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        微波零相位法測(cè)量超導(dǎo)加速器ps級(jí)電子束縱向長度

        2019-06-14 03:58:32勞成龍王建新和天慧單李軍肖德鑫
        原子能科學(xué)技術(shù) 2019年6期
        關(guān)鍵詞:束流電子束方根

        羅 星,勞成龍,王建新,吳 岱,周 奎,和天慧,單李軍,肖德鑫

        (中國工程物理研究院 應(yīng)用電子學(xué)研究所,四川 綿陽 621900)

        中國工程物理研究院太赫茲自由電子激光(CTFEL)[1-4]為超導(dǎo)加速器驅(qū)動(dòng)的CW光腔型自由電子激光(FEL),其對(duì)電子束亮度的要求可用增益因子G來表示[5-7],G表示每團(tuán)電子束經(jīng)過后,光腔中的光場(chǎng)增大的倍數(shù)。G決定了FEL能否飽和及飽和出光所需的時(shí)間,正比于電子束的峰值電流Ip。在電子束電荷量一定的情況下,電子束縱向長度越小,Ip越大,則G越大,F(xiàn)EL越易達(dá)到飽和,因此電子束縱向長度存在一上限。理論計(jì)算表明,要實(shí)現(xiàn)大于10 W平均功率的飽和輸出,電子束平均束流強(qiáng)度為5 mA時(shí),縱向半高寬需小于8 ps[8]。

        微波零相位法[9]是采用加速腔作為調(diào)制腔,使調(diào)制腔處于上坡與下坡兩個(gè)不同的零相位,對(duì)電子束產(chǎn)生兩種不同的能量調(diào)制。當(dāng)電子束縱向長度足夠小時(shí),零相位附近電場(chǎng)強(qiáng)度與相位近似為線性關(guān)系,從而能量調(diào)制與電子束縱向分布可進(jìn)行耦合,即得到沿束團(tuán)的時(shí)間相關(guān)動(dòng)量分散,類似于光學(xué)中的啁啾信號(hào)。通過束線下游的分析磁鐵偏轉(zhuǎn),可測(cè)量得到能散的變化情況,將縱向動(dòng)量分散轉(zhuǎn)化為水平位置分散,則可反推得到電子束在調(diào)制前的縱向長度信息。由于越短的電子束團(tuán)通過微波場(chǎng)其線性越好,因此微波零相位法可測(cè)量超短電子束縱向長度,測(cè)量能力可達(dá)幾十fs量級(jí),常用于FEL等需測(cè)量短束長的情況[10-12]。

        超導(dǎo)加速器增能前,通過條紋相機(jī)測(cè)量切倫科夫輻射得到CTFEL的電子束縱向長度。增能后,由于光學(xué)渡越輻射的發(fā)射功率太小,而切倫科夫輻射在測(cè)量短束長時(shí)由于電子束穿過晶體的延時(shí)及寬譜的切倫科夫輻射穿過窗口由色差造成的延時(shí),會(huì)引起較大的測(cè)量誤差,因此對(duì)于測(cè)量縱向長度較小的電子束將不再適用。由于CTFEL超導(dǎo)加速單元的兩個(gè)超導(dǎo)腔可獨(dú)立調(diào)節(jié)相位和微波功率,因此具備采用微波零相位法測(cè)量電子束縱向長度的基本條件。

        本文基于微波零相位法,將CTFEL 2×4-cell超導(dǎo)加速器的下游腔作為零相位腔,測(cè)量上游腔增能后的電子束縱向長度,通過束流動(dòng)力學(xué)模擬上游腔增能后的電子束縱向長度與下游腔出口處的接近程度。

        1 微波零相位法基本原理

        微波零相位法測(cè)量電子束縱向長度原理圖如圖1所示。上游腔入口、下游腔入口、分析磁鐵入口分別距陰極3.3、4、7 m。電子束經(jīng)過2×4-cell超導(dǎo)加速器的上游4cell加速腔后,將下游腔設(shè)為零相位腔。該加速腔的微波相位設(shè)為3種情況:上升沿零相位、下降沿零相位和微波關(guān)閉狀態(tài)。電子束經(jīng)過加速器后,經(jīng)分析磁鐵偏轉(zhuǎn),在熒光屏上成像。系統(tǒng)色散函數(shù)為ηx,熒光屏上束流的水平尺寸σx、縱向長度σz和零相位腔參數(shù)的關(guān)系為:

        (1)

        其中:dE/dz為束流的初始能散;σx0為加速電壓為0時(shí)的水平尺寸;VRF=V0cosφRF為RF偏轉(zhuǎn)電壓,φRF為微波場(chǎng)相位;λRF為微波波長;e為電子電荷;E0為電子束中心動(dòng)能。測(cè)量φRF分別為0°、180°及微波關(guān)閉3種情況下的σx,聯(lián)立二元二次方程組即可計(jì)算得到σz。

        圖1 微波零相位法測(cè)量電子束縱向長度原理圖Fig.1 Schematic of RF zero-phasing method for electron beam length measurement

        此外,還可用微波零相位法的簡化公式[2]來粗略估測(cè)電子束縱向長度Zrms:

        (2)

        2 束流動(dòng)力學(xué)模擬

        若要證明電子束縱向長度的測(cè)量有效,首先需證明在加速器正常工作時(shí),上游腔出口與下游腔出口的電子束縱向長度近似相等。本文采用文獻(xiàn)[13]的方法對(duì)加速器工作時(shí)的束流動(dòng)力學(xué)進(jìn)行模擬,采用CTFEL工作時(shí)的加速器參數(shù),得到下游腔工作與關(guān)閉狀態(tài)下電子束的狀態(tài),如圖2所示。其中,z為束線上某點(diǎn)距陰極表面的位置,σt、Ek、ΔE、ΔE/E分別為電子束縱向均方根長度(時(shí)間單位)、動(dòng)能、能散和均方根相對(duì)能散度。由圖2a、c可看出,下游腔對(duì)σt和ΔE/E影響不明顯。采用微波零相位法測(cè)量σt,是將下游腔作為零相位腔,因此得到的測(cè)量結(jié)果是上游腔出口處的σt。由圖2a還可看出,上游腔出口處,σt≈1.68 ps,略大于正常工作時(shí)的下游腔出口處的長度(該處σt≈1.62 ps)。圖2d為7 m處的電子束縱向相空間,可看出,縱向相空間滿足前低后高的近似線性啁啾。

        σt的主要決定因素是聚束腔的相位和梯度。固定最佳的聚束腔相位,掃描聚束腔的梯度(用電場(chǎng)梯度Eb表示),通過文獻(xiàn)[13]可計(jì)算出σt與ΔE/E的關(guān)系,如圖3所示。結(jié)果表明,電子束的最小ΔE/E約為0.09%。此外,σt與聚束腔的梯度和相位相關(guān)性極高,當(dāng)σt最小時(shí),ΔE/E也近似最小。實(shí)際實(shí)驗(yàn)中,由于要兼顧電子束的發(fā)射度,因此一般不會(huì)將電子束聚到最短,而是將聚束腔的梯度調(diào)節(jié)至略小于最大聚束梯度。

        a——縱向均方根長度;b——?jiǎng)幽?;c——均方根相對(duì)能散度;d——縱向相空間圖2 下游腔工作與關(guān)閉狀態(tài)下電子束的狀態(tài)Fig.2 Electron beam status in working or closed state of downstream cavity

        圖3 σt與ΔE/E隨聚束腔電場(chǎng)梯度的變化Fig.3 σt and ΔE/E versus electric field gradient of buncher cavity

        3 縱向長度測(cè)量實(shí)驗(yàn)

        3.1 最小相對(duì)能散度測(cè)量

        通過掃描聚束腔的相位,可得聚束腔電場(chǎng)梯度引起的能散測(cè)量靶上的電子束橫向分布變化(圖4)。圖4中,聚束腔的最優(yōu)電場(chǎng)梯度為1.7 MV/m,這一結(jié)果與模擬結(jié)果相差較大,主要誤差來自于聚束腔pickup的校準(zhǔn)誤差,不影響后續(xù)測(cè)量。測(cè)量此電場(chǎng)梯度下電子束的最小ΔE/E=0.081%,與模擬結(jié)果吻合較好。

        3.2 微波零相位法測(cè)量電子束縱向長度

        對(duì)90°分析磁鐵,采用均勻場(chǎng)近似時(shí),色散函數(shù)η=0.3 m。采用零相位時(shí),固定下游腔電場(chǎng)梯度為3.31 MV/m,則VRF=1.6 MV,λRF=0.23 m,關(guān)閉下游腔時(shí)電子束中心動(dòng)能為E0=3.1 MeV,由此可得C0=4.23。

        關(guān)閉下游腔得到的能散如圖5a、b所示,圖5a中小圓形分布是激光鬼脈沖造成的,應(yīng)將其排除。采用雙峰高斯擬合得到ΔE/E=0.12%,此時(shí)對(duì)應(yīng)的σx0=0.504 mm。

        將上述測(cè)量結(jié)果代入式(2),可得到進(jìn)入下游腔時(shí)電子束縱向均方根長度為Zrms=0.84 mm或1.06 mm。作為對(duì)比,將上述測(cè)量結(jié)果代入式(1),求解二元二次方程組,得到Zrms=0.86 mm或1.04 mm,式(1)和(2)計(jì)算結(jié)果基本一致。

        圖4 聚束腔電場(chǎng)梯度引起的能散測(cè)量靶上的電子束橫向分布變化Fig.4 Transverse distribution on fluorescent screen of energy spread measurement versus electric field gradient of buncher cavity

        a、b——下游腔關(guān)閉;c、d——下游腔位于下降零相位;e、f——下游腔位于上升零相位圖5 微波零相位法測(cè)量的能散Fig.5 Energy spread measurement by means of RF zero-phasing method

        3.3 誤差初步分析

        上述測(cè)量結(jié)果中,由于方程的性質(zhì)可得到兩組結(jié)果,這兩組結(jié)果的選擇需通過上游腔相位確認(rèn)。上游腔處在爬坡相位上,能保證進(jìn)入到上游腔后電子束縱向長度和能散進(jìn)一步被壓縮。經(jīng)過上游腔后,電子束在能量-長度相空間,前端的電子束由于進(jìn)入加速腔初期是減速相位,因此前端的能量更低,因此上述兩個(gè)公式的計(jì)算結(jié)果均應(yīng)取較小的值,即σz=0.86 mm或0.84 mm。由于需尋找縱向均方根長度的上限,因此取這兩個(gè)結(jié)果中較大的值,即σz=0.86 mm,對(duì)應(yīng)的時(shí)間長度為σt=2.9 ps,采用高斯假設(shè),對(duì)應(yīng)的半高寬為6.8 ps。

        綜上所述,6.8 ps是電子束半高寬的上限。CTFEL的出光需求為電子束縱向長度小于8 ps,因此測(cè)量結(jié)果表明電子束縱向長度滿足CTFEL的出光要求。

        3.4 相干渡越輻射對(duì)比測(cè)量

        CTFEL裝置出光后,采用相干渡越輻射(CTR)法對(duì)電子束縱向長度進(jìn)行測(cè)量,測(cè)量點(diǎn)位于6.5 m處,具體方法見參考文獻(xiàn)[14-16],測(cè)量結(jié)果如圖6所示。圖6a為采用自制的Martin-Puplett干涉儀[13]測(cè)量得到的CTR自相關(guān)曲線,圖6b為采用Kramers-Kr?nig變換[14]還原得到的電子束縱向分布。CTR法得到的電子束縱向半高寬約為6.5 ps,與微波零相位法測(cè)量結(jié)果吻合較好。

        a——自相關(guān)曲線;b——采用Kramers-Kr?nig變換[14]還原得到的電子束縱向分布圖6 采用相干渡越輻射法測(cè)量電子束縱向長度 Fig.6 Electron beam bunch length measured by coherent transition radiation method

        4 結(jié)論

        本文介紹了微波零相位法的基本原理,分析了相關(guān)束流動(dòng)力學(xué),通過模擬計(jì)算,證明了通過測(cè)量加速器上游腔的縱向長度,可近似得到正常工作時(shí)電子束在加速器出口的縱向長度的上限。通過微波零相位法測(cè)量了CTFEL裝置上電子束縱向長度,并與相干渡越輻射法測(cè)量的結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,證明CTFEL裝置的束團(tuán)縱向半高寬小于6.8 ps,滿足裝置出光要求。

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