馬歡波，王建波

(中海油田服務(wù)股份有限公司油田技術(shù)事業(yè)部 河北 燕郊 065201)

·儀器設(shè)備與應(yīng)用·

陣列側(cè)向測(cè)井影響因素分析*

馬歡波，王建波

(中海油田服務(wù)股份有限公司油田技術(shù)事業(yè)部 河北 燕郊 065201)

針對(duì)陣列側(cè)向測(cè)井儀器在測(cè)井時(shí)可能遇到的影響因素進(jìn)行分析，為儀器作業(yè)測(cè)井曲線質(zhì)量評(píng)價(jià)提供理論支持。使用有限元素法結(jié)合陣列側(cè)向測(cè)井儀工作原理，編寫了正演數(shù)值模擬軟件，使用該軟件分析了陣列側(cè)向測(cè)井儀器在測(cè)井時(shí)會(huì)受到井眼、侵入、圍巖等因素的影響。研究表明，探測(cè)深度淺的曲線MLR1受井眼影響因素最大；陣列側(cè)向測(cè)量的不同徑向探測(cè)深度的4條電阻率曲線在滲透層分開，能清晰描述地層侵入剖面；陣列側(cè)向測(cè)井儀器縱向分辨率很高，高于其他側(cè)向類測(cè)井儀器，能夠滿足薄層評(píng)價(jià)需求。通過(guò)這些影響因素分析，測(cè)井工程師和解釋人員可以很好地把握測(cè)井曲線質(zhì)量。

陣列側(cè)向測(cè)井儀；正演響應(yīng)；影響因素

0 引 言

隨著油氣藏勘探開發(fā)的深入，雙側(cè)向測(cè)井儀器采集的深、淺兩條電阻率曲線已經(jīng)不能滿足復(fù)雜油氣評(píng)價(jià)需求，尤其不能對(duì)侵入剖面進(jìn)行詳細(xì)描述。同時(shí)，雙側(cè)向測(cè)井儀分辨率低(0.6 m)，不能滿足薄層評(píng)價(jià)需求。為克服雙側(cè)向探測(cè)特性的不足，Schlumberger和Baker Atlas分別推出了自己的陣列側(cè)向測(cè)井儀器HRLA和RTeX[1，2]，陣列側(cè)向測(cè)井儀不僅具有較高的縱向分辨率，而且在徑向提供多種不探測(cè)深度的測(cè)量曲線，為地層侵入剖面的描述提供了更加詳細(xì)的信息。為打破國(guó)際大公司技術(shù)壟斷，滿足國(guó)內(nèi)海洋測(cè)井需求，中海油田服務(wù)股份有限公司經(jīng)過(guò)多年方法研究[3，4]和技術(shù)攻關(guān)，在2015年成功研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的陣列側(cè)向測(cè)井儀器EALT(Elis Array Laterolog Tool)，該儀器技術(shù)性達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。前人做了很多陣列側(cè)向測(cè)井響應(yīng)特性分析[5-7]，但是僅限于簡(jiǎn)單地層模型分析，本文增加了復(fù)雜地層模型分析，填補(bǔ)了這一空白；采用有限元方法，研究了陣列側(cè)向測(cè)井儀器在測(cè)井時(shí)受到的井眼影響因素(井眼、侵入、圍巖等因素)，并使用復(fù)雜地層模型來(lái)驗(yàn)證分析結(jié)果。

1 電極系結(jié)構(gòu)及工作原理

圖1 電極系結(jié)構(gòu)和電流分布示意圖

2 有限元方法數(shù)值模擬陣列側(cè)向測(cè)井響應(yīng)

陣列側(cè)向測(cè)井的響應(yīng)可歸納為穩(wěn)流電場(chǎng)計(jì)算。陣列側(cè)向測(cè)井的電場(chǎng)問(wèn)題可由微分方程描述。用u(x,y,z)表示電位，σ表示電導(dǎo)率，在直角坐標(biāo)系(x,y,z)下，電位u滿足微分方程：

(1)

陣列側(cè)向測(cè)井儀電極系具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱特性，因此方程(1)可以寫為：

(2)

這樣就可以采用二維有限元素法模擬陣列側(cè)向測(cè)井儀器對(duì)地層的響應(yīng)。有限元方法是求解數(shù)理邊值問(wèn)題的一種技術(shù)，適合于復(fù)雜邊界形狀形成的幾何物體，并適合含有復(fù)雜邊界條件和復(fù)雜媒質(zhì)的定解問(wèn)題。

電磁場(chǎng)有限元求解的主要步驟：1)區(qū)域離散或子區(qū)域劃分；2)插值函數(shù)的選擇；3)單元矩陣建立和整體方程組合；4)整體方程組求解和處理。

使用有限元方法，編寫陣列側(cè)向正演仿真軟件，使用該軟件進(jìn)行下文的陣列側(cè)向測(cè)井影響因素分析。

3 陣列側(cè)向測(cè)井影響因素分析

3.1 井眼影響

儀器在測(cè)井過(guò)程中都要受到井眼因素的影響。井眼影響因素主要包含兩個(gè)方面：井眼泥漿電阻率和井眼直徑大小。為了方便研究，地層模型建立為無(wú)限厚地層，不考慮其他的影響因素，分別研究井眼泥漿電阻率Rm和井眼大小dh的變化對(duì)陣列側(cè)向測(cè)井響應(yīng)的影響。前人研究發(fā)現(xiàn)，測(cè)井響應(yīng)探測(cè)深度最淺MLR1受井眼影響最大。圖2是井徑為8 in(1 in=25.4 mm)時(shí)，井眼影響因素變化時(shí)對(duì)陣列側(cè)向測(cè)井響應(yīng)淺探測(cè)MLR1影響的數(shù)值仿真結(jié)果。圖中橫坐標(biāo)為視電阻率與泥漿電阻率的比值MLR1/Rm，縱坐標(biāo)表示井眼校正后電阻率與測(cè)量視電阻率的比值MLR1corr/MLR1，曲線的不同顏色分別代表不同井眼直徑(6～16 in)。圖2中，從紅色箭頭看，井徑固定時(shí)，視電阻率和泥漿電阻率的對(duì)比度越大，MLR1受井眼影響越大；從藍(lán)色箭頭看，MLR1/Rm固定時(shí)，井徑越大，MLR1受井眼影響越大。

圖2 井眼影響

3.2 侵入影響

測(cè)井儀器在滲透層作業(yè)時(shí)測(cè)井響應(yīng)會(huì)受到泥漿侵入地層的影響而遠(yuǎn)離地層真電阻率。圖3是仿真陣列側(cè)向測(cè)井響應(yīng)隨侵入深度的變化規(guī)律，橫坐標(biāo)表示侵入深度，縱坐標(biāo)表示不同探測(cè)深度的視電阻率。計(jì)算時(shí)采用的地層模型為：井徑8 in，泥漿電阻率0.1 Ω·m，地層真電阻率為10 Ω·m，侵入帶電阻率為1 Ω·m。從圖3中可以看出，當(dāng)沒(méi)有侵入或侵入較淺時(shí)，視電阻率等于地層真電阻率，隨著侵入增加，視電阻率逐漸減小，探測(cè)深度越淺受侵入影響越嚴(yán)重，視電阻率隨侵入的增加而減小的速度越快。

圖3 視電阻率隨侵入深度變化圖

圖4仿真了陣列側(cè)向測(cè)井儀器在“Oklahoma”地層有侵入時(shí)電阻率響應(yīng)特征，“Oklahoma”地層模型，井徑8 in，泥漿電阻率1 Ω·m，真電阻率Rt范圍4～1 500 Ω·m，侵入帶電阻率Rxo范圍15～400 Ω·m，侵入深度Ri范圍9～20 in。如圖4所示，受侵入影響陣列側(cè)向不同探測(cè)深度的4條電阻率曲線在滲透層分開，探測(cè)深度最深的曲線MLR4受侵入影響最小，接近地層真電阻率，探測(cè)深度最淺的視電阻率受到侵入的影響最大，遠(yuǎn)離地層真電阻率。當(dāng)?shù)貙又杏星秩霑r(shí)，陣列側(cè)向的四條電阻率呈“正差異”分開，電阻率曲線隨著探測(cè)深度增大而增大，MLR1

圖4 “Oklahoma”地層有侵入時(shí)電阻率響應(yīng)特征

3.3 圍巖影響

電阻率儀器在進(jìn)行測(cè)井時(shí)，高阻薄層由于受到上下低阻圍巖的分流用作而使實(shí)際測(cè)量電阻率低于地層真電阻率。假定井徑8 in，泥漿電阻率1 Ω·m，目的層電阻率Rt=10 Ω·m，目的層厚度依次為0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.7、2.0 ft(1 ft=304.8 mm)，上下圍巖電阻率為1 Ω·m，無(wú)侵入，仿真結(jié)果如圖5所示。從上圖5可以看出，在目的層比較薄時(shí)，模擬的電阻率數(shù)據(jù)小于地層的真電阻率，受圍巖電阻率影響較大。隨著目的層的厚度增加，模擬的電阻率數(shù)據(jù)會(huì)逐漸接近地層真電阻率，受圍巖電阻影響逐漸減小。從圖中也可以看出，當(dāng)?shù)貙雍穸葹? ft時(shí)，仿真得到的視電阻率為5 Ω·m(地層真電阻率的一半)，我們可以認(rèn)為此時(shí)的地層厚度為陣列側(cè)向測(cè)井儀器的縱向分辨率。

圖5 陣列側(cè)向薄互層仿真圖

同時(shí)也仿真了“Oklahoma”無(wú)侵入地層的測(cè)井響應(yīng)，該地層模型特征復(fù)雜，電阻率范圍和地層厚度范圍都很全面，電阻率Rt從4～1 500 Ω·m，井徑8 in，泥漿電阻率1 Ω·m。圖6為在無(wú)鉆井液侵入地層時(shí)，不同模式下的電阻率響應(yīng)基本不受圍巖的影響。受圍巖影響，層界面附近出現(xiàn)深淺電阻率分離。

圖6 “Oklahoma”地層無(wú)侵入時(shí)電阻率響應(yīng)特征

4 結(jié) 論

本文使用有限元方法數(shù)值模擬陣列側(cè)向測(cè)井響應(yīng)，從簡(jiǎn)單地層和復(fù)雜地層兩方面研究?jī)x器測(cè)井時(shí)受到的影響因素：井眼、侵入、圍巖等的響應(yīng)規(guī)律和現(xiàn)象。研究結(jié)果表明：1)探測(cè)深度淺的曲線MLR1受井眼影響因素最大，如果想要得到更好的電阻率曲線，需要進(jìn)行井眼校正。

2)陣列側(cè)向測(cè)量的不同徑向探測(cè)深度4條電阻率曲線，在滲透層分開，在低電阻率泥漿侵入井中能表現(xiàn)出很好的“正差異”，清晰描述地層侵入剖面。

3)陣列側(cè)向測(cè)井儀器縱向分辨率很高，分層能力達(dá)到1 ft，高于其他側(cè)向類測(cè)井儀器，能夠滿足薄層評(píng)價(jià)需求。

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Influence Factors Analysis of Array Lateral Logging

MA Huanbo, WANG Jianbo

(ChinaOilfieldServicesLimitedWelltech,Yanjiao,Hebei065201,China)

The influence factors of array lateral logging tool in well logging are analyzed, which can provide theoretical support for the quality evaluation of the logging curve. The forward numerical simulation software are coded using the finite element method combined array laterolog principle, then the influence factors such as the borehole, invasion and the surrounding rock of the array lateral logging tool in well logging are analyzed. The research result shows that the detection depth curve MLR1 is most affected by borehole effect factors; The four resistivity curves with different radial depths of array laterolog are separated in the penetration layer, which can give an clearly description of the invasion profile; Array laterolog tool has high vertical resolution, hierarchical ability to 1 ft, which is higher than the other lateral logging tool, can meet the demand of evaluation of thin layer. Through the analysis of these influencing factors, well logging engineers and interpreters can well grasp the quality of well logging curve.

elis array laterolog tool; forward response; influence factors

中國(guó)海洋石油總公司項(xiàng)目陣列側(cè)向測(cè)井儀工程化研究(編號(hào)：2011ZX05020-03YF2013-05)

馬歡波，女，1986年生，工程師，2011年畢業(yè)于西安石油大學(xué)測(cè)試計(jì)量技術(shù)及儀器專業(yè)，從事電法測(cè)井理論、方法及儀器開發(fā)等研究工作。E-mail:mahb6@cosl.com.cn

P631.8

A

2096-0077(2017)02-0078-03

10.19459/j.cnki.61-1500/te.2017.02.018

2016-08-01 編輯：屈憶欣)