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        基于相位自校正的MEMS陀螺儀溫度補(bǔ)償方法*

        2018-06-05 01:44:48林躍杉吳煥銘楊海鋼
        傳感器與微系統(tǒng) 2018年6期
        關(guān)鍵詞:陀螺儀偏置補(bǔ)償

        林躍杉, 尹 韜, 吳煥銘, 楊海鋼

        0 引 言

        微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical system,MEMS)陀螺儀傳感器采用硅制作,當(dāng)溫度變化時,傳感器的工作狀態(tài)改變,影響陀螺儀的性能。因此,須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。2009年,Xia D Z等人通過分析溫度對MEMS器件的楊氏模量的影響提出了一個Q值與溫度的經(jīng)驗公式,并通過標(biāo)定得到了溫度和偏置之間的經(jīng)驗公式,在檢測環(huán)路使用雙環(huán)閉環(huán)補(bǔ)償對陀螺儀系統(tǒng)進(jìn)行補(bǔ)償,補(bǔ)償后的溫度靈敏度到達(dá)了0.03°/h/℃[3]。2011年,Fan Y Z等人提出了一種結(jié)合鎖相環(huán)(phase locking loop,PLL)和可變延時模塊對驅(qū)動環(huán)路的頻率進(jìn)行補(bǔ)償,使其驅(qū)動環(huán)路的頻率盡可能接近驅(qū)動軸的諧振頻率[4]。2014年,Wen M等人更進(jìn)一步對系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)分析,分別就陀螺儀和電路進(jìn)行了分析,得出溫度變化是影響整個系統(tǒng)零偏的最大因素[5]。同年,Zotov Sergei A等人提出了將驅(qū)動軸的頻率作為“溫度計”的方法對電路進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ⒔Y(jié)合SBR補(bǔ)償和正交誤差補(bǔ)償?shù)姆椒▉韺崿F(xiàn)整體的補(bǔ)償[6]。2015年,He C H等人提出了一種改進(jìn)溫度對Mode-Match影響的方法,在-40~80 ℃之間可以達(dá)到誤差小于0.32 Hz[7]。2016年,Fontanella Rita等人提出了一種基于反向傳播(back propagation,BP)網(wǎng)絡(luò)的標(biāo)定方法來克服溫度帶來的影響[8]。

        然而,上述方法或需要增加專門測量溫度的電路,或是采用了電路中的某個不穩(wěn)定指標(biāo)用于度量溫度,又或是方法復(fù)雜,不易與MEMS陀螺儀進(jìn)行集成。本文提出一種改正解調(diào)相位誤差的方法,充分利用正交輸出數(shù)據(jù),建立正交輸出數(shù)據(jù)與相移之間的關(guān)系,實現(xiàn)對電路偏置的補(bǔ)償。

        1 原 理

        主流的MEMS陀螺儀為諧振式陀螺儀,其工作原理可以簡化成二維自由度的機(jī)械振動器。其示意圖如圖1所示。由于在MEMS陀螺儀加工工藝存在偏差,實際上驅(qū)動軸(x軸)與檢測軸(y軸)并不是完全正交的。因而,驅(qū)動驅(qū)動軸振蕩的力會耦合到檢測軸中,引起檢測軸產(chǎn)生一定的位移??紤]由x軸耦合到y(tǒng)軸的彈性系數(shù)和阻尼系數(shù)kyx和Dyx。當(dāng)MEMS陀螺儀以Ωz的角速度繞z軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)時,受哥式力為-2Ωzmx′,其檢測軸方程為

        my″+Dyyy′+Dyxx′+kyyy+kyxx=-2Ωzmx′

        (1)

        在諧振式MEMS陀螺儀工作時,驅(qū)動軸進(jìn)行簡諧運(yùn)動,x軸位移與速度之間存在90°的相位差,因此,由于哥式力-2Ωzmx′和彈性力-kyxx所引起的輸出信號是正交的,可以通過解調(diào)實現(xiàn)分離,分別得到同相(in-phase,I路)和正交(quadrature,Q路)的輸出。其中,I路輸出信號VRate包含了角速度信息,而Q路輸出信號VQuadrature包含了機(jī)械正交誤差的信息,VRate和VQuadrature其分別為

        (2)

        2 基于相位自校正改善偏置靈敏度的方法

        假設(shè)哥式力信號與解調(diào)信號間的相位差為Δθ,經(jīng)解調(diào)和低通濾波后的VRate和VQuadrature信號為

        (3)

        由于在加工過程中不可避免會引入機(jī)械正交誤差,而且Bkyx往往很大,會造成I路有一個比較大的偏移量,并且在一定程度上影響了陀螺儀系統(tǒng)的量程。由于兩個交調(diào)幅信號Bkyx?AΩZ,且Δθ不是很大,式(3)簡化為

        (4)

        可以看出,由于VQuadrature與Δθ是余弦關(guān)系,當(dāng)Δθ最小時,VQuadrature應(yīng)該取到最大值。通過解調(diào)出VQuadrature的信號,當(dāng)VQuadrature取得最大值時,相位差就可以近似認(rèn)為最小,從而減小由于相位誤差對系統(tǒng)的穩(wěn)定性和量程帶來的不利影響。

        根據(jù)MEMS陀螺儀偏置的定義,輸出的偏置電壓為

        (5)

        如圖2所示,在進(jìn)行相位改正之前,由于溫度T1和T2所引起的θ(T1)和θ(T2)之間的差比較大,反映在偏置上就是其漂移比較大,而通過相位改正之后相位θ′(T1)和θ′(T2)之間的相位差較小,引起的偏置的漂移也相應(yīng)地減小甚至消除,因此,通過對Δθ的改正就能將溫度引起的偏置變化減小,即降低偏置的溫度敏感度系數(shù)。此方法的流程如圖3所示。

        圖2 溫度引起的偏置變化示意

        圖3 溫度補(bǔ)償方法流程

        該方法的系統(tǒng)示意圖如圖4所示,包括MEMS陀螺傳感器、驅(qū)動電路和檢測電路;為了保證驅(qū)動頻率和驅(qū)動幅度的穩(wěn)定,驅(qū)動電路與MEMS陀螺傳感器一起構(gòu)成閉環(huán),相當(dāng)于一個“機(jī)械—電學(xué)”振蕩器;檢測電路則采用傳統(tǒng)的包絡(luò)檢波電路實現(xiàn)。其中,閉環(huán)驅(qū)動由檢測前端、可變增益放大器(variable-gain amplifier,VGA)、比例—積分(proportional integral,PI)控制器、整流器等構(gòu)成,輸出作為PLL的輸入產(chǎn)生I/Q路解調(diào)信號;開環(huán)檢測電路一般由檢測前端、解調(diào)器、儀表放大器和低通濾波器等組成。控制器需要完成對數(shù)據(jù)的采樣,并對一段時間內(nèi)的輸出取均值,最后需要進(jìn)行比較取出最大值所對應(yīng)的相位編碼進(jìn)而控制PLL。

        圖4 基于相位自校準(zhǔn)溫度補(bǔ)償方法系統(tǒng)框圖

        3 MATLAB仿真

        采用MATLAB的Simulink對上述方法進(jìn)行了仿真。Simulink模型使用檢測通路與控制器模型相結(jié)合,采用理想的正弦波模擬驅(qū)動軸的振動位移,同時使用多組不同相位的正弦波模擬相位的改變,以實現(xiàn)PLL的功能,通過Switch選擇不同的相位的解調(diào)信號進(jìn)入解調(diào)器,同時使用控制器進(jìn)行Q路輸出最大值的檢測,根據(jù)最大值輸出相應(yīng)的模擬解調(diào)信號的選擇控制碼。其示意圖如圖5所示。

        圖5 Simulink模型系統(tǒng)框圖

        設(shè)置不同的檢測軸品質(zhì)因子Q值模擬溫度變化引起的影響,Q值分別為10,15,20,25 和30,其I路的輸出如圖6所示,在輸入角速度為0°的情況下,可以看到經(jīng)過自校正,其偏移減小,改善了由于正交誤差引入的量程損失,并且由于溫度變化即品質(zhì)因子Q值變化引起的偏置漂移減小,從0.19 V下降到0.06 V。圖7為品質(zhì)因子Q值為20的Q路輸出,使用了5組的相位(編號從0開始,相位依次變大)進(jìn)行改正,可以看到通過修改解調(diào)相位確實可以改變Q路的輸出,在編號為2的相位處其輸出最大,根據(jù)擬合曲線,可以看到其輸出與解調(diào)相位間呈現(xiàn)出類似余弦函數(shù)的形狀,與前期結(jié)論相符。

        圖6 Simulink仿真I路輸出結(jié)果

        圖7 MATLAB仿真Q路輸出結(jié)果

        4 測試結(jié)果

        測試的系統(tǒng)由MEMS陀螺儀承載板和MSP430開發(fā)板組成。其中MEMS陀螺儀驅(qū)動、檢測芯片均采用Global Foundries公司的0.35 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制作[9],電源電壓為5 V。為了產(chǎn)生多個延時信號,PLL通過在分頻器單元中采用移位寄存器技術(shù)實現(xiàn)解調(diào)信號相位的矯正功能??刂齐娐凡捎肕SP430開發(fā)板實現(xiàn)。系統(tǒng)如圖8所示。由于驅(qū)動檢測芯片的電壓是5 V,而MSP430的輸出電壓為3.3 V,因此,在兩個系統(tǒng)板之間使用了一個電平轉(zhuǎn)換模塊。

        圖8 測試系統(tǒng)實物

        使用數(shù)字萬用表對系統(tǒng)的偏置輸出進(jìn)行連續(xù)測量,艾倫方差如圖9所示,補(bǔ)償前的偏置穩(wěn)定性bs為26.04°/h,補(bǔ)償后偏置穩(wěn)定性為26.18°/h,可以看出經(jīng)補(bǔ)償前和補(bǔ)償后的偏置穩(wěn)定性沒有明顯的變化。

        圖9 艾倫方差

        溫度測試采用熱流罩對PCB整體進(jìn)行加熱或者降溫,偏置結(jié)果如圖10所示,在-10~30 ℃溫度范圍內(nèi),可以看出:在改正前的偏置的溫度系數(shù)Ts為1.93°/h/℃,經(jīng)過相位改正后,其偏置的溫度系數(shù)下降到了0.01°/h/℃,下降了近20倍。

        圖10 溫度補(bǔ)償結(jié)果

        5 結(jié) 論

        本文提出了一種基于正交輸出的改進(jìn)MEMS 陀螺儀系統(tǒng)輸出偏置的溫度靈敏度方法,簡單易行,僅需要在開環(huán)檢測的基礎(chǔ)上增加正交檢測通路和簡單控制電路即可對溫度進(jìn)行補(bǔ)償,且補(bǔ)償前后偏置的溫度靈敏度從1.93°/h/℃下降到了0.01°/h/℃,下降了近20倍。

        參考文獻(xiàn):

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        [3] Xia D Z,Yu C,Wang Y L,et al.A digitalized silicon microgyroscope based on embedded FPGA[J].Sensors,2012,12:13150-13166.

        [4] Fan Y Z,Luo B,Wang A C.Analysis of temperature adaptability for frequency control loop for silicon micromechanical gyro-scope[C]∥Electronic Measurement & Instruments(ICEMI),2011:346-349.

        [5] Wen M,Wang W H,Luo Z,et al.Modeling and analysis of temperature effect on MEMS gyroscope[C]∥Electronic Components and Technology Conference(ECTC),2014:2048-2052.

        [6] Zotov Sergei A,Simon Brenton R,Sharma Gunjana,et al.Utilization of mechanical quadrature in silicon MEMS vibratory gyroscope to increase and expand the long term in-run bias stabi-lity[C]∥2014 International Symposium on Inertial Sensors and Systems(ISISS),2014:1-4.

        [7] He C H,Zhao Q C,Huang Q W,et al.A MEMS vibratory gyroscope with real-time mode-matching and robust control for the sense mode[J].IEEE Sensors Journal,2015,15(4):2069-2077.

        [8] Fontanella Rita,Domenico Accardo,Caricati Egidio,et al.An extensive analysis for the use of back propagation neural networks to perform the calibration of MEMS gyro bias thermal drift[C]∥2016 IEEE/ION Position,Location and Navigation Symposium(PLANS),2016:672-680.

        [9] 吳煥銘,楊海鋼,尹 韜,等.一款基于AGC-PI結(jié)構(gòu)的微陀螺閉環(huán)驅(qū)動電路芯片[J].納米技術(shù)與精密工程,2014,12(1):56-62.

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