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        利用DISLab探究安培力的影響因素

        2017-09-27 11:36:24
        物理之友 2017年9期
        關(guān)鍵詞:磁場(chǎng)探究影響

        (聊城大學(xué),山東 聊城 252000)

        ·實(shí)驗(yàn)研究·

        利用DISLab探究安培力的影響因素

        裴超楊效華

        (聊城大學(xué),山東 聊城 252000)

        筆者針對(duì)傳統(tǒng)演示實(shí)驗(yàn)的不足,采用DISLab對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。本文以“探究影響通電導(dǎo)線(xiàn)受力的因素”的演示實(shí)驗(yàn)為例,簡(jiǎn)要介紹了DISLab的實(shí)驗(yàn)儀器、原理和過(guò)程。

        DISLab;安培力;影響因素

        1 教材演示實(shí)驗(yàn)分析

        教材中“探究安培力方向”的演示實(shí)驗(yàn)的主要內(nèi)容是交換磁極的位置和改變電流的方向,以此觀察導(dǎo)線(xiàn)受力方向是否改變。但是在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中我們發(fā)現(xiàn),該實(shí)驗(yàn)的現(xiàn)象并不是很明顯。主要原因是實(shí)驗(yàn)室的蹄形磁鐵磁性太弱,當(dāng)我們改變磁極位置或者電流方向時(shí)導(dǎo)線(xiàn)擺角太小,不易于學(xué)生發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。再者,通電導(dǎo)線(xiàn)在擺動(dòng)過(guò)程中,導(dǎo)線(xiàn)所在處磁場(chǎng)也會(huì)發(fā)生改變。

        在“探究影響通電導(dǎo)線(xiàn)受力的因素”的演示實(shí)驗(yàn)中,該實(shí)驗(yàn)的主要內(nèi)容是將三塊相同的蹄形磁鐵并列放置,將一根直導(dǎo)線(xiàn)水平懸掛在磁鐵兩極間,導(dǎo)線(xiàn)的方向與磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向垂直[1]。隨后采用控制變量法,分別改變導(dǎo)線(xiàn)在磁場(chǎng)中的長(zhǎng)度和電流的大小,觀察導(dǎo)線(xiàn)前后擺角的變化,通過(guò)實(shí)驗(yàn),我們發(fā)現(xiàn)了一些不足:首先,導(dǎo)線(xiàn)前后的擺角變化不大,作為演示實(shí)驗(yàn),學(xué)生不易發(fā)現(xiàn)力的大小變化。其次,雖然U形磁鐵間可近似看成勻強(qiáng)磁場(chǎng),而實(shí)際上U形磁鐵空間狹小,必須考慮邊緣效應(yīng)[2]。針對(duì)傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)的缺點(diǎn),我們決定采用DISLab實(shí)驗(yàn)來(lái)解決問(wèn)題。

        2 DISLab實(shí)驗(yàn)

        圖1

        2.1 實(shí)驗(yàn)裝置

        (1) 磁場(chǎng)部分:如圖1所示,將兩塊磁鐵正對(duì)放置。

        (2) 線(xiàn)路及通電導(dǎo)線(xiàn)部分:如圖2所示為漆包線(xiàn)繞成的方形線(xiàn)圈,我們分別接出100匝、200匝和300匝的工作線(xiàn)圈,通過(guò)連接電路選擇不同匝數(shù)作為在磁場(chǎng)中的通電導(dǎo)線(xiàn)段。且匝數(shù)越多,在磁場(chǎng)中的有效導(dǎo)線(xiàn)越長(zhǎng)。

        圖3是研究電流大小或?qū)Ь€(xiàn)長(zhǎng)度對(duì)安培力影響的實(shí)驗(yàn)線(xiàn)路圖,圖4為研究磁場(chǎng)強(qiáng)度或磁通量對(duì)安培力影響的實(shí)驗(yàn)線(xiàn)路圖,實(shí)驗(yàn)中均采用12V的學(xué)生電源。

        圖3

        圖4

        2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

        2.2.1 探究“電流大小或?qū)Ь€(xiàn)長(zhǎng)度對(duì)安培力的影響”

        (1) 實(shí)驗(yàn)步驟

        先選擇100匝的線(xiàn)圈進(jìn)行安培力的測(cè)量,點(diǎn)擊開(kāi)始按鈕后順時(shí)針旋轉(zhuǎn)旋鈕,此時(shí)會(huì)得到一系列點(diǎn)。點(diǎn)擊選擇分析區(qū)域,選擇y=ax+b的形式,便得到一條直線(xiàn)。

        分別接入200匝和300匝線(xiàn)圈。重復(fù)以上步驟,得到如圖5所示的實(shí)驗(yàn)圖像。

        圖5

        (2) 圖像分析

        首先選定同一電流,比較長(zhǎng)度不同時(shí)導(dǎo)線(xiàn)所受安培力的大小。例如選定電流為0.5A,所對(duì)應(yīng)的安培力大小分別為0.32N、0.16N、0.09N,從數(shù)據(jù)上我們可以看出,安培力大小與導(dǎo)線(xiàn)在磁場(chǎng)中的有效長(zhǎng)度成正比。

        采用同樣的方法,在同一圖像中觀察安培力大小與電流大小的關(guān)系,兩者也成正比。

        2.2.2 探究“磁感應(yīng)強(qiáng)度對(duì)安培力的影響”

        (1) 實(shí)驗(yàn)步驟

        按圖4進(jìn)行電路的連接,之后按上述步驟進(jìn)行準(zhǔn)備,將x軸名稱(chēng)改為時(shí)間。

        將線(xiàn)圈放在磁場(chǎng)中心處,點(diǎn)擊“開(kāi)始”,改變電流至最大,得到如圖6所示圖像。

        圖6

        依次向上移動(dòng)線(xiàn)圈,以逐次減小磁感應(yīng)強(qiáng)度大小,得到另外3組圖像,將4組圖像顯示在同一個(gè)坐標(biāo)軸上面。

        (2) 圖像分析

        由圖像可知,線(xiàn)圈越往上提,其所受的安培力就越小。所以,安培力的大小與磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小成正比。

        2.2.3 探究“磁場(chǎng)強(qiáng)度與導(dǎo)線(xiàn)間夾角大小對(duì)安培力的影響”

        (1) 實(shí)驗(yàn)步驟

        準(zhǔn)備階段:按圖4進(jìn)行電路的連接。

        進(jìn)行實(shí)驗(yàn):將線(xiàn)圈與磁場(chǎng)強(qiáng)度方向成90度角放置,點(diǎn)擊開(kāi)始,旋轉(zhuǎn)電流旋鈕至最大后得到最終穩(wěn)定圖像。

        依次改變夾角分別為60度、0度,重復(fù)上述步驟后,在同一坐標(biāo)軸上得到3組圖像(如圖7)。

        圖7

        (2) 圖像分析

        由圖像可知,夾角為90度時(shí),安培力最大。夾角為0度,即線(xiàn)圈與磁場(chǎng)強(qiáng)度平行時(shí),所受安培力為0N。

        3 結(jié)語(yǔ)

        我們采用平行磁場(chǎng),將線(xiàn)圈放在磁場(chǎng)的中心處,由于線(xiàn)圈偏轉(zhuǎn)角度不大,這就解決了傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)中由于通電導(dǎo)線(xiàn)在擺動(dòng)過(guò)程中,導(dǎo)線(xiàn)所在處磁場(chǎng)易發(fā)生改變的缺點(diǎn)。在“探究影響通電導(dǎo)線(xiàn)受力因素”的DISLab實(shí)驗(yàn)中,我們同樣將不易觀察的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象轉(zhuǎn)化為圖像,并且解決了邊緣效應(yīng)問(wèn)題。

        DISLab實(shí)驗(yàn)具有實(shí)驗(yàn)過(guò)程“可視化”、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)“重點(diǎn)化”、數(shù)據(jù)采集和處理“智能化”、教學(xué)過(guò)程“現(xiàn)代化”等特點(diǎn)[3],可以將圖像或者數(shù)據(jù)展現(xiàn)在電腦屏幕上,解決了傳統(tǒng)演示實(shí)驗(yàn)不易觀察的缺點(diǎn),還可以培養(yǎng)學(xué)生分析數(shù)據(jù)、圖像的能力。

        [1] 人民教育出版社,課程教材研究所,物理課程教材研究開(kāi)發(fā)中心.普通高中課程標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)教科書(shū) 物理3-1[M].人民教育出版社,2011:83.

        [2] 陳艷.定量探究安培力大小實(shí)驗(yàn)的改進(jìn)[J].教學(xué)實(shí)驗(yàn)與儀器,2015,(9).

        [3] 朱國(guó)強(qiáng),陳義兵.應(yīng)用DISLab探究安培力大小的相關(guān)因素[J].物理通報(bào),2011,(9).

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