.4 3-MA減少對(duì)OGD/R處理后P12細(xì)胞P62、Beclin-1、LC3-Ⅰ、LC3-Ⅱ和Cleaved-caspase3表達(dá)的影響

        與OGD4+R24組比較,OGD/R+3-MA組相關(guān)的自噬分子P62、Beclin-1的表達(dá)和LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ的比率以及凋亡分子C-caspase3的表達(dá)明顯降低,差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05)。見圖4。

        注:A為Western blot條帶圖,B為相對(duì)表達(dá)量柱狀圖; (1)與OGD/R組比較,P<0.05。圖4 3-MA對(duì)OGD/R處理后PC12細(xì)胞P62、Beclin-1、LC3-Ⅰ、LC3-Ⅱ和C-caspase3表達(dá)的影響Fig.4 Effects of 3-MA on OGD/R induced expression of P62,Beclin-1,LC3-Ⅰ,LC3-Ⅱ and C-caspase3

        3 討論

        腦卒中主要是由于大腦缺血和缺血后再灌注損傷所導(dǎo)致的疾病。目前,大腦缺血再灌注損傷的分子病理假說主要有以下幾個(gè)方面:(1)缺血導(dǎo)致的局部血流供應(yīng)中斷和能量耗竭使神經(jīng)元發(fā)生不可逆性的壞死[15];(2)缺血后再灌注引發(fā)的興奮性氨基酸中毒反應(yīng);(3)缺血和再灌注階段過量生成的自由基(ROS和NO)引發(fā)的氧化應(yīng)激反應(yīng)[16];(4)缺血再灌注導(dǎo)致神經(jīng)細(xì)胞發(fā)生神經(jīng)炎癥反應(yīng)[13];(5)缺血再灌注導(dǎo)致神經(jīng)細(xì)胞線粒體功能障礙,進(jìn)而引發(fā)神經(jīng)細(xì)胞凋亡等幾個(gè)方面的假說[17]。缺血再灌注損傷復(fù)雜的分子機(jī)制為腦卒中的預(yù)防和治療帶來了困難[18-19]。因此,闡明缺血再灌注損傷的分子機(jī)制對(duì)腦卒中的預(yù)防及治療具有重要意義。

        近年來有研究表明,自噬參與了諸如癌癥、代謝類疾病和神經(jīng)退行型性等疾病的病理過程[20-22]。但是對(duì)于其確切的分子機(jī)理認(rèn)識(shí)是不清楚的。研究報(bào)道,在缺血再灌注心肌的細(xì)胞模型上,觀察到了自噬水平的異常升高且加劇了心肌細(xì)胞的損傷,給予自噬相關(guān)的抑制劑可以有效緩解缺血再灌注誘導(dǎo)的細(xì)胞損傷[23]。與此相反地,有研究表明,藥物或者非編碼RNA等在MCAO模型大鼠上可以激活神經(jīng)細(xì)胞自噬并發(fā)揮減緩缺血再灌注損傷的作用[24-25]。顯然,自噬在缺血再灌注損傷中的確切分子機(jī)制是不清楚的,有待更多的實(shí)驗(yàn)研究闡釋。

        本研究PC12細(xì)胞運(yùn)用于經(jīng)典的OGD/R模型上,探討不同再灌注時(shí)間對(duì)細(xì)胞損傷和自噬的影響。研究發(fā)現(xiàn),隨著缺血后再灌注時(shí)間的延長(zhǎng),細(xì)胞的凋亡水平和ROS含量是不斷增加的,ROS是機(jī)體細(xì)胞代謝過程產(chǎn)生一類強(qiáng)氧化性物質(zhì),機(jī)體本身具有清除活性氧的能力,但是過量生成的活性氧會(huì)導(dǎo)致機(jī)體抗氧化系統(tǒng)障礙,ROS氧化生物有機(jī)體細(xì)胞的細(xì)胞器導(dǎo)致細(xì)胞功能障礙,這樣的過程對(duì)神經(jīng)細(xì)胞而言是致命性的損傷。神經(jīng)細(xì)胞功能障礙是多種神經(jīng)退型性疾病的主要原因。在缺血后再灌注的不同時(shí)間段,本研究檢測(cè)到自噬的水平是不斷增加的,細(xì)胞的凋亡水平也是伴隨著升高的。自噬標(biāo)志蛋白LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ和Beclin-1/GAPDH的比例增加,裂解型的Caspase3表達(dá)水平升高,有趣的是,在再灌注的剛開始6 h內(nèi),自噬水平升高的同時(shí)凋亡水平并沒有顯著升高,但是隨著再灌注的時(shí)間延遲,凋亡的水平逐漸升高,并伴隨著功能障礙性的自噬出現(xiàn)。據(jù)此推測(cè),在再灌注的早期階段,自噬對(duì)細(xì)胞發(fā)揮著積極地保護(hù)作用,但隨著后期再灌注時(shí)間的延長(zhǎng),自噬功能障礙,自噬小體堆積進(jìn)而反過來加劇細(xì)胞的損傷,導(dǎo)致細(xì)胞出現(xiàn)自噬性的死亡,表現(xiàn)為自噬特異性降解的底物分子P62的表達(dá)增加。因此,再灌注的后期階段,本研究給予自噬特異性的抑制劑3-MA預(yù)處理,結(jié)果顯示,3-MA可以有效降低缺血再灌注誘發(fā)的細(xì)胞凋亡,減少細(xì)胞的自噬水平。

        綜上所述,本次研究發(fā)現(xiàn),缺血再灌注的后期階段(18~24 h)誘導(dǎo)PC12細(xì)胞發(fā)生自噬性的死亡,表現(xiàn)為細(xì)胞凋亡水平升高,自噬標(biāo)志蛋白LC3Ⅰ向LC3Ⅱ翻轉(zhuǎn)的比率增加,自噬特異性降解底物P62表達(dá)堆積;特異性自噬抑制劑3-MA可以顯著降低缺血再灌注后期階段誘導(dǎo)的自噬水平并減少再灌注誘導(dǎo)的凋亡水平升高。

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