亚洲免费av电影一区二区三区,日韩爱爱视频,51精品视频一区二区三区,91视频爱爱,日韩欧美在线播放视频,中文字幕少妇AV,亚洲电影中文字幕,久久久久亚洲av成人网址,久久综合视频网站,国产在线不卡免费播放

        ?

        探討電子科學(xué)技術(shù)中的半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì)

        2016-12-31 00:00:00霍翔
        科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2016年30期

        摘 要:現(xiàn)階段我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的速度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較穩(wěn)定的,并且當(dāng)今我國(guó)所處的時(shí)代是一個(gè)知識(shí)經(jīng)濟(jì)的時(shí)代,電子科學(xué)技術(shù)作為一種創(chuàng)新型的技術(shù)在我國(guó)各個(gè)領(lǐng)域中都得到了較為廣泛的應(yīng)用,它在現(xiàn)階段我國(guó)新興技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所起到的作用是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較重要的,半導(dǎo)體材料在電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所起到的作用是十分重要的,它在我國(guó)電子工業(yè)產(chǎn)業(yè)選擇發(fā)展走向的過(guò)程中起到了決定性作用。從第一代的半導(dǎo)體材料硅、鍺等具有鮮明代表性的半導(dǎo)體材料一直到現(xiàn)階段電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所使用到的碳化硅、氧化鋅等第三代的半導(dǎo)體材料,現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)行業(yè)中所需要使用到的半導(dǎo)體材料發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中都是在朝著高集成度、低尺寸以及禁帶寬度更寬的方向發(fā)展的,作者根據(jù)實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析,以便于能夠在我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)行業(yè)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中起到一定程度的促進(jìn)性作用。

        關(guān)鍵詞:電子科學(xué)技術(shù);半導(dǎo)體材料;特征尺寸;發(fā)展;趨勢(shì)

        1 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所使用到的半導(dǎo)體材料進(jìn)行分析

        1.1 元素類(lèi)半導(dǎo)體材料在我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級(jí)階段得到了較為廣泛的應(yīng)用

        作為出現(xiàn)最早并且得到了最為廣泛的應(yīng)用的第一代半導(dǎo)體材料,鍺、硅是其中典型性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)的元素半導(dǎo)體材料,第一代半導(dǎo)體材料硅因?yàn)榇鎯?chǔ)量相對(duì)來(lái)說(shuō)比較大、工藝也相對(duì)來(lái)說(shuō)比較成熟,成為了現(xiàn)階段我國(guó)所生產(chǎn)出來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)備中得到了最為廣泛的應(yīng)用,鍺元素是發(fā)現(xiàn)時(shí)間最早的一種半導(dǎo)體材料。在我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級(jí)階段因其本身所具有的活潑,容易和半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的介電材料發(fā)生氧化還原反應(yīng)從而形成GEO,使半導(dǎo)體設(shè)備的性能受到一定程度的影響,致使人們?cè)谑褂冒雽?dǎo)體設(shè)備的過(guò)程中出現(xiàn)各個(gè)層面相關(guān)問(wèn)題的幾率是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的,并且鍺這種元素的產(chǎn)量相對(duì)于硅元素來(lái)說(shuō)是比較少的,因此在我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級(jí)階段對(duì)鍺這種半導(dǎo)體材料的研究力度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較小的。但是在上個(gè)世紀(jì)八十年代的時(shí)候,鍺這種半導(dǎo)體材料在紅外光學(xué)領(lǐng)域得到了較為廣泛的應(yīng)用,并且發(fā)展速度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較快的,在此之后,GE這種半導(dǎo)體材料在太陽(yáng)能電池這個(gè)領(lǐng)域中也得到了較為廣泛的應(yīng)用。

        1.2 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所使用到大化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)行分析

        現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所使用到的化合物半導(dǎo)體一般情況下是可以分為第III和第V族化合物(例如在那個(gè)時(shí)期半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的半導(dǎo)體材料GaAs Gap以及石墨烯等等),第II和第VI族化合物(例如在半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的硫化鎘以及硫化鋅等等)、經(jīng)過(guò)了一定程度的氧化反應(yīng)后的化合物(Mn、Cu等相關(guān)元素經(jīng)過(guò)了一定程度的氧化反應(yīng)后形成的化合物)。在上文中所敘述的一些材料一般情況下都是屬于固態(tài)晶體半導(dǎo)體材料所包含的范疇之內(nèi)的,現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中研發(fā)出來(lái)的有機(jī)半導(dǎo)體與玻璃半導(dǎo)體等非晶體狀態(tài)的材料也逐漸成為了半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的一種材料。

        2 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中半導(dǎo)體材料使用階段發(fā)生變化的進(jìn)行分析

        在現(xiàn)階段我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的半導(dǎo)體材料硅遵循著摩爾定律所提出的要求發(fā)展進(jìn)程不斷的向前推進(jìn),現(xiàn)階段我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備中所使用到的硅的集成度已經(jīng)逐漸接近了極限范圍,現(xiàn)階段我國(guó)所研發(fā)出來(lái)的晶體管逐步向著10nm甚至7nm的特征尺寸逼近。但是因?yàn)楣璨牧媳旧碓诮麕挾?、空穴遷移率等各個(gè)方面存在一定程度的問(wèn)題,難以滿(mǎn)足現(xiàn)階段我國(guó)科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中對(duì)半導(dǎo)體材料所提出的要求,在10nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)范圍之中,GE/SIGE材料或許是可以代替硅材料成為半導(dǎo)體設(shè)備所需要使用到的主要材料的。在2015年的時(shí)候,IBM實(shí)驗(yàn)室在和桑心以及紐約州立大學(xué)納米理工學(xué)院進(jìn)行一定程度的相互合作之后推出了實(shí)際范圍內(nèi)首個(gè)7nm原型芯片,這一款芯片中所使用到的材料都是被人們稱(chēng)作黑科技的“鍺硅”材料,取代了原本高純度硅元素在半導(dǎo)體材料中所占據(jù)的主導(dǎo)地位。

        3 對(duì)現(xiàn)階段新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析

        因?yàn)樵诮?jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的背景之下,人們對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的性能所提出的要求也在不斷的提升,人們對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料在集成度、能耗水平以及成本等各個(gè)方面提出的要求到達(dá)了新的高度?,F(xiàn)階段,第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)之間的成為了半導(dǎo)體設(shè)備中使用到的主要材料之一,作為在第三代半導(dǎo)體材料中典型性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)的材料:GaN、SIC以及zno等各種類(lèi)型的材料在現(xiàn)階段發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的速度都是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較快的。

        4 對(duì)現(xiàn)階段碳化硅這種材料的發(fā)展和在各個(gè)領(lǐng)域中得到的應(yīng)用進(jìn)行分析

        碳化硅是一種典型性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的在碳基化合物所包含的范圍之內(nèi)的半導(dǎo)體材料,其本身所具有的導(dǎo)熱性能相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)穩(wěn)定性是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)的,所以在某些對(duì)散熱性要求相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的領(lǐng)域中得到了較為廣泛的應(yīng)用,現(xiàn)階段碳化硅這種半導(dǎo)體材料在太陽(yáng)能電池、發(fā)電傳輸以及衛(wèi)星通信等各個(gè)領(lǐng)域中得到了比較深入的應(yīng)用,在此之外,碳化硅這種半導(dǎo)體材料在軍工行業(yè)中所得到的應(yīng)用也是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較深入的,在某些國(guó)防建設(shè)相關(guān)工作進(jìn)行的過(guò)程中都使用到的了大量的碳化硅。因?yàn)楹吞蓟柽@種材料相關(guān)的產(chǎn)業(yè)的數(shù)量是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較少的,現(xiàn)階段我國(guó)碳化硅行業(yè)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的速度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較緩慢的,但是現(xiàn)階段我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所重視的向著環(huán)境保護(hù)型的方向轉(zhuǎn)變,碳化硅材料能夠滿(mǎn)足這一要求,所以我國(guó)政府有關(guān)部門(mén)對(duì)碳化硅這一種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料越發(fā)的重視了,隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展進(jìn)程不斷的向前推進(jìn),在不久的將來(lái)我國(guó)碳化硅行業(yè)的的發(fā)展一定會(huì)取得相對(duì)來(lái)說(shuō)比較顯著的成果的。

        5 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)所研發(fā)出來(lái)的創(chuàng)新型半導(dǎo)體材料氧化鋅的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析

        作為一種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料,氧化鋅在光學(xué)材料以及傳感器等各個(gè)領(lǐng)域中得到了較為廣泛的應(yīng)用,因?yàn)檫@種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料具有反應(yīng)速度相對(duì)來(lái)說(shuō)比較快、集成度相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高以及靈敏程度相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高等一系列的特點(diǎn),和當(dāng)前我國(guó)傳感器行業(yè)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所遵循的微型化宗旨相適應(yīng),因?yàn)檠趸\這種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料的原材料豐富程度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的、環(huán)保性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)、價(jià)格相對(duì)來(lái)說(shuō)比較低,所以氧化鋅這種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料在未來(lái)的發(fā)展前景是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較廣闊的。

        6 結(jié)束語(yǔ)

        現(xiàn)階段我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的速度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較穩(wěn)定的,并且當(dāng)今我國(guó)所處的時(shí)代是一個(gè)知識(shí)經(jīng)濟(jì)的時(shí)代,人們對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料提出了更高的要求,針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料展開(kāi)的相關(guān)研究工作的力度也得到了一定程度的提升,摩爾定律在現(xiàn)階段電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中仍然是適用的,隨著人們針對(duì)半導(dǎo)體材料展開(kāi)的研究相關(guān)工作得到了一定的成果,使用創(chuàng)新型半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體設(shè)備的性能得到了大幅度的提升,相信在不久的將來(lái),半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的變化是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較大的。

        參考文獻(xiàn)

        [1]王欣.電子科學(xué)技術(shù)中的半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì)[J].通訊世界,2016,08:237.

        [2]王占國(guó).半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)[J].世界科技研究與發(fā)展,

        1998,05:51-56.

        [3]楊吉輝.光伏半導(dǎo)體材料和Cu基存儲(chǔ)材料的第一性原理研究[D].復(fù)旦大學(xué),2013.

        [4]張紹輝,張金梅.主要半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)[J].科技致富向?qū)В?013,12:72.

        [5]蔣榮華,肖順珍.半導(dǎo)體硅材料的進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)[J].四川有色金屬,2000,03:1-7.

        [6]王占國(guó).半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)(摘要)[J].新材料產(chǎn)業(yè),

        2000,05:37-40.

        [7]王占國(guó).半導(dǎo)體材料的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)[J].人工晶體學(xué)報(bào),1997,Z1:104.

        亚洲中文字幕黄色小视频| 亚洲国产精品日韩av专区| 亚洲欧美日韩在线观看一区二区三区| 无码av一区二区大桥久未| 久久久精品2019免费观看| 韩国日本亚洲精品视频 | 精品国产群3p在线观看| 国产大片在线观看三级| 国产精品美女久久久网站三级 | 手机看片自拍偷拍福利| 欧美黑人性暴力猛交喷水黑人巨大| 国产美女在线一区二区三区| 国内精品极品久久免费看| 99久久婷婷国产亚洲终合精品| 97人人超碰国产精品最新| 日韩在线不卡免费视频| 韩国女主播一区二区三区在线观看| 日韩a级精品一区二区| 亚洲av成人无码网站…| 国产午夜视频免费观看| 亚洲中文字幕在线第六区| 精品国际久久久久999波多野| 特级毛片a级毛片免费播放| 日韩肥熟妇无码一区二区三区| 性色av色香蕉一区二区蜜桃| 99国产精品久久久蜜芽| 日韩在线第二页| 午夜亚洲精品一区二区| 99国产精品99久久久久久| 一个人在线观看免费视频www| 蜜桃av无码免费看永久| 风骚人妻一区二区三区| 亚洲国产午夜精品理论片在线播放| 91精品国产丝袜在线拍| 国产自拍精品在线视频| 337p粉嫩日本欧洲亚洲大胆| 四虎影视永久在线精品| 色中文字幕视频在线观看| 日韩精品成人区中文字幕| 亚洲国产韩国欧美在线| 日韩无码尤物视频|