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        基于MMC的電力電子變壓器保護(hù)系統(tǒng)研究*

        2018-09-03 07:25:28周廷冬徐永海
        電測(cè)與儀表 2018年13期
        關(guān)鍵詞:變壓器交流故障

        周廷冬,徐永海

        (新能源電力系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(華北電力大學(xué)),北京 102206)

        0 引 言

        近年來(lái),隨著智能電網(wǎng)、可再生能源以及特高壓技術(shù)的發(fā)展逐步引出了能源互聯(lián)網(wǎng)的概念,為實(shí)現(xiàn)能源互聯(lián)網(wǎng)中多源、多負(fù)荷之間的傳輸及變換則需要使用能量路由器。電力電子變壓器(Power Electronic Transformer, PET)擁有較多的可接入端口,可以方便的實(shí)現(xiàn)電能在交直流、高低壓之間的傳輸及變換,便于可再生能源與電動(dòng)汽車(chē)等接入,因此可作為能量路由器的核心設(shè)備,應(yīng)用前景廣闊。

        PET發(fā)展至今已有多種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)[1-3],但為了滿(mǎn)足能量路由器的需要,擁有多端口接入的三級(jí)型PET拓?fù)涑蔀榱搜芯繜狳c(diǎn)。目前,三級(jí)型PET主要有級(jí)聯(lián)H橋(Cascaded H Bridge,CHB)型和模塊化多電平(Modular Multilevel Converter,MMC)型兩種拓?fù)?。MMC已在高壓直流輸電領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,具有模塊數(shù)及電壓等級(jí)靈活可調(diào)、輸入諧波含量低等優(yōu)點(diǎn),將其應(yīng)用到PET中還可顯著減少高頻變壓器以及功率器件的數(shù)量[4],因此,MMC型PET在未來(lái)應(yīng)用中擁有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

        除了研究適用于能量路由器的PET拓?fù)湟约跋鄳?yīng)的控制策略之外,PET在實(shí)際應(yīng)用中其保護(hù)系統(tǒng)也是必不可少的環(huán)節(jié),對(duì)于提高PET的可靠性以及其所在系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行均具有重要意義,但目前鮮有文獻(xiàn)研究PET的保護(hù)系統(tǒng)。文獻(xiàn)[5]將PET應(yīng)用到未來(lái)可再生能源傳輸與管理系統(tǒng)(Future Renewable Electric Energy Delivery and Management, FREEDM)中,提出了適用于微型電網(wǎng)的分層式保護(hù)方法,但卻沒(méi)有研究PET本身的保護(hù)系統(tǒng)。文獻(xiàn)[6]對(duì)CHB型PET在外部電網(wǎng)故障、雷擊過(guò)電壓及非理想負(fù)荷等對(duì)電力電子變壓器的影響及相應(yīng)的保護(hù)配置要求進(jìn)行了研究,但與MMC型PET的故障特征以及保護(hù)系統(tǒng)有較大的區(qū)別。

        針對(duì)MMC型PET的保護(hù)系統(tǒng)開(kāi)展研究,配置其保護(hù)系統(tǒng),針對(duì)不同類(lèi)型的故障提出相應(yīng)的保護(hù)策略,最后基于PSCAD仿真平臺(tái)對(duì)所提PET保護(hù)策略進(jìn)行仿真驗(yàn)證,證明了其正確性與可行性。

        1 PET原理及保護(hù)配置

        所研究的MMC型PET為三級(jí)型拓?fù)?,分為輸入?jí)、隔離級(jí)和輸出級(jí)。輸入級(jí)MMC采用定直流電壓雙閉環(huán)解耦控制策略,子模塊采用工程中應(yīng)用較多的最近電平逼近以及排序均壓控制[7],將交流輸入電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓;隔離級(jí)采用雙有源橋(Dual Active Bridge, DAB)結(jié)構(gòu),兩端為H全橋結(jié)構(gòu),中間為高頻變壓器,DAB采用輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)的連接方式,兩側(cè)H橋采用開(kāi)環(huán)控制,觸發(fā)脈沖同相位,將MMC輸出的直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻方波,經(jīng)高頻變壓器降壓之后再經(jīng)過(guò)DAB中的H橋整流為低壓直流輸出;PET的輸出級(jí)為VSC逆變器,同樣采用雙閉環(huán)解耦控制方法,將DAB輸出的直流電壓轉(zhuǎn)換為交流輸出電壓,為交流負(fù)荷供電。

        圖1 基于MMC的PET主電路拓?fù)洹y(cè)點(diǎn)及保護(hù)配置Fig.1 Main circuit topology, measuring point and protection configuration of MMC based PET

        實(shí)際工程應(yīng)用中需要為PET配置接地方式,考慮到交流配電網(wǎng)電力變壓器低壓繞組一般為Δ型接線(xiàn)方式,即與PET輸入側(cè)相連的交流電網(wǎng)沒(méi)有中性點(diǎn),因此選取交流配電網(wǎng)中應(yīng)用廣泛的接地變壓器[8]構(gòu)造接地點(diǎn)實(shí)現(xiàn)PET系統(tǒng)的接地?;贛MC的PET主電路拓?fù)鋄4]以及其配置的測(cè)點(diǎn)與保護(hù)類(lèi)型如圖1所示,主要對(duì)交流輸入側(cè)輸電線(xiàn)、MMC橋臂電抗器、MMC直流線(xiàn)路、DAB中的高頻變壓器、DAB輸出直流線(xiàn)路以及交流輸出側(cè)輸電線(xiàn)配置保護(hù),此外,對(duì)于PET裝置本體以模塊為單位(包括MMC子模塊、隔離級(jí)H橋和輸出VSC逆變器),為其配置相應(yīng)的冗余保護(hù)。上述保護(hù)配置基本涵蓋了PET所有故障點(diǎn),能夠較好的應(yīng)對(duì)PET可能出現(xiàn)的各種故障類(lèi)型。

        由于故障類(lèi)型及保護(hù)較多,選取幾種MMC型PET中特殊存在的故障以及保護(hù)配置進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,并對(duì)其正確性和有效性進(jìn)行仿真驗(yàn)證,包括交流輸入側(cè)接地電阻對(duì)保護(hù)配置的影響,MMC直流雙極短路故障的應(yīng)對(duì)策略。

        2 故障特性分析及保護(hù)策略

        2.1 接地電阻的選擇

        2.1.1 故障分析

        PET系統(tǒng)交流輸入側(cè)采用接地變壓器接地,接地變壓器為Z型接線(xiàn)方式,當(dāng)發(fā)生單相接地故障時(shí),接地變壓器對(duì)正序和負(fù)序電流呈現(xiàn)高阻抗,而對(duì)零序電流呈現(xiàn)低阻抗,該零序電流可通過(guò)接地變壓器接入的電阻進(jìn)行抑制,從而減小接地故障電流。因此,接地電阻的取值決定了接地故障發(fā)生后的接地電流大小,此外,當(dāng)PET輸入級(jí)MMC發(fā)生單極接地故障后,故障點(diǎn)與接地變壓器接地點(diǎn)會(huì)形成放電回路,接地電阻的取值同樣會(huì)影響該放電回路的故障電流。交流輸入側(cè)發(fā)生單相接地故障后的輸電線(xiàn)路零序放電回路和MMC直流線(xiàn)路發(fā)生單極接地故障下的等效放電回路如圖2所示。圖中,Z0表示交流線(xiàn)路故障點(diǎn)與接地變壓器之間的零序阻抗,XG、RG分別表示接地變壓器的等效電抗和接地電阻,Iup表示MMC單極接地瞬間橋臂電流,L0表示MMC橋臂電感,C0表示MMC子模塊電容,N表示MMC每橋臂子模塊個(gè)數(shù),2C0/N表示放電回路的等效電容,Rf表示故障點(diǎn)過(guò)渡電阻。

        圖2 故障等效電路Fig.2 Fault equivalent circuit

        由圖2可以看出,接地變壓器接入電阻的取值對(duì)交流單相接地故障以及直流單極接地故障的故障電流均有影響,阻值過(guò)小則直流單極接地故障的放電電流過(guò)大,阻值過(guò)大則交流零序回路阻抗變大,不利于交流系統(tǒng)及時(shí)發(fā)現(xiàn)故障。

        交流系統(tǒng)單相接地故障后的零序回路較為簡(jiǎn)單,不做詳細(xì)討論,重點(diǎn)介紹直流單極接地故障后的故障電流特性。由圖2(b)所示等效電路可知,該故障回路的放電過(guò)程為RLC二階電路零輸入響應(yīng),其初始條件為:

        式中Udc表示直流側(cè)電壓,求解二階動(dòng)態(tài)電路的微分方程可得故障回路電流為:

        (2)

        式中:

        根據(jù)式(2),故障后的電流隨時(shí)間的變化關(guān)系如圖3所示。

        圖3 故障電流隨時(shí)間變化曲線(xiàn)Fig.3 Curve of fault current changes with time

        故障發(fā)生后,直流電壓參考電位將發(fā)生變化,MMC的單相數(shù)學(xué)模型可表示為:

        式中ua、ub、uc分別表示交流系統(tǒng)三相電壓;U表示其有效值;UPO、UNO分別表示直流正負(fù)極電壓;uap、uan分別表示MMC上、下橋臂電壓。因此單極接地故障發(fā)生后(以正極為例),正極電壓變?yōu)榱恪?/p>

        UPO=uap+ua=0

        (9)

        結(jié)合式(7)可得交流側(cè)電壓:

        再由式(8)得到負(fù)極直流母線(xiàn)電壓:

        因此,根據(jù)式(9)和式(11)可知,單極接地故障后接地極電壓降為零,非故障極電壓升高為故障前兩倍,但保持直流極間電壓不變,因此對(duì)PET隔離級(jí)不會(huì)產(chǎn)生影響。

        根據(jù)以上故障分析,提出以下保護(hù)策略以提高PET的供電可靠性:

        (1)由于直流單極接地故障后極間電壓保持不變,仍可對(duì)PET隔離級(jí)及輸出級(jí)供電,因此可考慮故障后仍持續(xù)運(yùn)行一段時(shí)間(如2 h),需要注意的是應(yīng)加強(qiáng)直流線(xiàn)路的短時(shí)絕緣強(qiáng)度;

        (2)由于接地變壓器接地電阻對(duì)交流接地故障和直流單極接地故障都有影響,因此提出正常運(yùn)行時(shí)接入較小阻值,當(dāng)檢測(cè)到直流單極接地故障后投入大電阻對(duì)故障電流進(jìn)行限制,投入大電阻的故障判據(jù)可表示為:

        式中假設(shè)故障極為正極,故障極為負(fù)極時(shí)的判據(jù)類(lèi)似,Δ1表示低電壓判據(jù);Δ2表示過(guò)電壓判據(jù),理想情況下Δ1值接近于0,Δ2值接近于1,考慮過(guò)渡電阻的影響,可將其進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整(例如取Δ1=0.1,Δ2=0.9);

        (3)根據(jù)(2)中保護(hù)策略,直流單極接地故障發(fā)生后系統(tǒng)仍可持續(xù)運(yùn)行一段時(shí)間,在此期間直流不平衡保護(hù)發(fā)出報(bào)警信號(hào),便于運(yùn)維人員檢修排除故障,超過(guò)一定時(shí)間之后,若故障仍然存在則直流電壓不平衡保護(hù)動(dòng)作切除故障。

        2.1.2 仿真驗(yàn)證

        為對(duì)上述故障分析結(jié)果以及所提保護(hù)策略進(jìn)行驗(yàn)證,基于PSCAD仿真平臺(tái)搭建了仿真模型,參數(shù)如表1所示,仿真中設(shè)定0.3 s發(fā)生故障。

        表1 PET仿真模型參數(shù)Tab.1 Simulation model parameters of PET

        圖4所示為交流系統(tǒng)A相發(fā)生單相接地故障后,接地變壓器取不同接入電阻情況下的PET交流出口處A相電流有效值仿真結(jié)果。根據(jù)仿真結(jié)果可知,接地變壓器接入電阻越大,則A相電流越接近正常值,從而不利于故障的發(fā)現(xiàn)與排除。

        圖4 不同電阻時(shí)輸電線(xiàn)路A相電流有效值Fig.4 RMS of phase A current in transmission line with different resistances

        圖5所示為PET輸入級(jí)MMC發(fā)生直流正極接地故障后的仿真結(jié)果。由圖5(a)可知,故障發(fā)生后MMC子模塊會(huì)形成放電回路,由于未采取保護(hù)措施因而子模塊電壓呈現(xiàn)工頻振蕩現(xiàn)象;圖5(b)中直流接地極電壓變?yōu)?,非接地極電壓升高為故障前2倍并伴隨3倍頻振蕩,這是由于MMC三相子模塊電壓振蕩所致;圖5(c)所示為接地變壓器接入不同電阻之后的故障電流有效值變化關(guān)系,增大接入電阻之后可以顯著減小故障電流,并且抑制了非故障極的電壓振蕩,如圖5(d)所示。因此,所提保護(hù)策略可提高直流單極接地故障下的系統(tǒng)運(yùn)行可靠性。

        圖5 直流正極接地故障仿真結(jié)果Fig.5 Simulation results of DC positive grounding fault

        2.2 MMC直流雙極短路故障

        2.2.1 故障分析

        MMC直流雙極短路故障是直流側(cè)最嚴(yán)重的故障類(lèi)型,對(duì)于MMC型PET而言,MMC與DAB之間的連接母線(xiàn)非常短,且位于裝置內(nèi)部,因此發(fā)生雙極短路故障的概率非常低,暫不做考慮。PET的中壓直流母線(xiàn)需要接入直流電網(wǎng)時(shí),如圖1所示,則直流線(xiàn)路發(fā)生雙極短路的可能性變大,因此主要分析直流線(xiàn)路雙極短路故障對(duì)PET的影響。

        根據(jù)圖1所示PET拓?fù)?,直流線(xiàn)路發(fā)生雙極短路故障之后,輸入級(jí)MMC和隔離級(jí)DAB均會(huì)存在放電回路。故障發(fā)生后,PET保護(hù)動(dòng)作前交流系統(tǒng)會(huì)通過(guò)MMC向直流側(cè)饋入電流,同時(shí)MMC子模塊也會(huì)通過(guò)故障點(diǎn)迅速放電[7],此外,由于隔離級(jí)DAB采用輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)的連接方式,輸入側(cè)串聯(lián)電容也會(huì)通過(guò)直流故障點(diǎn)迅速放電,產(chǎn)生嚴(yán)重的沖擊電流。

        MMC采用半橋子模塊后發(fā)生雙極短路故障后,由于半橋子模塊不具備故障電流抑制能力,因此在子模塊閉鎖之后,交流系統(tǒng)仍然可以通過(guò)反并聯(lián)二極管向直流側(cè)饋入電流,該部分內(nèi)容已有較多文獻(xiàn)進(jìn)行分析,不再詳述,詳細(xì)內(nèi)容可參考文獻(xiàn)[7]。為了克服半橋子模塊的上述不足,采用具有直流故障電流抑制能力的箝位雙子模塊(Clamp Double Sub-Module,CDSM)拓?fù)涮鎿Q半橋子模塊,用于閉鎖后限制故障電流。

        文獻(xiàn)[9]分析了CDSM的原理以及直流故障電流抑制機(jī)制,但并未分析引入CDSM所帶來(lái)的問(wèn)題。由于MMC的直流保護(hù)判據(jù)需要用到橋臂電流值[10],因此故障發(fā)生后直流保護(hù)動(dòng)作時(shí)橋臂電流已經(jīng)增大到較大的值,而由于橋臂電感電流不能突變,當(dāng)橋臂電流超過(guò)保護(hù)定值閉鎖MMC之后,橋臂電流中所存儲(chǔ)的能量將會(huì)回饋到CDSM的電容中,由于該部分能量較大,將不可避免的導(dǎo)致電容出現(xiàn)過(guò)電壓[11]。CDSM閉鎖之后的故障電流通路如圖6所示,圖中C1、C2表示子模塊電容。

        圖6 CDSM閉鎖后故障電流通路Fig. 6 CDSM fault current path after blocking

        根據(jù)文獻(xiàn)[9]所述CDSM工作原理,正常運(yùn)行情況下電流不流經(jīng)箝位二極管,即圖6中的D6、D7,因此為解決上述CDSM閉鎖之后引起的電容過(guò)電壓?jiǎn)栴},采用箝位二極管串聯(lián)阻尼電阻的方法[11]耗散橋臂電流能量,降低子模塊電容電壓,加入阻尼電阻之后的CDSM拓?fù)淙鐖D7所示,圖中Rd表示阻尼電阻。正常運(yùn)行時(shí)由于箝位二極管的作用阻尼電阻不會(huì)投入,故障閉鎖后故障電流流經(jīng)子模塊電容、阻尼電阻和箝位二極管,因此阻尼電阻可以分擔(dān)橋臂電流中的一部分能量。

        圖7 加入阻尼電阻的CDSM拓?fù)銯ig.7 CDSM topology with damping resistors

        閉鎖后阻尼電阻耗散的能量以及所承受的電壓可以表示為:

        式中W表示阻尼電阻中消耗的能量;t0和ts分別表示起始和終止時(shí)刻;if表示故障電流;URd表示阻尼電阻所承受的電壓。W和URd是圖7中阻尼電阻選取的重要指標(biāo),如果阻尼電阻上消耗的能量過(guò)大,則不利于子模塊散熱,Rd承受的電壓過(guò)大則需要增加其電壓等級(jí),增加成本。因此,阻尼電阻需要滿(mǎn)足上述指標(biāo)的要求。

        對(duì)于隔離級(jí)DAB而言,串聯(lián)電容在直流側(cè)發(fā)生雙極短路之后也會(huì)通過(guò)故障點(diǎn)形成放電回路,其等效電路如圖8(a)所示,其實(shí)質(zhì)為RC放電回路,圖中C/M表示DAB串聯(lián)側(cè)等效電容,M表示DAB個(gè)數(shù),Rf表示過(guò)渡電阻。由于電容串聯(lián)之后其值減小為之前的1/M,故障點(diǎn)的過(guò)渡電阻也不會(huì)很大,因此導(dǎo)致放電回路的時(shí)間常數(shù)很小,同時(shí)由于直流電壓較大,因此會(huì)在故障瞬間產(chǎn)生嚴(yán)重的沖擊電流。為了減小沖擊電流對(duì)電容可能造成的損害,采用在直流輸電線(xiàn)路出口處添加平波電抗器的方法,由于電感電流不能突變,因此可以限制故障電流上升率,改造之后的等效電路如圖8(b)所示,其實(shí)質(zhì)變?yōu)镽LC放電回路,圖中LX表示平波電抗器中的等效電感。

        圖8 DAB串聯(lián)側(cè)放電等效電路Fig.8 DAB series side discharge equivalent circuit

        2.2.2 仿真驗(yàn)證

        MMC采用半橋子模塊時(shí),直流輸電線(xiàn)路發(fā)生雙極短路故障后的仿真結(jié)果如圖9所示,仿真中設(shè)定0.3 s發(fā)生故障,檢測(cè)橋臂過(guò)電流650 A(可根據(jù)IGBT所能承受的過(guò)電流選取),之后延時(shí)2 ms閉鎖PET,0.5 s斷開(kāi)交流輸入側(cè)斷路器。根據(jù)仿真結(jié)果可知,故障后雖然及時(shí)閉鎖了PET,但是直流故障電流仍然存在,這是由于半橋子模塊不能抑制故障電流,交流系統(tǒng)仍可以向直流側(cè)繼續(xù)饋入電流所致,這種情況一直持續(xù)到交流側(cè)斷路器斷開(kāi);DAB電容迅速放電,出現(xiàn)非常大的沖擊電流。

        圖9 半橋子模塊仿真結(jié)果Fig.9 Simulation results of half bridge sub module

        為解決上述問(wèn)題,采用CDSM替換半橋子模塊,并在直流線(xiàn)路出口加入10 mH平波電抗器,仿真中設(shè)定0.3 s發(fā)生雙極短路故障,檢測(cè)橋臂過(guò)電流650 A,之后延時(shí)2 ms PET閉鎖,改進(jìn)之后的仿真結(jié)果如圖10所示。由圖10可知,采用CDSM的PET在故障閉鎖之后直流側(cè)電流得到抑制,經(jīng)一段時(shí)間的衰減之后降為零;由于直流線(xiàn)路出口平波電抗器的作用,DAB串聯(lián)側(cè)電容電流得到了明顯的抑制。

        圖10 改進(jìn)拓?fù)浞抡娼Y(jié)果Fig.10 Simulation results of improved topology

        圖10中直流側(cè)電流在PET閉鎖之后電流出現(xiàn)一定的衰減期,這是由于橋臂電感中的電流不能突變,而此部分閉鎖之后的電流會(huì)流經(jīng)CDSM中的電容,對(duì)其進(jìn)行充電,從而導(dǎo)致電容過(guò)電壓,因此可通過(guò)在CDSM箝位二極管串聯(lián)阻尼電阻的方法消耗部分能量以減小電容過(guò)電壓。阻尼電阻選取0 Ω、1 Ω、3 Ω、5 Ω時(shí)的仿真結(jié)果如圖11所示。與加入阻尼電阻之前相比,電容過(guò)電壓得到了有效的抑制,阻尼電阻越大,過(guò)電壓抑制效果越明顯,同時(shí)阻尼電阻中消耗的能量也會(huì)相應(yīng)的增加,其所承受的最大電壓相應(yīng)升高,應(yīng)合理選擇阻值以降低對(duì)子模塊散熱造成的影響并降低成本。

        圖11 加入阻尼電阻后的仿真結(jié)果Fig.11 Simulation results after adding damping resistors

        3 結(jié)束語(yǔ)

        PET的保護(hù)系統(tǒng)配置是其實(shí)際應(yīng)用中必不可少的環(huán)節(jié),針對(duì)基于MMC的PET中可能出現(xiàn)的故障類(lèi)型配置了相應(yīng)的保護(hù)方法。詳細(xì)分析了接地電阻對(duì)交流接地故障和PET輸入級(jí)MMC直流單極接地故障下故障特性的影響,并提出正常運(yùn)行時(shí)接入小電阻,檢測(cè)到直流單極接地故障后投入大電阻的運(yùn)行保護(hù)策略;對(duì)MMC直流雙極短路中PET閉鎖后引起的CDSM電容過(guò)電壓?jiǎn)栴}以及DAB串聯(lián)電容產(chǎn)生沖擊過(guò)電流現(xiàn)象的原因進(jìn)行了分析,并采用在CDSM箝位二極管串聯(lián)阻尼電阻以及直流線(xiàn)路出口加入平波電抗器的改進(jìn)方法。最后通過(guò)PSACD仿真對(duì)以上故障及保護(hù)策略進(jìn)行了驗(yàn)證,證明了其正確性與有效性。

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