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        硅材料雜質(zhì)元素檢測技術(shù)對比研究

        2020-01-19 05:33:33王麗娜寧夏東夢新材料有限公司
        環(huán)球市場 2020年20期
        關(guān)鍵詞:紅外光譜儀輝光傅立葉

        王麗娜 寧夏東夢新材料有限公司

        硅材料雜質(zhì)元素檢測,常見的檢測技術(shù)有:電感耦合等離子體質(zhì)譜儀、輝光放電質(zhì)譜儀、傅立葉紅外光譜儀等方面。由于技術(shù)的不同,所檢測的效果也是不同的。基于此,本文就各項硅材料雜質(zhì)元素檢測技術(shù)進行了比較,其目的就是尋找一種檢測限低、能同時檢測出多元素的快速分析方法,并對其相關(guān)行業(yè)的發(fā)展,給予技術(shù)支持。

        一、常見的硅材料雜質(zhì)元素檢測技術(shù)

        由于硅材料中所含雜質(zhì)元素相對較為復雜,所以在做硅材料雜質(zhì)元素檢測的時候,只有采取合理的檢測技術(shù),才能保證硅材料雜質(zhì)元素檢測的效果[1]。下面就常見的硅材料雜質(zhì)元素檢測技術(shù)內(nèi)容,展開了分析和闡述。

        (一)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀

        (1)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀在硅材料雜質(zhì)元素檢測時,首先要將樣品溶液進行霧化處理,處理完之后,再將其送入ICP中心石英管內(nèi),在高溫和惰性氣體中,形成氣化的狀態(tài);在形成氣化以后,再展開進一步的處理,以此解出離子化氣體;最后,在形成離子化氣體后,再將其進行進一步轉(zhuǎn)化成帶正電荷的離子,并且經(jīng)過濾器進行荷質(zhì)比分離,既可以按照荷質(zhì)比進行半定量分析也可以按照其特定離子數(shù)目進行定量分析,以此到達檢測的目的。利用檢測器對技術(shù)和濃度等方面進行全面的檢測,明確各個方面之間的關(guān)系,這樣可以準確的檢測出其中是否含有雜質(zhì)元素,如果有可以確定其含量。電感耦合等離子體質(zhì)譜儀在檢測的時候,每分鐘大約可以檢測出5~20個雜質(zhì)元素,其效率相對較高。

        (2)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀在樣品處理的時候,需要將硅料研磨成粉,再將其放置在PTFE消解罐中進行消解,且粉末越細,消解的效率也越高。電感耦合等離子體質(zhì)譜儀在檢測的時候,性價比相對較高,但是樣品處理相對較為復雜,并且還容易被污染[2]。另外,硅料與HF反應(yīng)生成SiF4,在加熱的情況下,受溫度的影響,會導致硅料中的雜質(zhì)測量難度相對較高。所以,電感耦合等離子體質(zhì)譜儀的使用效率不是很高。

        (二)輝光放電質(zhì)譜儀

        (1)輝光放電質(zhì)譜儀在硅材料雜質(zhì)元素檢測中,其效果是非常好的,檢測技術(shù)流程也相對較為便捷。輝光放電質(zhì)譜儀在具體實施的時候,主要是將輝光放電離子源與高分辨率質(zhì)譜相互結(jié)合,這樣就能準確的分析出硅材料中是否存在雜質(zhì)元素。同時,輝光放電質(zhì)譜儀在檢查的時候,能直接利用低壓惰性氣體電離出電子,這樣可以加速正離子與待測樣品進行撞擊,以此形成陰極產(chǎn)生,并且產(chǎn)生濺射。另外,在產(chǎn)生待測離子以后,有效提升檢測的準確性與效率。

        (2)輝光放電質(zhì)譜儀在樣品處理的時候,需要將其加工成表面光滑的狀態(tài),以保證輝光放電質(zhì)譜儀檢測的效果。但是,在輝光放電質(zhì)譜儀檢測的時候,其分辨率相對較差,所以要與其他技術(shù)相互配合。

        (三)傅立葉紅外光譜儀

        (1)傅立葉紅外光譜儀主要是針對半導體材料中,硅材料所含有的雜質(zhì)元素進行檢測,這些雜質(zhì)的外層電子和空穴,在半導體中的能量,一般都是處于能級的禁帶中,在受外界能量影響的時候,若是外界能量具有良好的合適性,所含有的雜質(zhì)元素就會被吸收,以此有效分析硅材料中是否含雜質(zhì)元素[3]。

        (2)傅立葉紅外光譜儀在檢測的時候,由于硅材料雜質(zhì)元素的不同,能極差也存在著較大的差異,所吸收的紅外光波長也有所不同。傅立葉紅外光譜儀通過利用紅外光可以測量到淺能雜質(zhì)元素,并且在吸收光譜圖中清晰的顯示,以便對硅料中所含雜質(zhì)元素進行分析。

        (3)傅立葉紅外光譜儀可以實現(xiàn)單晶和多晶一同檢測,其檢測效率是非常高的。同時,傅立葉紅外光譜儀在檢測的時候,需要對樣品進行研磨和處理,針對樣品實際需求,可以加工成所需要的形狀和尺寸,保證樣品表面的平整度,這樣可以為傅立葉紅外光譜儀檢測,提供相對便利的條件。

        二、技術(shù)對比

        近幾年,隨著硅材料雜質(zhì)元素檢測技術(shù)的發(fā)展,其檢測準確性相對較為穩(wěn)定,在檢測的時候,一般都是利用傅立葉紅外線進行初步的測試,再利用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀進行雜質(zhì)元素的檢測。但是,在檢測中,可以逐漸發(fā)現(xiàn)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀對一些雜質(zhì)元素是無法展開檢測的,這時就需要利用輝光發(fā)電質(zhì)譜儀的方式。主要是因為輝光發(fā)電質(zhì)譜儀在制作樣品時候相對較為簡單,也不會對樣品造成大的損壞,可以有效檢測出會硅材料中所含的雜質(zhì),但是還需要與其他的檢測技術(shù)相配合,以此解決分辨率較低的問題,確保良好的檢測效果[4]。另外,在檢測的時候,對樣品的處理有著很大的不同,輝光放電質(zhì)譜儀不僅操作相對較為簡單,也不會造成嚴重的污染。

        三、結(jié)束語

        通過對電感耦合等離子體質(zhì)譜儀、輝光放電質(zhì)譜儀、傅立葉紅外光譜儀的對比,可以知道在硅材料雜質(zhì)元素檢測的時候,需要根據(jù)實際需求,采取合適的檢測技術(shù)形式進行配合,這樣才能準確的檢測出硅材料中所有的雜質(zhì)元素,以此保證硅材料雜質(zhì)元素檢測的效果和效率。

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