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        實(shí)時(shí)MRI引導(dǎo)放射治療中邊緣磁場(chǎng)對(duì)電子槍束流特性的影響

        2019-03-22 07:54:42毛玲麗劉春波
        關(guān)鍵詞:電子槍束流磁感應(yīng)

        毛玲麗,劉春波,裴 曦,徐 榭

        (中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院放射醫(yī)學(xué)物理中心,安徽 合肥 230025)

        實(shí)時(shí)MRI引導(dǎo)放射治療(MRI-guided radiotherapy, MRIgRT)系統(tǒng)是一種集成MR掃描儀和用于放射治療的電子直線加速器(或其他類型的放射治療機(jī))的圖像引導(dǎo)放射治療形式[1-2]。對(duì)于光子放射治療,電子直線加速器位于MR邊緣磁場(chǎng)范圍內(nèi),運(yùn)行時(shí)易受磁場(chǎng)干擾。解決MR與電子直線加速器之間的電磁耦合問題是實(shí)現(xiàn)MRIgRT所面臨的挑戰(zhàn)[3]。電子槍中慢速運(yùn)動(dòng)的電子磁剛度較小,對(duì)外部磁場(chǎng)敏感;電子槍作為直線加速器的粒子源部件,后續(xù)束流品質(zhì)均取決于電子槍輸出的電子束。因此,MR邊緣磁場(chǎng)對(duì)直線加速器中電子槍束流的影響是研究MRIgRT的關(guān)鍵。

        Litton L2087及Varian VTC6364型[4]電子槍陽(yáng)極存在尖端,易發(fā)生電場(chǎng)擊穿。加拿大交叉癌癥研究所(Cross Cancer Institute, CCI)以Varian600C的實(shí)驗(yàn)測(cè)量值為邊界條件,自主設(shè)計(jì)電子槍結(jié)構(gòu),但假設(shè)平行配置的高場(chǎng)強(qiáng)邊緣磁場(chǎng)以及垂直配置的邊緣磁場(chǎng)均勻,與實(shí)際情況存在偏差[5-7]。有研究[3]采用激光掃描Varian TrueBeam直線加速器的方式設(shè)計(jì)新款柵控電子槍,以確保電子槍幾何結(jié)構(gòu)及束流參數(shù)與實(shí)際相符,但將邊緣磁場(chǎng)設(shè)為均勻磁場(chǎng)可能影響最終結(jié)果的準(zhǔn)確性。目前國(guó)內(nèi)關(guān)于醫(yī)療直線加速器電子槍的研究主要是無磁場(chǎng)時(shí)電子槍的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),關(guān)于磁場(chǎng)中電子槍束流特性的研究鮮見。本研究根據(jù)MATLAB軟件擬合獲得1.5T MR(GE Signa Creator)邊緣磁場(chǎng)三維分布圖,設(shè)計(jì)符合Varian600C電流電壓值的電子槍,并將磁場(chǎng)分布加入電子槍模型,分析其與經(jīng)典Litton L2087電子槍在距離MR中心點(diǎn)不同位置處邊緣磁場(chǎng)下的束流特性。

        1 模型與方法

        既往關(guān)于MRIgRT的研究中,MR主磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.35T[8]、0.5T[9]、1.5T[10-11]及1.0T[12]。本研究采用主磁場(chǎng)強(qiáng)度為1.5T的MR和直線加速器平行配置模式。圖1為平行配置MRIgRT裝置示意圖,電子槍位于直線加速器內(nèi)部,直線加速器的束流從MRI磁體的中間孔射入,黃色實(shí)線為MR磁場(chǎng)的主磁場(chǎng)磁力線,紅色實(shí)線為從直線加速器中射出的治療束。主磁力線與治療束平行的配置模式即平行配置。

        1.1 MR邊緣磁場(chǎng)分布模擬方法 采用GE Signa Creator 1.5T MR的磁場(chǎng)分布作為模擬磁場(chǎng)輸入。設(shè)置電子槍與MR中心點(diǎn)的距離為1.3~3.0 m,選取離MR中心點(diǎn)(O點(diǎn))1.3 m的圓柱形為邊緣磁場(chǎng)區(qū)域,半徑0.1 m,高1.7 m(圖2)。

        由于磁場(chǎng)在柱坐標(biāo)系中具有軸對(duì)稱性,而模擬中的邊緣磁場(chǎng)區(qū)域鄰近對(duì)稱軸,故邊緣磁場(chǎng)區(qū)域磁感應(yīng)強(qiáng)度在柱坐標(biāo)系的徑向分量和軸向分量可表示為對(duì)稱軸處軸向磁場(chǎng)分量Bz(0,z)的函數(shù)[13]:

        (1)

        (2)

        笛卡爾坐標(biāo)系下三維磁場(chǎng)分布的解為:

        (3)

        (4)

        (5)

        其中±由磁場(chǎng)所處的象限決定。

        1.2 電子槍設(shè)計(jì)與模擬方法 目前醫(yī)用電子直線加速器最常用的電子發(fā)射方式為熱陰極電子發(fā)射,即電子槍陰極受熱使表面電子能量增加,當(dāng)動(dòng)能大于逸出功時(shí),電子會(huì)從陰極表面發(fā)射,在電場(chǎng)力的作用下引出成形。電子電流密度為[14]:

        圖1 平行配置的MRIgRT示意圖 圖2 邊緣磁場(chǎng)區(qū)域 O點(diǎn)為MRI中心點(diǎn),即系統(tǒng)坐標(biāo)原點(diǎn),2個(gè)淺藍(lán)色圓環(huán)代表MRI磁體,黃色實(shí)線為MRI的主磁場(chǎng)磁力線,深藍(lán)色圓柱體表示電子槍可能存在的空間范圍 圖3 對(duì)稱軸處的點(diǎn)與MRI中心點(diǎn)的距離與磁感應(yīng)強(qiáng)度關(guān)系圖

        圖4 MRI邊緣磁場(chǎng)空間分布圖 A.邊緣磁場(chǎng)強(qiáng)度的徑向分量; B.邊緣磁場(chǎng)強(qiáng)度的軸向分量 圖5 Litton L2087電子槍示意圖 A.電子槍的幾何結(jié)構(gòu)剖面圖; B.無外部磁場(chǎng)時(shí)電子槍中束流的軌跡圖,右側(cè)色標(biāo)對(duì)應(yīng)不同的電子能量 圖6 Varian 600C電子槍示意圖 A.電子槍的幾何結(jié)構(gòu)剖面圖; B.無外部磁場(chǎng)時(shí)電子槍中束流的軌跡圖,右側(cè)色標(biāo)對(duì)應(yīng)不同的電子能量

        (6)

        其中,ε0是真空中介電常數(shù),d是模擬中考慮的采樣距離,e0和m0分別是電子電荷和電子質(zhì)量,V是電子槍電極之間的電位差,J是空間電荷限制流的極限電流密度。

        本研究設(shè)計(jì)的Varian 600C臨床直線加速器電子槍與經(jīng)典Litton L2087電子槍均為常規(guī)二級(jí)槍結(jié)構(gòu),由陰極、聚焦極及陽(yáng)極組成,采用熱陰極電子發(fā)射方式。有研究[4]對(duì)經(jīng)典Litton L2087電子槍提出物理幾何形狀和測(cè)量輸出。有學(xué)者[5]測(cè)得Varian 600C電子槍陰極發(fā)射電流為(0.36±0.01)A,陰極電壓為 (-30.8±0.2)kV。本研究采用-30.8 kV作為陰極和聚焦極的初始電壓,陽(yáng)極接地,陰極射出具有2 eV初始能量的均勻電子束流,調(diào)整電子槍陰極半徑、聚焦極張角、聚焦極圓角半徑、聚焦極半徑、陽(yáng)極半徑、陽(yáng)極鼻錐圓角半徑、陽(yáng)極孔徑、陽(yáng)極與陰極的距離以優(yōu)化電子槍結(jié)構(gòu),使得Varian 600C電子槍束流軌跡收斂,陰極發(fā)射電流滿足 (0.36±0.01)A的要求。

        2 結(jié)果

        2.1 MR邊緣磁場(chǎng)分布結(jié)果 磁場(chǎng)中模擬電子槍束流需邊緣磁場(chǎng)區(qū)域任意位置的三維磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量分量。擬合獲得對(duì)稱軸處軸向磁場(chǎng)分量的公式為:

        Bz(0,z)=0.013 355 4×[(z-1.185 1)2+0.163 4]-3/2

        (7)

        z為邊緣磁場(chǎng)中某點(diǎn)與MRI中心點(diǎn)的縱向距離,單位為米(m);Bz(0,z)為電子槍在邊緣磁場(chǎng)對(duì)稱軸處的軸向磁感應(yīng)強(qiáng)度,單位為特斯拉(T)。圖3為磁感應(yīng)強(qiáng)度擬合圖,散點(diǎn)表示原始數(shù)據(jù),實(shí)線代表擬合的磁感應(yīng)強(qiáng)度。R2為0.999 96,最大相對(duì)百分誤差在0.01 T磁場(chǎng)點(diǎn)處(即電子槍發(fā)射面與MRI中心點(diǎn)的距離為2.25 m),為9.6%;其他點(diǎn)誤差不足5.5%。擬合后磁場(chǎng)在對(duì)稱軸處的軸向磁場(chǎng)分量為0.002 1~0.180 0 T。

        將式(7)帶入式(1)和式(2)中,分別獲得邊緣磁場(chǎng)區(qū)域磁感應(yīng)強(qiáng)度分布的徑向和軸向分量,見圖4,其中平行配置的MRIgRT的徑向磁場(chǎng)分量在對(duì)稱軸處最小,遠(yuǎn)離對(duì)稱軸且靠近中心點(diǎn)時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度增大;縱向磁場(chǎng)分量在同一縱向坐標(biāo)不同半徑位置處基本不變,電子槍位置越靠近中心點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度越大;同一位置處,磁場(chǎng)的軸向分量大于徑向分量。

        2.2 電子槍設(shè)計(jì)與模擬結(jié)果 Litton L2087電子槍在電磁仿真軟件中的三維仿真剖面見圖5,通過模擬獲得的電流值為0.567 A,與既往研究[15]提供的實(shí)驗(yàn)值誤差為3.09%。

        根據(jù)電流電壓參數(shù)設(shè)計(jì)的Varian 600C電子槍幾何結(jié)構(gòu)剖面見圖6A,其方向最大尺寸為43 mm,垂直方向最大尺寸為106 mm;陰極發(fā)射電流為0.353 A,滿足Varian 600C的電流要求。圖6B可見電子束能量從陰極到陽(yáng)極逐漸增加,從陽(yáng)極出口射出的電子束能量在飛行過程中逐漸減少。電子槍射程為50 mm,注腰半徑為1.4 mm;陽(yáng)極出口束流的平均能量為30.8 keV,橫向均方根發(fā)射度為1.94 mm-mrad,束斑半徑約為1.8 mm。

        圖7 電流分布圖 A.MRI邊緣磁場(chǎng)中Litton L2087電子槍陰極發(fā)射的電流、陽(yáng)極出口射出的電流和損失電流的分布圖; B.Varian 600C電子槍的陰極發(fā)射的電流、陽(yáng)極出口射出的電流和損失電流的分布圖 (Bz表示電子槍陰極發(fā)射面中心處的磁感應(yīng)強(qiáng)度) 圖8 Litton L2087極間粒子在不同磁場(chǎng)下的軌跡 A.Bz=0.002 1 T; B.Bz=0.011 7 T; C.Bz=0.057 2 T; D.Bz=0.180 0 T (右側(cè)色標(biāo)表示束流中電子的能量)

        圖9 Varian 600C極間粒子在不同磁場(chǎng)下的軌跡 A.Bz=0.002 1 T; B. Bz=0.011 8 T; C.Bz=0.072 6 T; D. Bz=0.180 0 T (右側(cè)色標(biāo)表示束流中電子的能量)

        2.3 邊緣磁場(chǎng)對(duì)電子槍中束流的影響分析 當(dāng)三維分布的邊緣磁場(chǎng)加入電子槍時(shí),其束流特性發(fā)生改變。

        2.3.1 Litton L2087電子槍 圖7A為不同MR邊緣磁場(chǎng)作用下Litton L2087電子槍的電流分布圖,電子槍陰極發(fā)射的電流隨磁場(chǎng)增大而略微增加,Bz=0.180 0 T時(shí)陰極發(fā)射出的電流達(dá)0.582 4 A,比無磁場(chǎng)時(shí)增加2.72%。由于平行磁場(chǎng)可消除陰極表面附近的空間電荷,使后者效應(yīng)減弱,導(dǎo)致電子槍陰極表面發(fā)射出更多的電子。Bz為0.002 1~0.011 7 T時(shí),束流與陽(yáng)極相互作用損失的電流為0(圖8A、8B)。Bz增加至0.057 2 T時(shí),電子因轟擊到陽(yáng)極漂移管使電流損失逐漸增加,電子槍陽(yáng)極出口電流逐漸減少,從電子槍陽(yáng)極射出電流達(dá)最小值為0.112 A,電流比無磁場(chǎng)時(shí)電子槍陽(yáng)極出口電流減少80.25%(圖8C)。Bz為0.057 2~0.180 0 T時(shí),陽(yáng)極出口電流隨磁感應(yīng)強(qiáng)度增大逐漸增至0.226 A,電流比無磁場(chǎng)時(shí)減少60.14%,主要是由于電子回旋運(yùn)動(dòng)半徑與外部磁感應(yīng)強(qiáng)度大小成反比,電子回旋運(yùn)動(dòng)半徑減小,與陽(yáng)極漂移管作用的電子更少,導(dǎo)致陽(yáng)極出口電流輕微增加。在高磁感應(yīng)強(qiáng)度時(shí),由于洛倫茲力作用,束流粒子間的空間電荷相互作用并非處于完全平衡狀態(tài)。當(dāng)束流半徑最大時(shí),洛倫茲力占主導(dǎo)地位,導(dǎo)致束流聚焦;相反,束流半徑最小時(shí),空間電荷相互作用占主導(dǎo)地位;故束流開始發(fā)散,導(dǎo)致束流半徑具有周期性變化(圖8D)。

        2.3.2 Varian 600C電子槍 圖7B為MR不同邊緣磁場(chǎng)作用下Varian 600C電子槍的電流分布圖。磁場(chǎng)中Varian 600C電子槍的束流特性與Litton L2087相似。電子槍陰極的發(fā)射電流隨磁場(chǎng)增大而略微增加,Bz=0.180 0 T時(shí)陰極發(fā)射出的電流達(dá)0.359 8 A,較無磁場(chǎng)時(shí)增加1.93%。Bz為0.002 1~0.011 8 T時(shí),束流與陽(yáng)極相互作用損失的電流為0(圖9A、9B)。此后,隨著MR邊緣磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度增加,電子與陽(yáng)極相互作用而損失的電流迅速增加,從陽(yáng)極射出的電流減少;Bz為0.072 6 T時(shí),從陽(yáng)極出口射出的電流達(dá)最小值為0.093 6 A,較無磁場(chǎng)時(shí)減少73.48%(圖9C)。Bz為0.072 6~0.180 0 T時(shí),陽(yáng)極出口電流隨磁感應(yīng)強(qiáng)度增大逐漸增加至0.119 4 A,較無磁場(chǎng)時(shí)減少66.18%。Bz為0.180 0 T時(shí),Varian 600C電子槍中電子束的束流軌跡見圖9D。

        注入加速管的電子具有低的橫向速度和橫向運(yùn)動(dòng)半徑。橫向均方根發(fā)射度可用來衡量束流的品質(zhì),均方根發(fā)射度越低,束流層流性越好[15]?;谙嗫臻g信息的均方根發(fā)射度為:

        (8)

        其中x'i=dxi/dz是粒子在xz平面內(nèi)與束流對(duì)稱軸(即z軸)的夾角。

        2款電子槍陽(yáng)極出口處的橫向均方根發(fā)射度見圖10。Bz為0.0021~0.180 0 T時(shí),Litton L2087電子槍陽(yáng)極出口處橫向均方根發(fā)射度的變化呈現(xiàn)波動(dòng)性,且存在3個(gè)極小值,分別為Bz=0.02 T時(shí),εx,rms=0.679 mm-mrad;Bz=0.092 8 T時(shí),εx,rms=1.007 mm-mrad;Bz=0.154 T時(shí),εx,rms=1.787 mm-mrad。在給定磁場(chǎng)區(qū)間內(nèi),Varian 600C電子槍陽(yáng)極出口處橫向均方根發(fā)射度的變化也呈現(xiàn)波動(dòng)性,且存在2個(gè)極小值,分別為Bz=0.029 6 T時(shí),εx,rms=0.677 mm-mrad;Bz=0.157 3 T時(shí),εx,rms=0.237 mm-mrad。

        圖10 不同磁場(chǎng)時(shí)束流在陽(yáng)極出口處的橫向均方根發(fā)射度

        3 討論

        本研究采用電磁場(chǎng)仿真分析軟件探討不同磁感應(yīng)強(qiáng)度下電子槍中束流的特性,分析邊緣磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為0.002 1~0.180 0 T時(shí)的電子槍電流、束流軌跡及束流品質(zhì),發(fā)現(xiàn)不同幾何參數(shù)的2款二極直流電子槍在不同磁場(chǎng)下的束流特性表現(xiàn)一致:隨電子槍所處位置處磁感應(yīng)強(qiáng)度增加,陰極發(fā)射面發(fā)射的電流逐漸增加,陽(yáng)極出口電流先小幅度增加,后突然減小再緩慢增加;在高磁感應(yīng)強(qiáng)度時(shí)束流半徑呈周期性變化,束流橫向發(fā)射度隨磁感應(yīng)強(qiáng)度增大而呈波動(dòng)性。平行配置MRIgRT裝置中,外部MR邊緣磁場(chǎng)可影響電子槍的束流,從而影響治療束質(zhì)量。為減少M(fèi)RIgRT系統(tǒng)中的電磁耦合,未來需重新設(shè)計(jì)電子槍結(jié)構(gòu)或磁屏蔽,為后續(xù)加速管和治療機(jī)頭提供符合要求的束流。

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