劉鑫 代廣珍 姜永召 劉宇航 韓名君

摘 要：研究組分變化中InxGa1xN材料光學性能的變化.通過摻雜方式改變InxGa1xN材料In組分含量，獲得計算模型.計算結(jié)果表明，隨著In組分的增加，價帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，從而影響了電子的遷移及其內(nèi)量子效率;材料的折射系數(shù)、吸收系數(shù)、反射系數(shù)以及能量損失系數(shù)均發(fā)生變化;In組分為0.5時，能量損失峰值最小，有利于提升紫外光的出光效率.

關鍵詞：GaN基材料;第一性原理;光學特性