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        太陽能集熱及用于提升低品位熱能的理論分析*

        2019-11-05 02:05:30姜海洋程曉舫
        新能源進展 2019年5期
        關(guān)鍵詞:集熱熱能工質(zhì)

        姜海洋,程曉舫

        (中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 熱科學(xué)和能源工程系,合肥 230026)

        0 引 言

        太陽能、地?zé)崮芎惋L(fēng)能等被認為是綠色的可再生能源。由于太陽能分布范圍廣、綠色無污染等優(yōu)點,太陽能熱發(fā)電[1-2]和太陽能熱利用[3-4]技術(shù)被越來越多地運用到生活和生產(chǎn)過程中。熱能又可分為低品位熱能和高品位熱能兩種。低品位熱能是指難以利用的熱能,如海水具有的熱能、淺層地?zé)峋哂械臒崮?、工業(yè)廢熱排放的熱能等等。其溫度一般高于環(huán)境溫度,讓其降低 1℃釋放出很大的熱量,但是這些能量很難用于我們的生活用能或工業(yè)用能,故稱為低品位熱能。在太陽能集熱過程中,集熱器可把太陽能聚集在很小的集熱面上,可以獲得 100℃或高至數(shù)千度的集熱溫度。通過太陽能對物體進行集熱加熱,可將熔鹽(60% NaNO3和40% KNO3)加熱到550℃[5],可見太陽能加熱物體獲得的熱能比低品位熱能的品位要高很多??梢岳锰柲軐Φ推肺粺崮苓M行輔熱,通過集熱使低品位熱能的溫度上升,達到品位提升的目的。當(dāng)溫度達到 85℃[6]以上時可用于制冷,現(xiàn)已有成熟的熱水型溴化鋰吸收式制冷[7]技術(shù)。

        在太陽能光熱利用中,以色列科學(xué)家 TABOR最早提出太陽能光譜選擇性涂層的吸收理論[8],理論一經(jīng)提出,太陽能光譜選擇性涂層便成為太陽能材料的研究焦點。世界各國研究者在太陽能選擇性吸收材料以及材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計方面做了大量的研究[9-10]。對于太陽能集熱器,不論吸熱面的溫度高低,輻射熱損總是大于自然對流熱損,溫度越高,兩者差值越大[11]。因此在減小太陽能集熱器的熱損時,最有效的措施是減小輻射熱損。本文在上述研究的基礎(chǔ)上,給出了選擇性涂層最佳截止波長的設(shè)計原理。并從基礎(chǔ)的理論知識出發(fā),系統(tǒng)分析了太陽能集熱以及太陽能用以提升低品位熱能所遇問題的理論。為太陽能集熱的優(yōu)化設(shè)計以及更好地推廣應(yīng)用提供一定的理論依據(jù)。

        1 太陽能集熱理論分析

        1.1 太陽能集熱溫度

        在太陽能集熱的過程中,不考慮自然對流熱損,對物體進行分析,其獲得的能量等于太陽輻照能減去其自身向外界輻射的能量,有:

        式中:qr為物體獲得的能量,W;B為集熱度,也稱聚光比,指集熱器的采光面積與吸收體的面積比;Sc為太陽常數(shù),Sc=1353 (W/m2);ε為物體的發(fā)射率;Eb(T)為物體向外界輻射的能量;T為物體的溫度,K。

        根據(jù)波爾茲曼定律有:

        式中:σ為玻爾茲曼常數(shù),σ=5.670×10-8W/(m2?K4)。當(dāng)物體達到熱平衡時,即物體獲得的太陽輻射能等于其向外界輻射的能量,物體溫度不再繼續(xù)上升,達到了最高的溫度上限,此時qr=0,代入式(1)得:

        結(jié)合式(2)和式(3),并代入太陽常數(shù)值可得:

        根據(jù)式(4),繪出圖1。

        圖1 物體溫度與集熱度和發(fā)射率之間的關(guān)系Fig.1 Relationship between object temperature and heat collection and emissivity

        由圖1可知,物體的溫度T與B/ε呈現(xiàn)正相關(guān),一個溫度值只有一個B/ε值與之相對應(yīng),當(dāng)物體的發(fā)射率一定,可通過相應(yīng)的溫度來選擇集熱度;給定一個溫度可選擇合適的B/ε。圖1同時給出了在對特定物體的加熱過程中,物體的發(fā)射率是固定的,可以計算在一定集熱度B的作用下,物體所能達到的最高溫度。

        1.2 選擇性涂層設(shè)計

        在集熱過程中,為讓太陽能輻射能流最大限度地流向物體,即太陽輻射能流形成“單向流動”,可在太陽輻射和物體之間放置一塊有波段透過率的輻射傳輸介質(zhì)——選擇性涂層,就可形成方向明確的熱流。根據(jù)普朗克定律,黑體的熱流密度表達式為:

        式中:C1=3.742 × 108(W·μm4/m),C2=1.439×104(μm·K)。根據(jù)式(5),繪出圖2。

        圖2 物體溫度的光譜發(fā)射功率圖Fig.2 Spectral emission power diagram of object temperature

        圖2給出了太陽溫度下的光譜發(fā)射功率與光譜的關(guān)系,在地表接收到的輻射(B= 1)及不同集熱度下的關(guān)系圖,以及不同溫度下物體輻射功率和光譜的關(guān)系圖。可以看出,峰值波長隨溫度的升高而減小,不同集熱度下太陽的輻射能總是集中在波長0.5 μm左右,而物體輻射能集中在5 μm以上,從而與接收的太陽能輻射能產(chǎn)生波長上的錯位。當(dāng)被輔熱物體溫度未達到太陽溫度時,其光譜輻射的峰值波長總是大于太陽光譜輻射的峰值波長,因此可采用“低通”的選擇性波段,讓太陽峰值波長附近的光譜輻射能夠“穿過”并被物體吸收,而物體峰值波長附近的光譜輻射被“擋住”而無法輻射出去,這樣就能達到物體溫度迅速升高之目的。分析圖2中各曲線與橫軸所圍成的面積,即輻射能的數(shù)據(jù)見表1。

        表1 曲線與橫軸所圍成的面積表Table 1 Area table enclosed by curve and horizontal axis

        從表1中數(shù)據(jù)可看出,B= 1時和溫度393 K時兩曲線與橫軸所圍面積(輻射能)相等,符合式(3)中的平衡狀態(tài),即在B= 1時可得到的物體最高溫度為393 K,從而與圖1相對應(yīng)。可畫出393 K和B=1的原始坐標(biāo)比例圖,見圖3。

        圖3 溫度393 K和B = 1的光譜發(fā)射功率原始坐標(biāo)比例圖Fig.3 Original coordinate scale of spectral emission power at T = 393 K and B = 1 respectively

        其原始坐標(biāo)比例圖體現(xiàn)出面積的直觀表現(xiàn),圖2中對數(shù)坐標(biāo)能體現(xiàn)出兩曲線的交叉點的波長坐標(biāo),從圖中得到B= 1與393 K兩曲線交叉點的波長為3.39 μm。由于曲線與橫坐標(biāo)所圍面積代表著對應(yīng)的輻射能,從圖中可看出要想獲得最大的能量,即太陽能的輻射能減去物體向外的輻射能最大??赏ㄟ^利用選擇性涂層,設(shè)置截止波長λc,波長小于λc時其透過率可設(shè)置為1,當(dāng)波長大于λc時透過率可設(shè)為0,此時其兩曲線在波長 0-λc處與橫坐標(biāo)圍成的面積最大,也即物體獲得的能量最大,傳統(tǒng)的集熱器的截止波長設(shè)為2.5 μm,沒有達到太陽能熱利用的最大化,設(shè)為3.39 μm應(yīng)為最優(yōu)的選擇。B值不同,其達到的最大溫度曲線也不同,故其交叉點的波長也不同,選擇性涂層應(yīng)根據(jù)不同的B曲線與式(4)計算的最大溫度曲線的交叉點為截止波長。

        1.3 物體溫度與時間的關(guān)系

        在太陽能集熱的過程中,必不可少的是被加熱物體溫度和加熱時間的關(guān)系,而大量的文獻都是從實驗的角度研究,缺少相應(yīng)的理論知識。本文利用傳熱學(xué)知識,以被加熱物體為研究對象,建立被加熱物體內(nèi)部的控制體能量方程:

        不考慮物體內(nèi)部的流動、忽略物體內(nèi)部的溫差(物體內(nèi)部的導(dǎo)熱熱阻小于物體與周圍環(huán)境的自然對流換熱熱阻),利用集總熱容法,簡化可得:

        式中:ρ為物體的密度,kg/m3;c為物體的熱容,kJ/(kg·K);V為物體的體積,m3;θ為物體的加熱時間,s;為對流換熱系數(shù),W/(m2·K);T∞為環(huán)境溫度。在環(huán)境作用下,對上式溫度求解可得:

        式中:τ為溫差,K;H為裝置的厚度,m。該式給出了被加熱物體溫度與加熱時間之間的關(guān)系,從式中可看出影響物體溫度上升快慢的因素,如被加熱物體的容積熱容量ρc,裝置厚度H等。通過上式可以看出各個因素對物體溫度影響的趨勢,也可用于計算這些因素對物體溫度的具體影響數(shù)值。

        2 引入低品位熱能的問題和解決方法

        上述給出了太陽能集熱的相關(guān)理論研究,把太陽能用以提升低品位熱能,由于低品位熱能的溫度Tf要高于環(huán)境的溫度T∞,讓其加熱到溫度T有:

        假設(shè)低品位熱能由溫度T∞加熱到Tf,則有:

        故有:θ=θ0+θf,對式(7)進行加項簡化處理后可得:

        對溫度為Tf的低品位熱源用太陽能輔熱進行品位提升,會遇到這樣的問題:引入低品位熱能后,式(11)變?yōu)槭剑?),加熱時間從θ減小到θf,即部分太陽能無法對溫度為Tf的低品位熱源進行加熱,浪費掉了從T∞加熱到Tf的太陽能加熱時間θ0,如何把無法利用的太陽能照射時間θ0也充分利用起來是加熱低品位熱能所需解決的問題。

        對式(10)進行全微分處理得:

        對上式進行計算整理可得:

        上式給出了被加熱物體溫度的四種影響因素,并給出了影響的趨勢。但在確保集熱裝置不變的情況下,對特定的低品位熱能進行加熱,其無法利用的太陽能照射時間θ0是不變的,B和對流換熱系數(shù)也是不變的,因此只有改變工質(zhì)容積熱容量ρc。在太陽能無法對溫度為Tf的低品位熱源加熱時,可通過引用ρc比較小的新工質(zhì),使新工質(zhì)的溫度在同樣的太陽能輻照下加熱到高于溫度Tf,然后利用溫差讓新工質(zhì)對低品位熱能間接加熱,從而使這部分太陽能利用起來,實現(xiàn)太陽能利用最大化。

        在其他條件不變的情況下,引入新工質(zhì)(ρc)*后式(10)可寫為:

        式(10)和式(14)化簡后相比可得下式:

        式(15)給出了通過引入新工質(zhì)后,新工質(zhì)的溫度和參數(shù)之間的對應(yīng)關(guān)系,可計算所需溫度下需要改變參數(shù)的具體數(shù)值。

        3 新工質(zhì)引入后的分析

        新工質(zhì)引入后,由于兩工質(zhì)之間介質(zhì)的存在,熱阻必然增加,就需要考慮兩者之間的傳熱問題。其傳熱原理可等同于復(fù)合壁結(jié)構(gòu),溫差是其熱量傳遞的動力,兩者傳遞的熱量的關(guān)系式可寫為:

        式中:h1、h2為傳熱介質(zhì)兩側(cè)對應(yīng)的對流換熱系數(shù);δ為傳熱介質(zhì)的厚度;k為傳熱介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù)。對式(16)進行變形可得:

        在給定低品位熱能的溫度下,根據(jù)低品位熱能的利用要求,通過之前的分析可得到相應(yīng)的T*、Tf和qr的值,因此在設(shè)計過程中必須按照式(17)的關(guān)系控制傳熱熱阻,其設(shè)計的熱阻值與此值相比越小越好,越小越有利于熱量的傳遞。

        4 結(jié) 論

        (1)利用能量守恒定律,給出被加熱物體溫度與集熱度和發(fā)射率之間的關(guān)系,為太陽能集熱中集熱度的選擇提供了依據(jù),同時可計算在特定集熱度和發(fā)射率的情況下,被加熱物體溫度的最高上限。

        (2)通過對物體溫度的光譜發(fā)射功率圖分析,給出了選擇性涂層的最佳截止波長設(shè)計依據(jù),集熱度B= 1時,選擇性涂層的最佳截止波長為3.39 μm,不同的集熱度下,物體所能達到的最高溫度不同,其與最高溫度的光譜發(fā)射曲線交叉點處的波長即為選擇性涂層的最佳截止波長。

        (3)利用集總參數(shù)法,計算出被加熱物體溫度與加熱時間之間的關(guān)系式,可用于計算不同因素對被加熱物體溫度的影響。

        (4)分析引入低品位熱能后,太陽能集熱會出現(xiàn)輻照時間縮短的問題,提出利用無法對低品位熱能加熱的太陽輻照,加熱另一ρc不同的物體,使其溫度高于低品位熱能的初始溫度,利用溫差對低品位熱能進行加熱,實現(xiàn)低品位熱能引入后無法利用的太陽能被再利用。

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