滿旭 鮑妮 張家斌 郝永芹 李洋 賈慧民 馬曉輝

摘 要：利用感應耦合等離子體（ICP）技術在Ar/SF6環(huán)境下對SiO2薄膜進行干法刻蝕。通過控制ICP功率、RF功率、反應壓強和刻蝕氣體比例，獲得了較高的刻蝕速率（104nm/min），并對SiO2刻蝕速率隨各參數(shù)的變化情況進行了討論。

關鍵詞：感應耦合等離子體（ICP）；Ar /SF6；刻蝕速率