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        Ni-Mo-C合金的電沉積行為及成核機(jī)制

        2019-04-17 11:55:40齊海東溫林潔李運(yùn)剛楊海麗
        濕法冶金 2019年2期
        關(guān)鍵詞:伏安圓盤電位

        齊海東,郭 昭,盧 帥,溫林潔,李運(yùn)剛,楊海麗

        (華北理工大學(xué)冶金與能源學(xué)院 現(xiàn)代冶金技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,河北唐山 063210)

        Ni-Mo合金因具有良好的析氫催化性能被廣泛用作水電解陰極材料[1-3],但由于Mo存在溶出效應(yīng),使合金的電解穩(wěn)定性較差,從而限制了其應(yīng)用范圍[4-5]。C元素可增大Ni基合金的穩(wěn)定性并可進(jìn)一步提高合金的析氫性能[6-8]。采用電沉積法可制備Ni-Mo-C合金電極材料[9],但目前有關(guān)Ni-Mo-C合金的電沉積行為及成核機(jī)制研究還未見有報(bào)道。試驗(yàn)采用循環(huán)伏安曲線、陰極極化曲線、旋轉(zhuǎn)圓盤電極、電化學(xué)阻抗譜、計(jì)時(shí)電流法研究了Ni-Mo-C合金的電沉積行為及成核機(jī)制。

        1 試驗(yàn)部分

        1.1 電解液組成

        單金屬Ni電解液組成:0.50 mol/L NiSO4+0.60 mol/L檸檬酸銨;

        Ni-Mo合金電解液組成:0.50 mol/L NiSO4+0.05 mol/L Na2MoO4+0.60 mol/L檸檬酸銨;

        Ni-C合金電解液組成:0.50 mol/L NiSO4+8.8 g/L抗壞血酸+0.60 mol/L檸檬酸銨;

        Ni-Mo-C合金電解液組成:0.50 mol/L NiSO4+0.05 mol/L Na2MoO4+8.80 g/L抗壞血酸+0.60 mol/L檸檬酸銨。

        用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%的稀硫酸和NaOH溶液調(diào)節(jié)上述3種電解液pH為3.0。

        1.2 測(cè)試方法

        用電化學(xué)工作站(德國(guó)ZAHNER公司,IM6eX型)研究Ni-Mo-C合金的沉積行為和成核機(jī)制。選用三電極體系:工作電極為玻碳旋轉(zhuǎn)圓盤電極(美國(guó)BASi公司,RDE-2型,電極面積約7.07 mm2,轉(zhuǎn)速1~10 000 r/min可調(diào)),參比電極為Ag/AgCl電極,對(duì)電極為鉑絲電極。

        循環(huán)伏安掃描速度為20、40、60、80、100 mV/s,掃描范圍在0.3~-1.4 V之間;陰極極化曲線掃描速度為5 mV/s,掃描范圍為-0.4~-1.5 V;旋轉(zhuǎn)圓盤電極轉(zhuǎn)速為100、400、1 600、3 600 r/min;電化學(xué)阻抗譜擾動(dòng)信號(hào)振幅5 mV,頻率范圍0.1~100 kHz。

        2 試驗(yàn)結(jié)果與討論

        2.1 循環(huán)伏安曲線分析

        圖1為Ni、Ni-Mo、Ni-C、Ni-Mo-C金屬或合金沉積的循環(huán)伏安曲線,掃描速度60 mV/s,圖2為不同掃描速度下的Ni-Mo-C合金的循環(huán)伏安曲線。

        圖1 Ni、Ni-Mo、Ni-C、Ni-Mo-C金屬或合金電沉積循環(huán)伏安曲線

        圖2 不同掃描速率下,Ni-Mo-C合金沉積的循環(huán)伏安曲線和φp,c-lnv關(guān)系

        圖1(a)中:電位負(fù)向掃描至-0.6 V時(shí),出現(xiàn)Ni的還原峰,此時(shí)玻碳電極表面出現(xiàn)銀白色Ni;電位正向掃描時(shí),在-0.2 V處出現(xiàn)Ni溶解對(duì)應(yīng)氧化峰。

        圖1(b)中:電位負(fù)向掃描時(shí),并沒有出現(xiàn)明顯還原峰,而在-0.7 V左右電流迅速增大,此時(shí)玻碳電極表面出現(xiàn)灰白色沉積層并伴有析氫反應(yīng)發(fā)生,原因是Ni-Mo具有優(yōu)異的析氫性能,大量氫氣會(huì)伴隨Ni-Mo合金在玻碳電極表面沉積,使電流迅速升高[10];電位正向掃描至-0.6 V時(shí)出現(xiàn)Ni-Mo合金溶解氧化峰。

        圖1(c)中:電位負(fù)向掃描至-1.1 V處時(shí),電流迅速變大,玻碳電極表面出現(xiàn)具有金屬光澤的淺棕色沉積層并伴有氫氣產(chǎn)生,說(shuō)明Ni-C合金具有良好的析氫性能;同時(shí)曲線上出現(xiàn)由陰、陽(yáng)極電流交錯(cuò)形成的電流環(huán),說(shuō)明Ni-C合金的電沉積存在成核行為[11];電位正向掃描時(shí),出現(xiàn)2個(gè)氧化峰,與圖1(a)對(duì)比可知,圖1(c)中-0.3 V為Ni的氧化峰電位,但負(fù)移了100 mV,電位繼續(xù)正移,在0.1 V處出現(xiàn)C氧化峰。

        圖1(d)中:電位負(fù)移至-1.1 V處時(shí),電流迅速變大,玻碳電極表面出現(xiàn)Ni-C沉積層特征;電位繼續(xù)負(fù)向掃描至-1.2 V左右,電極反應(yīng)速率改變,說(shuō)明有新反應(yīng)發(fā)生,此時(shí)玻碳電極表面出現(xiàn)暗灰色沉積層,發(fā)生Ni-Mo-C合金沉積;且循環(huán)伏安曲線上也出現(xiàn)電流環(huán),說(shuō)明Ni-Mo-C合金的沉積也存在成核行為;電位正向掃描時(shí),出現(xiàn)3個(gè)氧化峰,與圖1(a)~(c)對(duì)比可知,-0.42 V處的氧化峰對(duì)應(yīng)Mo的溶解反應(yīng),-0.2 V處的氧化峰對(duì)應(yīng)Ni的溶解反應(yīng),0.1 V處的氧化峰對(duì)應(yīng)C的氧化反應(yīng)。

        由圖2看出:隨掃描速率提高,Ni-Mo-C合金還原峰電位負(fù)移,Ni、Mo、C對(duì)應(yīng)的氧化峰正移。圖2(d)是還原峰峰電位(φp,c)與掃描速率的對(duì)數(shù)(lnv)關(guān)系曲線,可以看出:峰電位與掃描速率呈良好的線性關(guān)系,說(shuō)明Ni-Mo-C合金的沉積反應(yīng)為不可逆過(guò)程[12]。

        2.2 旋轉(zhuǎn)圓盤電極分析

        圖3為不同圓盤轉(zhuǎn)速條件下Ni-Mo-C合金沉積的陰極極化曲線。

        圖3 不同圓盤轉(zhuǎn)速下Ni-Mo-C合金沉積的陰極極化曲線

        由圖3看出,在沉積電位達(dá)-1.2 V之后,隨轉(zhuǎn)速增大,沉積電流變大。這是因?yàn)檗D(zhuǎn)速增大可減薄擴(kuò)散層,使金屬離子更易到達(dá)電極表面放電,從而使電極反應(yīng)速率加快[13]。

        若電化學(xué)反應(yīng)完全由擴(kuò)散傳質(zhì)過(guò)程控制,則滿足Levich方程[14]:

        (1)

        式中:jl為反應(yīng)的極限擴(kuò)散電流密度,mA/cm2;n為反應(yīng)轉(zhuǎn)移的電子數(shù);F為法拉第常數(shù),96.485 C/mol;D為擴(kuò)散系數(shù),m2/s;υ為溶液黏度系數(shù),m2/s;ω為旋轉(zhuǎn)圓盤電極轉(zhuǎn)速,r/min;c0為溶液本體濃度,mol/L。

        根據(jù)公式(1),對(duì)于不可逆反應(yīng),在擴(kuò)散和動(dòng)力學(xué)混合控制區(qū),總反應(yīng)電流(I)應(yīng)滿足Koutecky-Levich關(guān)系[15]:

        (2)

        (3)

        式中:jk為對(duì)應(yīng)電位下反應(yīng)完全由動(dòng)力學(xué)過(guò)程控制所產(chǎn)生的電流密度,mA/cm2;B為L(zhǎng)evich方程斜率。

        不同電位條件下,I-1-ω-1/2的關(guān)系曲線如圖4(a)所示??梢钥闯?,不同電位下的I-1-ω-1/2呈良好的線性關(guān)系,滿足公式(2)。說(shuō)明電極電位為-1.3~-1.0 V時(shí)電極反應(yīng)均受擴(kuò)散和動(dòng)力學(xué)混合控制[16]。

        圖4(b)是不同電位條件下的I-ω1/2關(guān)系曲線??梢钥闯?,隨電極電位增大,沉積電流受圓盤轉(zhuǎn)速的影響增大。說(shuō)明Ni-Mo-C合金的沉積受擴(kuò)散控制程度增大[17]。

        圖4 不同電極電位條件下,及的關(guān)系曲線

        2.3 電化學(xué)阻抗譜分析

        圖5為不同電極電位條件下Ni-Mo-C合金的電化學(xué)阻抗譜。

        圖5 不同電極電位條件下Ni-Mo-C合金沉積的電化學(xué)阻抗譜

        由圖5看出:不同電極電位下的電化學(xué)阻抗譜的形式大致有2種:當(dāng)電極電位為-1.0 V時(shí),阻抗譜為1個(gè)直徑很大的容抗弧,通常認(rèn)為高頻端容抗弧是由雙電層電容(Cdl)和電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rct)并聯(lián)造成的[18],容抗弧直徑約等于Rct,Rct值極大說(shuō)明在該電極電位下沉積電流幾乎為0,未發(fā)生金屬還原;當(dāng)電極電位為-1.1、-1.2、-1.3 V時(shí),阻抗譜高頻端同樣是由Cdl和Rct并聯(lián)造成的容抗弧,低頻端是與復(fù)平面實(shí)軸成45°夾角的直線,這樣的直線具有典型的Warburg擴(kuò)散電阻特征[19]。隨電極電位增大,電荷轉(zhuǎn)移電阻Rct逐漸減小,電極反應(yīng)速率逐漸加快;Warburg擴(kuò)散電阻特征向高頻區(qū)移動(dòng),說(shuō)明電極反應(yīng)更容易呈現(xiàn)擴(kuò)散特征,反應(yīng)受擴(kuò)散控制程度變大。這與旋轉(zhuǎn)圓盤電極的分析結(jié)果相一致。

        2.4 計(jì)時(shí)電流分析

        圖6(a)是不同電極電位下Ni-Mo-C合金沉積的計(jì)時(shí)電流I-t曲線。可以看出:當(dāng)電極電位為-1 V時(shí),幾乎無(wú)沉積電流產(chǎn)生,說(shuō)明此時(shí)電極電位未達(dá)金屬還原電位;當(dāng)電位增大到-1.1、-1.2、-1.3 V時(shí),迅速增大的電流對(duì)應(yīng)晶粒的形核和長(zhǎng)大;之后電流減小并趨于穩(wěn)定。這是因?yàn)殡S金屬形核和長(zhǎng)大,本體溶液中的金屬陽(yáng)離子不斷向電極表面擴(kuò)散,使?jié)舛忍荻葏^(qū)向本體溶液逐漸延伸變厚,擴(kuò)散阻力變大,電流隨之減小,直至擴(kuò)散層厚度達(dá)到穩(wěn)態(tài),電流趨于定值[20]。隨電極電位增大,反應(yīng)達(dá)到最大沉積電流(Im)所需的時(shí)間(tm)縮短,說(shuō)明成核速率逐漸加快,這是因?yàn)殡姌O電位增大會(huì)導(dǎo)致陰極極化加大,形核驅(qū)動(dòng)力變大,合金形核率升高。

        瞬時(shí)成核(式(4))和連續(xù)成核(式(5))模型常用以解釋金屬或合金的三維成核機(jī)制[21]:

        (4)

        (5)

        不同電位下,Ni-Mo-C合金的成核機(jī)制可用不同電極電位下的合金沉積(I/Im)2-t/tm無(wú)因次曲線(圖6(b))可以看出,隨電極電位增大,合金成核逐步由連續(xù)成核轉(zhuǎn)變?yōu)樗矔r(shí)成核,成核速率也因此逐漸加快。成核速率加快會(huì)使電極附近金屬離子消耗速率加快,導(dǎo)致雙電層內(nèi)部金屬離子不能得到及時(shí)補(bǔ)充,使擴(kuò)散層向溶液本體延伸變厚,擴(kuò)散電阻進(jìn)而增大,反應(yīng)受擴(kuò)散控制程度加大。這與旋轉(zhuǎn)圓盤電極、電化學(xué)阻抗譜分析結(jié)果相一致。

        圖6 不同電位下的計(jì)時(shí)電流I-t曲線和(I/Im)2-t/tm無(wú)因次曲線

        3 結(jié)論

        Ni-Mo-C合金的電沉積過(guò)程存在成核行為,電極反應(yīng)是一個(gè)不可逆過(guò)程。隨電極電位增大,電極反應(yīng)速率加快,合金成核機(jī)制從連續(xù)成核轉(zhuǎn)變?yōu)樗矔r(shí)成核,合金的沉積受擴(kuò)散控制程度加大。

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