梁曉波,李曉延,姚 鵬,李 揚,金鳳陽
(北京工業(yè)大學 材料科學與工程學院 新型功能材料教育部重點實驗室,北京100124)
電子封裝技術是將構成電子回路的半導體元件、電子器件組合成電子設備的綜合技術。目前電子封裝技術正朝著高密度、高頻、高速方向發(fā)展,與此同時,3D封裝集成逐漸得到廣泛應用[1]。所以近年來,3D封裝材料及技術得到了廣泛的研究[2-3]。而3D封裝中一個重要挑戰(zhàn)是焊點要有較高的熔點,從而保證在重復堆疊封裝時已有的焊點不被熔化。在這種情況下,傳統的Cu/IMCs/釬料/IMCs/Cu焊點無法達到要求。同時隨著電子產品向微型化、多功能化和高可靠性發(fā)展的趨勢要求芯片和元器件的集成度愈來愈高,相應地要求封裝密度不斷提高及微互連焊點尺寸不斷減小。當前高密度封裝互連焊點尺寸已經小至30μm以下甚至幾微米,在這種情況下,焊點內部的釬料可能會全部轉化成高熔點的金屬間化合物,形成全金屬間化合物焊點,這種焊點由于可以承受后封裝過程中再流焊溫度,減少熱失配的產生,并且可以在高溫下進行服役,所以近年來,研究者們通過低溫固液鍵合的方法研究制備一種全IMCs焊點[4-6],這種焊點由于只含有金屬間化合物,而金屬間化合物都具有較高的熔點,所以能夠承受后續(xù)封裝過程中較高的溫度并且也可以在較高的溫度環(huán)境下服役[7]。
近年來楊東升[8]對Cu-Sn體系進行了深入研究,采用低溫等溫鍵合的方法在不同的鍵合溫度、鍵合時間和鍵合壓力下分別制備焊點,并對焊點組織結構進行分析,最終得到制備全Cu3Sn焊點的參數為釬焊溫度300℃,釬焊時間16h,釬焊壓力0.05N。Cao等[9]在銅焊盤上分別沉積3,5,6μm和8μm的低熔點金屬Sn層,相同條件下鍵合后發(fā)現所有Sn都反應結束生成IMC并剩下高熔點金屬銅,3μm的Sn層在金屬間化合物中出現大量的孔洞缺陷,4~8μm的Sn層的化合物層沒有孔洞缺陷出現,但是當Sn量超過6μm時將出現熔化的Sn溢出,4μm厚的Sn層可以獲得良好的接頭。當壓力大于200N時Sn層也會溢出,不利于鍵合。
總之,全IMCs焊點的制備受鍵合時間,鍵合溫度和鍵合壓力的影響,而Sn層的厚度最好在3μm以上。同時,對焊點形成過程中組織演變的報道不多,并且很少單獨研究IMCs的立體形貌。因此在本工作中,通過電鍍的方法在Cu基板上沉積4μm厚的Sn層,組成一個Cu/Sn+Sn/Cu結構,在不同的釬焊時間下制備焊點,分析總結其組織演變規(guī)律及IMCs的生長規(guī)律,并且研究溫度對IMCs形貌的影響規(guī)律。
采用5mm×5mm×1mm的Cu基板,經過磨拋后得到一個平整光滑干凈的表面,然后通過電鍍的方法在Cu表面沉積4μm的Sn,每兩個電鍍Sn的Cu基體組成一個Cu/Sn+Sn/Cu結構,裝卡后在管式爐中進行釬焊,焊點制備方法如圖1所示。實際生產中的無鉛焊點,既可以采用回流焊也可以采用惰性氣體保護的等溫釬焊,而這兩種方法均可以制備出質量、性能較好的無鉛焊點[10-13],所以本研究選擇氬氣作為保護氣體,通過等溫釬焊的方法制備全Cu3Sn焊點。
圖1 焊點制備示意圖 (a)裝卡;(b)等溫釬焊;(c)全Cu3Sn焊點Fig.1 Schematic diagram of fabricating solder joint (a)alignment;(b)isothermal soldering;(c)full Cu3Sn joint
電子封裝中焊點的制備溫度通常在240~340℃之間[14-17],由于本研究欲在低溫下通過等溫釬焊制備能夠高溫服役的全Cu3Sn焊點,所以最終選擇較為適中的270℃作為釬焊溫度,1N作為釬焊壓力,在30~480min之間制備焊點,再將焊點進行金相制樣,在SEM電鏡下觀察微觀組織,以此來分析焊點制備過程中組織演變的規(guī)律。使用Photoshop圖像處理軟件對金屬間化合物厚度進行提取,計算平均厚度。然后選擇30min作為釬焊時間,1N作為釬焊壓力,分別在240,270,300℃釬焊溫度下制備焊點,將釬焊后的焊點瞬間升溫加熱到240℃后進行剝離,如圖2所示,將對接焊點兩側分離開來,獲得含有被Sn覆蓋的金屬間化合物的單側分離件。然后放入體積分數為9%的稀硝酸溶液中超聲腐蝕5min左右直至焊點中間的殘余Sn被完全反應掉以露出下面的Cu6Sn5層,最后在酒精溶液中超聲2min洗掉表面殘留的硝酸溶液,吹干后觀察其微觀形貌。
圖2 焊點加熱剝離示意圖 (a)焊點;(b)加熱;(c)剝離Fig.2 Schematic diagram of detaching solder joint by heating (a)joint;(b)heating;(c)detaching
圖3為不同釬焊時間下焊點橫截面組織形貌。結合釬焊30min后焊點界面各相EDAX圖(見圖4)可知這種金屬間化合物為Cu6Sn5,而在Cu6Sn5與Cu基板之間形成了一層較薄的Cu3Sn。Cu6Sn5相在與液相Sn接觸側呈現扇貝狀,與其他Sn基釬料與銅基體在回流焊中生成的扇貝狀的Cu6Sn5相似。其主要原因是以扇貝狀生長可以為反應的繼續(xù)進行提供最大的自由能改變率,有利于反應的繼續(xù)進行[18]。Cu6Sn5/Cu3Sn相界面相對平整,同時發(fā)現在大的扇貝狀Cu6Sn5下面的Cu3Sn相對較厚,這是由于Cu向液相Sn中的擴散溶解要先穿過Cu6Sn5層,如果Cu6Sn5層較厚,Cu原子穿過該層速率較慢,會在Cu6Sn5相內達到溶解飽和,在Cu原子濃度大的Cu側逐漸反應生成Cu3Sn相。然而在Cu6Sn5層較薄處,扇貝兩側的Cu原子可以輕易穿過IMC層進入液相Sn中,使Cu6Sn5內Cu原子濃度較低,與Cu6Sn5反應速率慢導致生成Cu3Sn相的速率也相對較慢,所以出現圖3(a)中所示的扇貝底部Cu3Sn厚而相鄰扇貝之間的Cu3Sn層較薄的現象。
當釬焊時間增加到60min,上下兩層Cu6Sn5扇貝相互接觸形成一個整體的Cu6Sn5相,如圖3(b)所示,
圖3 不同釬焊時間下焊點橫截面組織形貌(a)30min;(b)60min;(c)90min;(d)120min;(e)150min;(f)180min;(g)210min;(h)300min;(i)480minFig.3 Cross-section microstructure morphologies of solder joints under different soldering time(a)30min;(b)60min;(c)90min;(d)120min;(e)150min;(f)180min;(g)210min;(h)300min;(i)480min
圖4 釬焊30min后焊點界面SEM及EDAX圖 (a)SEM圖;(b)A點EDAX圖;(c)B點EDAX圖;(d)C點EDAX圖Fig.4 SEM and EDAX diagram of solder joint after soldering 30min (a)SEM;(b)EDAX of point A;(c)EDAX of point B;(d)EDAX of point C
說明Sn完全轉變成了金屬間化合物。在此過程中Cu3Sn厚度也在增加,由于扇貝的消失,所以Cu3Sn的厚度逐漸趨于一致。從圖3(b)中并沒有觀察到隨著Sn被完全消耗由于體積效應而產生的空洞,這是由于所用Cu基體經過磨拋,表面足夠平整,在壓力及分子熱運動條件下這種空洞逐漸愈合,所以形成圖3(b)所示形貌。
隨著釬焊時間的繼續(xù)增加,焊點中的Cu6Sn5逐漸減少,而Cu3Sn相厚度逐漸增加,說明Cu3Sn的增加是以消耗Cu6Sn5為代價。從圖3(b)~(i)可以看出Cu3Sn的生長速率相對較慢,這是因為Cu3Sn是由Cu6Sn5與Cu原子通過固態(tài)擴散反應形成,屬于固態(tài)反應的產物,其Cu原子溶解激活能較高,所以反應速率較低[19]。當釬焊時間增加到480min時,Cu6Sn5被完全消耗,焊點中只包含有Cu3Sn。
通過質量守恒定律,如式(1),可以計算最終焊點的厚度。
(1)
式中:Nx是X的數量;nx是原子質量數;S是反應區(qū)域的面積;dx,ρx,Mx分別是厚度,密度和原子質量。MCu=63.5g/mol,MSn=118.7g/mol,ρCu=8.96g/cm3,ρsn=7.28g/cm3。
當8μm厚Sn層完全轉變成Cu3Sn時,通過式(2)最終可計算得到焊點的理論厚度為18.4μm。
(2)
但是從圖3(i)測得焊點厚度只有14.5μm,這是由于在釬焊過程中少量液態(tài)Sn被擠出釬焊區(qū)域,從而使參與反應的Sn的厚度小于理論的8μm,導致了最終形成的全Cu3Sn焊點厚度也小于理論值。
通過Photoshop圖像處理軟件對整個焊點及不同金屬間化合物厚度進行提取,根據所提取的像素算得焊點及金屬間化合物厚度。圖5為不同釬焊時間焊點及金屬間化合物厚度。其中Cu3Sn的厚度是上下兩層厚度的平均值,Cu6Sn5厚度為焊點中Cu6Sn5的總厚度。
圖5 不同釬焊時間焊點及IMCs厚度Fig.5 Thickness of solder joint and IMCs under different soldering time
從圖5可以看出焊點的厚度隨著釬焊時間的增加不斷增加,通過式(3)最終可算出8μm厚Sn層完全轉變成Cu6Sn5時厚度為12μm,結合式(2)和式(3)的結果可知,隨著焊點中Cu3Sn的增加焊點厚度也不斷增加,直到焊點中Cu6Sn5全部轉變成Cu3Sn。
(3)
對于Cu6Sn5,在釬焊60min前其厚度增長較快,這是因為Cu6Sn5是由Cu原子和液態(tài)Sn原子發(fā)生反應產生的,根據文獻[20],Cu原子在液態(tài)Sn中的溶解激活能非常低,所以其生長速率較快。60min之后液態(tài)Sn被完全消耗,Cu6Sn5不再增加,相反Cu6Sn5要與Cu原子發(fā)生固態(tài)反應生成Cu3Sn,所以60min后Cu6Sn5不斷減少,當釬焊時間增加到480min時,Cu6Sn5全部轉化成Cu3Sn。
觀察Cu3Sn的厚度變化可以發(fā)現,在60min之前Cu3Sn的厚度增長相對較快,而60min之后增加相對緩慢,這是因為在液態(tài)Sn被完全消耗之前,焊點中的Cu3Sn由兩種方式生成,一是由Cu原子和Cu6Sn5反應生成,還有一種方式就是Cu原子擴散通過兩個扇貝之間的通道直接與液態(tài)Sn原子反應生成Cu3Sn。所以在液態(tài)Sn被完全消耗之前Cu3Sn的生長速率較快,當液態(tài)Sn被完全消耗之后,Cu3Sn只能靠Cu6Sn5與Cu原子發(fā)生固態(tài)反應來產生,所以生成速率相對較慢。還可以發(fā)現隨著釬焊時間的增加,Cu3Sn的生長速率逐漸減慢,這是因為隨著釬焊時間的增加Cu3Sn越來越厚,Cu原子穿過Cu3Sn需要的時間越長,所以在相同的時間之內,生成的Cu3Sn越少。觀察Cu6Sn5與Cu3Sn的厚度變化發(fā)現,60min之后,Cu6Sn5與Cu3Sn的厚度變化正好相反,當Cu6Sn5減少較快時,Cu3Sn的增加就會越快,這也進一步證明Cu3Sn的形成以Cu6Sn5消耗為代價。
通過加熱熔融然后腐蝕的方法得到270℃下釬焊不同時間的Cu6Sn5形貌,如圖6所示。
圖6 不同釬焊時間下Cu6Sn5形貌 (a)15min;(b)30min;(c)45minFig.6 Morphologies of Cu6Sn5 under different soldering time (a)15min;(b)30min;(c)45min
釬焊15min時,Cu6Sn5晶粒全部為扇貝狀,各個晶粒之間存在間隙,且晶粒尺寸大小不一。隨著釬焊時間增加到30min,扇貝狀Cu6Sn5晶粒尺寸增大,但是較少一部分晶粒開始變得不規(guī)則,并且Cu6Sn5扇貝大小趨于一致,這是由于Cu6Sn5晶粒之間的相互吞并造成的,這也進一步證實了Cu6Sn5的生長符合Ostwald熟化機制[21]。小的Cu6Sn5扇貝在釬焊過程中不斷分解成Cu原子和Sn原子進而為大的扇貝的增大提供Cu, Sn原子。還可以觀察到在已經形成的Cu6Sn5晶粒表面有許多微小顆粒形成,這些微小顆粒也就是Cu6Sn5的形核點,可能是晶粒表面先形成的Cu-Sn共晶體。隨著Cu原子的擴散,晶粒繼續(xù)向液相Sn內生長,形核點長大成小晶粒,均勻分布在Cu6Sn5晶粒表面,如圖6(b)所示。隨著釬焊時間的增加,這些小晶粒逐漸長大,當長大到一定程度時,相鄰晶粒達到接觸邊緣,互相融合,緊密排列于大晶粒表面,跟大晶粒融合為一體,完全包裹大晶粒,此時完成Cu6Sn5晶粒一個周期的長大及增厚。所以可以得到扇貝狀Cu6Sn5采取上述這種周期性方式長大:表面形核、長大、小晶粒融合、包裹初始Cu6Sn5大晶粒。當釬焊時間增加到45min時,如圖6(c)所示,Cu6Sn5晶粒不斷長大,相鄰Cu6Sn5晶粒互相擠壓,逐漸形成一個整體,而Cu6Sn5的形貌不再是扇貝狀,更像是一個大的平面狀,這是由于焊點中液態(tài)Sn所剩較少,上下兩側Cu6Sn5接近接觸,互相擠壓成為平面狀。可以猜想,隨著釬焊時間的繼續(xù)增加,焊點中液態(tài)Sn將被全部消耗,而在釬焊壓力及分子熱運動的條件下,上下兩側的Cu6Sn5將融合為一體,形成如圖3(b)所示。
圖7是在240,270℃和300℃下分別釬焊30min的Cu6Sn5形貌。從圖7(a)可以看出,當釬焊溫度為較低的240℃時,Cu6Sn5晶粒較小,且大小較為均勻,但其形狀不是扇貝狀,而是多面體狀。當釬焊溫度上升到270℃時,Cu6Sn5形貌呈扇貝狀,扇貝之間沿著平行界面方向具有一定間隙。當釬焊溫度上升到300℃時,Cu6Sn5扇貝呈匍匐狀,晶粒變得更大。在Sn/Cu釬焊界面,Cu原子的沉積和溶解同時進行。從圖7可以看出,隨著釬焊溫度從240℃上升到300℃,Cu6Sn5的形貌經歷了多面體狀-扇貝狀-匍匐狀的變化。這可以用界面液態(tài)釬料中Cu原子的飽和溶解度隨著溫度變化而變化來解釋。溫度較低,界面液態(tài)Sn中Cu原子的飽和溶解度降低,抑制溶解而促進化合物的沉積生長,為了降低形核能,化合物優(yōu)先在已有的晶粒表面沉積,最終形成多面體結構。反之,隨著溫度升高,界面液態(tài)Sn中Cu原子的飽和溶解度也跟著升高,促進溶解而抑制了化合物的沉積生長,同時由于曲率效應的影響,導致晶粒棱角處優(yōu)先溶解,最后在保溫階段形成了扇貝狀晶粒。Gibbs-Thomson效應說明扇貝狀晶粒的匍匐長大是受到不同尺寸晶粒之間Cu原子濃度差的驅動。其他條件不變時,升高釬焊溫度,Cu原子的擴散加速,進而加速了扇貝狀的Cu6Sn5晶粒變成匍匐狀。
圖7 不同釬焊溫度下釬焊30min后焊點中Cu6Sn5形貌 (a)240℃;(b)270℃;(c)300℃Fig.7 Morphologies of Cu6Sn5 soldering for 30min at different soldering temperatures (a)240℃;(b)270℃;(c)300℃
(1)270℃釬焊30min時,焊點中便形成扇貝狀的Cu6Sn5和較薄的Cu3Sn。隨著釬焊時間的增加,上下兩側Cu6Sn5逐漸形成一個整體,Cu3Sn厚度逐漸增加。繼續(xù)增加釬焊時間,Cu6Sn5逐漸減少,而Cu3Sn不斷增加,直到釬焊480min時,Cu6Sn5全部消耗,形成Cu/Cu3Sn/Cu焊點。
(2)焊點的厚度隨著釬焊時間的增加而增加,形成全Cu3Sn焊點時厚度達到最大值。在60min之前,Cu6Sn5與Cu3Sn厚度隨釬焊時間延長均增加。60min之后,Cu6Sn5厚度隨釬焊時間增加而減小,Cu3Sn與之相反,說明Cu3Sn的生長以Cu6Sn5的消耗為代價。
(3)釬焊15min后Cu6Sn5形貌便為扇貝狀,但大小不均勻。隨著釬焊時間增加到30min,Cu6Sn5扇貝不斷長大,一些小扇貝被大扇貝吞并,大扇貝表面有小的形核點形成。當釬焊45min后,Cu6Sn5扇貝繼續(xù)長大,相鄰扇貝呈互相擠壓狀態(tài),形成大的平面狀。Cu6Sn5周期性長大方式為表面形核、長大、小晶粒融合、包裹初始Cu6Sn5大晶粒。
(4)相同釬焊時間下,由于Cu原子在界面釬料中飽和溶解度會隨著溫度發(fā)生變化,所以240℃釬焊溫度下Cu6Sn5的形貌為多面體狀,270℃釬焊溫度下其形貌為扇貝狀,而當釬焊溫度增加到300℃時Cu6Sn5形貌轉變成匍匐狀。