劉益萍,曹衛(wèi)平
(桂林電子科技大學(xué) 天線與射頻研究中心,廣西 桂林 541004)
功率放大器作為通信系統(tǒng)中的重要組成部分,被廣泛運用在雷達、衛(wèi)星通信和導(dǎo)航系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域中[1]。近年來,LDMOS器件物理上已經(jīng)接近特性極限,而GaN器件從進入市場后技術(shù)越發(fā)成熟,且產(chǎn)業(yè)化發(fā)展后其成本也在逐步降低,GaN技術(shù)將逐漸取代LDMOS技術(shù)[2]。由于具備高功率密度、寬頻帶、高耐壓、輸入功率穩(wěn)定、能減少零件尺寸和數(shù)量的優(yōu)良特性[3],受到功率放大器和無線基礎(chǔ)設(shè)施等市場的青睞,成為大功率應(yīng)用市場的主流技術(shù)。高效率的功率放大器能夠減少系統(tǒng)發(fā)熱量,降低系統(tǒng)的散熱需求。因此,提高功率放大器的效率一直是功放研究的熱點之一[4]。
介紹了一種基于GaN功放管的S波段功率放大器。通過采用諧波抑制技術(shù),功放模塊在常態(tài)連續(xù)波輸出功率達5 W時,三階互調(diào)可達-45 dBc,效率達到35%,二階及三階諧波抑制度達到-51 dBc。為滿足系統(tǒng)結(jié)構(gòu)規(guī)劃要求,功放結(jié)構(gòu)經(jīng)過小型化處理,工程實用性極強。
諧波抑制技術(shù)是通過控制諧波阻抗來調(diào)諧功放漏級電壓電流,避免漏級電壓與電流重疊從而提高功放效率的辦法[5]。一方面,能通過引入λmnd/4開路枝節(jié)[6],在m次諧波頻率下,經(jīng)λ/4變換在電路連接點處呈短路特性,從而抑制諧波成分的產(chǎn)生;另一方面,將匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計成低通結(jié)構(gòu)或者帶通結(jié)構(gòu)的形式,也能夠?qū)獾闹C波成分產(chǎn)生一定的濾除作用。通過引入諧波抑制技術(shù),能有效減少功放輸出信號中的諧波成分,從而減少對其他信道的信號干擾,同時也能夠減少分配在諧波成分上的功率值,減少諧波能量損耗[7]從而提高系統(tǒng)效率。
功率放大器設(shè)計的基本結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示,GaN功放管在給定合適的偏置條件及穩(wěn)定條件后,通過輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)使電路滿足性能指標,為使電路達到低輸出諧波要求,在輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)中加入了諧波抑制措施。
圖1 功率放大器結(jié)構(gòu)
本設(shè)計選用Cree公司[8]的GaN功放管進行設(shè)計,設(shè)計中需要合適的直流偏置以保證管子正常工作,且最大輸出功率能達到指標。同時,GaN采用負壓進行柵極電壓偏置,整機供電設(shè)計中需嚴格遵守GaN功率管上電掉電時序[9],以保證管子安全工作。上電時序依次為:加?xùn)艠O負偏壓,加漏級偏壓,再加信號;掉電時序依次為:關(guān)斷信號,關(guān)斷漏級偏壓,最后關(guān)斷柵極負偏壓。
由于射頻放大器內(nèi)部通常都存在著一定的反饋量S12,而反饋系統(tǒng)必然會引起穩(wěn)定性問題(如自激振蕩)。K值穩(wěn)定性判別法[10]是一種簡潔高效的雙端口反饋系統(tǒng)穩(wěn)定性判別法。雙端口網(wǎng)絡(luò)絕對穩(wěn)定條件為:
(1)
提高放大器穩(wěn)定性的辦法有中和法和失配法[11],通過減小管子的反饋強度,使管子趨向單向化。本設(shè)計采用中和法,通過在功放管柵極端串入電阻電容,犧牲部分增益來達到增益穩(wěn)定條件。仿真電路如圖2所示,通過在柵極端口前串入100 Ω電阻及3.9 pF的補償電容,使得系統(tǒng)在寬帶范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定條件,如圖3所示。
圖2 穩(wěn)定性仿真電路
圖3 穩(wěn)定性仿真結(jié)果
負載牽引法[12]是功放管在大信號電平激勵下,通過不斷調(diào)節(jié)輸入輸出端接的阻抗值,掃描得到器件的功率負載線、效率負載線,從而可以根據(jù)需求找到對應(yīng)的輸入輸出阻抗。本設(shè)計中,將功放管與穩(wěn)定電路視為整體,通過負載牽引工具[13],得到負載牽引結(jié)果如表1,從中選取最佳效率點對應(yīng)的輸入輸出阻抗值進行設(shè)計。
表1 負載牽引仿真結(jié)果
特性點負載阻抗輸入阻抗輸出功率/dBm效率/%最大功率點11.21+j8.2734.86+j0.3640.9962.19最佳效率點10.88+j16.697.68-j31.0539.4471.18
通過負載牽引法確定輸入輸出阻抗后,需通過共軛匹配的方式進行輸入輸出阻抗匹配以獲得仿真所呈現(xiàn)的工作特性。
功放電路輸入信號來自前級線性預(yù)放,系統(tǒng)在輸出功率接近極限值的情況下,線性預(yù)放輸出功率接近1 dB壓縮點,導(dǎo)致輸入末級功放的信號中伴隨有部分諧波成分,因此需在功放輸出匹配中加入諧波抑制枝節(jié)進行諧波抑制。引入諧波抑制技術(shù)后,功放整體電路原理圖如圖4所示。輸入輸出匹配電路傳輸特性如圖5所示,從輸入匹配電路傳輸特性(圖5中S31)、輸出匹配電路傳輸特性(圖5中S42)可以看出,匹配電路對二階及三階諧波有極大的濾除作用。
圖4 功放電路設(shè)計原理
圖5 輸入輸出匹配電路傳輸特性
根據(jù)圖4功放電路設(shè)計原理圖,進行實際的電路搭建。將理想微帶線、RLC用微帶線、實際阻容感模型替換,并將部分長線彎折以滿足結(jié)構(gòu)要求,對電路進行二次優(yōu)化仿真[14]。優(yōu)化后得到的電路版圖如圖6所示。
圖6 功放電路版
對電路版圖進行Momentum電磁仿真[15],將功放管與實際的阻容感模型文件[16]代入仿真得到的多端口版圖模型文件中進行聯(lián)合仿真。由于電磁仿真會考慮到微帶線之間的耦合效應(yīng)[17],聯(lián)合仿真結(jié)果與原理圖仿真會存在一定偏差,聯(lián)合仿真結(jié)果將更加接近電路的實際物理特性。聯(lián)合仿真結(jié)果如圖7、圖8和圖9所示。
圖7 功放輸入輸出特性聯(lián)合仿真結(jié)果
圖8 功放頻率特性聯(lián)合仿真結(jié)果
圖9 功放諧波抑制特性聯(lián)合仿真結(jié)果
從聯(lián)合仿真結(jié)果來看,功放模塊具有17.5 dB的線性增益,在1 dB點處P1dB=41.6 dBm,此時仍有-35 dBc的二階諧波抑制度,效率達到61%。通過引入二階、三階諧波抑制枝節(jié),提高了功放的諧波抑制能力,同時使得功放呈現(xiàn)出一定的頻率選擇特性。
電路板加工調(diào)試后,功放部分實物如圖10所示,實測特性如圖11和圖12所示。
圖10 功放電路實物
測試結(jié)果顯示,功放模塊有約17.1 dB的線性增益,效率特性與仿真差距不大,但是1 dB壓縮點減小,約39 dBm處,此時諧波特性隨著增益的壓縮急速變差。增益壓縮與仿真具有一定差距,原因應(yīng)該是系統(tǒng)整版依靠金屬外殼散熱,在輸出功率接近極限值時,金屬外殼散熱結(jié)構(gòu)不足以把功放管產(chǎn)生的大量熱量發(fā)散出去,導(dǎo)致功放增益提前開始壓縮[18]。實測諧波特性較仿真特性更優(yōu),且對二次諧波的抑制非常明顯。
圖11 功放實測輸入輸出特性
圖12 功放實測諧波抑制特性
本文介紹了一種S波段的諧波抑制功放,通過引入諧波抑制枝節(jié),功放模塊顯示出了優(yōu)良的諧波抑制特性。由于散熱結(jié)構(gòu)非最佳,功放管提前進入增益壓縮區(qū),1 dB功率點下降。設(shè)計面向?qū)嶋H工程應(yīng)用,對電路結(jié)構(gòu)亦進行了相應(yīng)的小型化處理,具備較強的可移植性及一定的市場應(yīng)用價值。
[1] 袁芳標,曾大杰,宋賀倫,等.高效率包跟蹤功率放大器[J].半導(dǎo)體技術(shù),2016,40(7):494-498.
[2] GODOYP,CHUNG S,BARTON T,et al.A Highly Efficient 1.95 GHz,18 W Asymmetric Multilevel Outphasing Transmitter for Wideband Applications[C]∥Baltimore:IEEE MTT-S International Microwave Symposium,2011:1-4.
[3] MERRICK B M,KING J B,BRAZIL T J.The Continuous Harmonic-tuned Power Amplifier[J].IEEE Microwave Theory and Techniques Society,2015,25(11):736-738.
[4] HUANG Hang,ZHANG Bo,YU Cuiping,et al.Design of Multioctave Bandwidth Power Amplifier Based on Resistive Second-Harmonic Impedance Continuous Class-F[J].IEEE Microwave Theory and Techniques Society,2017,27(9):830-832.
[5] 陳思弟,鄭耀華,章國豪.高效率高諧波抑制功率放大器的設(shè)計[J].微電子技術(shù),2015,41(4):60-62.
[6] 孫嘉慶,鄭惟彬,錢峰.C波段高效率GaN HEMT功率放大器[J].固體電子學(xué)研究與進展,2017,37(6):379-383.
[7] SECHI Franco,BUJATTI Marina.微波固態(tài)高功率放大器[M].董世偉,董亞洲,黃普明,等譯.北京:國防工業(yè)出版社,2015:280-286.
[8] 張玉興,陳會,文繼國.射頻與微波晶體管功率放大器工程[M].北京:電子工業(yè)出版社,2013:247-262.
[9] KIM J H,LEE S J,PARK B H,et al.Analysis of High-efficiency Power Amplifier Using Second Harmonic Manipulation:Inverse Class-F/J Amplifiers[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2011,59(8):2024-2036.
[10] KIM J,MOON J,KIM B.A Saturated PA with High Efficiency[J].IEEE Microwave Theory and Techniques Society,2009,10(1):126-133.
[12] SCHAFER S.Multi-frequency Measurements for Supply Modulated Transmitters[J].IEEE Microwave Theory and Techniques Society,2015,63(9):1-4.
[13] 劉光祜,張玉興.無線應(yīng)用射頻微波電路設(shè)計[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004.
[14] 艾渤,李波,鐘章對,等.寬帶功率放大器預(yù)失真原理[M].北京:科學(xué)出版社,2010.
[15] SAYER Cotter W.無線通信電路設(shè)計分析與仿真[M].2版.郭潔,李正權(quán),燕鋒,等譯.北京:電子工業(yè)出版社,2010.
[16] 陳會.現(xiàn)代無線系統(tǒng)射頻微波平面電路[M].北京:電子工業(yè)出版社,2016.
[17] DAI Z,HE S,YOU F,et al.A New Distributed Parameter Broadband Matching Method for Power Amplifier via Real Frequency Technique[J].IEEE Microwave Theory and Techniques Society,2015,63(2):449-458.
[18] GREBENNIKOV A.High-efficiency Class-E Power Amplifier with Shunt Capacitance and Shunt Filter[J].IEEE Circuits and Systems Society,2016,63(1):12-22.