王 琦，高黨忠，馬小軍*，徐 春，朱溢佞，姜 凱，張園成，楊詩棣

(1.中國工程物理研究院 激光聚變研究中心，四川 綿陽 621900；2. 天津三英精密儀器股份有限公司，天津 300399；3.首都師范大學(xué) 數(shù)學(xué)科學(xué)學(xué)院，北京 100048)

1 引 言

在激光慣性約束聚變(Inertial Confinement Fusion，ICF)實驗中，靶丸質(zhì)量是影響內(nèi)爆性能的關(guān)鍵因數(shù)，為了達到聚變點火條件，需要對靶丸的直徑、壁厚、表面輪廓及光學(xué)厚度等參數(shù)進行精確的測量[1]。上述靶丸參數(shù)中，靶丸直徑與黑腔直徑的比例與輻射場的均勻性和對稱性緊密相關(guān)，靶丸的殼層厚度也必須與輻射溫度準(zhǔn)確匹配[2]，精密檢測靶丸的直徑、厚度等幾何參數(shù)是實現(xiàn)靶物理目標(biāo)的重要支撐，其測量不確定度一般要求為±1 μm[3]。ICF靶丸主要有鈹靶丸、高密度碳靶丸和輝光放電聚合物靶丸三種，均由低原子序數(shù)元素構(gòu)成。上述靶丸一般為多層結(jié)構(gòu)，材料透光性差，傳統(tǒng)的光學(xué)測量方法無法準(zhǔn)確識別靶丸的殼層邊界，不能對其內(nèi)徑和壁厚等幾何尺寸進行檢測。

目前，國內(nèi)外ICF研究機構(gòu)均采用X光底片照相技術(shù)測量靶丸的直徑、壁厚等幾何參數(shù)[4-6]。該技術(shù)利用靶丸各殼層對X射線吸收強度的差異識別、定位殼層界面，從而計算其壁厚和直徑。X光照相中，靶丸直接放置于底片之上，X射線源從較遠距離(約1 m)對它進行輻照曝光，由于X射線源與底片的距離遠遠大于靶丸直徑(0.5～2 mm)，圖像幾何放大比近似為1，X射線源焦點半影誤差得到極大抑制，得到的靶丸圖像近似于平行光束直接投影。同時，X射線源的管電壓較低(小于10 kV)，靶丸殼層低Z材料對該波長范圍內(nèi)的X射線吸收相對較強，易于獲得高襯度圖像。得益于底片的高分辨能力，該方法得到的ICF靶丸圖像具有較高的精度和襯度，尺寸測量不確定度可達0.8 μm(k=2)。

X光底片照相法存在的主要問題是測量流程繁瑣、測量效率較低。底片通常需要曝光2～4 h才能獲得較為清晰的圖像，無論對于1個還是1批靶丸，測量過程的耗時基本相同。另外，底片定影、顯影過程難以精確控制，靶丸X射線圖像中易出現(xiàn)本底不均勻和局部污點，給靶丸X射線圖像的圓心定位和界面識別帶來困難。

隨著ICF研究的不斷深入，對靶丸數(shù)量的需求越來越大，現(xiàn)有檢測方法測量效率低的問題已嚴(yán)重制約了靶丸生產(chǎn)，迫切需要建立一種高效率、高精度的ICF靶丸幾何參數(shù)測量技術(shù)。X射線數(shù)字成像技術(shù)采用數(shù)字化的探測系統(tǒng)，可實時獲得靶丸的數(shù)字圖像，探測效率高，是有效解決ICF靶丸幾何參數(shù)高效率、高精度檢測的技術(shù)途徑[7-10]。HUANG等人應(yīng)用Xradia公司的X射線微米CT系統(tǒng)(X射線透鏡耦合顯微成像)對ICF靶丸的充氣孔尺寸進行表征[11]，獲得了較高的測量精度，但是，對于較大尺寸的特征結(jié)構(gòu)(如靶丸直徑)，該設(shè)備的測量誤差高達±50 μm，難以滿足ICF靶丸幾何尺寸的測量需求。趙學(xué)森等人應(yīng)用X射線CT系統(tǒng)獲得了ICF靶丸數(shù)字圖像，對靶丸外表面輪廓進行了提取和評價[12]。該系統(tǒng)同樣基于X射線透鏡耦合顯微成像原理，獲得的數(shù)字圖像相襯效應(yīng)較為嚴(yán)重，內(nèi)外邊緣均出現(xiàn)明顯擴展，不能用于靶丸直徑的高精度測量。此外，Huang和趙學(xué)森等人的CT系統(tǒng)每次僅能實現(xiàn)單個靶丸的裝夾與檢測，不能滿足靶丸的高效率檢測要求，利用X射線數(shù)字成像技術(shù)進行高效率、高精度的靶丸幾何尺寸測量還需要進一步的研究。

X射線直接投影成像和X射線透鏡耦合顯微成像是目前X射線數(shù)字成像系統(tǒng)中主要的成像技術(shù)，本文從這兩種成像技術(shù)的基本原理出發(fā)，根據(jù)靶丸幾何參數(shù)檢測不確定度需求，確定了ICF靶丸X射線數(shù)字成像的技術(shù)路線。在此基礎(chǔ)上系統(tǒng)分析了影響成像精度、襯度和效率的因素，明確了系統(tǒng)設(shè)計的技術(shù)指標(biāo)。最后，建立靶丸X射線數(shù)字成像系統(tǒng)，通過對比分析，對系統(tǒng)的性能指標(biāo)進行了檢驗。

2 X射線數(shù)字成像原理

2.1 X射線直接投影成像原理

圖1為X射線直接投影成像的原理圖。成像系統(tǒng)包含的主要構(gòu)件為X射線源、樣品及位移臺、X射線探測器。X射線穿過樣品到達探測器，由于幾何放大效應(yīng)，探測器上可獲得樣品的放大圖像，幾何放大倍數(shù)Mg為：

Mg=SD/SO,

(1)

式中：SD為X射線源至探測器的距離，SO為X射線源至樣品的距離。理論上，通過調(diào)節(jié)樣品在射線源和探測器之間的相對位置，即可獲得合適的放大比例。

圖1 X射線直接投影成像原理Fig.1 Principle diagram of X-ray direct-projection imaging

2.2 X射線透鏡耦合顯微成像原理

X射線透鏡耦合顯微成像原理如圖2所示，與直接投影成像原理不同，其探測單元包括閃爍片、顯微物鏡組和可見光CCD。其成像過程如下：X射線穿過樣品到達閃爍片，閃爍片將X射線轉(zhuǎn)換為可見光，樣品可見光圖像經(jīng)過顯微物鏡組放大，聚焦投影至可見光CCD，采集得到可見光數(shù)字圖像。其圖像放大比例M為：

M=Mg×Mo,

(2)

式中：Mg為樣品X射線圖像投影至閃爍片上引起的幾何放大比例，計算方法同式(1)相似；Mo為顯微物鏡組的放大倍數(shù)。改變Mg或Mo均可調(diào)節(jié)圖像的放大倍數(shù)。

圖2 X射線透鏡耦合顯微成像原理圖Fig.2 Principle diagram of X-ray lens coupled micro-imaging

上述兩種X射線數(shù)字成像模式中，X射線源的焦點尺寸均是影響系統(tǒng)性能的一個關(guān)鍵參數(shù)。設(shè)焦點直徑尺寸為d，焦點引起的半影誤差Rf的計算公式可表示為[13]：

Rf=d×(Mg-1)/Mg,

(3)

由式(3)可知，幾何放大比例對半影誤差的影響較大。若圖像分辨率優(yōu)于0.5 μm，在焦點尺寸為1 μm的條件下，幾何放大比例應(yīng)小于2倍。而對于直徑為1 mm的靶丸，放大2倍后，如圖像分辨率要求達到0.5 μm，則要求探測器像元尺寸小于1 μm。在現(xiàn)有技術(shù)條件下，焦點尺寸為1 μm的X射線源、像元尺寸小于1 μm的X射線探測器均難以獲得。因此，僅僅依靠幾何放大的X射線直接投影成像技術(shù)不能滿足ICF靶丸的高精度測量需求。

綜上所述，X射線透鏡耦合顯微成像原理可通過顯微光學(xué)對樣品圖像進行放大，并通過降低幾何放大比例抑制X射線源焦點半影誤差的擴展，有望實現(xiàn)ICF靶丸尺寸的高精度檢測。

3 系統(tǒng)設(shè)計及研制

3.1 系統(tǒng)主要技術(shù)指標(biāo)

目前，我國ICF實驗使用的靶丸尺寸主要在0.5～1 mm之間，因此，X射線靶丸數(shù)字成像系統(tǒng)主要針對該尺寸范圍的靶丸檢測需求展開研制。系統(tǒng)設(shè)計指標(biāo)為成像分辨率優(yōu)于0.5 μm，單次成像時間不大于90 s。

3.2 系統(tǒng)分辨率

影響X射線數(shù)字成像系統(tǒng)的成像分辨率的主要因素包括X射線焦點源的幾何尺寸、成像幾何條件、CCD分辨率以及閃爍片厚度等。

由于任何X射線源都不是理想點源，焦點幾何形狀產(chǎn)生的半影效應(yīng)會導(dǎo)致分辨率退化，是影響X射線成像分辨率的主要因素之一。根據(jù)式(1)和式(3)可得到：

Rf=d×OD/SD,

(4)

式中OD為樣品至探測器的距離。

從式(4)可以看出，減小OD可有效降低半影誤差，提高圖像分辨率；同樣，增大SD亦可抑制半影誤差的擴展。但是，SD的增加會導(dǎo)致到達探測器的光子數(shù)量銳減(同距離的平方成反比)，使曝光時間延長，降低成像效率。因此，SD要在保證成像效率的前提下適量增加。此外，OD的減小還可降低相襯效應(yīng)引起的靶丸邊緣擴展，提高靶丸邊緣識別的準(zhǔn)確性。李然等發(fā)現(xiàn)[14]，幾何放大比在1.11～10之間時，圖像的相襯強度高于吸收強度；幾何放大比低于1.11時，圖像吸收強度迅速升高。

在X射線透鏡耦合顯微成像中，閃爍片轉(zhuǎn)換成的可見光圖像是否能以較高的分辨率被CCD采集，其關(guān)鍵在于顯微物鏡組的分辨能力。根據(jù)光學(xué)衍射極限公式：

(5)

式中：λ為入射光波長，N.A.為顯微物鏡的數(shù)字孔徑，Mg為閃爍片前端的幾何放大比。閃爍片通常由CsI(Tl)晶體制成，其峰值發(fā)光波長約為550 nm。若滿足Ro<0.5 μm的條件，則對顯微物鏡數(shù)字孔徑的要求為:

N.A.>0.671/Mg.

(6)

樣品可見光圖像經(jīng)過顯微物鏡組放大后，將圖像聚焦至CCD像平面進行數(shù)字轉(zhuǎn)化與采集，因此，探測器也需要有足夠的分辨能力，才能保證最終數(shù)字圖像的分辨率。探測器分辨率Rd同其像元尺寸Sp之間的關(guān)系如下：

Rd=Sp/M.

(7)

因此，當(dāng)Rd<0.5 μm時，要求:

Sp<0.5M=0.5×Mg×Mo.

(8)

閃爍片將X射線圖像轉(zhuǎn)化為可見光圖像，其厚度對圖像分辨率也有一定的影響，主要體現(xiàn)在：厚度過大，光學(xué)系統(tǒng)像差增加，分辨率下降；厚度過小，X射線轉(zhuǎn)化效率降低，探測效率下降。因此，閃爍片厚度需要在分辨率和探測效率之間進行平衡。張永興等的研究表明[15]，對于20倍顯微物鏡，為獲得足夠高的圖像分辨率，與之匹配的閃爍片厚度應(yīng)小于20 μm。

3.3 圖像襯度分析

ICF靶丸通常為多層結(jié)構(gòu)，不同殼層中摻雜痕量示蹤元素，或梯度摻雜Si，Ge等元素[16]。部分殼層之間對高能量X光子的吸收強度差異極小，如何提高圖像襯度也是實現(xiàn)ICF靶丸高精度檢測需要考慮的關(guān)鍵問題。

X射線透過靶丸后，其透射X射線強度可由朗伯-比爾定理表示：

I=I0exp(-μmρx).

(9)

圖3 C，Si對不同能量光子的質(zhì)量吸收系數(shù)Fig.3 Mass absorption coefficients of C and Si as a function of photon energy

從式(9)可知，X射線透射強度I同穿過物質(zhì)的質(zhì)量吸收系數(shù)μm、密度ρ和厚度x相關(guān)，在ρ，x相近時，μm對圖像襯度起決定性作用。圖3為C，Si的質(zhì)量吸收系數(shù)曲線，從圖中可以看出，當(dāng)光子能量在10～20 keV時，兩種元素的質(zhì)量吸收系數(shù)相對差異較大，即該能量范圍內(nèi)光子對GDP(Si)靶丸具有較好的成像襯度。

3.4 成像效率分析

高成像效率是本套系統(tǒng)的設(shè)計目標(biāo)之一。相對于采用底片照相，數(shù)字探測器具有較高的探測效率。然而，為保證圖像分辨率，X射線透鏡耦合顯微成像單次僅能對一個靶丸進行成像。為保證靶丸批次檢測效率，要求X射線靶丸數(shù)字成像系統(tǒng)單次曝光的采集時間不大于90 s。

影響曝光時間的主要因素包括X射線源亮度和探測器的量子效率。應(yīng)用濱松L9421型閉管微焦點X射線源(焦點尺寸為8 μm)對靶丸數(shù)字成像進行驗證試驗，在管電壓20 kV、管功率4 W，OD=2 mm，SD=20 mm的條件下，曝光時間約取200 s，可獲得良好的圖像襯度與信噪比。由前面的分析可知，較小的OD有利于提高系統(tǒng)的成像分辨率，X射線源的光子密度與SD平方成反比，與其管功率成正比(假設(shè)激發(fā)效率相同)，較小的OD在較小的管功率下亦具有較高的X射線光通量，有利于提高成像效率。通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，靶丸X射線數(shù)字成像系統(tǒng)OD可減小至1.25 mm左右。以上述實驗條件作為參照基準(zhǔn)，在SD=20 mm，Rf=0.5 μm(OD=1.25 mm)時，若曝光時間降至90 s，則X射線源管功率需提高至8.9 W；同樣，若繼續(xù)降低X射線源的焦點半影誤差Rf，則射線源至探測器(閃爍片)的距離SD、管功率均要進行相應(yīng)的改變(OD不變，為1.25 mm)，各參數(shù)之間的對應(yīng)關(guān)系如表1所示。從表1可以看出，提高X射線源的管功率是獲得高圖像分辨率、高成像效率的必要條件。

可見光CCD的量子效率同樣對成像效率有影響。對于不同波長的光子，可見光CCD的量子效率存在較大差異，所以，CCD的選型應(yīng)同閃爍晶體的發(fā)光光譜相互匹配。CsI(Tl)晶體產(chǎn)生的光子的峰值發(fā)射波長為550 nm[18,21]，應(yīng)選擇在該波長附近具有最高量子效率的CCD與之配合，才能獲得較高的采集效率，節(jié)省曝光時間。

表1X射線源焦點半影誤差、射線源至探測器(閃爍片)距離與管功率

Tab.1 Focus penumbra error of X-ray source, distance from X-ray source to detector (scintillation plate) and tube power

Rf/μmSD/mm管功率/W0.5208.90.4721.2100.42513.9

3.5 系統(tǒng)研制

根據(jù)上述設(shè)計思路和技術(shù)指標(biāo)要求，研制的靶丸X射線數(shù)字成像系統(tǒng)如圖4所示。該系統(tǒng)的整個光路采用豎直式設(shè)計，便于靶丸放置。X射線源置于最下端，位置固定；靶丸放置于樣品臺中央的陣列孔板中，位置可三維調(diào)節(jié)；探測器設(shè)置于系統(tǒng)最上端，可在豎直方向上移動，便于調(diào)節(jié)樣品同探測器的距離。所有組件均安裝在大理石底座上，可降低外界震動干擾，減小溫度漂移，提升系統(tǒng)整體穩(wěn)定性。

圖4 X射線靶丸數(shù)字成像系統(tǒng)設(shè)計圖Fig.4 Configuration of X-ray digital imaging system for capsules

圖5是靶丸X射線數(shù)字成像系統(tǒng)的實物圖。該系統(tǒng)采用的主要部件及技術(shù)參數(shù)如下：(1)X射線源為FineTec 100.01Z TT型(定制型)，管電壓為15～70 kV，最大靶功率為35 W，在20 kV，10 W的工作條件下，焦點尺寸為6 μm；(2)顯微物鏡為Nikon CFI Plan Apo 20X顯微物鏡，NA=0.75；(3)閃爍片組件由內(nèi)至外分別為玻璃基片、CsI(Tl)晶體薄片、鎢屏蔽片，通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化和工藝改進，鎢屏蔽片外表面同閃爍片距離減小至0.5 mm，對于直徑為1 mm的靶丸，其OD最小可達1 mm(靶丸球心至閃爍片距離)；(4)可見光CCD為FLI ML16070型，像素尺寸為7.4 μm，像元數(shù)量為4 864×3 232。

圖5 X射線靶丸數(shù)字成像系統(tǒng)照片F(xiàn)ig.5 Photo of X-ray digital imaging system for capsules

4 實驗結(jié)果與討論

4.1 成像分辨率

采用JIMA卡對系統(tǒng)成像分辨率進行驗證，成像條件為：X射線源管電壓20 kV、功率5 W，幾何放大比1.05，顯微物鏡倍數(shù)20×，曝光時間90 s。圖6是JIMA卡的X射線數(shù)字圖像，從圖中可以看出，對于0.5 μm的線對，橫向、縱向均可清晰分辨，這表明系統(tǒng)的圖像分辨率可達0.5 μm。需要說明的是，縱向灰度曲線的峰-谷極差比橫向灰度曲線的峰-谷極差大，這表明系統(tǒng)縱向具有更高的分辨率。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因是X射線源焦點并非標(biāo)準(zhǔn)圓點，焦點的橫向投影尺寸大于縱向投影尺寸，導(dǎo)致橫向半影誤差較大，從而造成兩個方向的灰度曲線呈現(xiàn)不同的特征。

圖6 圖像分辨率測試結(jié)果Fig.6 Test results of image resolution

利用線對卡法對系統(tǒng)的調(diào)制傳遞函數(shù)進行了測試。圖7是系統(tǒng)的調(diào)制傳遞函數(shù)(Modulation Transfer Function, MTF)曲線，從圖中可以看出，調(diào)制度10%處的分辨率約為1 194 LP/mm，相對應(yīng)的空間分辨率約為0.4 μm。

隨著人們生活水平的提高以及經(jīng)濟的快速發(fā)展，對煤炭的需求量也在不斷增加，但是由于缺乏先進的掘進設(shè)備，施工工藝和技術(shù)相對落后，制約著我國煤礦相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在開采中選擇合適的掘進線路，制定合理的掘進工序并配備高效的掘進設(shè)備才能提高工作效率，減少開采風(fēng)險，保證開采人員的安全。為了有效應(yīng)對各種因素對煤礦巷道掘進的影響，提高煤礦巷道掘進效率，從而提升整個煤礦開采作業(yè)的質(zhì)量和開采效益，必須對存在的各種影響因素進行分析，然后研究如何應(yīng)對這些因素產(chǎn)生的不利影響。

4.2 圖像襯度

通過對三層GDP靶丸進行X射線數(shù)字成像，驗證系統(tǒng)的成像襯度。成像條件為：X射線源管電壓20 kV、功率5 W，幾何放大比1.05，顯微物鏡倍數(shù)20×，曝光時間60 s。圖8(a)是GDP靶丸的X射線數(shù)字圖像，從圖中可以看出，GDP靶丸殼層各界面清晰，這表明該系統(tǒng)具備較高的圖像襯度。圖8(b)是靶丸局部的徑向灰度曲線及其二階微分曲線，從圖中可以看出，界面位置A，B，C，D的灰度值不連續(xù)，對該灰度曲線二階微分即實現(xiàn)界面位置的準(zhǔn)確定位，從而實現(xiàn)靶丸直徑和壁厚的測量。

圖7 X射線成像系統(tǒng)的調(diào)制傳遞函數(shù)曲線Fig.7 Modulation transfer function curve of X-ray imaging system

圖8 GDP靶丸X射線數(shù)字照片及徑向曲線分析

圖9為同一GDP靶丸的X射線底片成像圖像，從圖中可以看出，靶丸殼層內(nèi)的B，C界面較難分辨。其原因在于靶丸X射線底片成像中，靶丸與底片直接接觸，底片成像圖像中相襯效應(yīng)占比更小，弱化了界面處的可識別性。圖10是兩種成像模式下靶丸的局部放大圖像，從圖中可以看出，由于相襯效應(yīng)，X射線數(shù)字成像所得到的靶丸圖像殼層邊界清晰，相比于底片圖像，其邊界出現(xiàn)一定的展寬。若邊界展寬嚴(yán)重，將影響靶丸幾何尺寸的測量準(zhǔn)確性。利用靶丸X射線數(shù)字成像系統(tǒng)探測器與樣品距離可調(diào)的特點，可實現(xiàn)靶丸圖像相襯強度的控制，在不影響尺寸測量精度的前提下，提高X射線圖像中靶丸殼層邊界的襯度。

圖10 GDP靶丸X射線數(shù)字成像與底片成像對比Fig.10 Contrast of X-ray digital imaging with film imaging of GDP capsule

4.3 測量效率

上述成像分辨率及圖像襯度驗證實驗表明，在90 s的曝光時間內(nèi)，系統(tǒng)的分辨率、襯度均滿足設(shè)計要求，這也證明了本系統(tǒng)的成像效率達到了單次成像時間不大于90 s的設(shè)計指標(biāo)。此外，本系統(tǒng)進行了自動化設(shè)計，僅需將靶丸放置在陣列孔板中，設(shè)置好成像條件，即可自動進行靶丸成像與幾何尺寸測量，其測量效率大為提高。

4.4 測量不確定度分析

靶丸X射線數(shù)字成像技術(shù)采用相對測量方法測量靶丸直徑、壁厚等幾何參數(shù)，即通過標(biāo)準(zhǔn)樣品標(biāo)定數(shù)字圖像像素對應(yīng)的幾何尺寸，獲得比例系數(shù)，然后，測量目標(biāo)特征的像素值，再乘以比例系數(shù)即可計算得到目標(biāo)特征的幾何尺寸，即有：

(10)

式中：l為目標(biāo)特征幾何尺寸，r為比例系數(shù)，lp為目標(biāo)特征的數(shù)字圖像像素，ds為標(biāo)準(zhǔn)樣品的幾何尺寸，dp為標(biāo)準(zhǔn)樣品對應(yīng)的數(shù)字圖像像素。

由此可知，利用X射線數(shù)字成像技術(shù)測量靶丸幾何參數(shù)，其測量不確定度來源主要有標(biāo)準(zhǔn)樣品的幾何尺寸誤差和像素值測量誤差，以及待測靶丸的像素值測量誤差。

X射線數(shù)字圖像的像素尺寸通過標(biāo)準(zhǔn)球進行定標(biāo)，標(biāo)準(zhǔn)球為藍寶石材質(zhì)，直徑為(1 000.4±0.3) μm(k=2)，因此，ds引入的測量不確定度采用B類評定，其值為0.15 μm；dp引入的測量不確定度采用A類評定，對標(biāo)準(zhǔn)球進行10次重復(fù)測量，得到測量數(shù)據(jù)如下：2 921.1，2 919.2，2 920.7，2 921.8，2 919.5，2 920.2，2 919.3，2 921.5，2 919.0，2 919.6 pixel，該測量數(shù)據(jù)組的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.0 pixel；以GDP靶丸為樣品，對其進行10次重復(fù)測量，得到測量數(shù)據(jù)如下：2 222.7，2 220.7，2 221.8，2 220.3，2 222.4，2 221.0，2 222.2，2 222.7，2 220.3，2 220.5 pixel，該測量數(shù)據(jù)組的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.0 pixel，即lp引入的測量不確定度為1.0 pixel。

根據(jù)不確定度合成公式，可得靶丸X射線數(shù)字成像系統(tǒng)測量靶丸幾何尺寸的擴展不確定度為0.9 μm(k=2)。

5 結(jié) 論

本文通過分析影響靶丸X射線數(shù)字成像的分辨率、成像襯度及測量效率等諸多因素，確定了系統(tǒng)研制的技術(shù)方案，建立了X射線靶丸數(shù)字成像系統(tǒng)。實驗結(jié)果表明，本系統(tǒng)成像襯度良好、成像分辨率及成像效率較高，靶丸幾何參數(shù)的測量不確定度可達0.9 μm。