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        摻雜粒子電負(fù)性對(duì)ZnO基避雷器非線性特性的影響

        2020-04-13 08:19:00陳永佳
        黑龍江科學(xué) 2020年6期
        關(guān)鍵詞:電負(fù)性電子云壓敏電阻

        陳永佳

        (陜西國(guó)防工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院,西安 710300)

        1 引言

        ZnO壓敏電阻可用于過(guò)電壓保護(hù)器、浪涌吸收器、避雷器等電力電子器件,是保護(hù)電力電子系統(tǒng)正常運(yùn)行的重要元器件[1]。避雷器在電力電子系統(tǒng)及其設(shè)備中的應(yīng)用最為廣泛,其中以ZnO基避雷器使用較多[2]。ZnO基避雷器是以ZnO壓敏電阻為核心單元并經(jīng)過(guò)串并聯(lián)等方式組成的,分為低壓避雷器和高壓避雷器兩種類(lèi)型。低壓避雷器主要用于對(duì)各種電子系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù),高壓避雷器則用于保護(hù)高壓的電力系統(tǒng),具有響應(yīng)速度快、體積小、使用方便等特點(diǎn)。

        影響ZnO基避雷器響應(yīng)速度的因素諸多,從根本上分析,主要是由ZnO壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)決定的[3]。粒子摻雜是改善微觀結(jié)構(gòu)性能的重要方式,除了壓敏電阻的燒結(jié)工藝,粒子的電負(fù)性和半徑也從根本上影響著壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)[4-5]。電負(fù)性決定了晶界對(duì)電子吸附能力的強(qiáng)弱,極大程度地影響著ZnO壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能。本研究通過(guò)分析前期實(shí)驗(yàn)和同領(lǐng)域的相關(guān)數(shù)據(jù),研究了摻雜粒子電負(fù)性對(duì)ZnO基避雷器產(chǎn)品響應(yīng)速度的影響。

        2 理論

        圖1是ZnO晶格結(jié)構(gòu)模型及其晶格中的電子云分布模型。鉻離子Cr3+和鉍離子Bi3+等摻入ZnO晶格會(huì)改變晶格的電子云結(jié)構(gòu),進(jìn)而影響電子向晶界的遷移運(yùn)動(dòng),導(dǎo)致晶界勢(shì)壘的改變。電負(fù)性表示原子吸附電子的能力,電負(fù)性越大,原子對(duì)電子的束縛能力越強(qiáng)。ZnO壓敏電阻的非線性能力主要由晶界勢(shì)壘決定,晶界對(duì)電子的吸附能力越強(qiáng),則晶界勢(shì)壘越高,非線性特性越好。

        通過(guò)數(shù)據(jù)分析和曲線擬合,可以系統(tǒng)分析摻雜粒子電負(fù)性與ZnO壓敏電阻響應(yīng)速度之間的關(guān)系。分析前期實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中摻雜粒子的電負(fù)性和非線性系數(shù)以及相關(guān)領(lǐng)域的研究結(jié)果可以得出ZnO基避雷器非線性系數(shù)和摻雜粒子的電負(fù)性之間的分布規(guī)律。

        根據(jù)固溶體的形成機(jī)理和能量最低原理,電負(fù)性與鋅離子差別較大的粒子在燒結(jié)過(guò)程中總是傾向于向低能量狀態(tài)運(yùn)動(dòng),即向晶界偏析[6]。當(dāng)電負(fù)性相對(duì)偏差在±0.4%之內(nèi),摻雜粒子可以固溶到ZnO晶格中形成固溶體,在±0.4%之外則主要向晶界處偏析,影響了ZnO壓敏電阻的非線性特性。因此,摻雜粒子的電負(fù)性是決定ZnO基避雷器性能的重要因素。

        圖1 ZnO晶格結(jié)構(gòu)模型及電子云分布模型Fig.1 Lattice structure model and electron cloud distribution model of ZnO

        3 機(jī)理分析

        摻雜粒子的種類(lèi)和摻雜量對(duì)ZnO壓敏電阻的非線性系數(shù)有重要影響,其中,粒子的種類(lèi)起決定性作用。表1列舉了不同摻雜粒子的電負(fù)性和ZnO基避雷器非線性系數(shù)的關(guān)系。非線性系數(shù)可以間接反映避雷器的響應(yīng)速度,非線性系數(shù)越大,響應(yīng)速度越快。根據(jù)表1可以得到如圖2所示的關(guān)系曲線。

        圖2 ZnO基避雷器非線性系數(shù)和電負(fù)性相對(duì)偏差間的關(guān)系曲線Fig.2 Relation curve between nonlinear coefficient and electronegativity relative deviation of ZnO based arrester

        表1 摻雜粒子電負(fù)性和ZnO基避雷器非線性系數(shù)的關(guān)系Tab.1 Relationship between electronegativity of doped particles and nonlinear coefficient of ZnO based arrester

        研究表明,隨著粒子電負(fù)性相對(duì)偏差增大,ZnO基避雷器的非線性系數(shù)呈現(xiàn)出先減小后增大的趨勢(shì),避雷器的響應(yīng)速度也具有相同的變化趨勢(shì)。理論表明,摻雜粒子電負(fù)性的相對(duì)偏差越大,在壓敏電阻的燒結(jié)過(guò)程中,摻雜粒子越會(huì)向晶界偏析,在合適的摻雜濃度條件下會(huì)形成均勻分布的晶界層,因此會(huì)有較大的非線性系數(shù)。通過(guò)數(shù)據(jù)分析和曲線擬合,當(dāng)摻雜粒子與鋅離子電負(fù)性的相對(duì)偏差大于25%或小于5%時(shí),ZnO基避雷器的非線性系數(shù)具有較大值,這可能是受到粒子半徑的影響所致。

        4 結(jié)論

        ①摻雜粒子對(duì)ZnO晶格的電子云分布有重要影響,電負(fù)性越強(qiáng)的摻雜粒子如果分布于晶界,則可以有效吸收Z(yǔ)nO晶粒中的電子,會(huì)產(chǎn)生較好的非線性特性。②當(dāng)摻雜粒子與鋅離子電負(fù)性的相對(duì)偏差大于25%或小于5%時(shí),ZnO基避雷器的非線性系數(shù)具有較大值。

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