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        g-C3N4/TiO2光催化復合材料的制備研究

        2018-02-21 04:48:06李遠勛馬瑞龍
        關鍵詞:馬弗爐異丙醇去離子水

        李遠勛, 馬瑞龍, 張 立

        (凱里學院大健康學院, 貴州 凱里 556011)

        引言

        光催化技術(shù)在太陽能轉(zhuǎn)化、氫能生產(chǎn)、有機污染物處理和環(huán)境修復等方面具有極大的應用價值,被稱為最有前途和最具吸引力的清潔能源技術(shù)之一。2009年首次報道石墨相氮化碳(g-C3N4)光催化劑的制備及在可見光催化水裂解中的應用后,g-C3N4(一種典型的無金屬高分子材料)正式進入人們的視野,引起了全世界極大的研究興趣。g-C3N4具有較窄的能量帶隙(約2.7 eV),可見光吸收能力較強,并且還具有原材料資源豐富、價格低、容易制備等優(yōu)點,被廣泛用作各種場合下的光催化劑,尤其在分解水制氫、廢水處理及光催化轉(zhuǎn)化CO2等方面具有廣闊的應用前景[1]。

        然而由于純g-C3N4中光生載流子(電子-空穴對)較高的復合速率和材料本身較低的電導率,使g-C3N4的量子效率較低,其實際應用受到限制。解決這一問題的有效途徑之一就是將g-C3N4與其他半導體材料耦合來構(gòu)建異質(zhì)結(jié),其中TiO2以其無毒、活性高、穩(wěn)定性好、具有能與g-C3N4相匹配的合適的能帶位置等優(yōu)點被認為是最有吸引力的半導體耦合材料。g-C3N4與TiO2能形成較好的異質(zhì)結(jié)構(gòu),抑制光激發(fā)產(chǎn)生電荷的快速復合,提高g-C3N4/TiO2雜化物的可見光催化性能。截至目前已經(jīng)有多種方法成功制備出g-C3N4/TiO2復合材料,應用較多的是兩步法,第一步先制備出單一的g-C3N4或TiO2,第二步才是g-C3N4/TiO2復合材料的制備。

        1 高溫熱解+溶劑熱兩步法[2]

        1.1 高溫熱解制備g-C3N4

        以三聚氰胺或尿素為原料,以15℃·min-1速率加熱至500~550℃范圍內(nèi)保溫2~4 h,經(jīng)熱聚合過程后隨爐冷卻制得淡黃色g-C3N4,研磨至細粉備用。

        1.2 溶劑熱法制備g-C3N4/TiO2

        通常以鈦酸丁酯、異丙醇鈦等有機鈦為鈦源,以乙醇+乙酸銨、異丙醇+二乙烯三胺等作為混合溶劑,首先將已制備出的g-C3N4粉末超聲分散于混合溶劑中,隨后轉(zhuǎn)入高壓反應釜,并加入鈦源,在180~200℃反應12-18 h,自然冷卻后收集沉淀,60℃真空干燥即得g-C3N4/TiO2復合材料。

        2 熱氧化刻蝕+原位生長兩步法[3]

        2.1 熱氧化刻蝕法(煅燒混合物法)制備g-C3N4

        稱取適量尿素、三聚氰胺加入去離子水中超聲分散,然后100℃持續(xù)攪拌去除水分,干燥磨粉后以2℃·min-1的速率升溫至550℃煅燒3 h,隨爐冷卻獲得g-C3N4納米片。

        2.2 浸漬-原位生長法制備g-C3N4/TiO2

        將g-C3N4納米片置于三口燒瓶中,從一口注入適量TiCl4后立即密封各口,使g-C3N4在TiCl4中浸泡12 h。之后從一口鼓入空氣,使TiCl4水解,另一口連接NaOH溶液以吸收HCl氣體。水解完全后取出干燥,隨后以2℃·min-1的速率升溫至350~500℃保溫3 h,冷卻后得到g-C3N4/TiO2復合材料。

        3 溶膠凝膠法[4]

        3.1 兩次熱解退火制備g-C3N4

        在半封閉的氧化鋁坩堝中加入一定量的三聚氰胺,于馬弗爐中550℃下保溫4 h,冷卻至室溫得到塊狀的黃色聚合物g-C3N4。然后將該塊狀g-C3N4裝入敞開式氧化鋁坩堝置于馬弗爐500℃下退火2 h,得到g-C3N4納米片。

        3.2 溶膠-凝膠制備g-C3N4/TiO2

        先在異丙醇中加入一定量的g-C3N4納米片于室溫下攪拌2 h,再加入適量的鈦酸四丁酯,繼續(xù)攪拌3 h,然后逐滴滴入去離子水得乳白色溶液,將該溶液60℃干燥24 h得到前驅(qū)體粉末,之后將該前驅(qū)體粉末于400℃保溫1 h隨爐冷得到g-C3N4/TiO2。

        4 電化學沉積法[5]

        首先采用恒電位陽極氧化法制備含Ti基片的三維TiO2納米管陣列(3D TNA),然后將Pt電極、TNA分別與電泳儀的正、負極相連,以異丙醇、硝酸鎂及g-C3N4量子點的混合物作為電解液,在TNA上進行g(shù)-C3N4量子點的電沉積,電沉積過程電壓為20V,時間為3 h。隨后在500℃下退火2 h,再在60 V相同電解液中陽極氧化4 h去除Ti基體。

        5 沉淀法[6]

        5.1 水熱法制備TiO2納米帶

        將商用銳鈦礦TiO2粉末加入NaOH溶液中攪拌1 h,再轉(zhuǎn)移至高壓反應釜中200℃反應24 h,水熱反應結(jié)束取出沉淀物用去離子水反復沖洗,隨后在鹽酸溶液中浸泡24 h,清洗徹底后70℃真空干燥,將干燥后的粉末在700℃下保溫1 h進行退火后得到TiO2納米帶。

        5.2 沉淀法制備g-C3N4/TiO2

        取適量TiO2納米帶、硫脲分散于25 mL去離子水中,超聲振蕩10 min,在70℃下干燥12 h制得前驅(qū)物,將該前驅(qū)物置于馬弗爐中以5℃·min-1升溫至550℃煅燒4 h后得到目標產(chǎn)物。

        6 結(jié)語

        近年來新型光催化材料g-C3N4得到快速發(fā)展,也顯現(xiàn)出缺陷與不足,限制其實用性,與性能優(yōu)異的TiO2復合改性形成g-C3N4/TiO2異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)是行之有效的途徑之一。光催化性能的優(yōu)劣很大程度上取決于光催化材料的結(jié)構(gòu)形貌特征,而結(jié)構(gòu)形貌又依賴于制備技術(shù)的發(fā)展,因而豐富多樣、可控精準的制備工藝是g-C3N4/TiO2復合材料未來發(fā)展的重要方向。

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