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        三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器電路拓?fù)浜驼{(diào)制策略

        2018-08-17 03:38:46屈艾文許俊陽陳道煉
        電源學(xué)報 2018年4期
        關(guān)鍵詞:直通共模級聯(lián)

        屈艾文,許俊陽,陳道煉

        (福建省新能源發(fā)電與電能變換重點實驗室(福州大學(xué)),福州 350116)

        近年來,光伏、風(fēng)力等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)獲得了越來越廣泛的應(yīng)用??稍偕茉摧敵龉β市杞?jīng)變換器調(diào)節(jié),其可靠性需變換器的性能加以保證。脈寬調(diào)制 PWM(pulse width modulation)逆變器電路結(jié)構(gòu)簡潔,易于控制,但存在如下缺陷:①電壓型/電流型逆變器為降壓型/升壓型逆變器,不適合應(yīng)用在光伏、風(fēng)力等寬輸入電壓變化范圍的逆變場合;②電壓型逆變器同一橋臂開關(guān)管需設(shè)死區(qū)時間,而電流型逆變器上、下橋臂開關(guān)管需設(shè)換流重疊時間,系統(tǒng)抗電磁干擾EMI(electro-magnetic interference)能力差,可靠性低,諧波含量大。傳統(tǒng)兩級PWM變換器雖可滿足寬輸入電壓變化要求,但開關(guān)管較多,成本相對較高、可靠性相對較低[1-2]。

        文獻(xiàn)[1]提出了Z源逆變器,具有單級升/降壓、允許橋臂直通和輸出波形畸變小等優(yōu)點,克服了傳統(tǒng)PWM逆變器的固有缺陷,但Z源逆變器存在輸入電流不連續(xù)、阻抗網(wǎng)絡(luò)電容電壓應(yīng)力大以及啟動沖擊嚴(yán)重等不足。文獻(xiàn)[3]提出了準(zhǔn)Z源逆變器,除了具有Z源逆變器的優(yōu)點外,還具有輸入電流連續(xù)、逆變橋與輸入源共地及電容電壓應(yīng)力較小等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用在光伏、風(fēng)力等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)[4-7]。本文主要從電路拓?fù)浜驼{(diào)制策略兩方面來論述三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器的發(fā)展與現(xiàn)狀。

        1 電路拓?fù)?/h2>

        1.1 基本型

        輸入電流連續(xù)的三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器[3]如圖1所示。該逆變器在穩(wěn)態(tài)時有直通和非直通兩種狀態(tài),設(shè)在一個開關(guān)周期Ts內(nèi)儲能電容電壓近似不變,由儲能電感L1、L2伏秒平衡可得,儲能電容C1、C2電壓穩(wěn)態(tài)值 UC1和 UC2分別為

        圖1 三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器Fig.1 Three-phase voltage-fed quasi-Z-source inverter

        式中:Dsh為直通占空比,Dsh=Tsh/Ts,Tsh為一個開關(guān)周期Ts內(nèi)的直通狀態(tài)時間;Ui為輸入電壓。

        設(shè)B為升壓因子,則母線電壓幅值Upn為

        該準(zhǔn)Z源逆變器電壓增益G為

        式中:Em為三相相電壓峰值;M為三相逆變橋調(diào)制系數(shù),M=Em/(Upn/2)。

        1.2 強升壓能力改進(jìn)型

        圖1中,當(dāng)準(zhǔn)Z源逆變器輸入電壓較低時,需較大Dsh以得到期望的輸出電壓,導(dǎo)致功率開關(guān)管和阻抗網(wǎng)絡(luò)儲能電容的電壓應(yīng)力大、M小、輸出波形質(zhì)量差。為此,文獻(xiàn)[8-16]提出了具有強升壓能力的改進(jìn)型準(zhǔn)Z源逆變器電路拓?fù)?,根?jù)是否存在級聯(lián)電路,這類準(zhǔn)Z源逆變器又分為單阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型和級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型2種。

        1.2.1 單阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型

        強升壓能力的單阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型準(zhǔn)Z源逆變器如圖2所示。文獻(xiàn)[8,10]分別提出了開關(guān)電感準(zhǔn)Z源逆變器 SL-qZSI(switch-inductor quasi-Z-source inverter)和開關(guān)耦合電感準(zhǔn)Z源逆變器SCL-qZSI(switchcoupled-inductor quasi-Z-source inverter),如圖2(a)、(b)所示。SL-qZSI和SCL-qZSI在向輸出饋能的非直通期間,電容C3位于主功率通路,因此C3選取很關(guān)鍵。若C3選用電解電容,電容損耗相對較高,若C3選用薄膜電容,則電容體積相對較大。

        圖2 強升壓能力的單阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型準(zhǔn)Z源逆變器Fig.2 Single impedance-source network improved qZSI with strong boost capability

        為了采用更少元件來提高升壓能力,文獻(xiàn)[11]提出了基于變壓器的準(zhǔn)Z源逆變器Trans-qZSI(transformer based quasi-Z-source inverter),如圖2(c)所示。當(dāng)繞組匝比n大于1時,可得更強的升壓能力,但其變壓器存在磁心飽和的問題。為了解決此問題,文獻(xiàn)[12]提出了LCCT-準(zhǔn)Z源逆變器LCCT-qZSI(inductor-capacitor-capacitor-transformer quasi-Z-source inverter),如圖2(d)所示。加入內(nèi)嵌電容防止了磁心飽和,且當(dāng)匝比nT1/nT2>1時,可得到更強的升壓能力。為了減小Tran-qZSI變壓器的匝比、尺寸和重量,文獻(xiàn)[13]提出了基于變壓器的準(zhǔn)TZ源逆變器Quasi-TZ-SI(quasi-TZ-source inverter),如圖2(e)所示。

        為了提高安全性,文獻(xiàn)[14]提出了隔離準(zhǔn)Z源逆變器 Isolated-qZSI(isolated quasi-Z-source inverter),如圖2(f)所示。當(dāng)變壓器副邊與原邊的匝比N>1時,具有更強的升壓能力,然而其多了一個開關(guān)管,控制相對復(fù)雜。

        1.2.2 級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型

        文獻(xiàn)[15,16]提出了級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型準(zhǔn)Z源逆變器,如圖3所示。圖3(a)為通過級聯(lián)D3-D2-L3-C1來實現(xiàn)高增益的輔助二極管擴展升壓準(zhǔn)Z源逆變器DAEB-qZSI(diode-assisted extended-boost qZSI),圖3(b)為通過級聯(lián)C4-D2-L3-C1來實現(xiàn)高增益的輔助電容擴展升壓準(zhǔn)Z源逆變器CAEB-qZSI(capacitor-assisted extended-boost qZSI),圖3(c)為通過級聯(lián) D2-D3-L3-C3來實現(xiàn)高增益的輔助二極管級聯(lián)準(zhǔn)Z源逆變器 DAC-qZSI(diode assisted cascaded qZSI),圖3(d)為通過級聯(lián)D2-C3-L3-C4來實現(xiàn)高增益的輔助電容級聯(lián)準(zhǔn)Z源逆變器CAC-qZSI(capacitor assisted cascaded qZSI)。

        表1給出了采用簡單升壓SPWM調(diào)制策略[17]且M=1-Dsh時qZSI和強升壓能力改進(jìn)型 qZSI的電壓增益G、升壓因子B、開關(guān)管電壓應(yīng)力標(biāo)幺值(Us/Ui)、阻抗網(wǎng)絡(luò)二極管電壓應(yīng)力標(biāo)幺值(UD1/Ui)、電容電壓應(yīng)力標(biāo)幺值(UC1/Ui)和(UC2/Ui)的表達(dá)式。參考表1分別得出B與Dsh的關(guān)系曲線、G與M的關(guān)系曲線、G與Dsh的關(guān)系曲線、逆變橋(Us/Ui)與G的關(guān)系曲線、阻抗網(wǎng)絡(luò)(UD1/Ui)與G的關(guān)系曲線,如圖4所示。

        在相同G或B下,相比基本qZSI,強升壓能力改進(jìn)型qZSI所需Dsh更小,M更大,輸出波形質(zhì)量更好,如圖4(a)~(d)所示;在相同 Dsh或 M 下,升壓能力SCL-qZSI最強,SL-qZSI次之,整體上級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò)升壓能力不如單阻抗網(wǎng)絡(luò),如圖4(a)~(c)所示;在相同G下,逆變橋開關(guān)管電壓應(yīng)力中,SL-qZSI、DAEB-qZSI 和 Isolated-qZSI最大,SCL-qZSI和Quasi-TZ-SI最小,如圖4(e)所示;阻抗網(wǎng)絡(luò)二極管電壓應(yīng)力中,Quasi-TZ-SI、LCCT-qZSI 和 Trans-qZSI最大,Isolated-qZSI和SCL-qZSI最小,級聯(lián)型的qZSI居中,如圖4(f)所示;在級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò)qZSI中,在相同G下,逆變橋開關(guān)管和阻抗網(wǎng)絡(luò)二極管電壓應(yīng)力 DAEB-qZSI最大,CADE-qZSI和 CAC-qZSI最小,如圖4(e)所示;在級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò) qZSI中,在相同Dsh時,CADE-qZSI和CAC-qZSI的電壓增益G最大,DAEB-qZSI的電壓增益G最小,如圖4(d)所示。

        圖3 強升壓能力的級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)型準(zhǔn)Z源逆變器Fig.3 Cascaded impedance-source network improved qZSI with strong boost capability

        表1 qZSI拓?fù)湫阅鼙容^Tab.1 Comparison of qZSI’s topological performance

        可見,SCL-qZSI具有最強的升壓能力、最低的開關(guān)管和阻抗網(wǎng)絡(luò)二極管電壓應(yīng)力,但其儲能電容位于主功率通路上;雖然輔助電容級聯(lián)準(zhǔn)Z源逆變器CADE-qZSI和CAC-qZSI升壓能力不如單阻抗網(wǎng)絡(luò),但在低輸入電壓的并網(wǎng)逆變場合功率器件的電壓應(yīng)力相對較小,且其儲能電容不位于主功率通路上;相比輔助二極管級聯(lián)準(zhǔn)Z源逆變器,輔助電容級聯(lián)電壓型準(zhǔn)Z源逆變器具有更強的升壓能力。

        1.2.3 低電壓應(yīng)力改進(jìn)型

        為了解決高輸入電壓下開關(guān)管電壓應(yīng)力大的問題,文獻(xiàn)[18]提出了三相三電平中點鉗位準(zhǔn)Z源逆變器,如圖5所示。相比兩電平準(zhǔn)Z源逆變器,該準(zhǔn)Z源逆變器具有開關(guān)管電壓應(yīng)力小、所需阻斷電壓能力弱、du/dt小、開關(guān)頻率高、輸出波形諧波含量低等優(yōu)點。為了解決高輸出電壓下開關(guān)管電壓應(yīng)力大和傳統(tǒng)級聯(lián)多電平光伏并網(wǎng)逆變器直流鏈電壓不平衡的問題,文獻(xiàn)[19]提出了級聯(lián)多電平光伏并網(wǎng)準(zhǔn)Z源逆變器,如圖6所示。該拓?fù)渚哂袉渭壣祲?、獨立直流鏈控制功能、諧波含量少、開關(guān)頻率低、濾波器尺寸小、開關(guān)管電壓應(yīng)力小和效率高等優(yōu)點。

        文獻(xiàn)[20]提出了級聯(lián)Trans準(zhǔn)Z源逆變器,如圖7所示。通過級聯(lián)trans準(zhǔn)Z源阻抗網(wǎng)絡(luò),解決了高增益帶來的儲能電容電壓應(yīng)力大、高匝比帶來的繞組W2的電壓高、成本高、可靠性低的問題。

        圖4 qZSI性能關(guān)系比較曲線Fig.4 Performance comparison curves for qZSI

        圖5 三相三電平中點鉗位準(zhǔn)Z源逆變器Fig.5 Three-phase three-level neutral-point-clamped qZSI

        圖6 三相級聯(lián)多電平準(zhǔn)Z源逆變器Fig.6 Three-phase cascaded multi-level qZSI

        圖7 級聯(lián)Trans-準(zhǔn)Z源逆變器Fig.7 Cascaded Trans-qZSI

        1.2.4 能量存儲功能型

        為了平滑光伏輸出功率的波動、輸出穩(wěn)定的負(fù)載功率,文獻(xiàn)[6,21]提出了具有能量存儲功能的準(zhǔn)Z源逆變器,把蓄電池與準(zhǔn)Z源阻抗網(wǎng)絡(luò)的電容C1[6]或C2[21]并聯(lián),當(dāng)光伏功率大于負(fù)載功率時,電池充電;當(dāng)光伏功率小于負(fù)載功率時,電池放電;當(dāng)光伏功率等于負(fù)載功率時,電池不充電也不放電。

        2 調(diào)制策略

        三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器通過產(chǎn)生直通狀態(tài)的調(diào)制策略來實現(xiàn)單級升降壓。目前,SPWM和基于電壓矢量的改進(jìn)型空間矢量脈寬調(diào)制SVPWM(space vector pulse width modulation)策略是Z源/準(zhǔn)Z源逆變器的主流調(diào)制策略[17,22-26]。

        2.1 SPWM調(diào)制策略

        應(yīng)用在兩電平準(zhǔn)Z源逆變器的SPWM調(diào)制策略主要有簡單升壓SPWM、最大升壓SPWM和最大恒定升壓SPWM3種典型方法[17,22],其調(diào)制原理波形和正弦載波PWM波形如圖8所示。

        圖8 準(zhǔn)Z源逆變器SPWM調(diào)制原理波形Fig.8 Waveforms of SPWM principle for qZSI

        簡單升壓SPWM調(diào)制策略如圖8(a)所示,用直線調(diào)制信號Vp、Vn與三角載波信號交截產(chǎn)生直通狀態(tài),直通占空比為常數(shù),阻抗網(wǎng)絡(luò)電感和電容體積小,M最大為1;最大升壓SPWM調(diào)制策略如圖8(b)所示,將所有零狀態(tài)的時間都用作直通升壓,直通占空比含6倍輸出頻率脈動,所需阻抗網(wǎng)絡(luò)儲能電感和電容的體積大,M最大為;最大恒定升壓 SPWM 調(diào)制策略如圖8(c)、(d)所示,用正弦調(diào)制信號Vp、Vn與三角載波信號交截產(chǎn)生直通狀態(tài)或調(diào)制波中注入3次諧波并用直線調(diào)制信號Vp、Vn與三角載波信號交截產(chǎn)生直通狀態(tài),在一個開關(guān)周期內(nèi)直通時間之和為常數(shù),阻抗網(wǎng)絡(luò)電感和電容體積小,M最大為。在獲得相同電壓增益G時,開關(guān)管電壓應(yīng)力關(guān)系為簡單升壓SPWM>最大恒定升壓SPWM>最大升壓SPWM;在采用相同M時,獲得電壓增益G的關(guān)系為:最大升壓SPWM>最大恒定升壓SPWM>簡單升壓SPWM。文獻(xiàn)[23]提出了基于簡單升壓SPWM的正弦載波PWM調(diào)制策略,如圖8(e)所示,采用直線調(diào)制信號 Vp、Vn與高頻正弦載波信號交截產(chǎn)生直通狀態(tài),雖然M最大為1,但在相同M下可獲得比簡單升壓更大的直通占空比和升壓能力。

        文獻(xiàn)[24,25]提出應(yīng)用在級聯(lián)多電平準(zhǔn)Z源逆變器中的移相正弦PWM調(diào)制策略[24]和移相脈沖寬度幅值 PS-PWAM(phase-shifted pulse-width-amplitude modulation)[25]調(diào)制策略,且 PS-PWAM 調(diào)制策略具有更少的開關(guān)動作次數(shù)和更小的開關(guān)損耗;文獻(xiàn)[18]提出應(yīng)用在三電平中點鉗位準(zhǔn)Z源逆變器中的在最大恒定升壓調(diào)制策略基礎(chǔ)上基于載波的電平移相脈寬調(diào)制LS-PWM(carrier-based level shifted pulse width modulation)策略。

        2.2 改進(jìn)空間矢量脈沖寬度調(diào)制策略

        為了克服SPWM策略直通時開關(guān)轉(zhuǎn)換次數(shù)多、開關(guān)損耗大的缺點,并充分利用空間矢量方法的諧波失真小、線性調(diào)制范圍寬和輸入電壓利用率高等優(yōu)點,文獻(xiàn)[26]提出了4種改進(jìn)SVPWM策略,即6段直通ZSVM4、6段直通 ZSVM6、4段直通ZSVM2和2段直通ZSVM1,其在扇區(qū)I的開關(guān)動作模式如圖9所示。

        圖9 準(zhǔn)Z源逆變器在扇區(qū)I的空間矢量開關(guān)動作模式Fig.9 Space vector switch action pattern in Sector I for qZSI

        通過改變傳統(tǒng)空間矢量開關(guān)管開通關(guān)斷控制信號的開關(guān)時間,在開關(guān)轉(zhuǎn)換時刻插入直通狀態(tài),不需額外的開關(guān)動作,減小了開關(guān)損耗,且調(diào)制系數(shù)M最大都為。在一個開關(guān)周期中,ZSVM1、ZSVM4、ZSVM6和 ZSVM2的最大直通時間分別為1/2、3/4、1和1倍的傳統(tǒng)零矢量作用時間。與ZSVM4和ZSVM1相比,ZSVM6和ZSVM2在相同調(diào)制系數(shù)M的情況下具有更大直通占空比和更高的升壓能力;與ZSVM4相比,ZSVM6和ZSVM2在相同電壓增益G的情況下,具有更低的開關(guān)管電壓應(yīng)力??梢?,直通時間占傳統(tǒng)零矢量作用時間越多,在相同調(diào)制系數(shù)M時,阻抗網(wǎng)絡(luò)升壓能力越強;在相同電壓增益G時,所需傳統(tǒng)零矢量時間越少、調(diào)制系數(shù)M越大、開關(guān)管電壓應(yīng)力越小。

        2.3 消除共模漏電流的改進(jìn)PWM調(diào)制策略

        三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器在奇矢量(V1(100)、V3(010)、V5(001))作用時,輸出共模電壓為 BUi/3;在偶矢量(V2(110)、V4(011)、V6(101))作用時,輸出共模電壓為 2BUi/3;在零矢量 V0(000)、V7(111)和直通矢量作用時,輸出共模電壓分別為0、BUi/和0[27]。當(dāng)采用文獻(xiàn)[26]的改進(jìn)SVPWM調(diào)制策略時,由于各矢量輸出共模電壓不同,非隔離準(zhǔn)Z源光伏逆變器會產(chǎn)生共模漏電流,將不滿足共模漏電流有效值低于300 mA的德國VDE 0126-1-1標(biāo)準(zhǔn)[28]。

        文獻(xiàn)[28]提出了采用奇矢量的脈沖調(diào)制OPWM(odd PWM)、采用偶矢量的脈沖調(diào)制EPWM(even PWM)和采用奇偶矢量的脈沖調(diào)制OEPWM(oddeven PWM)等3種調(diào)制策略來減小共模漏電流,OPWM、EPWM、OEPWM的最大調(diào)制系數(shù)分別為0.667、0.667、0.770,3種調(diào)制策略具有調(diào)制系數(shù)低、輸入電壓利用率低和開關(guān)管電壓應(yīng)力大的缺點;文獻(xiàn)[29]提出了把有效零狀態(tài)脈寬調(diào)制AZSPWM(active zero state PWM)和OEPWM相結(jié)合的調(diào)制策略來減小共模漏電流,調(diào)制系數(shù)M最大為0.816,但此調(diào)制策略只適合應(yīng)用在高功率因數(shù)負(fù)載場合;文獻(xiàn)[30]提出了改進(jìn)近態(tài)脈寬調(diào)制MNSPWM(modifiednearsta-tePWM)策略來減小共模漏電流,采用3個相鄰的電壓矢量來代替零矢量以減小共模電壓變化,適合應(yīng)用在不同功率因數(shù)負(fù)載場合,調(diào)制系數(shù)M最大為1,具有輸出電流諧波小、輸入電壓利用率高、開關(guān)管電壓應(yīng)力小、開關(guān)損耗小等優(yōu)點。

        3 結(jié)論

        三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器電路拓?fù)?,包括基本型、強升壓能力改進(jìn)型、低電壓應(yīng)力改進(jìn)型和能量存儲型4類。強升壓能力改進(jìn)型,包括SC-qZSI、SCL-qZSI、Trans-qZSI等單阻抗網(wǎng)絡(luò)和輔助電容CAEB-qZSI、CAC-qZSI、輔助二極管DAEB-qZSI、DAC-qZSI等級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò),其中SCL-qZSI的升壓能力最強,開關(guān)管電壓應(yīng)力最小,但存在儲能電容位于主功率通路的問題,輔助電容級聯(lián)阻抗網(wǎng)絡(luò)CAEB-qZSI、CAC-qZSI雖升壓能力弱于單阻抗網(wǎng)絡(luò),但器件電壓應(yīng)力低于單阻抗網(wǎng)絡(luò);低電壓應(yīng)力型,包括三相三電平中點鉗位準(zhǔn)Z源逆變器、級聯(lián)多電平準(zhǔn)Z源逆變器、級聯(lián)Trans-準(zhǔn)Z源逆變器;能量存儲型通過在儲能電容上并聯(lián)電池,平滑了光伏輸出功率的波動、提高了輸出負(fù)載功率的穩(wěn)定性。

        三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器調(diào)制策略,包括SPWM、改進(jìn)SVPWM調(diào)制策略和減小共模漏電流的改進(jìn)PWM調(diào)制策略。SPWM調(diào)制策略開通所有的開關(guān)管產(chǎn)生直通狀態(tài),開關(guān)損耗大,調(diào)制系數(shù)都不低于1;改進(jìn)SVPWM調(diào)制策略在開關(guān)轉(zhuǎn)換時刻插入直通狀態(tài),不需額外的開關(guān)動作,開關(guān)損耗小,調(diào)制系數(shù)高;改進(jìn)PWM調(diào)制策略重新選取作用的矢量來降低輸出共模電壓的變化,減小共模漏電流,但調(diào)制系數(shù)都不大于1。

        具有更強升壓能力、更低器件電壓應(yīng)力、能量存儲功能的電路拓?fù)浜途哂懈笳{(diào)制系數(shù)、更小共模漏電流的調(diào)制策略,是三相電壓型準(zhǔn)Z源逆變器的未來發(fā)展方向。

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