李 亮, 李修乾,*, 車學(xué)科, 鄭體凱, 李金龍, 聶萬(wàn)勝
(1.航天工程大學(xué) 研究生院, 北京 101416; 2.航天工程大學(xué) 宇航科學(xué)與技術(shù)系, 北京 101416)
航天技術(shù)發(fā)展日新月異,航空航天飛行器動(dòng)力系統(tǒng)的重要性日益凸顯。液體火箭發(fā)動(dòng)機(jī),特別是小推力姿軌控發(fā)動(dòng)機(jī)液體燃料摻混的效果對(duì)燃燒過(guò)程至關(guān)重要。對(duì)燃料噴注射流進(jìn)行主動(dòng)控制可以提高摻混效果,特別是對(duì)變推力發(fā)動(dòng)機(jī)具有重要意義。
在主動(dòng)控制過(guò)程中使用何種激勵(lì)器是國(guó)內(nèi)外研究者關(guān)注的重點(diǎn)。目前研究中使用的有流體式激勵(lì)器、機(jī)械式激勵(lì)器和等離子體激勵(lì)器等類型。Davis[1]使用控制射流摻入被控射流來(lái)改變主流的摻混特性,并且認(rèn)為非穩(wěn)態(tài)激勵(lì)的控制效果優(yōu)于穩(wěn)態(tài)激勵(lì),該結(jié)論在Raman等[2]的實(shí)驗(yàn)中也得到了驗(yàn)證。流體式激勵(lì)器的不足之處在于,控制射流本身的狀態(tài)很難精確控制。國(guó)內(nèi)羅振兵、李丙乾等[3-4]提出使用合成射流和脈沖微射流來(lái)達(dá)到流動(dòng)控制的目的,在一定程度上克服了傳統(tǒng)流體式激勵(lì)器的不足。 Jun等[5]提出并設(shè)計(jì)了一種燃料驅(qū)動(dòng)的形狀記憶合金激勵(lì)器系統(tǒng),實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)對(duì)射流摻混有較好的控制效果,且與仿真結(jié)果相吻合。但是機(jī)械式激勵(lì)器較大的質(zhì)量和復(fù)雜的機(jī)構(gòu)阻礙了其工程化應(yīng)用。
等離子體流動(dòng)控制技術(shù)是一種非常有發(fā)展?jié)摿Φ闹鲃?dòng)控制技術(shù)[6],利用激勵(lì)器產(chǎn)生等離子體誘導(dǎo)射流對(duì)流體進(jìn)行主動(dòng)控制。該技術(shù)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、響應(yīng)迅速、附加質(zhì)量小等優(yōu)點(diǎn)[8],在促進(jìn)射流摻混方面有較大優(yōu)勢(shì)。國(guó)外在這方面的研究起步較早,在射流控制方面,Samimy等[9-10]提出一種局部電弧等離子體激勵(lì)器(Localized Arc Filament Plasma Actuators, LAFPA)控制亞聲速和超聲速射流的概念,實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,如果激勵(lì)頻率處在最優(yōu)時(shí),射流的摻混性能將會(huì)顯著增強(qiáng),與不施加等離子體時(shí)相比,射流核心區(qū)長(zhǎng)度減少6~8個(gè)特征長(zhǎng)度。Benard等[11-12]在表面介質(zhì)阻擋放電(Surface Dielectric Barrier Discharge,SDBD)等離子體激勵(lì)器對(duì)噴管擴(kuò)張段流動(dòng)施加控制方面做了大量研究,證明單個(gè)激勵(lì)器能夠有效進(jìn)行噴管推力矢量控制,同時(shí)給予多個(gè)激勵(lì)信號(hào)合適的相位可以有效增強(qiáng)摻混特性。
國(guó)內(nèi)等離子體流動(dòng)控制技術(shù)研究起步較晚,吳云等[13]對(duì)現(xiàn)有的幾類等離子體激勵(lì)器作了詳細(xì)的介紹。航天工程大學(xué)車學(xué)科、聶萬(wàn)勝等[14-15]開(kāi)展了一系列研究等離子體流動(dòng)控制的實(shí)驗(yàn)和模擬工作,初步揭示了等離子體體積力的作用機(jī)理。王斌等[16]利用粒子圖像測(cè)速(Particle Image Velocimetry, PIV)技術(shù)研究了介質(zhì)阻擋放電等離子體對(duì)流動(dòng)湍動(dòng)特性的控制效果,開(kāi)啟激勵(lì)器后剪切層及其附近區(qū)域雷諾應(yīng)力和湍動(dòng)能都發(fā)生較為明顯的變化,證明等離子體對(duì)流動(dòng)的湍動(dòng)特性產(chǎn)生了較大的影響。李剛等[17]將等離子體激勵(lì)器沿軸向放置來(lái)產(chǎn)生周向旋流,通過(guò)激勵(lì)器實(shí)現(xiàn)機(jī)械式旋流器的效果,取得較好的控制效果。
基于上述研究,本文利用SDBD激勵(lì)器對(duì)低壓條件下的射流控制效果進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究,探究不同激勵(lì)參數(shù)對(duì)射流摻混特性的影響。
實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)如圖1所示,主要由低壓實(shí)驗(yàn)艙及氣壓控制系統(tǒng)、PIV系統(tǒng)、激勵(lì)電源系統(tǒng)、射流發(fā)生器和激勵(lì)器組成。低壓實(shí)驗(yàn)艙呈圓柱形,長(zhǎng)800mm,內(nèi)部直徑600mm,實(shí)驗(yàn)艙附屬設(shè)備有充放氣閥門及控制柜、薄膜規(guī)、溫度傳感器、隔斷室和高壓氮?dú)馄康取5蛪号搲毫刂乒裢ㄟ^(guò)真空泵和放氣閥調(diào)節(jié)氣壓,抽氣速度為14L/s,精度為100Pa。激勵(lì)電流通過(guò)2個(gè)銅質(zhì)高壓接線柱引入實(shí)驗(yàn)艙,接線柱表面為聚四氟乙烯制作的絕緣外層,表面加工為螺紋狀以防止爬電現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)艙側(cè)面和頂部分布的3個(gè)觀察窗安裝了5mm厚的石英玻璃,頂部觀察窗用于透過(guò)激光器產(chǎn)生的激光,側(cè)面觀察窗用于CCD相機(jī)拍攝。
PIV系統(tǒng)主要由Nd:YAG雙脈沖式激光器、同步控制器、Kodak科研級(jí)芯片CCD相機(jī)(分辨率為2048×2048px/in)、計(jì)算機(jī)和圖像處理軟件組成。激光重復(fù)頻率為5Hz。PIV拍攝得到的圖像使用MicroVec V3.1.1計(jì)算軟件進(jìn)行處理,空間分辨率為2.62mm。電壓測(cè)量使用安捷倫N2271B高壓探頭,電流測(cè)量采用皮爾森電流線圈6595,示波器為安捷倫DSO3024A。
激勵(lì)電源采用中國(guó)科學(xué)院電工研究所研制的HFHV30-1型高頻高壓電源[18],工作模式有連續(xù)和脈沖2種可選。脈沖模式下工作頻率可在10~3000Hz之間調(diào)節(jié),占空比可在10%~90%間調(diào)節(jié)。本文使用脈沖工作模式,電源載波頻率為10kHz。
以矩形射流為研究對(duì)象,單個(gè)噴口為寬27mm、高3mm的矩形,寬高比為9,噴口設(shè)計(jì)便于電極的布置(見(jiàn)圖2(a))。射流發(fā)生器整體使用石英材質(zhì)制作以達(dá)到絕緣的目的。噴口采用上下雙通道設(shè)計(jì)以適應(yīng)后續(xù)實(shí)驗(yàn)要求,本文實(shí)驗(yàn)采用單通道。激勵(lì)器布置在射流發(fā)生器上方氣流通道出口內(nèi)側(cè)(下表面),電極采用銅箔制作,實(shí)驗(yàn)時(shí)根據(jù)需要可調(diào)節(jié)暴露電極和植入電極的間距,本實(shí)驗(yàn)中暴露電極寬5mm,植入電極寬9mm,兩電極長(zhǎng)均為27mm,電極在x方向間隙為0,構(gòu)型為逆向構(gòu)型(見(jiàn)圖2(b)上方構(gòu)型)。示蹤粒子使用煙餅燃燒產(chǎn)生,利用低壓艙內(nèi)外壓力差產(chǎn)生射流噴入低壓艙。
進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí),關(guān)閉低壓艙所有閥門,將壓力調(diào)節(jié)至80.0kPa,打開(kāi)進(jìn)氣管閥門使煙氣進(jìn)入低壓艙,煙氣流量大小使用加裝在閥門入口處的孔板進(jìn)行調(diào)節(jié)。待射流穩(wěn)定后利用PIV記錄,記錄完成后使用后處理軟件進(jìn)行流場(chǎng)處理計(jì)算。
湍射流具有復(fù)雜的擬序結(jié)構(gòu),其形成和發(fā)展過(guò)程會(huì)與周圍流體發(fā)生卷吸作用,存在較強(qiáng)的動(dòng)量和質(zhì)量交換和輸運(yùn)[19]。與此同時(shí),在射流發(fā)展過(guò)程中,射流邊界剪切層中的漩渦會(huì)出現(xiàn)生成、配對(duì)、合并等復(fù)雜現(xiàn)象[20]。射流的發(fā)展一般分為核心區(qū)、過(guò)渡段和充分發(fā)展段3個(gè)階段,其中充分發(fā)展段射流湍流度很高,與周圍流體的摻混效果最佳。對(duì)于單股射流,可以用來(lái)考量其湍流程度的量很多,如中心線速度衰減率、湍動(dòng)能變化情況、雷諾應(yīng)力[21]及流場(chǎng)中渦量變化等。矩形射流屬于非圓型射流,在射流發(fā)展過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)“轉(zhuǎn)軸”現(xiàn)象,即沿流向的切面形狀在發(fā)展過(guò)程中,出口較窄的方向距離會(huì)急劇擴(kuò)大,湍射流不斷與周圍流體摻混和卷吸,由此產(chǎn)生的旋渦具有促湍效果,中心線速度衰減的程度則表明湍流程度的高低。根據(jù)本實(shí)驗(yàn)測(cè)得的實(shí)際效果,選取中心線速度衰減率[21]和射流中心線速度一半處的總寬度b0.5(Full Width at Half Maximum,FWHM)[22]作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)施加等離子體控制前后的效果進(jìn)行對(duì)比。
定義射流中心線速度衰減率K為:
(1)
(2)
其中,A為過(guò)流面積,L為潤(rùn)濕周長(zhǎng)。對(duì)于本實(shí)驗(yàn)所用的矩形噴口,可以得到其當(dāng)量直徑的表達(dá)式為:
(3)
a和b分別是矩形噴口的寬和高,利用式(3)計(jì)算得到D=5.4mm。
圖3為未施加激勵(lì)和6kV-50Hz-50%(激勵(lì)電壓-脈沖頻率-占空比)2種工況下,對(duì)不同流向位置(沿x/D軸)的速度剖面(平行于y/D軸)進(jìn)行積分的曲線。從絕對(duì)值來(lái)看,施加激勵(lì)后整體速度積分?jǐn)?shù)值升高,這是由于流場(chǎng)密度分布近似,故流場(chǎng)動(dòng)量在施加激勵(lì)后升高,符合激勵(lì)器對(duì)射流流場(chǎng)的作用機(jī)理。從單個(gè)工況變化情況看,無(wú)激勵(lì)工況速度積分略有升高趨勢(shì),但是幅度不大;而有激勵(lì)工況速度積分相對(duì)平穩(wěn)。出現(xiàn)這種情況的原因是:無(wú)激勵(lì)工況下,射流在前半段還有較強(qiáng)的三維特性,部分動(dòng)量PIV捕捉效果不佳;而有激勵(lì)情況下,射流在分析位置時(shí)已經(jīng)大部分變?yōu)槎S特性較強(qiáng),動(dòng)量捕捉效果較好。所以認(rèn)為在射流發(fā)展過(guò)程中,動(dòng)量損失較小,基本保持不變,說(shuō)明使用中心線速度衰減率來(lái)反映射流摻混程度的高低較為合理。
實(shí)驗(yàn)艙內(nèi)初始?jí)簭?qiáng)80.0kPa,實(shí)驗(yàn)結(jié)束時(shí)壓力升高至約80.6kPa,理論射流出口速度為5.97m/s。由于設(shè)備性能限制,不能對(duì)核心區(qū)進(jìn)行直接觀察得到其長(zhǎng)度。文獻(xiàn)[24]選取了保持初始速度96%以上的軸線區(qū)域?yàn)楹诵膮^(qū),可以在有效反映核心區(qū)長(zhǎng)度的基礎(chǔ)上簡(jiǎn)化測(cè)量工作。本文在分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果時(shí)參照這種選取方法;對(duì)于射流半寬度的分析也從x/D=10.0之后開(kāi)始。
實(shí)驗(yàn)時(shí)保持占空比為50%,脈沖頻率為50Hz,施加的激勵(lì)電壓分別為5、6和7kV,選取未施加等離子體控制的情況作為對(duì)照,時(shí)均流場(chǎng)如圖4所示,其中,U為流場(chǎng)速度。
由于噴口出口處示蹤粒子濃度較高,PIV系統(tǒng)的識(shí)別效果不佳,加上實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)(如噴口內(nèi)表面平整度)、示蹤粒子對(duì)射流質(zhì)量的影響等,相機(jī)拍攝到的最大速度相比理論計(jì)算值均有衰減。由圖4可以看出,相比未施加等離子體的情況(圖4(a)),施加等離子體之后射流流場(chǎng)有明顯的變化??疾焖俣却笥?.4m/s的區(qū)域長(zhǎng)度,并將其定義為高速核心區(qū)長(zhǎng)度。當(dāng)流場(chǎng)未受等離子體控制時(shí),高速核心區(qū)長(zhǎng)度可以達(dá)到x/D=14.0左右;當(dāng)施加等離子體激勵(lì),使激勵(lì)電壓分別為5、6和7kV時(shí),該長(zhǎng)度分別為x/D=11.5、10.5和9.0,可見(jiàn)施加等離子體激勵(lì)后,高速核心區(qū)長(zhǎng)度發(fā)生了較為明顯的變化,由此可知,核心區(qū)長(zhǎng)度也受等離子體激勵(lì)的影響縮短了。同時(shí),施加等離子體激勵(lì)之后,射流的發(fā)展速度變快,直接導(dǎo)致射流寬度隨著電壓升高逐漸變大,表明射流摻混效果得到增強(qiáng)。出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因是:等離子體誘導(dǎo)流體與射流摻混,導(dǎo)致射流速度迅速衰減,射流核心區(qū)和過(guò)渡段結(jié)束位置提前,射流提前進(jìn)入充分發(fā)展階段。而當(dāng)激勵(lì)電壓升高時(shí),注入射流邊界的能量增加,這種衰減效果更加明顯。
從射流受擾動(dòng)的角度分析,等離子體激勵(lì)器開(kāi)啟后產(chǎn)生體積力,形成誘導(dǎo)流動(dòng)(見(jiàn)圖5 (a)、(b),其中,F(xiàn)為流場(chǎng)體積力)。并向射流邊界層直接注入能量,使射流上下邊界產(chǎn)生一定速度差,這樣射流發(fā)展過(guò)程中就會(huì)形成非對(duì)稱結(jié)構(gòu),這是改變射流形態(tài)的主要原因。當(dāng)電壓較低時(shí),注入能量較低,不能造成射流出現(xiàn)強(qiáng)烈非對(duì)稱變化,但是能使射流中心線速度衰減延緩。當(dāng)電壓升高到一定程度后,注入能量足夠引起上下邊界顯著差異時(shí),射流將會(huì)產(chǎn)生大尺度渦結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖5(c),以槽道流動(dòng)的壁面流動(dòng)為例,L和H分別代表高速區(qū)域和低速區(qū)域,δ代表近槽道半寬,μτ為壁面摩擦系數(shù),υ為運(yùn)動(dòng)粘度),射流湍流特性增強(qiáng),這些大尺度渦結(jié)構(gòu)將會(huì)相互作用、破裂而后再配對(duì),與周圍流體質(zhì)量交換增強(qiáng)[25],從而使得射流在發(fā)展過(guò)程中寬度顯著增大,摻混能力得到增強(qiáng)。這是等離子體激勵(lì)器改變射流湍流特性的重要原因。
對(duì)射流寬度進(jìn)行提取并進(jìn)行定量分析,如圖6(a)所示。圖6(a)展示了射流主體段不同激勵(lì)電壓下射流寬度的變化趨勢(shì)。施加等離子體后的射流與原射流相比,寬度均有所增大。隨著電壓的升高,射流寬度不斷增大,特別是射流中后段(x/D=17.0~25.0),在激勵(lì)電壓為7.0kV時(shí),射流寬度變?yōu)闊o(wú)激勵(lì)情況的200%以上。射流寬度大幅度增大,射流剪切層的卷吸摻混作用也同時(shí)增加,增強(qiáng)了射流的摻混能力。說(shuō)明電壓的升高,激勵(lì)能量增大,使激勵(lì)器的控制能力提高。
圖6(b)顯示了不同情況下中心線速度衰減率K的變化情況??傮w來(lái)看,施加等離子體激勵(lì)后,隨著激勵(lì)電壓升高,射流中心線速度的衰減率增大。在x/D=15.0處,激勵(lì)電壓為5、6和7kV時(shí),速度衰減率相對(duì)未施加等離子體激勵(lì)時(shí)分別增長(zhǎng)了10.3%、13.4%和15.1%左右,證明電壓越高,等離子體對(duì)中心線速度衰減作用越大。
圖5 等離子體激勵(lì)器誘導(dǎo)流流場(chǎng)與體積力分布(7.0kV-50%-50Hz)及湍流流場(chǎng)中大尺度結(jié)構(gòu)的影響
Fig.5Flowfieldinducedbyplasma,bodyforceandlargescalestructuresinturbulentflowfield
固定激勵(lì)電壓為6.0kV、脈沖頻率為50Hz,占空比分別為10%、50%、90%時(shí),流場(chǎng)的變化如圖7(a)、圖4(c)和圖7(b)所示。開(kāi)啟激勵(lì)器后,高速核心區(qū)長(zhǎng)度相比未開(kāi)啟激勵(lì)器時(shí)有所縮短。當(dāng)占空比增加時(shí),高速核心區(qū)長(zhǎng)度呈現(xiàn)先縮短后變長(zhǎng)的變化趨勢(shì)。證明占空比對(duì)于射流的衰減效果不是與占空比增長(zhǎng)成正相關(guān)的,而是存在一個(gè)最佳占空比區(qū)間使得衰減作用最強(qiáng)。
圖8所示為不同占空比下的射流寬度和射流中心線速度衰減率變化。圖8(a)中不同占空比下射流寬度的變化表明,當(dāng)占空比為50%和70%時(shí),射流寬度增加幅度最大;而當(dāng)占空比小于50%或大于70%時(shí),射流寬度雖然有增加但是幅度變小。可以初步看出等離子體激勵(lì)器對(duì)射流的控制作用在50%~70%占空比時(shí)效果較好。在圖8(b)中也可以看出此種趨勢(shì)。等離子體激勵(lì)器的控制效果隨占空比先升后降的這種趨勢(shì)機(jī)理尚不明確,但是包括文獻(xiàn)[14]在內(nèi)的研究表明,等離子體誘導(dǎo)流動(dòng)在占空比變化時(shí)均存在一個(gè)最佳效果區(qū)間,當(dāng)占空比低于這個(gè)區(qū)間時(shí),一個(gè)完整激勵(lì)周期內(nèi)有效注入射流邊界層的能量較少,不足以造成射流邊界層與周圍流體較強(qiáng)的卷吸效果;當(dāng)占空比高于這個(gè)區(qū)間時(shí),激勵(lì)更加接近穩(wěn)態(tài)激勵(lì),激勵(lì)效果反而不如非穩(wěn)態(tài)激勵(lì),導(dǎo)致控制效果不升反降,該機(jī)理有待進(jìn)一步研究。
固定激勵(lì)電壓為6.0kV、電源占空比為50%,分別測(cè)得脈沖頻率為10、50、90和130Hz時(shí)的射流流場(chǎng),結(jié)果如圖9(a)、圖4(c)、圖9(b)和(c)所示。
當(dāng)脈沖頻率變大時(shí),圖中高速核心區(qū)域長(zhǎng)度明顯縮短,在圖4(a)中,未開(kāi)啟激勵(lì)器時(shí)的高速核心區(qū)域長(zhǎng)度在x/D=20.0左右,激勵(lì)器開(kāi)啟后,這一長(zhǎng)度均縮短到了x/D=13.0左右,證明等離子體對(duì)于射流有明顯的衰減效果,但是圖9無(wú)法定量表明脈沖頻率增加對(duì)于衰減效果的影響,仍需進(jìn)一步分析。
對(duì)于不同脈沖頻率下的流場(chǎng),提取位置x/D=10.0之后的射流寬度與中心線速度衰減率如圖10所示。從圖10(a)中可以看出,在x/D=20.0之前,隨著脈沖頻率增加,射流寬度不斷增大。這是由于脈沖頻率增大后,相同時(shí)間內(nèi)脈沖數(shù)量增加導(dǎo)致產(chǎn)生誘導(dǎo)射流的能量增加,射流剪切層失穩(wěn)加劇且與周圍流體卷吸強(qiáng)度增加,產(chǎn)生渦結(jié)構(gòu)使得射流主流能量加快耗散;脈沖頻率為50和90Hz時(shí),等離子體對(duì)射流寬度增加作用差別不大;當(dāng)脈沖頻率進(jìn)一步增大至130Hz時(shí),寬度增加明顯。在x/D=20.0之后的區(qū)域,各個(gè)脈沖頻率下的射流寬度增加效果差別減小,出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因是該段區(qū)域受激勵(lì)器影響微弱,所以射流寬度變化趨勢(shì)主要受湍流自身發(fā)展規(guī)律影響。
射流中心線速度衰減率同樣呈現(xiàn)出上述規(guī)律。在x/D=20.0之前的區(qū)域,隨著脈沖頻率不斷增加,速度的衰減率也隨之增大,當(dāng)脈沖頻率為130Hz時(shí),衰減率明顯增加。在x/D=20.0之后的區(qū)域,隨著激勵(lì)器誘導(dǎo)射流能量的耗盡,衰減率不再隨脈沖頻率的變化而產(chǎn)生明顯的差異。
(1) 激勵(lì)電壓增大,射流中心線速度呈現(xiàn)減小趨勢(shì),射流寬度呈現(xiàn)增大趨勢(shì),有利于射流發(fā)展為湍流,增強(qiáng)其摻混特性。
(2) 隨著占空比的增加,射流寬度增加效果呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),中心線速度的衰減率先變大后減小,證明存在最佳的占空比區(qū)間使得控制效果最優(yōu)。本實(shí)驗(yàn)中該區(qū)間為50%~70%。
(3) 實(shí)驗(yàn)研究范圍內(nèi),脈沖頻率增加,等離子體對(duì)射流的衰減作用隨之增加;當(dāng)脈沖頻率達(dá)到130Hz時(shí),控制效果有明顯提升。