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        高純四方相BaTiO3粉體的制備及介電性能研究

        2019-06-05 06:30:26孫連來張瑩瑩
        陶瓷學報 2019年2期
        關鍵詞:丁醇水熱法電性能

        時 卓 ,劉 坤 ,肖 飛 ,孫連來 ,張瑩瑩 ,姜 偉

        (1.沈陽工業(yè)大學 材料科學與工程學院,遼寧 沈陽 110870;2.遼寧省輕工科學研究院,遼寧 沈陽 110036)

        0 引 言

        BaTiO3是一種常見的鐵電材料,由于具有良好的介電性能,以其為主晶相的陶瓷廣泛用于電容器、半導體等多種電子陶瓷器件[1-2]。作為多層陶瓷電容器(MLCC)基材的BaTiO3要求在120 ℃以下具有更高的介電常數(shù)和鐵電性能,因而制備高純超細四方相BaTiO3粉體是提高BaTiO3基MLCC性能的有效措施之一。常規(guī)水熱法制備的BaTiO3粉體通常情況下是亞穩(wěn)態(tài)的立方相晶體,無法滿足MLCC性能的需要[3-6]。這主要是因為水熱法制備的BaTiO3晶粒中的羥基缺陷對Ba2+的移動與(TiO6)8-八面體形變的影響,使立方相晶粒能夠在常溫下穩(wěn)定存在。因此,采用水熱法合成高純四方相BaTiO3一直是人們研究的熱點和焦點[7-9]。本文采用水熱球磨去羥基法制備BaTiO3粉體,通過控制水熱合成過程中前驅體的反應環(huán)境,同時加入一定比例的氧化鋯球進行一定速率的球磨,及對所制BaTiO3粉體進行后序去除羥基的工序,從而突破傳統(tǒng)水熱法不能制備高純四方相BaTiO3粉體的弊端,使所制BaTiO3粉體滿足MLCC的性能要求。在水熱球磨去羥基法制備粉體過程中,本文研究了Ba/Ti、反應時間、反應溫度等因素對BaTiO3合成的影響,制備出四方相BaTiO3超細粉體,粉體純度高、顆粒形貌規(guī)整、分散性好。

        1 實 驗

        1.1 主要原料

        八水合氫氧化鋇(Ba(OH)2·8H2O)、鈦酸四丁酯(Ti(OC4H9)4) : AR,國藥集團化學試劑有限公司;乙醇、丁醇、乙酸和氨水 : CP,國藥集團化學試劑有限公司。

        1.2 粉體制備

        首先用去離子水將Ba(OH)2·8H2O在80 ℃水浴中完全溶解,再將Ti(OC4H9)4溶于離子水和丁醇的混合溶液。然后按照一定配比將Ba(OH)2·8H2O溶液緩慢加入Ti(OC4H9)4醇溶液中混合均勻,并加入一定量的氨水將pH調至14,充分混合后,將混合溶液置于高壓反應釜中,加入一定比例的鋯球進行球磨混合,沉淀物過濾后用乙酸調制為中性,使用去離子水洗滌,乙醇洗3次,在85 ℃低溫下烘干并研磨,制得BaTiO3粉體。

        1.3 測試與表征

        BaTiO3粉體的晶相鑒定及分析采用日本島津XRD-6000衍射儀(Cu Kα,40 kV,40 mA),測試條件:掃描速度為 2 °/min,步進速度為 0.02 °/s;BaTiO3粉體的微觀形貌、晶粒大小及分散性采用美國FEIG20型透射電子顯微鏡;BaTiO3粉體分散性采用日本島津SS-550掃描電鏡進行;BaTiO3粉體粒徑分布采用英國馬爾文激光納米粒度測試儀NANO-JS90進行。

        2 結果與討論

        2.1 鋇鈦摩爾比對BaTiO3的影響

        以Ba(OH)2·8H2O和Ti(OC4H9)4為原料,以水/丁醇混合溶液為溶劑(V丁醇: V水= 1 : 1),180 ℃下反應120 h, Ba/Ti從1.2 : 1到2.0 : 1之間,研究分析Ba/Ti對粉體晶相結構的影響。如圖1所示,合成所得粉體的XRD圖中除BaTiO3特征峰外并無雜峰,說明制備粉體具有較高純度。隨著Ba/Ti比的增加,在45°附近出現(xiàn)(002)和(200)雙峰結構,這是BaTiO3由立方相轉變?yōu)樗姆较嘣斐傻?,隨著四方相含量增加,峰分裂越加明顯。隨著鋇鈦摩爾比的增加,分裂程度逐漸增大,雙峰結構分裂越明顯,說明合成的四方相含量越高。當Ba/Ti為2.0時,分裂程度最大,產生明顯的雙峰結構。

        圖1 不同Ba/Ti合成BaTiO3粉體的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of the powders prepared by hydrothermal synthesis at different raw material ratios

        由于Ba/Ti為1.2時合成的BaTiO3粉體四方相含量較低,因此僅對Ba/Ti比值為1.5、1.6、1.8、2.0制備的粉體進行粒度分析,結果如圖2所示。由圖2可知,合成BaTiO3粉體粒度呈單分散性,d50位于200-300 nm之間。由圖3可知,BaTiO3粉體隨鋇原料含量的增加,粉體顆粒粒徑逐漸增加。

        2.2 反應時間對BaTiO3的影響

        圖4為在180 ℃下,Ba/Ti比值為2.0,V丁醇: V水=1 : 1,水熱反應時間分別為24 h、48 h、72 h、120 h的XRD結果。如圖可知,粉體純度較高,XRD圖譜中雜峰較少,粉體中不含碳酸鋇等雜質。譜圖中45 °峰分裂程度隨反應時間的增加而逐漸變大,說明粉體立方相向四方相的轉化受反應時間影響較大。利用JADE軟件分析XRD譜圖[10],分析并計算BaTiO3粉體c/a數(shù)值,當反應時間為120 h時,合成BaTiO3粉體的c/a為數(shù)值1.0092,與軸率c/a與四方相含量的關系對比[11]可知,合成的BaTiO3粉體四方相含較高。

        出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因,可能與鋇空位的較為緩慢的擴散速度有關。BaTiO3的水熱反應過程中,鈦酸四丁酯醇溶液先水解成Ti(OH)4,再與強堿作用失去H+生成Ti(OH)62-,最終與Ba2+離子連接形成最終產物。強堿奪取H+形成的鋇空位能夠阻礙粉體向四方相的轉化,而延長反應時間使鋇空位有足夠時間進行調整,有助于鋇離子的遷移,從而促進粉體向四方相的轉變[12]。

        2.3 分散介質對BaTiO3的影響

        丁醇與水的比例不同,其共沸點及反應釜內部壓力均會發(fā)生變化,水熱反應環(huán)境也隨之發(fā)生變化,圖5為在180 ℃下水熱反應時間為120 h,Ba/Ti比值為2.0, V丁醇: V水比例分別為3 : 1、2 : 1、1 : 1、1 : 3時制備BaTiO3的TEM圖。由圖可見,當V丁醇: V水= 3 : 1時,合成的粉體呈現(xiàn)球形晶粒,晶粒間輕微粘連;當V丁醇: V水= 2 : 1時,合成的BaTiO3呈現(xiàn)出橢球形晶粒,晶粒間輕微粘連;當V丁醇: V水= 1 : 1時,粉體具有最佳分散效果,呈現(xiàn)球形與四方形,晶粒完整,顆粒規(guī)整;當V丁醇: V水= 1 : 3時,合成的BaTiO3粉體,呈現(xiàn)立方形晶粒及啞鈴狀,水熱反應不完全,晶粒發(fā)育不完整,晶粒間粘連現(xiàn)象明顯。

        圖2 不同Ba/Ti合成BaTiO3粉體的粒徑分布Fig.2 Particle size distribution of the powders prepared by hydrothermal synthesis at different raw material ratios

        圖4 不同時間合成BaTiO3的XRD圖Fig.4 XRD patterns of BaTiO3 synthesized at different times

        圖3 不同Ba/Ti合成BaTiO3粉體的SEM圖Fig.3 SEM photographs of the powders prepared by hydrothermal synthesis at different raw material ratios(a) Ba/Ti = 1.5; (b) Ba/Ti = 1.6; (c) Ba/Ti = 1.8; (d) Ba/Ti = 2.0

        表1 BaTiO3粉體水熱合成溫度對陶瓷介電性能的影響Tab.1 Effect of hydrothermal synthesis temperature of BaTiO3 powder on dielectric properties of ceramics

        圖5 不同比例分散介質合成BaTiO3粉體的TEM圖Fig.5 TEM images of BaTiO3 powders synthesized in different solvents(a) Vbutanol : Vwater = 3 : 1; (b) Vbutanol : Vwater = 2 : 1; (c) Vbutanol : Vwater = 1 : 1; (d) Vbutanol : Vwater = 1 : 3

        2.4 合成溫度對BaTiO3的介電性能的影響

        不同水熱溫度合成的BaTiO3做成生坯經(jīng)1250 ℃煅燒2 h后,在1 kHz頻率下測量介電常數(shù)及介電損耗,室溫下測試其絕緣電阻。從表1可以看出隨著合成溫度的提高BaTiO3基陶瓷的介電常數(shù)先增大后減小。當合成溫度為180 ℃時,陶瓷具有最大的相對介電常數(shù)1793;室溫介電損耗出現(xiàn)先減少后增加的趨勢;絕緣電阻則出現(xiàn)先增加后減少的趨勢,阻值大于1012Ω,擊穿場強達到3.1 kV/mm。

        3 結 論

        (1)采用水熱球磨去羥基法制備了高純四方相BaTiO3粉體,當Ba/Ti比值為2.0、反應時間120 h、V丁醇: V水= 1 : 1、合成溫度180 ℃條件下,獲得了高純四方相BaTiO3粉體,此時晶形規(guī)整,粉末粒度小,顆粒均勻,分散性良好,四方相含量較高。

        (2)本研究很好地解決了傳統(tǒng)固相法和常規(guī)水熱法制粉的弊端,制得的BaTiO3粉體分散性好,燒結活性高,用其燒結制備的陶瓷常溫下相對介電常數(shù)高達1793,擊穿場強達到3.1 kV/mm,可以作為制備MLCC器件的基礎母體材料。

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