1月9日，Intel宣布和美光的NAND flash合作將在2018年完成第三代3D NAND flash的研發(fā)后終止。目前，英特爾和美光正在進行的第二代64層3D NAND flash的增產(chǎn)工作將不會受此影響。由于Intel和美光都是NAND flash領域前五大企業(yè)，兩家企業(yè)相關技術合作的終止可能對未來相關市場格局造成重大影響。

目前，NAND flash是被廣泛使用的非易失性存儲器產(chǎn)品，產(chǎn)品被廣泛使用在智能手機、個人電腦、平板電腦、數(shù)據(jù)中心等市場中，2017年全球NAND flash產(chǎn)品銷售額高達550億美元?，F(xiàn)今，NAND flash已經(jīng)發(fā)展至1X nm工藝制程，但是由于先進工藝制程造成了NAND氧化層越來越薄、可靠性越來越差的問題。為提高存儲器的容量、性能、可靠性，各大NAND flash已經(jīng)開始通過堆疊形式研發(fā)和生產(chǎn)3D NAND flash產(chǎn)品。Intel和美光共同開發(fā)的最新第三代3D NAND flash預計將達96層設計。

結合早在2012年，Intel就已經(jīng)將其所持的雙方合資企業(yè) IMFT 的全部股份賣給了美光，以及后來Intel未參與美光16nm平面NAND的研發(fā)。很可能是Intel在經(jīng)營理念上與美光不同，Intel傾向于將芯片應用于自己生產(chǎn)的SSD，而美光則更傾向于作為供應商參與競爭，之后導致了兩家企業(yè)在選擇新一代技術路線上的分歧，并最終導致了Intel與美光的“分手”。

存儲器領域，Intel和美光除在3D NAND flash技術的合作，還在3D XPoint技術進行著前沿技術的研究。3D XPoint是自1989年NAND flash技術面世以來首款基于全新技術研發(fā)的非易失性存儲器技術。該技術集現(xiàn)有存儲器技術在性能、功耗、密度、非易失性、可靠性、成本等方面的優(yōu)勢于一身，未來面世后將成為一種優(yōu)異的存儲器產(chǎn)品?；诖?，Intel和美光在3D XPoint技術上合作的成功將極大提升兩家企業(yè)在存儲器領域的行業(yè)競爭力。所以3D XPoint技術路線將成為兩家企業(yè)未來繼續(xù)合作的重點。

為了加強在中國NAND flash市場的地位，Intel早先計劃提升其在大連的12英寸晶圓廠的產(chǎn)能。有媒體透露，Intel將考慮和中國相關存儲器企業(yè)合作，通過技術授權的方式以便在與美光的合作結束后能夠快速地在中國生產(chǎn)3D NAND芯片。若消息屬實，將有利于中國相關存儲器企業(yè)的研發(fā)進度。

（賽迪智庫）