劉海路,賀平祥
(1.湖南化工職業(yè)技術學院,湖南 株洲 412000;2.湘潭大學 化學學院,湖南 湘潭 411100)
聚合物太陽能電池(PSCs)最常見的結構是光活性層包含電子給體/電子受體材料的二元成分的本體異質結(BHJ)[1]。設計寬吸收光譜的窄帶隙聚合物光伏材料是提高PSCs的光電轉換效率(PCE)的關鍵之一。此外,調整優(yōu)化給體和受體材料混合膜的形態(tài),促進激子解離和載流子傳輸,也是提高PSCs的PCE的關鍵之一。盡管通過光敏材料設計和光伏器件優(yōu)化,使得PSCs的PCE已提升至15%[2-3]。然而,持續(xù)開發(fā)出新型高效的共軛聚合物電子給體材料仍然是提升PSCs性能,推進PSCs商業(yè)化的核心。
圖1 兩種規(guī)整三元聚合物結構式
與廣泛使用的缺電子單元苯并噻二唑(BT)相比,吡啶并[3,4-c]噻二唑(Py)具有更強的拉電子能力[4]。2013年,Heeney和同事等人合成了三個基于苯并[d] [1,2,3]三氮唑(BTz),5,6-二氟苯并[c][1,2,5]噻二唑(ffBT)和Py單元的聚合物。結果,與含BTz相比聚合物和含ffBT的聚合物相比,含有Py的聚合物顯示出最小的帶隙和最大的短路電流密度及最高的PCE為6.6%。這些研究表明Py是一種用于構建高性能窄帶隙(小于1.6 eV)聚合物的結構單元。但是,含有Py的聚合物的PCE報告很少超過7%,這意味著仍有相當大的空間來改善光伏性能。將氟原子引入聚合物主鏈中是一種常用的改善光伏性能策略。氟取代可使聚合物的分子間堆砌增強和空穴遷移率提升,從而提高聚合物的光伏性能。含有氟化單元的聚合物,例如ffBT,4-氟噻吩并[3,4-b]噻吩(TTF)和3,3'-二氟-2,2'-聯(lián)噻吩(2TF)已經(jīng)實現(xiàn)了非常高的PCE。到目前為止,在同一種聚合中,拉電子結構中同時含有Py基團和F原子的尚未見報道。本研究中分別將Py和氟代苯并噻二唑作為第一、第二拉電子結構單元引入規(guī)整性的D-A1-D-A2型聚合物中,合成了兩種聚合物P(2T-Py-DFBT)和P(2T-Py-FBT),并對其進行了較為詳細的光物理、電化學及光伏性能等方面的研究,為后續(xù)設計類似的光伏材料提供借鑒。
兩種聚合物均是采用Stille偶聯(lián)聚合得到,聚合過程在無水無氧避光環(huán)境中進行,聚合物溶劑為色譜純甲苯,Pd(PPh3)4為催化劑,反應時間為72h。
圖2 單體和聚合物的合成路線
聚合物P(2T-Py-DFBT)和P(2T-Py-FBT)在熱的CHCl3中均表現(xiàn)出優(yōu)良的溶解性。以CHCl3為流動相的凝膠滲透色譜法測的P(2T-Py-DFBT)和P(2T-Py-FBT)的數(shù)均分子量Mn分別為42.5 kDa和46.2 kDa,對應的多分散系數(shù)(PDI)分別為1.6和1.8。PSCs器件制備要求材料具有好的熱穩(wěn)定性,采用熱重分析儀(TGA)測試了兩種聚合物的熱穩(wěn)定性,聚合物P(2T-Py-DFBT)和P(2T-Py-FBT)失重5%的溫度(Td)分別為392 ℃和362 ℃(表1),結果表明兩種聚合物均具有較好的熱穩(wěn)定性,能夠滿足器件的熱穩(wěn)定要求。
圖3 聚合物的UV-vis-IR吸收光譜圖
表1 聚合物的分子量、熱性能、光物理及電化學數(shù)據(jù)
圖4 聚合物的循環(huán)伏安譜圖
圖5 基于P(2T-Py-DFBT)(a) 和 P(2T-Py-FBT)(b) 的PSCs的J-V曲線以及最佳PSCs器件的(c) IPCE曲線
以P(2T-Py-FBT)和P(2T-Py-DFBT)為電子給體材料,PC71BM為電子受體材料,制備了本體異質結型的PSCs器件,其結構為ITO/PEDOT:PSS(40 nm)/ polymer:PC71BM /LiF (0.7nm)/Al(100 nm)的常規(guī)結構。首先通過調節(jié)聚合物和PC71BM的重量比從1∶1到1∶3進行優(yōu)化(圖5,表2),當聚合物P(2T-Py-DFBT)與PC71BM共混的質量比從1∶1到1∶3時,其光伏性能是先增加,然后降低的,其最優(yōu)質量比為1∶2,此時器件的PCE為2.31%?;赑(2T-Py-FBT)的PSCs具有同樣的規(guī)律,當給體/受體的質量比為1∶2,PSCs表現(xiàn)出較好的的光伏性能,其PCE為3.33%。
圖6 (a)、(c)分別為聚合物PDTPTDFBT的高度圖、相圖和(b)、(d)分別為聚合物PDTPTFBT的高度圖、相圖
采用原子力顯微鏡(AFM)表征最優(yōu)光伏性能器件條件下共混薄膜形貌(圖6)。如圖6所示,P(2T-Py-DFBT)/PC71BM的共混膜顯示出較大的微相尺寸和11.05 nm的RMS(均方根表面粗糙度)值;P(2T-Py-FBT)/PC71BM相應的共混膜顯示出較小的微相尺寸,RMS值降為2.76 nm。P(2T-Py-DFBT)趨向于形成大的相分離尺度,不利于激子解離,導致Jsc較小。
表2 聚合物的光伏性能數(shù)據(jù)
以吡啶(Py)并[3,4-c]噻二唑和氟代苯并噻二唑作為拉電子結構單元,以兩種不同長烷基噻吩作為推電子結構單元,設計并合成了兩種三元共軛聚合物;兩種聚合物的HOMO能級均低于-5.50 eV,其對應的PSCs器件的Voc均高于0.90 V;在未經(jīng)添加劑優(yōu)化處理下,兩種聚合物P(2T-Py-DFBT)、P(2T-Py-FBT)器件的PCE值分別為2.31%、3.33%;研究結果表明,在該體系中引入較多的氟原子使得聚合物的分子間作用增強,分子堆砌增強且更有規(guī)律,但過強的聚集有可能導致光活性層中更大的相分離,不利于激子分離,從而使得聚合物的光伏性能反而下降。