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        基于分子陣預(yù)處理的最小方差無畸變響應(yīng)波束形成方法

        2019-01-14 08:45:04武時(shí)龍
        關(guān)鍵詞:列陣接收數(shù)據(jù)背景噪聲

        武時(shí)龍

        (宿州職業(yè)技術(shù)學(xué)院計(jì)算機(jī)信息系, 安徽 宿州 234000)

        0 引言

        水下目標(biāo)檢測(cè)與參數(shù)估計(jì)是陣列信號(hào)處理的一個(gè)重要分支。波束形成作為陣列信號(hào)處理中核心算法,輸出波束中的背景噪聲和旁瓣級(jí)一直是其設(shè)計(jì)中需要重點(diǎn)研究的問題。低背景噪聲和旁瓣級(jí)可以有效降低對(duì)弱目標(biāo)檢測(cè)的漏報(bào)概率。

        為了對(duì)波束形成輸出背景噪聲和旁瓣級(jí)實(shí)現(xiàn)控制,許多學(xué)者在不同方面對(duì)降低波束形成旁瓣級(jí)進(jìn)行了深入研究,取得了一定的研究成果,并提出了很多方法,主要為Chebyshev濾波方法[1],“凹槽噪聲場(chǎng)”方法[2],靜態(tài)波束圖數(shù)字綜合方法[3],反復(fù)迭代方法[4],多線性約束方法[5],非線性優(yōu)化方法[6],凸優(yōu)化(Convex Optimization)方法[7],半無限二次規(guī)劃(Semi-Infinite Quadratic Programming)方法[8],二階錐(Second-Order Cone)約束方法[9-10],中心矩方法[11],虛擬干擾源構(gòu)造能量聚焦矩陣方法[12],稀疏約束方法[13]。在以上方法中,Chebyshev濾波方法以其簡(jiǎn)單方便常被應(yīng)用于實(shí)際工程中,但其存在旁瓣級(jí)和主瓣寬度折中選擇問題。

        針對(duì)最小方差無畸變響應(yīng)(Minimum Variance Undistorted Response, MVDR)波束形成中背景噪聲和旁瓣級(jí)對(duì)弱目標(biāo)檢測(cè)影響問題,本文根據(jù)線列陣接收數(shù)據(jù)中信號(hào)和噪聲相關(guān)性差異[14-15],提出了基于分子陣預(yù)處理的MVDR波束形成方法。該方法首先需要將線列陣中2N-1個(gè)陣元接收數(shù)據(jù)通過分子陣預(yù)處理轉(zhuǎn)變?yōu)镹個(gè)陣元數(shù)據(jù);然后再采用MVDR波束形成思想對(duì)該N個(gè)陣元數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,可得到各方位對(duì)應(yīng)波束值。

        1 MVDR波束形成

        對(duì)于間距為d的2N-1元等間隔水平線陣,有1個(gè)目標(biāo)從θ0入射,則第n個(gè)陣元拾取的頻率fl數(shù)據(jù)Xn(fl)可表示為:

        Xn(fl)=S(fl)ej2π(n-1)dcosθ0/λ+Nn(fl)

        (1)

        式(1)中,S(fl)為目標(biāo)輻射信號(hào),Nn(fl)為第n個(gè)陣元拾取的加性高斯白噪聲,c為聲速,λ=fl/c為波長(zhǎng)。

        將各陣元接收數(shù)據(jù)按矩陣形式,可表示為

        X(fl)=[X1(fl),X2(fl),…,X2N-1(fl)]

        (2)

        求取式(2)對(duì)應(yīng)協(xié)方差矩陣RX(fl)=E[XH(fl)X(fl)],可獲得權(quán)向量最優(yōu)解為

        (3)

        式(3)中,A(fl,θ)=[ej2πflτ1,ej2πflτ2,…,ej2πflτ2N-1]為導(dǎo)向向量,τn=(n-1)dcos(θ)/c,θ∈[0,180]為搜索角度,c為聲速,(·)H為矩陣共軛轉(zhuǎn)置,E[·]為期望函數(shù)。

        根據(jù)獲得的權(quán)向量最優(yōu)解,可得到搜索角度θ對(duì)應(yīng)輸出波束為

        (4)

        2 基于分子陣預(yù)處理的MVDR波束形成方法

        2.1 數(shù)學(xué)模型

        在非目標(biāo)波達(dá)方向上,為了進(jìn)一步降低MVDR波束形成輸出波束在不同搜索角度θ處形成的極大值,降低其對(duì)弱目標(biāo)檢測(cè)形成的影響。本文將根據(jù)線列陣接收數(shù)據(jù)中信號(hào)和噪聲相關(guān)性差異,通過對(duì)線列陣接收數(shù)據(jù)進(jìn)行分子陣預(yù)處理,得到高信噪比的協(xié)方差矩陣,降低其在非目標(biāo)方向上輸出波束值。

        以第1章所示基本數(shù)據(jù)模型為基礎(chǔ),首先對(duì)線列陣2N-1個(gè)陣元接收數(shù)據(jù)按式(5)進(jìn)行分組處理

        (5)

        然后,在搜索角度θ處,各組數(shù)據(jù)進(jìn)行相移預(yù)處理,并對(duì)各組數(shù)據(jù)相移預(yù)處理結(jié)果進(jìn)行相加,得到一組新數(shù)據(jù)為

        (6)

        式(6)中,(·)T為矩陣轉(zhuǎn)置。

        最后,求取Y(fl)對(duì)應(yīng)協(xié)方差矩陣RY(fl)=E[YH(fl)Y(fl)],獲得權(quán)向量最優(yōu)解為

        (7)

        式(7)中,A′(fl,θ)=[ej2πflτ1,ej2πflτ2,…,ej2πflτN-1]為分子陣預(yù)處理后的導(dǎo)向向量。

        根據(jù)獲得的權(quán)向量最優(yōu)解,可得到基于分子陣預(yù)處理的MVDR波束形成輸出波束為

        (8)

        依據(jù)上面所述數(shù)據(jù)處理過程,可將本文方法實(shí)現(xiàn)過程分為如下步驟:

        步驟1)按式(5)所示,首先對(duì)線列陣2N-1個(gè)陣元接收數(shù)據(jù)進(jìn)行分組處理,得到N組數(shù)據(jù)。

        步驟2)按式(6)所示,在搜索角度θ處,對(duì)各組數(shù)據(jù)進(jìn)行相移預(yù)處理,可得N組經(jīng)過相移處理后的數(shù)據(jù)。

        步驟3)按式(6)所示,對(duì)N組數(shù)據(jù)預(yù)處理結(jié)果進(jìn)行相加,得到一組新數(shù)據(jù)Y(fl)。

        步驟4)求取Y(fl)對(duì)應(yīng)的協(xié)方差矩陣RY(fl)=E[YH(fl)Y(fl)],并進(jìn)行矩陣求逆,然后按式(8)得到該搜索角度對(duì)應(yīng)波束值PSAMVDR(fl,θ)。

        步驟5)按下式求取本文方法的寬帶空間譜:

        (9)

        2.2 性能分析

        根據(jù)式(6)所示結(jié)果可知,通過對(duì)線列陣接收數(shù)據(jù)進(jìn)行分組預(yù)處理,本文方法所得新數(shù)據(jù)的協(xié)方差矩陣各位置元素可表示為

        RYf(i,k)=

        (i=1,2,…,N;k=1,2,…,N)

        (10)

        式(10)中,RYf=RY(fl),(·)*為共軛。

        當(dāng)搜索角度θ=θ0時(shí),式(10)可變?yōu)?/p>

        (11)

        表 1 分子陣預(yù)處理之前的Rx(i,k)各位置幅度值

        表 2 分子陣預(yù)處理之后的RYf(i,k)各位置幅度值

        由表1和表2可知,相比未經(jīng)分子陣預(yù)處理之前的協(xié)防方差矩陣,新數(shù)據(jù)協(xié)方差矩陣信號(hào)含量是原先的3.239 9倍,與理論推導(dǎo)值3.24倍相一致。

        為了進(jìn)一步驗(yàn)證本文方法中協(xié)方差矩陣信號(hào)增加量,進(jìn)行如下數(shù)值仿真,仿真中采用8∶8∶128元均勻線列陣作為接收陣,接收數(shù)據(jù)信號(hào)和背景噪聲譜級(jí)比為0 dB,數(shù)值仿真結(jié)果如圖 1所示,每一種陣所得結(jié)果均是由200次獨(dú)立統(tǒng)計(jì)所得。

        圖1 協(xié)方差矩陣信號(hào)增加量Fig.1 signal increment of covariance matrix

        圖1中的數(shù)值仿真結(jié)果進(jìn)一步驗(yàn)證了,經(jīng)分子陣預(yù)處理后的新數(shù)據(jù)協(xié)方差矩陣信號(hào)含有量增加了10lg(N2/(2N-1)) dB的正確性。

        3 數(shù)據(jù)處理分析

        3.1 數(shù)值仿真分析

        為了驗(yàn)證本文方法可以很好地降低背景噪聲和旁瓣級(jí)在MVDR波束形成輸出空間譜中的占有量。下面給出如下數(shù)值仿真結(jié)果,數(shù)值仿真中分別采用31,63元均勻線列陣作為接收陣,相鄰陣元間距為2 m;目標(biāo)輻射信號(hào)頻率為375 Hz,目標(biāo)相對(duì)線列陣波達(dá)方向?yàn)?0°。

        仿真中,常規(guī)波束形成簡(jiǎn)稱為CBF(Conventional

        Beam-forming),本文方法簡(jiǎn)稱為SAMVDR(Sub-Array MVDR)。

        從圖 2和圖 3顯示結(jié)果可知,在非目標(biāo)方向上,相比MVDR波束形成,本文方法輸出空間譜中的背景噪聲和旁瓣級(jí)得到有效降低,數(shù)值仿真結(jié)果與理論分析相一致。

        同時(shí),為了進(jìn)一步驗(yàn)證本文方法可以降低背景噪聲和旁瓣級(jí)對(duì)弱目標(biāo)檢測(cè)的影響。下面給出如下數(shù)值仿真,數(shù)值仿真中采用分別采用63元均勻線列陣作為接收陣,相鄰陣元間距為2 m;強(qiáng)、弱目標(biāo)輻射信號(hào)頻率均為375 Hz,強(qiáng)、弱目標(biāo)相對(duì)線列陣波達(dá)方向分別為60°和90°,強(qiáng)、弱目標(biāo)輻射信號(hào)譜級(jí)比為30 dB,弱目標(biāo)與背景噪聲譜級(jí)比為0 dB。

        由圖4結(jié)果可知,由于MVDR波束形成輸出背景噪聲和旁瓣級(jí)較高,60°處的弱目標(biāo)已經(jīng)不能在MVDR波束形成輸出空間譜中顯示出來,而本文方法所得空間譜可以很好地顯示出60°處的弱目標(biāo),降低了背景噪聲和旁瓣級(jí)對(duì)弱目標(biāo)檢測(cè)的影響。

        圖5為63元線列陣對(duì)強(qiáng)、弱目標(biāo)輻射信號(hào)譜級(jí)比為40 dB時(shí)的波束形成結(jié)果。對(duì)比圖 4和圖 5可知,相比MVDR波束形成,本文方法對(duì)60°方位處的弱目標(biāo)檢測(cè)能力提高了10 dB以上,提高M(jìn)VDR波束形成在實(shí)際應(yīng)用的中普適性。

        圖2 31元線列陣波束形成結(jié)果Fig.2 Beam-forming results of 31-element array

        圖3 單目標(biāo)情況下63元線列陣波束形成結(jié)果Fig.3 Beam-forming results of 63-element array vs a single target

        圖 4 雙目標(biāo)30 dB情況下63元線列陣波束形成結(jié)果Fig.4 Beam-forming results of 63-element array in the condition of 30 dB for dual-target

        圖5 雙目標(biāo)40 dB情況下63元線列陣波束形成結(jié)果Fig.5 Beam-forming results of 63-element array in the condition of 40 dB for dual-target

        3.2 實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)處理分析

        本次實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)為進(jìn)行目標(biāo)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)所得,實(shí)驗(yàn)采用63元水平線列陣接收信號(hào),陣間隔為4 m,水平線陣尾端方向設(shè)為180°,系統(tǒng)采樣率為fs=5 kHz。

        本次處理實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度為200 s,由于實(shí)驗(yàn)狀況比較復(fù)雜且離航道較近,在本次處理數(shù)據(jù)中,接收陣接收目標(biāo)輻射信號(hào)既有合作目標(biāo)信號(hào)也有非合作目標(biāo)信號(hào);相對(duì)接收陣,在近處140°附近存在合作目標(biāo)(模擬艦船),在40°、160°附近存在警戒船,在遠(yuǎn)處50°~130°中存在多個(gè)貨船等多個(gè)非合作目標(biāo)。本次處理數(shù)據(jù)濾波器頻帶為fl=100~180 Hz,圖 6—圖 8分別為CBF、MVDR、SAMVDR所得方位歷程圖,圖9為3種方法在t=150 s時(shí)刻所得空間譜。

        由圖 6—圖9可知,相比CBF和MVDR波束形成方法,本文方法可以在不同時(shí)刻清晰地顯示70°~130°內(nèi)不同方位處的弱目標(biāo)。以圖 9所示空間譜為例,本文方法除了能夠顯示20°,30°~50°,60°,140°,160°附近的強(qiáng)目標(biāo),還能清晰地顯示90°,100°,110°,120°附近的弱目標(biāo),好于CBF、MVDR波束形成對(duì)弱目標(biāo)檢測(cè)效果。該結(jié)果與式(12)分析結(jié)果相符合,證實(shí)了本文方法可以使MVDR方法輸出背景噪聲級(jí)和旁瓣級(jí)得到10 dB以上的改善,有效降低背景噪聲和旁瓣級(jí)對(duì)弱目標(biāo)檢測(cè)的影響。

        圖6 CBF所得方位歷程圖Fig.6 The bear/time record of CBF

        圖7 MVDR所得方位歷程圖Fig.7 The bear/time record of MVDR

        圖8 SAMVDR所得方位歷程圖Fig.8 The bear/time record of SAMVDR

        圖9 3種方法所得空間譜Fig.9 The spatial spectrum of the three methods

        4 結(jié)論

        本文提出了基于分子陣預(yù)處理的MVDR波束形成方法。該方法首先對(duì)線列陣接收數(shù)據(jù)進(jìn)行分組處理;然后按搜索角度對(duì)各組數(shù)據(jù)進(jìn)行相移、相加處理,得到一組新數(shù)據(jù);最后按MVDR波束形成思想對(duì)該組新數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,可得到低背景噪聲和旁瓣級(jí)波束。理論推導(dǎo)分析、數(shù)值仿真和實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)處理結(jié)果均表明,本文方法通過對(duì)線列陣接收數(shù)據(jù)進(jìn)行分子陣預(yù)處理,相比MVDR波束形成,有效提高了線列陣接收數(shù)據(jù)協(xié)方差矩陣中信號(hào)含有量和信噪比,使輸出波束背景噪聲級(jí)和旁瓣級(jí)得到10 dB以上的改善,降低了背景噪聲和旁瓣級(jí)對(duì)MVDR波束形成檢測(cè)弱目標(biāo)帶來的影響,提高了MVDR波束形成對(duì)弱目標(biāo)的檢測(cè)效果。

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