劉榮正,劉馬林,邵友林,劉兵(清華大學(xué)核能與新能源技術(shù)研究院,先進(jìn)核能技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心,北京 100084)
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特約評述
流化床-化學(xué)氣相沉積技術(shù)的應(yīng)用及研究進(jìn)展
劉榮正,劉馬林,邵友林,劉兵
(清華大學(xué)核能與新能源技術(shù)研究院,先進(jìn)核能技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心,北京 100084)
摘要:流化床-化學(xué)氣相沉積(FB-CVD)技術(shù)是一種多學(xué)科交叉的材料制備技術(shù),兼有流化床傳熱傳質(zhì)性能良好以及化學(xué)氣相沉積均勻、產(chǎn)物單一等優(yōu)點,在工業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用,但因其屬于交叉學(xué)科,散見于各種研究,沒有進(jìn)行專門的進(jìn)展評述。本文擬對FB-CVD的工業(yè)應(yīng)用進(jìn)行專題綜述,分析其發(fā)展和研究趨勢。首先探討了 FB-CVD的基本原理,分別綜述了其在顆粒包覆、一維納米材料、多晶硅制備、顆粒表面改性及粉體制備等方面的應(yīng)用,介紹了 FB-CVD的過程模擬及反應(yīng)器結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面的研究進(jìn)展。通過以上討論,梳理了FB-CVD研究的科學(xué)內(nèi)涵。可以看出,該過程具有明顯的多尺度特征,即材料制備的微觀層次、顆粒流化均勻性的介觀層次以及反應(yīng)器結(jié)構(gòu)設(shè)計的宏觀尺度??偨Y(jié)得出:FB-CVD技術(shù)的未來發(fā)展取決于3個尺度的耦合分析,其研究重點也應(yīng)關(guān)注尺度間的相互影響效應(yīng),如材料制備的均相成核、非均相成核和顆粒流化及運動規(guī)律的相互耦合等。
關(guān)鍵詞:流化床-化學(xué)氣相沉積;材料制備;過程分析;多尺度耦合
第一作者:劉榮正(1985—),男,助理研究員。聯(lián)系人:劉馬林,副研究員。E-mail liumalin@tsinghua.edu.cn。
流化床-化學(xué)氣相沉積(fluidized bed-chemical vapor deposition,F(xiàn)B-CVD)技術(shù)屬于材料制備理論與化工科學(xué)進(jìn)行學(xué)科交叉的典型研究范疇。流化床技術(shù)因其傳熱速度快、混合均勻等特性特別適用于多相共存的反應(yīng)過程,在化工生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用[1-3]?;瘜W(xué)氣相沉積是近幾十年來發(fā)展起來的重要材料制備技術(shù),廣泛用于制備各種單晶、多晶或玻璃態(tài)的氧化物、氮化物、碳化物等薄膜及厚膜材料,同時通過氣相摻雜可以實現(xiàn)材料功能的拓展和耦合[4-6]。流化床是化工反應(yīng)器的典型代表,重點研究顆粒的宏觀流化規(guī)律及傳質(zhì)傳熱規(guī)律,其產(chǎn)品產(chǎn)率在噸量級,直接應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn);而化學(xué)氣相沉積技術(shù)關(guān)注微觀化學(xué)反應(yīng)過程,探索材料制備的基本規(guī)律及形成機(jī)制,大多停留在材料研究的實驗室階段。將流化床和化學(xué)氣相沉積技術(shù)相結(jié)合,就搭建起了材料的實驗室研究向宏量制備的橋梁,有望將材料研究從科學(xué)研究推向工程應(yīng)用。本文從FB-CVD應(yīng)用出發(fā),分別介紹了其在顆粒包覆、催化制備新材料、多晶硅制備、粉體制備及表面改性等方面的研究進(jìn)展,探討其過程研究的幾個方面,梳理FB-CVD研究的科學(xué)內(nèi)涵,指出其具有明顯的多尺度特征,并展望了 FB-CVD技術(shù)的發(fā)展方向。
化學(xué)氣相沉積是工業(yè)生產(chǎn)和科研實踐中的一項重要技術(shù),其基本原理為氣相反應(yīng)物在高能量環(huán)境(熱,光,等離子)激發(fā)下產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而形成固體產(chǎn)物?;瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)廣泛應(yīng)用于粉體的制備和表面改性[7],目標(biāo)產(chǎn)物為游離的固體形式得到超細(xì)粉末,目標(biāo)產(chǎn)物以一定方式沉積在粉體或基體表面可以形成功能化的薄膜或涂層。無論是粉體制備還是表面涂覆,粉體顆粒本身良好的分散性及良好的氣固接觸是非常重要的因素。在眾多的粉體分散技術(shù)中,流化技術(shù)由于分散性好,可以實現(xiàn)顆粒的循環(huán)流動,被廣泛用于化工生產(chǎn)過程。而將化學(xué)氣相沉積和流化技術(shù)相結(jié)合,就產(chǎn)生了一種新型的材料制備技術(shù)——流化床-化學(xué)氣相沉積技術(shù)[8-9]。在流化床中,顆粒在高速氣流的作用下處于流態(tài)化,而氣體反應(yīng)物通過載帶的形式進(jìn)入流化床,在高溫區(qū)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成超細(xì)粉末或者沉積在顆粒表面。該項技術(shù)起源于核能領(lǐng)域,最初應(yīng)用于陶瓷球形核燃料核芯的包覆,后逐步擴(kuò)展到碳納米管制備、多晶硅制備、催化載體及粉體改性等領(lǐng)域。
FB-CVD技術(shù)是一門多學(xué)科交叉的綜合技術(shù),其基本原理建立在化學(xué)、化工、材料等學(xué)科的重要基礎(chǔ)理論上,可以實現(xiàn)材料的宏觀制備,直接面向生產(chǎn)和應(yīng)用。具體而言,流化床技術(shù)屬于化工范疇,在流化床中,氣相和固相密切接觸,在氣相作用下固相介質(zhì)循環(huán)運動,流體的運動規(guī)律及相互作用決定了固相介質(zhì)的運動軌跡。氣相沉積屬于化學(xué)反應(yīng),在化學(xué)反應(yīng)中,化學(xué)鍵的生成與斷裂取決于流化床反應(yīng)器的內(nèi)溫度場、濃度場及流場的分布。沉積產(chǎn)物的制備屬于材料學(xué)范疇,產(chǎn)物的形核、生長、物相及顯微形貌與流化床及化學(xué)反應(yīng)過程息息相關(guān)??梢哉f,F(xiàn)B-CVD技術(shù)是化學(xué)、化工、材料學(xué)交叉綜合的技術(shù),如圖1所示。這種特殊性決定了其本身的復(fù)雜性,對FB-CVD機(jī)理的認(rèn)識需要綜合分析各方面因素,掌握主要因素及次要因素,了解各因素間的相互作用及耦合作用,最終制備出符合特定要求的功能化產(chǎn)品。
圖1 流化床-化學(xué)氣相沉積技術(shù)與相關(guān)學(xué)科的關(guān)系
2.1 多層包覆顆粒的制備
FB-CVD的最初應(yīng)用為核燃料領(lǐng)域,主要用來制備應(yīng)用于高溫氣冷堆中的包覆燃料顆粒,最近也有用FB-CVD技術(shù)用于制備核燃料顆粒其他包覆層的研究報道[10]。包覆燃料顆粒彌散分布在石墨基體中得到用于反應(yīng)堆的燃料元件,如圖2(a)所示。這種包覆顆粒的基本結(jié)構(gòu)如圖2(b)、(c)、(d)所示。包覆顆粒的直徑約1mm,由核燃料陶瓷核芯、疏松熱解炭層、內(nèi)致密熱解炭層、碳化硅(SiC)層和外致密熱解炭層組成。包覆燃料顆粒的復(fù)合包覆層構(gòu)成微球形壓力容器,以此約束核裂變產(chǎn)生的放射性產(chǎn)物,保障反應(yīng)堆的安全性[11-12]。
包覆燃料顆粒的四層包覆層采用FB-CVD法連續(xù)制備,疏松熱解炭層由乙炔裂解得到,致密熱解炭層由丙烯和乙炔混合氣體裂解得到,碳化硅層是包覆燃料顆粒最重要的一層,其基本反應(yīng)物為甲基三氯硅烷(CH3SiCl3,MTS),所發(fā)生的反應(yīng)如式(1)。
圖2 用于高溫氣冷堆的包覆燃料顆粒及其基本結(jié)構(gòu)
圖3 流化床化學(xué)氣相沉積法制備SiC包覆層的基本過程
制備過程采用Ar和H2作為噴射流化床反應(yīng)器流化氣體。常溫常壓下 MTS為液體,而化學(xué)氣相沉積需要氣體形式的 MTS通入包覆反應(yīng)器,在包覆過程中,需要將 MTS儲液罐加熱至一定溫度,MTS氣體由H2載帶著進(jìn)入流化床反應(yīng)器。流化管周圍用電發(fā)熱體進(jìn)行加熱,用紅外高溫計進(jìn)行溫度在線測量。反應(yīng)時,核芯顆粒在流化氣體的作用下處于懸浮狀態(tài),在高溫下 MTS原位沉積在核芯顆粒上形成致密的SiC包覆層。其基本的制備過程如圖3所示。在制備過程過,反應(yīng)器內(nèi)的壓力及前體的濃度對SiC包覆層的顯微結(jié)構(gòu)有著重要影響合理調(diào)控反應(yīng)器內(nèi)的壓力分布,適當(dāng)降低載帶氣濃度可以得到近似理論密度(3.2g/cm3)的 SiC包覆層。
通過FB-CVD法制備的多層包覆顆粒具有良好的性能,在輻照試驗中表現(xiàn)優(yōu)異[13-14]。目前該方法制備的包覆燃料顆粒已經(jīng)實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),并即將投入到反應(yīng)堆中實現(xiàn)并網(wǎng)發(fā)電。同時,根據(jù)不同的包覆顆粒設(shè)計思路,該方法可以制備具有不同結(jié)構(gòu)的包覆層,也可以制備諸如ZrC、Nb等新型的包覆層[10,15-16]。
2.2 催化制備一維納米材料
2.2.1 碳納米管
FB-CVD另一個重要應(yīng)用領(lǐng)域為碳納米管的宏量制備。碳納米管因其獨特的一維結(jié)構(gòu)具備了優(yōu)異的力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)和反應(yīng)性能,使其在能源存儲與轉(zhuǎn)化、復(fù)合材料、多相催化、環(huán)境保護(hù)及生物醫(yī)藥等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力[17-18]。
目前,催化條件下的化學(xué)氣相沉積是碳納米管的宏量生產(chǎn)的最有工業(yè)價值的方法,并可在生長的過程中對碳納米管壁數(shù)、直徑、長度以及取向進(jìn)行調(diào)控[19-21]?;瘜W(xué)氣相沉積法制備碳納米管的過程為碳原子有序組裝形成管狀結(jié)構(gòu)的過程,在微觀尺度上,催化劑的設(shè)計及結(jié)構(gòu)控制對碳納米管的結(jié)構(gòu)及生長過程影響很大,目前研究最多的催化劑種類為過渡金屬,特別是Fe、Co、Ni等在生長碳納米管的過程中具有極好的催化活性。通過共沉淀或者浸漬法可以有效地將這些活潑過渡金屬元素負(fù)載在MgO、Al2O3、SiO2、TiO2和 CaO等催化劑載體上[22-23]。由于碳納米管具有極高的長徑比,其在介觀尺度上會產(chǎn)生聚團(tuán)現(xiàn)象,不同聚團(tuán)形態(tài)的碳納米管具有不同的流動特性和熱量質(zhì)量轉(zhuǎn)移速率,并存在催化劑失活行為[24]。聚團(tuán)結(jié)構(gòu)及碳納米管生長過程中的體積變化會引起反應(yīng)與流動狀態(tài)的變化,這種變化會影響反應(yīng)器的溫度和濃度均勻性等核心生長條件。由于碳納米管的聚團(tuán)生長模式,適合其生長的反應(yīng)器必須提供足夠空間,流化床反應(yīng)器成為適合的制備反應(yīng)器。目前,利用FB-CVD法,以一定的催化劑和基板為載體,具有特殊形態(tài)和功能的碳納米管,諸如超長碳納米管[25]、碳納米管陣列[26]、螺旋碳納米管[27]、摻雜碳納米管[28]等也都被制備出來。
2.2.2 其他一維納米材料
最近,采用FB-CVD技術(shù)制備其他一維材料的研究也已經(jīng)展開。本文作者課題組通過控制流化床溫區(qū)分布,利用原位形成納米催化劑液滴成功制備了碳化硅納米線[29]。其基本的制備過程及產(chǎn)物形貌如圖4所示。流化床反應(yīng)器特別設(shè)計了中間高兩頭低的溫區(qū)分布,大直徑的氧化亞鈷催化劑顆粒(粒徑范圍1.0~2.0mm)在流化床底部低溫區(qū)流化,進(jìn)高溫區(qū)的氧化亞鈷在氫氣條件下被還原成金屬鈷,金屬鈷的高速氣流的作用下形成納米液滴,碳化硅前體裂解形成的硅和碳原子基因與催化劑結(jié)合,形成碳化硅納米線的晶核,晶核經(jīng)被流化氣體帶至上部低溫區(qū)繼續(xù)生長形成碳化硅納米線,可從中部取出。當(dāng)催化劑顆粒耗盡后可以從流化床底部卸料,并從上部補(bǔ)充新的催化劑顆粒,實現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)。
2.3 多晶硅的制備
圖4 流化床化學(xué)氣相沉積法制備碳化硅納米線的基本原理及產(chǎn)物形貌
多晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料,其廣泛應(yīng)用于微電子工業(yè)及光伏產(chǎn)業(yè)。傳統(tǒng)方式生產(chǎn)多晶硅是在鐘罩式反應(yīng)器中用氫氣還原三氯氫硅烷,但這種方法耗能高,污染嚴(yán)重。近年來,利用FB-CVD法制備多晶硅開始受到廣泛關(guān)注,這種方法是采用小晶粒的多晶硅晶種作為流化顆粒,通入反應(yīng)器的硅烷氣體通過被加熱的細(xì)硅顆粒流態(tài)化床層時分解,在細(xì)顆粒表面上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積,使顆粒長大到一定尺寸后形成產(chǎn)品。該技術(shù)最早由 HSU等[30-31]在20世紀(jì)80年代提出,但至今還沒有在工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用,其中一個非常重要的原因就是在化學(xué)氣相沉積過程中會有副產(chǎn)物硅粉末產(chǎn)生[32]。多晶硅在細(xì)顆粒的晶種表面沉積得到大顆粒的多晶硅物,除此之外,還有大量硅粉以游離的狀態(tài)存在,如圖5(a)所示。游離的硅粉被氣流吹至反應(yīng)器頂部排出,實現(xiàn)了多晶硅顆粒與粉末的分離[33]。目前,對流態(tài)化多晶硅化學(xué)氣相沉積過程機(jī)理的認(rèn)識不足,而且硅烷本身非常活潑,高溫下反應(yīng)速率快,實驗條件下不容易測定反應(yīng)器中各種物質(zhì)的分布情況,難以研究各種物質(zhì)的分布規(guī)律[34]。在反應(yīng)機(jī)理上,流化床反應(yīng)器中存在均相和非均相化學(xué)氣相沉積反應(yīng),在晶種表面上進(jìn)行的是多晶硅非均相沉積反應(yīng),在顆粒之間的自由空間進(jìn)行的是均相成核反應(yīng)。均相成核和非均相成核存在著競爭關(guān)系[35],如圖5(b)所示。
圖5 流化床化學(xué)氣相沉積制備多晶硅的反應(yīng)過程及不同產(chǎn)物的形成機(jī)制
2.4 粉體顆粒制備
在粉體制備方面,F(xiàn)B-CVD法可以用于制備催化劑材料。一般選擇多孔惰性的支撐體材料為基體,基體材料在反應(yīng)器中流化,催化劑氣相前體滲透入基體孔的內(nèi)部,原位的化學(xué)沉積形成活性的催化劑載體。文獻(xiàn)報道,采用FB-CVD方法制備的復(fù)合光催化劑顆粒顯著地改善了粉體顆粒的光催化性能,催化效率顯著提高[36-37]。相比于傳統(tǒng)的液相滲透法,氣相反應(yīng)法催化劑分散更均勻,純度更高,無需后續(xù)處理,催化活性也更強(qiáng)。這種方法已經(jīng)廣泛地用于Co、Mo、Rh及Pt等催化劑的制備,催化劑顆粒尺寸為幾個納米,具有極高的比表面積和良好的催化活性[38-41]。
2.5 顆粒表面改性
和大顆粒包覆類似,F(xiàn)B-CVD法也適用于顆粒的表面涂覆改性,尤其是用途廣泛的超細(xì)粉體表面改性。超細(xì)顆粒的表面改性不但可以改善超細(xì)顆粒的原有性能而且可以賦予超細(xì)顆粒新的特異性能。其包覆的基本原理得益于在氣固接觸方面性能優(yōu)越的流態(tài)化技術(shù),由于流化床內(nèi)流體和顆粒的劇烈攪拌和混合,流體、顆粒之間的傳熱速率快,反應(yīng)器內(nèi)溫度均勻,流體與顆粒間的傳質(zhì)好。此外,流化后顆粒在氣流的作用下可實現(xiàn)連續(xù)加入和卸出,便于實現(xiàn)大型化和連續(xù)化操作?;贔B-CVD技術(shù),已經(jīng)成功實現(xiàn)了諸如Ni、Al、Cu、Al2O3、Si、TiN、Si3N4及 TiC[8,42-46]等多種金屬及化合物對不同基體顆粒的表面包覆。目前影響流態(tài)化包覆過程中的主要問題一方面是超細(xì)顆粒的團(tuán)聚問題,團(tuán)聚體隨流化過程和流化狀態(tài)而改變,不但影響了氣固接觸界面,而且嚴(yán)重影響反應(yīng)物的傳遞;另一方面,和多晶硅的制備類似,反應(yīng)過程中的成核和成膜的競爭問題也影響了包覆層的均勻性。
除了材料研究和制備,F(xiàn)B-CVD技術(shù)的過程研究也是一個非常重要的研究方向。目前對FB-CVD過程的研究主要包括反應(yīng)器設(shè)計(氣體入口設(shè)計)、氣固接觸效率、顆粒沉積過程等多個方面。由于FB-CVD過程是顆粒流化、化學(xué)反應(yīng)以及溫度變化三者兼具的動量傳遞、質(zhì)量傳遞和能量傳遞耦合過程,對其過程的細(xì)節(jié)研究非常困難。早期在核燃料顆粒均勻包覆的需求下,LACKEY[47]和 KAAE[48]等指出化學(xué)氣相沉積可以順利進(jìn)行的流化床反應(yīng)器設(shè)計需要滿足幾個必要條件:氣體分布應(yīng)該盡量充滿包覆腔室;分布器的設(shè)計應(yīng)使得顆粒盡量位于包覆腔室內(nèi);待裂解的氣體需要充分預(yù)熱;結(jié)構(gòu)設(shè)計盡量簡單以減少沉積損失等。
許多學(xué)者在FB-CVD工藝制備多晶硅的過程研究方面也進(jìn)行了大量的探索。早期DUDUKOVIC 等[35]基于裂解機(jī)理給出了 FB-CVD制備多晶硅的模型及CVD路線圖,并進(jìn)行了詳細(xì)的過程分析。ERIK YDSTIE研究小組[49-50]對多晶硅生產(chǎn)過程進(jìn)行了基于群體平衡模型(population balance model,PBM)和 CVD以及計算流體力學(xué)(computational fluid dynamics,CFD)耦合的模型研究。國內(nèi)李建隆等[51]也進(jìn)行了相關(guān)FB-CVD的過程研究,建立硅烷熱分解的均相和非均相反應(yīng)模型,并將CVD過程模型化,給出了優(yōu)化參數(shù)方向。本文作者課題組在FB-CVD的過程研究方面主要集中顆粒核燃料顆粒均勻包覆方面,但研究結(jié)果在其他FB-CVD技術(shù)領(lǐng)域也有借鑒意義。
3.1 反應(yīng)器設(shè)計
研究表明,傳統(tǒng)單入口噴嘴用于 CVD過程容易造成顆粒空間分布不均勻,從而引起孔口沉積、效率降低以及顆粒包覆不均勻,而多環(huán)斜孔式入口設(shè)計可以擴(kuò)大包覆區(qū),增加氣固接觸效率從而提高包覆效率。FB-CVD的孔口沉積是一個比較棘手的問題,非常容易使得反應(yīng)器無法長期穩(wěn)定運行,在反應(yīng)器設(shè)計中必須予以重點關(guān)注。美國愛達(dá)荷國家實驗室列出專項基金,對FB-CVD顆粒包覆過程中的噴嘴優(yōu)化及如何減少孔口沉積問題進(jìn)行研究,提出了“雞尾酒杯+穹頂”式的新型反應(yīng)器設(shè)計,并用于真實的核燃料顆粒包覆過程,研究報告表明,該反應(yīng)器設(shè)計大大優(yōu)于傳統(tǒng)噴動床和流化床反應(yīng)器設(shè)計[52]。
本文作者課題組對FB-CVD顆粒包覆的反應(yīng)器進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計,主要是氣體噴嘴設(shè)計研究[53],設(shè)計了不同類型的氣體噴嘴,包括傳統(tǒng)單噴嘴入口(a)、改進(jìn)后的單噴嘴入口(b)、多孔入口(c)、多環(huán)斜孔式入口(d)等,如圖6所示,并通過數(shù)值模擬方法進(jìn)行了比較研究,著重分析氣體和固體顆粒的接觸效率,研究結(jié)果表面多環(huán)斜孔式氣體入口有利于提高氣固接觸效率,從而有利于包覆效率和質(zhì)量的提高。
3.2 FB-CVD顆粒包覆過程模擬
由于FB-CVD過程涉及的氣固多相流本身就是比較復(fù)雜的動態(tài)過程,同時 CVD一般都在高溫下才能進(jìn)行,因此對FB-CVD過程進(jìn)行實驗研究可使用的手段非常有限,一般的侵入式測量手段,如光纖探頭等無法在高溫下使用,而ECT等非侵入式測量手段由于高溫反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)限制也很難有效使用[54],因此數(shù)值模擬是一種比較有效的選擇,可以通過“條件(結(jié)構(gòu)參數(shù)和操作參數(shù))-結(jié)果(沉積效率和質(zhì)量)”來驗證數(shù)值模擬的正確性,然后通過數(shù)值模擬獲得“條件-結(jié)果”之間的過程變化,從而為優(yōu)化“條件”提供方向。
圖6 流化床-化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的噴嘴入口設(shè)計優(yōu)化
FB-CVD過程的數(shù)值模擬一般源于氣固流化床的數(shù)值模擬,再耦合上化學(xué)反應(yīng)和表面沉積的機(jī)理。由于顆粒一般較多,選擇Euler-Euler方法成為眾多研究者的優(yōu)選[55],例如上述多晶硅生產(chǎn)過程的模擬多采用PBM描述待沉積物尺寸的變化,然后用擬流體模型描述顆粒相,從而獲得沉積速率等信息。對于FB-CVD過程準(zhǔn)確的離散顆粒相模擬研究的比較少,文獻(xiàn)中僅有CZOK等[56]用CFD-DEM (discreteelement method)模型初步模擬了 700℃下三異丁基鋁(tri-isobutyl-aluminum,TIBA)在玻璃珠上沉積Al的過程,但其中忽略了溫度的變化等重要信息。
FB-CVD中涉及化學(xué)反應(yīng)及濃度場的變化,所以必須考慮化學(xué)反應(yīng)帶來的濃度場、顆粒流化帶來的速度場、壁面加熱及化學(xué)反應(yīng)熱帶來的溫度之間的耦合,多物理場耦合才能更精確的模擬顆粒包覆,為此我們提出了 CFD-DEM-CVD模型用來模擬FB-CVD顆粒包覆過程[57],模型示意如圖7所示。
該多物理場模擬包括顆粒流化模擬模型、傳熱模型、化學(xué)反應(yīng)流模型以及化學(xué)氣相沉積模擬模型。顆粒流化模擬模型即CFD-DEM模型[58],已經(jīng)在流態(tài)化領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。傳熱模型包括流體傳熱、顆粒間傳熱和顆粒壁面?zhèn)鳠崮P??;瘜W(xué)反應(yīng)流模型即是在對流擴(kuò)散模型中加入化學(xué)反應(yīng)源項。選用組分傳遞與反應(yīng)模型中的渦擴(kuò)散概念有限速率模型模擬化學(xué)反應(yīng),混合物質(zhì)的性質(zhì)如黏度、熱擴(kuò)散系數(shù)等采用混合規(guī)則估算?;瘜W(xué)氣相沉積模型非常復(fù)雜,包括表面更新模型、晶體生長動力學(xué)模型以及第一性原理模型[59]等,目前尚無比較結(jié)論。采用的模型是物理背景比較清晰的顆粒運動-吸附-沉積模型。
運用上述模型進(jìn)行FB-CVD包覆過程模擬,可以獲得顆粒包覆過程的細(xì)節(jié)信息,比如任何時刻任何顆粒的位置、附近沉積物濃度、包覆質(zhì)量、包覆速率等信息,可以在反應(yīng)器優(yōu)化、工藝放大設(shè)計、操作參數(shù)優(yōu)化等方面提供有益的指導(dǎo)性意見。
通過以上分析可以看出,F(xiàn)B-CVD技術(shù)具有典型的多尺度特征,如圖8所示。微觀尺度包括納米尺度和微米尺度,在納米尺度化學(xué)氣相沉積反應(yīng)涉及到分子層面化學(xué)反應(yīng)過程,包括前體化學(xué)鍵的斷裂、合成產(chǎn)物新鍵的形成、中間產(chǎn)物的形成,在微米尺度主要包括材料的形核、生長、顯微結(jié)構(gòu)等。介觀尺度主要為毫米和厘米尺寸的產(chǎn)品尺度,包括產(chǎn)品設(shè)計、可控制備、結(jié)構(gòu)表征、功能研究等,同時單顆粒和顆粒群的流化規(guī)律也是介觀尺度關(guān)注的問題。宏觀尺度主要為反應(yīng)器和生產(chǎn)線尺度,包括反應(yīng)器的基本結(jié)構(gòu)、顆粒在反應(yīng)器內(nèi)的分布規(guī)律、反應(yīng)器內(nèi)的傳質(zhì)傳熱、副產(chǎn)物以及生產(chǎn)線設(shè)計等。在FB-CVD過程中,以上尺度間存在著很強(qiáng)的相互關(guān)聯(lián)性,各尺度間相互影響,并最終反映到產(chǎn)品的形態(tài)和性能中。
圖7 用于流化床化學(xué)氣相沉積顆粒包覆過程模擬的CFD-DEM-CVD模型
圖8 流化床化學(xué)氣相沉積的多尺度特征
一方面,從宏觀到微觀,流化床反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)決定了其內(nèi)部溫度場、流場和濃度場的特征,進(jìn)而影響到固相和氣相相互作用,決定了顆粒的流化狀態(tài)。流化狀態(tài)及流場的不同造成了化學(xué)反應(yīng)的分區(qū)不均勻性,在不同的區(qū)域,前體具有不同的反應(yīng)特征,這種影響會直接體現(xiàn)在沉積產(chǎn)物上。溫度場會影響前體裂解產(chǎn)物種類,裂解速率及反應(yīng)機(jī)理,形成不同的目標(biāo)產(chǎn)物,流場會改變顆粒的循環(huán)路徑及循環(huán)速率,影響產(chǎn)物的生長速率及均勻性,濃度場在改變沉積速率的同時,會形成不同的生長機(jī)制,直接影響產(chǎn)物的最終形態(tài)。
另一方面,從微觀到宏觀,產(chǎn)物的顯微結(jié)構(gòu)會影響產(chǎn)物的聚集狀態(tài),成核機(jī)制會產(chǎn)生大量超細(xì)粉體,成膜機(jī)制會使產(chǎn)物沉積到基體顆粒表面,同時特定的產(chǎn)物形態(tài)會產(chǎn)生聚團(tuán)等物理作用,這些不同的物理狀態(tài)都會在一定程度上影響顆粒的流化狀態(tài)及流化床反應(yīng)器內(nèi)部的流場分布,從而反過來影響產(chǎn)物的最終形態(tài)。同時,在介觀尺度上,材料的形核和生長行為既與化學(xué)氣相沉積反應(yīng)過程相關(guān),也受反應(yīng)器內(nèi)流場所控制,是微觀尺度和宏觀尺度間的關(guān)聯(lián),也反映了不同尺度下相互耦合結(jié)果。
因此,F(xiàn)B-CVD技術(shù)同時存在原子分子尺度上物質(zhì)的轉(zhuǎn)化規(guī)律,材料微觀尺度上形核生長規(guī)律,顆粒尺度下相互作用問題,反應(yīng)器尺度下的流動,傳遞行為,是一個多場耦合的復(fù)雜體系。
FB-CVD技術(shù)是一項多學(xué)科綜合的復(fù)雜技術(shù),其本身涉及化學(xué)、化學(xué)工程、材料學(xué)等多學(xué)科,又直接面向生產(chǎn)和應(yīng)用。FB-CVD過程復(fù)雜,具有典型的多尺度特征,各尺度間互相耦合、相互作用。雖然在制備新型材料、功能包覆層及粉體改性等方面取得了很大的成功,但目前還存在很多亟待解決的問題,主要有如下幾點。
(1)微觀層面 反應(yīng)體系中同時存在均相和非均相反應(yīng),有效控制反應(yīng)器中成核與成膜的競爭,是目前該技術(shù)發(fā)展所面臨的關(guān)鍵問題。要實現(xiàn)在特定條件下反應(yīng)機(jī)理可控,必須找出不同反應(yīng)機(jī)制的主導(dǎo)因素,研究各主導(dǎo)因素間的競爭機(jī)制及協(xié)調(diào)機(jī)制。
(2)介觀層面 顆粒的流化過程是一個復(fù)雜過程,流化規(guī)律受眾多參數(shù)影響。如何有效地掌握顆粒流化規(guī)律,建立合理模型,找到流化狀態(tài)與微觀反應(yīng)過程及宏觀參數(shù)的關(guān)系,是該尺度下亟需解決的重要問題。
(3)宏觀層面 反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)形式很大程度上決定了產(chǎn)物的微觀形態(tài),如何科學(xué)合理的設(shè)計反應(yīng)器結(jié)構(gòu),既能在材料層面得到合格產(chǎn)品,又能在工程尺度優(yōu)化生產(chǎn)工藝,提高生產(chǎn)效率,降低對環(huán)境的不利影響是從科學(xué)走向工程過程中的重大問題。
(4)多尺度耦合效應(yīng) 基于上述分析,流態(tài)化過程中的化學(xué)反應(yīng)機(jī)理,成核與成膜控制機(jī)制,材料形核和生長機(jī)制,團(tuán)聚物的形成機(jī)理,反應(yīng)器內(nèi)流場分布,顆粒流化狀態(tài)間有著復(fù)雜的耦合效應(yīng)。研究和掌握不同尺度間的相互作用,找出各尺度間的耦合作用的體現(xiàn)形式及轉(zhuǎn)化規(guī)律是需要著重解決的科學(xué)問題。
(5)工程放大化問題 從實驗室研究到工業(yè)化生產(chǎn)需要解決逐步放大的問題,特定尺寸的流化床反應(yīng)器中的多尺度耦合規(guī)律在放大尺寸下的遷移及變化規(guī)律是放大過程中需要特別重視的問題。
以上問題是FB-CVD技術(shù)需要解決的重大技術(shù)問題,也是該技術(shù)面臨的主要機(jī)遇與挑戰(zhàn),以上問題的解決有利于深入了解該技術(shù)的科學(xué)內(nèi)涵,有利于進(jìn)一步將該技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化,實現(xiàn)材料研究從實驗室科研到生產(chǎn)線建設(shè)的有機(jī)結(jié)合,從而為重要功能材料的實用化過程鋪平道路。
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Application and research progress of fluidized bed-chemical vapor deposition technology
LIU Rongzheng,LIU Malin,SHAO Youlin,LIU Bing
(Institute of Nuclear and New Energy Technology,Collaborative Innovation Center of Advanced Nuclear Energy Technology,Tsinghua University,Beijing 100084,China)
Abstract:Fluidized bed-chemical vapor deposition (FB-CVD) is widely used in industrial production owing to the combined advantages of both fluidized bed and chemical vapor deposition. Providing good heat and mass transfer,it can obtain a pure product with uniform deposition. Based on its basic principle,the applications of FB-CVD in areas of particle coating,preparation of one-dimensional nano-materials,polycrystalline silicon,powder synthesis and powder surface modification are reviewed. The progress of process simulation and reactor structure design of FB-CVD is introduced. From the discussion,the scientific connotation of FB-CVD shows multi-scale features,namely material preparation at microscopic level,particle fluidization at mesoscopic level and reactor structure design at macroscopic level. Future development of FB-CVD technology depends on coupling analysis of these three scales,and research should be focused on the effect of interaction between different scales,such as coupling between homogeneous nucleation material/non-homogeneous nucleation in materials preparation and particle fluidization in the reactor.
Key words:fluidized bed chemical vapor deposition;material preparation;process research;multi-scale coupling
中圖分類號:TQ 03-39
文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A
文章編號:1000-6613(2016)05-1263-10
DOI:10.16085/j.issn.1000-6613.2016.05.001
收稿日期:2015-08-24;修改稿日期:2015-10-03。
基金項目:國家自然科學(xué)基金(21306097,51302148)及高等學(xué)校博士點專項科研基金(20121010010)項目。