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        中美貿(mào)易摩擦背景下我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

        2020-02-25 18:40:06楊道州
        關(guān)鍵詞:發(fā)展

        楊道州, 張 夢

        (湖北經(jīng)濟(jì)學(xué)院 新聞與傳播學(xué)院 湖北 武漢 430205; 湖北省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會 湖北 武漢 430205 )

        近年來,以集成電路產(chǎn)業(yè)為核心領(lǐng)域的中美貿(mào)易摩擦愈演愈烈。美國對華科技封鎖手段不斷升級,尤其對以華為為代表的中國科技公司的步步緊逼,顯示了美國對中國科技進(jìn)步的恐慌和“去中國化”的極端化,也引發(fā)了全球科技領(lǐng)域的不安。美國對華科技領(lǐng)域“卡脖子”的焦點(diǎn)集中在高端芯片產(chǎn)業(yè)鏈上,破解“卡脖子”成為當(dāng)前我國科技創(chuàng)新最為緊迫的關(guān)鍵任務(wù)之一。

        2018年4月,習(xí)近平總書記視察湖北調(diào)研國家存儲器基地項目時強(qiáng)調(diào):“要加快在芯片技術(shù)上實(shí)現(xiàn)重大突破,勇攀世界半導(dǎo)體存儲科技高峰?!?018年5月,習(xí)近平總書記在中國科學(xué)院第十九次院士大會、中國工程院第十四次院士大會上指出:“實(shí)踐反復(fù)告訴我們,關(guān)鍵核心技術(shù)是要不來、買不來、討不來的。只有把關(guān)鍵核心技術(shù)掌握在自己手中,才能從根本上保障國家經(jīng)濟(jì)安全、國防安全和其他安全?!贝鎯ζ魇羌呻娐樊a(chǎn)業(yè)中量最大、面最廣的基礎(chǔ)產(chǎn)品,是國家信息安全的基石,也是我國攻克集成電路“卡脖子”問題的關(guān)鍵核心領(lǐng)域。全球超過 50%的存儲器市場在中國,但是我國存儲器的自給率只有4%。存儲器是我國集成電路領(lǐng)域第一大進(jìn)口產(chǎn)品,中美貿(mào)易摩擦對我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展而言,既是挑戰(zhàn),更是機(jī)遇。在中美貿(mào)易摩擦的沖擊下,高速發(fā)展的我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的不確定性因素增多,風(fēng)險增大。因此,加強(qiáng)中美貿(mào)易摩擦背景下的我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)險分析與對策研究,做好風(fēng)險預(yù)判與防范,有利于按照既定目標(biāo)落實(shí)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,加快搶占存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn),實(shí)現(xiàn)我國存儲器產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,并為我國解決集成電路產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題提供實(shí)踐性和方向性參考。

        一、 中美貿(mào)易摩擦的歷程與實(shí)質(zhì)

        (一) 中美貿(mào)易摩擦歷程

        20世紀(jì)以來,美國基本主導(dǎo)了世界經(jīng)濟(jì)中規(guī)模較大的主要國際貿(mào)易戰(zhàn)。有違世貿(mào)組織規(guī)則的單邊主義行為 “337調(diào)查”“301調(diào)查”成為美國打壓他國貿(mào)易的重要手段。“337調(diào)查”源于美國《1930年關(guān)稅法》第337條,該條款規(guī)定,任何向美國出口的產(chǎn)品若涉及侵犯美國的在先知識產(chǎn)權(quán),美國國際貿(mào)易委員會(ITC)將根據(jù)美國的專利及商標(biāo)所有人的申請對他國相關(guān)企業(yè)發(fā)起調(diào)查。“301調(diào)查”源自美國《1974年貿(mào)易法》第301條,該條款授權(quán)美國貿(mào)易代表可對他國的“不合理或不公正貿(mào)易做法”發(fā)起調(diào)查,并可在調(diào)查結(jié)束后建議美國總統(tǒng)實(shí)施單邊制裁,包括撤銷貿(mào)易優(yōu)惠、征收報復(fù)性關(guān)稅等。1990年起,美國取消中國無條件最惠國待遇,在技術(shù)方面進(jìn)行管制;2001年至2017年,美國不斷對中國展開“反補(bǔ)貼與反傾銷調(diào)查”,2005年美國重新將中國列為“重點(diǎn)觀察國家”首位,中美貿(mào)易摩擦不斷。1986年以來,美國已對我國企業(yè)發(fā)起了233起“337調(diào)查”;從1991年以來,美國對我國進(jìn)行了6次“301調(diào)查”。我國已成為美國“337調(diào)查”“301調(diào)查”的最大目標(biāo)國,也是這兩項條款的最大受害國。[1]

        2017年8月,美國貿(mào)易代表辦公室發(fā)起針對中國的第6次“301調(diào)查”,重點(diǎn)涉及以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為代表的中國戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)對美國利益損害情況分析。調(diào)查分析主要有3點(diǎn):中國通過政府推行的鼓勵政策完成對于國外知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)的引進(jìn)、吸收和再創(chuàng)造;中國以市場進(jìn)入條件為要挾,要求外資企業(yè)轉(zhuǎn)讓知識產(chǎn)權(quán);中國在國家主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)基金支持下進(jìn)行跨境收購。結(jié)論認(rèn)為中國的政策正在通過減弱創(chuàng)新的方式扭曲整個市場,削減美國的市場份額,進(jìn)而給美國的國家安全帶來威脅。我國集成電路產(chǎn)業(yè)成為此次“301調(diào)查”的重中之重,隨即2018年3月,美國對中國加征25%關(guān)稅,之后美國又著手限制中國企業(yè)對美國高科技和敏感技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)投資并購,制約我國高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2020年1月15日,中美兩國正式簽署《中美第一階段經(jīng)貿(mào)協(xié)議》,雖然中美貿(mào)易摩擦有所暫緩,但是美國試圖遏制中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的態(tài)度沒有發(fā)生根本變化,對華為的定點(diǎn)打壓手段仍不斷升級。

        (二) 中美貿(mào)易摩擦實(shí)質(zhì)

        一般而言,貿(mào)易戰(zhàn)是對發(fā)展機(jī)會和生存空間的爭奪,是國家間貿(mào)易利益的沖突。自中國成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體以來,出臺一系列政策鼓勵創(chuàng)新,經(jīng)濟(jì)由高速發(fā)展逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)楦哔|(zhì)量發(fā)展。中國在互聯(lián)網(wǎng)、通訊、衛(wèi)星、人工智能等高科技產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域不斷加大投入,開始出現(xiàn)世界一流企業(yè),一部分高科技產(chǎn)品開始在國際市場占據(jù)優(yōu)勢,與美國高科技產(chǎn)品形成競爭關(guān)系,也促進(jìn)了中國的產(chǎn)業(yè)升級。同時隨著“一帶一路”的發(fā)展,中國積極倡導(dǎo)“人類命運(yùn)共同體”和“全球綜合治理”理念,客觀上提高了中國的國際地位。近年來愈演愈烈的中美貿(mào)易摩擦聚焦于高新技術(shù)產(chǎn)業(yè),尤其對集成電路產(chǎn)業(yè)而言,芯片是先進(jìn)武器系統(tǒng)的中樞,是美國軍事霸權(quán)的根基,認(rèn)為芯片產(chǎn)業(yè)不能訴諸國際分工,不能基于商業(yè)邏輯決策。[2]美國強(qiáng)行以“美國至上”的貿(mào)易政策對中國加征關(guān)稅和長臂管轄的做法,名義為平衡中美貿(mào)易逆差,實(shí)質(zhì)則是通過阻止中國的產(chǎn)業(yè)升級進(jìn)一步遏制中國的崛起,從而維護(hù)美國的國際地位以及現(xiàn)有國際秩序。因此,中美貿(mào)易摩擦的實(shí)質(zhì)不僅是兩國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的較量、科技創(chuàng)新的較量,也是兩國國際政治理念的較量。[3]

        二、 中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

        (一) 存儲器是我國集成電路產(chǎn)業(yè)“卡脖子”的重要突破口

        NAND Flash閃存芯片和 DRAM內(nèi)存芯片是當(dāng)前國際市場中最為重要的存儲器產(chǎn)品,中國是全球最大的存儲器市場。從長遠(yuǎn)來看,存儲器對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的塑造更為直接。隨著5G、AI、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等技術(shù)的發(fā)展,存儲器市場需求將呈現(xiàn)指數(shù)級增長。在下一代信息產(chǎn)業(yè)和數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展中,存儲器的基礎(chǔ)性功能作用更加凸顯,誰掌握了存儲器研發(fā)和生產(chǎn)的核心技術(shù),誰將在新一輪的信息產(chǎn)業(yè)和數(shù)字經(jīng)濟(jì)競爭中掌握主導(dǎo)權(quán)。

        我國在存儲器領(lǐng)域布局三大龍頭企業(yè):福建晉華、合肥長鑫、長江存儲。因涉及與美國企業(yè)鎂光知識產(chǎn)權(quán)糾紛,2018年美國狙擊了福建晉華,導(dǎo)致其產(chǎn)線遭受重創(chuàng)。合肥長鑫也因與海外企業(yè)有復(fù)雜的知識產(chǎn)權(quán)關(guān)系尚未明晰,導(dǎo)致前景具有不確定性。 長江存儲堅持以自主創(chuàng)新牽引,研發(fā)緊跟市場應(yīng)用前沿,2019年3季度量產(chǎn)國際領(lǐng)先的基于XtackingTM架構(gòu)64層3D NAND閃存,2020年4月成功推出兩款128層3D NAND芯片產(chǎn)品(分別為容量1.33Tb的128層QLC 3D NAND閃存和512Gb的128層TLC 3D NAND閃存),創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量3個世界第一。長江存儲是繼三星、美光和海力士2019年推出128層3D NAND閃存之后的國際上第4家擁有這一技術(shù)的企業(yè),通過4年的艱辛追趕,長江存儲成功邁進(jìn)全球閃存行業(yè)第一梯隊,將逐步站穩(wěn)國際市場。未來5—10年內(nèi),長江存儲將引領(lǐng)我國存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)規(guī)模同步提升,確保我國在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足,并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈大幅度提升國產(chǎn)化替代,順利實(shí)現(xiàn)從根本上形成突破口解決集成電路產(chǎn)業(yè) “卡脖子”問題。

        (二) 我國存儲器產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境

        近年來我國存儲器產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,在中美貿(mào)易摩擦中有底氣、有信心應(yīng)對“卡脖子”,得益于前期國家和地方政府的政策支持。宏觀性的頂層設(shè)計與微觀性的落地細(xì)則實(shí)施,共同為我國存儲器產(chǎn)業(yè)營造了良好的產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境。

        在國家層面,相繼出臺了一系列相關(guān)支持政策文件,包括《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》(國發(fā)[2000]18號)、《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》(國發(fā)[2011]4號)和《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》(2014年)以及《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》(國發(fā)[2020]8號)4份國家級的集成電路產(chǎn)業(yè)政策文件;《國務(wù)院關(guān)于改進(jìn)加強(qiáng)中央財政科研項目和資金管理的若干意見》(國發(fā)[2014]11號)涉及集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域研發(fā)資金支持政策;財政部、國家稅務(wù)總局、國家發(fā)改委、工信部聯(lián)合出臺《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問題的通知》(財稅[2018]27號)專項支持集成電路企業(yè)稅收優(yōu)惠。這些文件為集成電路產(chǎn)業(yè)包括存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向、技術(shù)創(chuàng)新、金融支持、稅收優(yōu)惠等方面進(jìn)行了頂層設(shè)計。[4]

        在地方政府層面,北京、上海、天津、深圳、南京、合肥、武漢、杭州、重慶、成都、廈門、蕪湖、晉江、無錫、紹興、泉州等地在國家相關(guān)政策的指導(dǎo)下,進(jìn)一步結(jié)合地方集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)際出臺具體的支持政策,從園區(qū)建設(shè)、融資平臺、服務(wù)平臺、人才引進(jìn)等方面細(xì)化落地標(biāo)準(zhǔn),這些標(biāo)準(zhǔn)可操作性強(qiáng)。同時,全國近30個省市成立了集成電路產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金,帶動社會資本共同推動地方集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

        由于集成電路產(chǎn)業(yè)屬于技術(shù)、資金、人才密集型產(chǎn)業(yè),遍地開花式發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)給經(jīng)濟(jì)發(fā)展帶來極大風(fēng)險。加之中美貿(mào)易摩擦的加劇,我國集成電路產(chǎn)業(yè)包括存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的不確定性因素增多,風(fēng)險增大。在各種背景因素的推動下,國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)目前已呈現(xiàn)相當(dāng)程度的資源分散、重復(fù)投入與無序競爭。2018年國家發(fā)改委出臺《國家集成電路重大項目窗口指導(dǎo)意見》,要求按照“主體相對集中、區(qū)域合理布局”的原則,有效遏制地方政府盲目跟風(fēng)投資上馬重大項目,避免資源浪費(fèi)及產(chǎn)生新的經(jīng)濟(jì)風(fēng)險,推進(jìn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。

        (三) 我國存儲器產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)

        當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦加劇,我國存儲器產(chǎn)業(yè)不僅要全國一盤棋加快努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)布局合理,產(chǎn)業(yè)規(guī)模上具有國際競爭力,更要在產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新上依托創(chuàng)新生態(tài)建設(shè)通過科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、高效益、可持續(xù)發(fā)展。存儲器產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)建設(shè)的關(guān)鍵是以企業(yè)為核心,以市場價值為導(dǎo)向,以政府戰(zhàn)略規(guī)劃為引導(dǎo),整合上下游資源,打通產(chǎn)業(yè)鏈,搭建專業(yè)支撐平臺,建立完整、良好的創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境,實(shí)現(xiàn)“科技—經(jīng)濟(jì)—科技”循環(huán)發(fā)展。

        近年來,圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)的國家戰(zhàn)略,在國家發(fā)改委、科技部、工信部等部委的指導(dǎo)下和集成電路產(chǎn)業(yè)相對集聚的省市政府的支持下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域由行業(yè)龍頭企業(yè)聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)及相關(guān)高校成立了一系列的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、行業(yè)聯(lián)盟及協(xié)會。產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心包括國家集成電路創(chuàng)新中心、國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、國家光電子創(chuàng)新中心等;產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟包括集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國半導(dǎo)體三維集成制造聯(lián)盟、集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、集成電路零部件產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟等;中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會指導(dǎo)和支持相關(guān)省市成立了區(qū)域性的半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會。這些產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟及協(xié)會,以集成電路產(chǎn)業(yè)國家重大科技專項為技術(shù)驅(qū)動平臺和紐帶,整合產(chǎn)業(yè)上下游相關(guān)領(lǐng)域創(chuàng)新資源,依托中心、聯(lián)盟、協(xié)會各成員單位的人才、技術(shù)和市場資源,進(jìn)行前瞻布局、促進(jìn)交流合作,實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢互補(bǔ)、信息互通、成果共享,匯聚行業(yè)發(fā)展合力。在人才培養(yǎng)、知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)業(yè)孵化等方面開展全方位合作,加速技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展,推動存儲器產(chǎn)業(yè)整體進(jìn)步。

        三、 我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

        (一) 我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機(jī)遇

        1.市場需求持續(xù)擴(kuò)大

        隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展,智能手機(jī)成為存儲器產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)有力的增長動力。近年來,物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展,大數(shù)據(jù)、云存儲市場需求不斷提升,來自服務(wù)器領(lǐng)域的存儲需求成為了主要動力。未來人工智能、VR/AR、5G等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展,必將再次帶動存儲器市場需求的進(jìn)一步發(fā)展,成為存儲器市場新的增長藍(lán)海。據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)國際數(shù)據(jù)公司(IDC)的首份《全球存貯界》(Global Storage Sphere)報告預(yù)測,從2018到2023年,全球存儲裝機(jī)容量將翻一番,增長到11.7ZB(Zettabyte 澤字節(jié))。存儲市場需求持續(xù)擴(kuò)大必將引發(fā)全球新一輪的存儲產(chǎn)業(yè)洗牌也為我國帶來前所未有的發(fā)展契機(jī)。

        2.我國正在承接第三次大規(guī)模的集成電路產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移

        在區(qū)域方面,從全球范圍來看,集成電路產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生著第3次大轉(zhuǎn)移,即從韓國、臺灣向中國大陸轉(zhuǎn)移。近幾年,在下游通訊、消費(fèi)電子、汽車電子等電子產(chǎn)品需求拉動下,我國集成電路市場需求持續(xù)快速增加,已經(jīng)成為全球最具影響力的市場之一。我國集成電路行業(yè)的發(fā)展為存儲器芯片的研發(fā)制造提供基礎(chǔ),為存儲器行業(yè)發(fā)展帶來發(fā)展機(jī)遇。除了研發(fā)生產(chǎn)傳統(tǒng)型的 DRAM 和 3D NAND 存儲器以外,大數(shù)據(jù)、云計算和人工智能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)對大容量快速存儲器的需求,催生出相變存儲器、磁阻存儲器、阻變存儲器等新型存儲器。我國企業(yè)在新型存儲器的研發(fā)生產(chǎn)上已進(jìn)入全球第一方陣,為未來技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)升級打下基礎(chǔ)。

        3.發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)已成為國家戰(zhàn)略

        存儲器作為信息的核心載體,其自主化程度與自給率嚴(yán)重關(guān)乎國家安全。目前,我國存儲器幾乎全部依賴進(jìn)口,存儲器已成為“卡脖子”的核心產(chǎn)品之一。2016年,國務(wù)院批復(fù)同意國家存儲器基地落戶湖北武漢。這一世界級存儲器基地,將為我國打破主流存儲器領(lǐng)域空白,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)跨越發(fā)展提供重要支撐。同時國家存儲器基地依托長江存儲、武漢新芯等龍頭企業(yè)的牽引作用,帶動存儲器產(chǎn)業(yè)鏈資源聚集,激活產(chǎn)業(yè)投資的乘數(shù)效應(yīng)以促進(jìn)國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。通過存儲器產(chǎn)業(yè)鏈資源聚集,進(jìn)一步將武漢打造為世界存儲之都,促進(jìn)與國際存儲產(chǎn)業(yè)互聯(lián)互通、共生共榮。

        (二) 我國存儲器產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)

        1. 行業(yè)高度壟斷,進(jìn)入壁壘高

        存儲器行業(yè)高度壟斷,寡頭占全球市場份額90%以上。存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、專利、人才幾乎都被幾家寡頭企業(yè)掌握。以DRAM產(chǎn)業(yè)為例,在全球發(fā)展了幾十年,制程技術(shù)持續(xù)進(jìn)步,在架構(gòu)、制程、設(shè)計、接口、測試、系統(tǒng)等方面存在很多專利,且絕大部分控制在三星、海力士和美光手中。新進(jìn)者是否擁有合規(guī)的技術(shù)來源以及自主創(chuàng)新能力成為立足發(fā)展的關(guān)鍵。

        存儲器制造業(yè)是個重資產(chǎn)行業(yè),前期研發(fā)需要耗費(fèi)大量的資金,設(shè)備折舊快,需要持續(xù)性投入、長遠(yuǎn)穩(wěn)定的政策和大量的技術(shù)積累,往往也需要經(jīng)歷多年的虧損才能盈利。而且既得利益的寡頭企業(yè)可以通過操縱市場價格、脅迫客戶簽署排他性條款等手段來阻止行業(yè)的新進(jìn)入者。

        2. 產(chǎn)業(yè)鏈缺口大,專利布局少

        我國存儲器產(chǎn)業(yè)鏈缺口大,對外依賴度高。在設(shè)備領(lǐng)域,90%以上的生產(chǎn)設(shè)備需要從國外采購;材料領(lǐng)域,硅晶圓等多種材料被日本壟斷;EDA設(shè)計工具領(lǐng)域,美國Synopsys、Cadence、Mentor三大公司占95%以上市場份額。我們在集成電路領(lǐng)域投入了龐大資金,建起了一批晶圓廠、封裝廠,扶植起了一批集成電路設(shè)計企業(yè)、裝備企業(yè)、材料企業(yè),但是我們的“脖子”還是被美國人抓在手里,關(guān)鍵的EDA產(chǎn)業(yè)被美國人牢牢把控。在日韓貿(mào)易戰(zhàn)中,日本通過氟化氫等3種材料直接卡住了韓國半導(dǎo)體的脖子。產(chǎn)業(yè)鏈的缺口無疑限制了我國存儲器產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。

        在知識產(chǎn)權(quán)布局方面,國外存儲寡頭企業(yè)在全球擁有超過萬件專利,已構(gòu)筑起DRAM以及3D NAND等存儲器專利壁壘,專利早已成為打擊競爭對手的重要武器。我國企業(yè)在專利申請量上明顯處于劣勢,而且由于中美貿(mào)易摩擦的持續(xù)升級,通過獲得許可或者收購的方式解決知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險,存在巨大的阻礙。[5]在未來的市場競爭中,我國存儲企業(yè)將面臨較大的知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險。

        3. 基礎(chǔ)人才不足,高端人才較少

        中國電子信息產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(2018—2020)》指出,到2022年前后,我國集成電路產(chǎn)業(yè)人才需求規(guī)模約為74.45萬人左右,至2019年底,我國集成電路產(chǎn)業(yè)人才存量僅為51.19萬左右,缺口超過23萬。年均人才需求數(shù)為7.67萬左右,而進(jìn)入到本行業(yè)就業(yè)的集成電路領(lǐng)域畢業(yè)生不足4萬人,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足國家集成電路產(chǎn)業(yè)快速增長的需求。由于集成電路行業(yè)工資水平較金融、互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域還有一定差距,導(dǎo)致部分專業(yè)人才流失,如2019年我國僅有12.92%集成電路行業(yè)人才、集成電路專業(yè)的畢業(yè)生進(jìn)入該領(lǐng)域工作。在存儲器領(lǐng)域,有產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗的高端人才基本都集中在國外幾家寡頭企業(yè),三星的存儲芯片研發(fā)人員就有6 500人。寡頭企業(yè)通常會用技術(shù)隔離、高薪挖人等手段限制新進(jìn)入者。在當(dāng)前全國各省市加大集成電路產(chǎn)業(yè)投入,重大項目持續(xù)集中投產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn)的關(guān)口,各省人才需求強(qiáng)烈。

        4. 起步時間較晚,資金投入不足

        我國正式啟動存儲器產(chǎn)業(yè)的時間晚于美國、日本、韓國,對于集成電路產(chǎn)業(yè)的投資也嚴(yán)重不足。2004—2013年(大基金設(shè)立前10年),全球集成電路投資總額5 270億美元,同期我國約86億美元,占全球總投入1.6%。2016年,中國集成電路總投資100億美元,而英特爾一家的研發(fā)支出就達(dá)127億美元。國內(nèi)企業(yè)的研發(fā)投入也嚴(yán)重不足。2017年,全球18家研發(fā)投入超10億美元的芯片企業(yè)都在國外。2019年臺灣臺積電研發(fā)支出達(dá)150億美元,比上年增加40億美元,而僅僅增加的用于7nm和5nm的40億美元投資,已經(jīng)超過中芯國際2018年全年的營業(yè)收入。研發(fā)投入的巨大差距,將進(jìn)一步拉開我國同國外的產(chǎn)業(yè)差距。

        四、 我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展對策建議

        (一) 充分發(fā)揮新型體制優(yōu)勢,加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展組織和領(lǐng)導(dǎo)

        國際集成電路發(fā)展歷史經(jīng)驗表明,集成電路產(chǎn)業(yè)從來都不是完全的市場行為,必須在很大程度上依靠政府力量推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展,美國、歐洲、日本、韓國、新加坡等集成電路產(chǎn)業(yè)先進(jìn)國家及中國臺灣地區(qū)都是如此。集成電路產(chǎn)業(yè)是一個資金密集、技術(shù)密集和人才密集的產(chǎn)業(yè),從我國目前現(xiàn)狀來看,在這三方面與先進(jìn)國家均存在巨大差距,而且在各種背景因素的推動下,國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)目前已呈現(xiàn)相當(dāng)程度的資源分散、重復(fù)投入與無序競爭。全球存儲器產(chǎn)業(yè)總是呈現(xiàn)周期性起伏,通常只有國家意志才有堅持下去的可能性。不懼怕暫時的虧損,才有可能成功。[6]在新一輪的國際集成電路產(chǎn)業(yè)競爭中,我國要從發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略目標(biāo)出發(fā),充分發(fā)揮國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組的統(tǒng)籌協(xié)調(diào)作用,以及國家有關(guān)部委的“窗口指導(dǎo)”作用,進(jìn)一步明確產(chǎn)業(yè)的突破口,固化布局,集中主體,充分發(fā)揮新型舉國體制的優(yōu)勢,整合國家、地方和社會資本的力量對關(guān)鍵領(lǐng)域和龍頭企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能提升實(shí)施聚焦突破。發(fā)揮國家大基金投資導(dǎo)向作用,通過政策激勵,引導(dǎo)地方集成電路產(chǎn)業(yè)基金和社會資本,對存儲器重大項目和龍頭企業(yè)加大投資力度。采用“揭榜制”方式鼓勵存儲器相關(guān)科研平臺、行業(yè)聯(lián)盟及協(xié)會協(xié)同創(chuàng)新,對產(chǎn)業(yè)鏈細(xì)分領(lǐng)域創(chuàng)新實(shí)施分頭攻關(guān),避免重復(fù)投入。

        (二) 制定國產(chǎn)化替代的行動方案和時間進(jìn)度表

        中美貿(mào)易摩擦使我們深刻認(rèn)識到國產(chǎn)化替代的必要性、緊迫性與不可逆性,在當(dāng)前形勢下加強(qiáng)存儲產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化替代不僅是促進(jìn)我國存儲器產(chǎn)業(yè)規(guī)模發(fā)展的需要,更是我國信息產(chǎn)業(yè)安全可控的需要。加快推進(jìn)存儲器產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化替代進(jìn)程,制定具有可行性與可操作性的國產(chǎn)化替代行動方案和時間進(jìn)度表,加強(qiáng)統(tǒng)籌協(xié)調(diào),明確實(shí)施主體,壓實(shí)責(zé)任,并出臺相應(yīng)的國產(chǎn)化替代鼓勵性政策激發(fā)研發(fā)端、生產(chǎn)端和應(yīng)用端的積極性。通過應(yīng)用牽引、用戶導(dǎo)向,從材料、設(shè)備、EDA工具等產(chǎn)業(yè)鏈等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)分類梳理國產(chǎn)化替代的基礎(chǔ)性和可行性,分別實(shí)施聚焦突破。支持技術(shù)成熟、性能良好的產(chǎn)品進(jìn)入國家安可工程、政府采購目錄,形成國產(chǎn)化替代應(yīng)用示范。通過示范性應(yīng)用經(jīng)驗推廣帶動存儲器全產(chǎn)業(yè)鏈加快自主創(chuàng)新,加強(qiáng)研發(fā)端、生產(chǎn)端和使用端的深度交流,不斷提升技術(shù)水平和產(chǎn)品性能,加快產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)內(nèi)生動力循環(huán),以產(chǎn)品性能提升和產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善來為我國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供廣闊的戰(zhàn)略性空間,進(jìn)一步增強(qiáng)我國存儲器產(chǎn)業(yè)的國際競爭力。

        (三) 進(jìn)一步擴(kuò)大開放合作,構(gòu)建存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展共同體

        存儲器產(chǎn)業(yè)是高度國際化分工合作的產(chǎn)業(yè),任何一個國家都不可能獨(dú)立完成從原材料、設(shè)備、技術(shù)到應(yīng)用端全產(chǎn)業(yè)鏈的業(yè)務(wù)。在當(dāng)前貿(mào)易摩擦加劇的形勢下,我們既要在關(guān)鍵性材料、設(shè)備、技術(shù)積極進(jìn)行攻關(guān)突破“卡脖子”,同時也要有積極心態(tài)努力引導(dǎo)國際社會消除貿(mào)易歷史積怨,進(jìn)一步擴(kuò)大開放合作,通過加強(qiáng)與其他國家的合作降低對美國出口的依賴程度。特別是通過“一帶一路”倡議拓展新興國家市場,調(diào)整銷售區(qū)域結(jié)構(gòu),促進(jìn)出口市場多元化。另一方面,創(chuàng)造良好的投資環(huán)境,加大招商力度,吸引外資來華投資,與海外存儲器領(lǐng)軍企業(yè)進(jìn)行技術(shù)合作,通過聯(lián)合研發(fā)、知識產(chǎn)權(quán)互換、交叉許可、捆綁等多種方式,做到你中有我、我中有你,形成存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新國際化深度合作格局,將海外企業(yè)與我國企業(yè)進(jìn)行技術(shù)與效益雙重捆綁,形成命運(yùn)共同體。在中美貿(mào)易摩擦全面升級背景下,這些海外企業(yè)在華利益能增加我們談判籌碼。此外,要聚焦那些不利于在國內(nèi)構(gòu)建開放型全球產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的瓶頸,充分發(fā)揮政策創(chuàng)新優(yōu)勢,創(chuàng)造性解決企業(yè)高度關(guān)注的痛點(diǎn),推動國內(nèi)企業(yè)加快融入全球范圍內(nèi)的分工協(xié)作共享。[7]

        (四) 加快存儲器人才支撐體系建設(shè)

        制定存儲器產(chǎn)業(yè)人才的中長期規(guī)劃,加快存儲器產(chǎn)業(yè)人才“外引內(nèi)育”,形成多層次人才培養(yǎng)體系。以國家示范性微電子學(xué)院創(chuàng)建為引領(lǐng),鼓勵基礎(chǔ)條件較好的學(xué)校設(shè)立微電子學(xué)院或芯片產(chǎn)業(yè)學(xué)院,根據(jù)實(shí)際基礎(chǔ)條件進(jìn)行博士、碩士、本科不同層次的培養(yǎng),密切結(jié)合存儲器產(chǎn)業(yè)一線需求分類培養(yǎng)工程師和技師。鼓勵龍頭企業(yè)牽頭,聯(lián)合高校、科研院所建設(shè)實(shí)訓(xùn)平臺,由政府、企業(yè)、高校、科研院所聯(lián)合出資,建章立制,確定開放對象、開放時間,建立定期升級制度和年度考核機(jī)制,提高實(shí)訓(xùn)平臺效益,通過實(shí)訓(xùn)平臺解決人才培養(yǎng)從高校到企業(yè)中間銜接缺失問題。規(guī)范存儲器重大項目人才流動機(jī)制,保障重大項目人才隊伍穩(wěn)定;加大本土人才培養(yǎng)力度,大膽使用本土人才承擔(dān)重任,在實(shí)戰(zhàn)中鍛煉人才快速成長。著力引進(jìn)海外高層次人才和高端創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新團(tuán)隊,制定并實(shí)施針對存儲器產(chǎn)業(yè)從業(yè)人員的個人所得稅優(yōu)惠減免政策。

        當(dāng)前美國一系列的貿(mào)易保護(hù)主義、單邊主義行為給世界經(jīng)濟(jì)增長以及國際秩序穩(wěn)定帶來深遠(yuǎn)的不良影響,中美貿(mào)易摩擦將在較長一段時間內(nèi)持續(xù)呈現(xiàn)出復(fù)雜性和常態(tài)性。我國存儲器產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持定力,充分發(fā)揮國內(nèi)龐大應(yīng)用市場資源優(yōu)勢和社會投資熱情,加快提升自主創(chuàng)新能力,完善全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。通過聚焦技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能爬坡,以用戶需求為導(dǎo)向,以國產(chǎn)化替代為抓手,練好內(nèi)功,提升國際競爭力,實(shí)現(xiàn)我國存儲器產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

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