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        分子印跡功能化多孔碳微球選擇性吸附二苯并噻吩

        2016-06-18 08:51:00鄭海燕張軍利劉偉峰

        鄭海燕,張軍利,劉偉峰

        (1.太原理工大學(xué) a.現(xiàn)代科技學(xué)院,b.新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,新材料工程技術(shù)研究中心,太原 030024;2.山西省焦炭集團(tuán)有限責(zé)任公司,太原 030024)

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        分子印跡功能化多孔碳微球選擇性吸附二苯并噻吩

        鄭海燕1a,張軍利2,劉偉峰1b

        (1.太原理工大學(xué) a.現(xiàn)代科技學(xué)院,b.新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,新材料工程技術(shù)研究中心,太原 030024;2.山西省焦炭集團(tuán)有限責(zé)任公司,太原 030024)

        摘要:結(jié)合分子印跡技術(shù),以多孔碳微球(P-CMSs)為載體,通過(guò)表面修飾后,以二苯并噻吩(DBT)為模板分子,甲基丙烯酸為功能單體,二甲基丙烯酸乙二醇酯為交聯(lián)劑,制備得到P-CMSs表面分子印跡聚合物(MIP/P-CMSs);通過(guò)場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡和傅里葉紅外光譜對(duì)產(chǎn)物形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征;通過(guò)氣相色譜儀對(duì)MIP/P-CMSs的吸附動(dòng)力學(xué)、吸附等溫線和選擇性吸附性能進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果表明,MIP/P-CMSs對(duì)DBT的最大吸附量為123.7 mg/g,吸附平衡時(shí)間為150 min;與P-CMSs相比,印跡結(jié)構(gòu)的引入提高了吸附容量和選擇性,且吸附過(guò)程滿足準(zhǔn)二級(jí)動(dòng)力學(xué)方程和Freundlich等溫方程。本研究為油品深度脫硫提供了一種新的思路。

        關(guān)鍵詞:分子印跡聚合物;多孔碳微球;吸附;選擇性

        基于分子印跡技術(shù)獲得的分子印跡聚合物(MIP),由于具有與天然抗體同樣的識(shí)別能力和與高分子同樣的抗腐蝕性能的雙重優(yōu)點(diǎn),在環(huán)境監(jiān)測(cè)、生物工程、臨床醫(yī)學(xué)、食品工業(yè)等眾多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景[1-3]。與傳統(tǒng)的活性炭[4]、分子篩[5]等吸附劑相比,MIP的優(yōu)勢(shì)在于,分子印跡聚合物與目標(biāo)物質(zhì)具有相匹配的空間結(jié)構(gòu)和結(jié)合位點(diǎn),使得其在吸附過(guò)程中表現(xiàn)出更高的選擇性。為了獲得兼具高吸附容量和高選擇性的吸附劑,以傳統(tǒng)吸附劑為載體,在其表面合成MIP,獲得表面分子印跡材料,可用于選擇性地吸附捕獲目標(biāo)物[6-8]。

        二苯并噻吩(DBT)作為燃料油品中一種重要的含硫化合物,由于其化學(xué)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,空間位阻大,傳統(tǒng)的加氫脫硫等技術(shù)難以對(duì)其有效地脫除,并且反應(yīng)條件較為苛刻[9-10]。另外,加氫脫硫技術(shù)在脫除油品中大量硫的同時(shí),容易降低燃料油的辛烷值,從而降低油品的燃燒性能?;诜肿佑≯E技術(shù)的識(shí)別和選擇機(jī)理,結(jié)合油品含硫組分的特點(diǎn),將DBT等噻吩類硫化物作為模板分子制備印跡吸附材料,即可有效地脫除油品中的噻吩類硫化物;同時(shí)再經(jīng)后續(xù)處理,可進(jìn)一步得到噻吩類硫化物的副產(chǎn)品,并將其應(yīng)用于其它領(lǐng)域,是一項(xiàng)具有廣闊發(fā)展前景的綠色脫硫新技術(shù)。

        目前,以納米無(wú)機(jī)材料如硅膠、氧化鋁等為基質(zhì)的表面印跡材料在脫硫方面已有報(bào)道,但這些基質(zhì)在表面鍵合和耐酸堿性方面存在局限,吸附量一般在9.0~57.4 mg/g范圍內(nèi)[11-12]。碳微球(CMSs)等碳基材料具有很好的酸堿穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和力學(xué)性能穩(wěn)定性,并且經(jīng)表面修飾后具有豐富的鍵合位,便于分子接枝或錨定,是理想的表面分子印跡基質(zhì)材料[13]。YANG et al[14]以混酸活化和硅烷偶聯(lián)劑修飾改性的CMSs為基質(zhì),以DBT為模板分子,采用原位聚合法合成了CMSs表面DBT分子印跡聚合物,吸附結(jié)果表明,所制備的印跡聚合物吸附平衡時(shí)間為5 h,吸附量達(dá)到109.5 mg/g。為了進(jìn)一步得到脫硫效果更為顯著的印跡材料,通過(guò)增大可利用表面積,實(shí)現(xiàn)識(shí)別位點(diǎn)增加,進(jìn)而提高印跡材料的吸附容量。考慮到生物質(zhì)水熱法可以合成富含孔結(jié)構(gòu),表面同時(shí)含有大量的含氧官能團(tuán)的多孔碳微球(P-CMSs)[15]。與無(wú)孔CMSs相比,P-CMSs由于多孔結(jié)構(gòu)的引入,比表面積增大,孔道結(jié)構(gòu)豐富、孔徑可調(diào)、反應(yīng)活性增強(qiáng),在滿足表面分子印跡基質(zhì)要求的同時(shí),也簡(jiǎn)化了無(wú)孔CMSs表面氧化活化的步驟。結(jié)合表面分子印跡技術(shù),筆者以DBT作為目標(biāo)分子,P-CMSs為載體,制備分子印跡聚合物,并對(duì)其形貌結(jié)構(gòu)和吸附性能進(jìn)行表征與測(cè)試,用于油品中DBT的深度脫除。

        1實(shí)驗(yàn)

        1.1多孔碳微球的制備

        采用水熱碳化法,以葡萄糖為碳源制備P-CMSs。具體步驟為:3.168 g葡萄糖溶于40 mL去離子水中,加入聚四氟乙烯內(nèi)膽(100 mL)后放入反應(yīng)釜中置于電熱鼓風(fēng)干燥箱內(nèi),180 ℃下反應(yīng)24 h;待反應(yīng)釜在空氣中自然冷卻后離心分離,用丙酮、乙醇和去離子水充分洗滌,真空干燥后在800 ℃下碳化2 h,冷卻后,收集產(chǎn)品,得到P-CMSs。

        1.2分子印跡聚合物的制備

        通過(guò)表面接枝聚合的方法進(jìn)行分子印跡聚合物的制備。首先取0.4 g P-CMSs,放入裝有15 mL甲苯的三口瓶中,超聲分散10 min;向反應(yīng)器中加入質(zhì)量濃度為0.05 kg/L的p-(氯甲基)苯基三甲氧基硅烷,80 ℃下反應(yīng)8 h;然后向反應(yīng)器中加入10 mL的0.2 mol/L的二乙基二硫代氨基甲酸鈉乙醇溶液,25 ℃下攪拌反應(yīng)12 h;在紫外燈的照射下,引發(fā)功能單體甲基丙烯酸(MAA,4 mmol)接枝聚合在P-CMSs表面;最后以DBT為模板分子,MAA為功能單體,二甲基丙烯酸乙二醇酯(EDMA)為交聯(lián)劑,氯仿為溶劑,在P-CMSs表面制備表面分子印跡聚合物MIP/P-CMSs。具體為0.1 g接枝功能單體的P-CMSs分散于15 mL的氯仿中,超聲分散后加入0.184 3 g (1 mmol)模板分子DBT,在25 ℃下磁力攪拌反應(yīng)3 h,加入4 mL (20 mmol)交聯(lián)劑EDMA,氮?dú)獗Wo(hù)下,于60 ℃恒溫水浴加熱攪拌24 h,置涼后用無(wú)水甲醇和冰乙酸(體積比9∶1)的混合溶液進(jìn)行洗脫處理至上清液中無(wú)模板分子,將抽濾所得產(chǎn)物真空干燥得到MIP/P-CMSs。

        1.3結(jié)構(gòu)表征

        采用日本JSM-6700F型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡,分辨率為1.0 nm (15 kV)/2.2 nm (1 kV),放大倍數(shù)為25~650 000,加速電壓為0.5~30 kV,束流強(qiáng)度為10-10~2×10-6mA,對(duì)各階段樣品表面形貌的變化進(jìn)行觀察。采用德國(guó)BRUKER TENSOR 27型傅里葉變換紅外光譜儀,掃描波數(shù)范圍為400~4 000 cm-1,對(duì)各階段樣品的表面官能團(tuán)進(jìn)行測(cè)定。采用上海海欣色譜儀器有限公司生產(chǎn)的氣相色譜儀GC-950對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行吸附性能測(cè)試,內(nèi)部檢測(cè)器、氣化室和柱爐溫度分別設(shè)定為300,300,220 ℃,進(jìn)樣量為0.4 μL。

        1.4吸附性能測(cè)試

        1.4.1吸附動(dòng)力學(xué)曲線

        取10 mg的MIP/P-CMSs分散于10 mL(0.8 mmol/L)的DBT正己烷溶液中,密封,超聲分散后,在25 ℃下磁力攪拌一定時(shí)間后離心,并取上清液進(jìn)行GC分析;重復(fù)3~5次,之后每隔一定時(shí)間測(cè)試一次,直到DBT峰面積不再變化為止。根據(jù)DBT的正己烷溶液標(biāo)準(zhǔn)曲線計(jì)算上清液中DBT濃度,通過(guò)吸附量公式計(jì)算MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附量,并繪制時(shí)間-吸附量(t-Q)關(guān)系圖。

        印跡聚合物吸附量(Q,mg/g)計(jì)算公式如下:

        (1)

        式中:c0為初始DBT的濃度,mmol/L;ct為某時(shí)刻吸附后模擬汽油上清液中DBT濃度,mmol/L;V為DBT溶液體積,L;m為印跡材料MIP/P-CMSs的質(zhì)量,g;mr為DBT分子的相對(duì)分子質(zhì)量,g/mol。

        同理測(cè)得P-CMSs對(duì)DBT的吸附量,并繪制t-Q關(guān)系圖。

        1.4.2吸附等溫線

        取6份MIP/P-CMSs,每份10 mg,分別加入到離心管中,依次加入10 mL濃度為0.1,0.2,0.4,0.6,0.8,1 mmol/L的DBT正己烷溶液,密封,超聲混合均勻,一定溫度下磁力攪拌150 min后離心,取上清液進(jìn)行檢測(cè),計(jì)算DBT濃度。通過(guò)平衡吸附量公式計(jì)算MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附量,并繪制平衡濃度-吸附量(ce-Q)關(guān)系圖。

        平衡吸附量(Qe,mg/g)計(jì)算公式如下:

        (2)

        式中:ce為吸附平衡后吸附質(zhì)濃度,mmol/L。

        同理測(cè)得P-CMSs的吸附等溫線。

        1.4.3選擇性吸附

        本實(shí)驗(yàn)采用苯并噻吩、聯(lián)苯和芴作為競(jìng)爭(zhēng)吸附質(zhì),測(cè)試苯并噻吩、聯(lián)苯和芴同時(shí)存在于模擬汽油中時(shí)聚合物對(duì)DBT的飽和吸附量的影響。

        稱取MIP/P-CMSs和P-CMSs各一份,每份10 mg,分別放入離心管中,加入濃度為0.8 mmol/L DBT、苯并噻吩、聯(lián)苯和芴的混合溶液,在25 ℃下攪拌吸附150 min,高速離心后測(cè)定上清液中三者的濃度,計(jì)算其平衡吸附量。

        印跡聚合物的分配系數(shù)通過(guò)公式(3)計(jì)算:

        (3)

        式中:Kd代表分配系數(shù),L/g;Qp為MIP/P-CMSs和P-CMSs對(duì)各吸附質(zhì)的平衡吸附容量,mg/g;cs為溶液中各吸附質(zhì)的平衡濃度,mmol/L。

        MIP/P-CMSs和P-CMSs對(duì)競(jìng)爭(zhēng)吸附質(zhì)的選擇性系數(shù)k根據(jù)公式(4)計(jì)算:

        (4)

        式中:k為選擇性系數(shù),k值能夠反映MIP/P-CMSs對(duì)吸附質(zhì)的選擇性;Kd(B)為競(jìng)爭(zhēng)吸附質(zhì)的分配系數(shù)。相對(duì)選擇性系數(shù)k’可以表明吸附的增強(qiáng)程度以及印跡材料MIP/P-CMSs相對(duì)于P-CMSs對(duì)模板分子的選擇性。k’可通過(guò)公式(5)計(jì)算:

        (5)

        式中:kMIP/P-CMSs和kP-CMSs分別為MIP/P-CMSs和P-CMSs的選擇性系數(shù)。

        2結(jié)果與討論

        2.1形貌和結(jié)構(gòu)分析

        圖1為P-CMSs和MIP/P-CMSs的FESEM像和粒徑分布圖。從圖中可見(jiàn),水熱法制備的原始P-CMSs表面光滑,且具有較好的單分散性,平均粒徑為(350±10) nm。相對(duì)于原始P-CMSs,MIP/P-CMSs仍保持良好的球形度,但表面變得粗糙,且具有豐富的孔道溝壑,這是經(jīng)過(guò)洗脫液洗脫模板分子后,P-CMSs表面孔結(jié)構(gòu)擴(kuò)張以及印跡空穴的出現(xiàn)引起的。另外,經(jīng)分子印跡功能化后產(chǎn)物粒徑有所增加,平均粒徑變?yōu)?365±10) nm,說(shuō)明印跡聚合物層已包覆于P-CMSs表面,印跡層厚度大約為7.5 nm。

        圖2為P-CMSs和MIP/P-CMSs的FT-IR譜圖。從圖中可以發(fā)現(xiàn),P-CMSs在3 434,1 705,1 624 cm-1波數(shù)處出現(xiàn)了明顯的-O-H和-C=O的吸收峰,說(shuō)明P-CMSs表面含有豐富的含氧官能團(tuán)。對(duì)于MIP/P-CMSs,在2 922,2 861,1 594,1 455,1 255,1 105 cm-1處出現(xiàn)了新的吸收峰。其中:2 922,2 861 cm-1波數(shù)處的吸收峰對(duì)應(yīng)于-C-H特征官能團(tuán),這是由功能單體MAA接枝聚合引起的;1 594 cm-1波數(shù)處出現(xiàn)了交聯(lián)劑EDMA的-C=C特征吸收峰;1 455 cm-1波數(shù)出現(xiàn)的-Si-苯環(huán)特征峰,說(shuō)明硅烷偶聯(lián)劑已修飾到P-CMSs表面;1 255和1 105 cm-1波數(shù)處出現(xiàn)了-C-O-C,-C-O和-Si-O的吸收峰,對(duì)應(yīng)于交聯(lián)劑和硅烷偶聯(lián)劑。結(jié)果表明,分子印跡聚合物已經(jīng)包覆到P-CMSs表面。

        圖1 P-CMSs和MIP/P-CMSs的FESEM像和粒徑分布圖Fig.1 FESEM images and size distribution histograms of P-CMSs and MIP/P-CMSs

        圖2 P-CMSs和MIP/P-CMSs的紅外光譜圖Fig.2 FT-IR spectra of P-CMSs and MIP/P-CMSs

        2.2吸附性能測(cè)試

        圖3為MIP/P-CMSs和P-CMSs的吸附動(dòng)力學(xué)曲線。由圖可知,隨著吸附時(shí)間的延長(zhǎng),MIP/P-CMSs對(duì)模板分子的吸附量逐漸增加。吸附初始階段,由于MIP/P-CMSs表面含有大量的印跡空穴,使得其對(duì)DBT的吸附量快速增加;隨著時(shí)間的延長(zhǎng),大量空穴被占據(jù),吸附速率減小,吸附量增加緩慢,逐漸趨于吸附平衡;當(dāng)吸附150 min后,吸附量達(dá)到123.7 mg/g。P-CMSs的吸附趨勢(shì)與MIP/P-CMSs相似,但吸附量遠(yuǎn)小于MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附。結(jié)果表明,印跡層中的印跡空穴對(duì)模板分子具有一定的特異識(shí)別和吸附性能。

        圖3 P-CMSs和MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附動(dòng)力學(xué)曲線Fig.3 Adsorption kinetic curves of P-CMSs and MIP/P-CMSs on DBT

        利用準(zhǔn)一級(jí)和準(zhǔn)二級(jí)動(dòng)力學(xué)模型對(duì)MIP/P-CMSs和P-CMSs的動(dòng)力學(xué)吸附數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,結(jié)果如圖4所示。從圖中可以看出,準(zhǔn)二級(jí)反應(yīng)模型與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)之間具有更好的相關(guān)性,說(shuō)明MIP/P-CMSs和P-CMSs對(duì)DBT的吸附更符合準(zhǔn)二級(jí)動(dòng)力學(xué)模型。也就是說(shuō),DBT在MIP/CMSs表面的吸附過(guò)程中還會(huì)受到除表面吸附以外的因素影響,如內(nèi)擴(kuò)散等。因此,MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附是一個(gè)物理擴(kuò)散和化學(xué)吸附的共存過(guò)程。

        圖4 P-CMSs和MIP/P-CMSs的準(zhǔn)一級(jí)和準(zhǔn)二級(jí)動(dòng)力學(xué)擬合圖Fig.4 Linear fitting curves for pseudo first and second order kinetics of P-CMSs and MIP/P-CMSs

        MIP/P-CMSs和P-CMSs在25 ℃下的等溫吸附曲線如圖5所示。由圖5可以看出,在相同條件下,MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附量明顯高于P-CMSs,說(shuō)明MIP/P-CMSs對(duì)DBT具有特異識(shí)別吸附性能,這是由匹配的印跡空穴和結(jié)合位點(diǎn)引起的。另外,在0.1~1.0 mmol/L的初始濃度范圍內(nèi),MIP/P-CMSs的等溫吸附曲線還沒(méi)有出現(xiàn)明顯的吸附平臺(tái),吸附量仍有增大趨勢(shì)。與無(wú)孔CMSs表面分子印跡聚合物相比[13],MIP/P-CMSs表現(xiàn)出了更高的吸附容量。其原因是孔結(jié)構(gòu)的引入為印跡材料提供了更大的可利用比表面積,從而增加了吸附容量。

        圖5 P-CMSs和MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附等溫線曲線圖Fig.5 Adsorption isotherms of P-CMSs and MIP/P-CMSs on DBT

        采用Langmuir和Freundlich吸附等溫方程對(duì)吸附等溫線進(jìn)行擬合,結(jié)果如圖6所示??梢钥闯?對(duì)于本實(shí)驗(yàn),Freundlich吸附模型具有更大的相關(guān)系數(shù),DBT在印跡聚合物上的吸附更符合Freundlich吸附等溫方程。說(shuō)明MIP/P-CMSs對(duì)DBT的吸附表現(xiàn)出非均一性和多層吸附特性,即多層吸附導(dǎo)致印跡空穴對(duì)DBT的識(shí)別作用不是完全等價(jià)的。

        圖6 P-CMSs和MIP/P-CMSs的Langmuir和Freundlich等溫吸附擬合Fig.6 Langmuir and Freundlich isotherms of DBT adsorbed onto P-CMSs and MIP/P-CMSs

        為了考察印跡材料的特異選擇性,選取結(jié)構(gòu)與模板分子DBT相似的苯并噻吩、聯(lián)苯和芴為競(jìng)爭(zhēng)吸附質(zhì),測(cè)試相同條件下MIP/P-CMSs對(duì)各吸附質(zhì)的吸附容量,結(jié)果如圖7所示??梢钥闯觯诨旌先芤褐?MIP/P-CMSs表現(xiàn)出對(duì)DBT更強(qiáng)的選擇性吸附能力。這是因?yàn)?,用DBT作為模板分子的印跡空穴在尺寸、形狀和結(jié)合位點(diǎn)的空間排列上和其他3種物質(zhì)都不匹配,因此難以和結(jié)合位點(diǎn)產(chǎn)生相互作用,或是不能夠容易地進(jìn)入到印跡空穴內(nèi)。對(duì)于P-CMSs,其對(duì)DBT和其他3種競(jìng)爭(zhēng)分子的吸附作用主要依靠其表面的孔結(jié)構(gòu)。相比于DBT、聯(lián)苯和芴,苯并噻吩的分子尺寸較小,更易進(jìn)入到P-CMSs的孔結(jié)構(gòu)中,因此,P-CMSs對(duì)苯并噻吩的吸附量高于其他3種分子。但由于缺少識(shí)別位點(diǎn)以及匹配的空穴結(jié)構(gòu),P-CMSs沒(méi)有表現(xiàn)出DBT對(duì)其他競(jìng)爭(zhēng)分子的選擇性。

        經(jīng)計(jì)算,相對(duì)于苯并噻吩、聯(lián)苯和芴,DBT的相對(duì)選擇系數(shù)k’分別為47.06,12.08,19.42。說(shuō)明由于印跡結(jié)構(gòu)的引入,MIP/P-CMSs對(duì)DBT具有良好的選擇性吸附性能。

        圖7 P-CMSs和MIP/P-CMSs的選擇性吸附結(jié)果Fig.7 Adsorption selectivity of P-CMSs and MIP/P-CMSs

        3結(jié)論

        本文以表面分子印跡技術(shù)為基礎(chǔ),選取水熱碳化法制備的P-CMSs為載體,經(jīng)過(guò)硅烷偶聯(lián)劑修飾改性后,以DBT為模板分子,制備得到P-CMSs表面DBT分子印跡聚合物MIP/P-CMSs,并對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行表征分析。結(jié)論如下:

        1) 印跡聚合物層均勻包覆于P-CMSs表面,印跡層厚度大約為7.5 nm;

        2) MIP/P-CMSs對(duì)DBT具有比P-CMSs更高的吸附容量,最大吸附量達(dá)到123.7 mg/g,吸附平衡時(shí)間為150 min,吸附過(guò)程滿足準(zhǔn)二級(jí)動(dòng)力學(xué)方程和Freundlich等溫方程;

        3) MIP/P-CMSs對(duì)DBT具有良好的選擇性吸附性能,相對(duì)于苯并噻吩、聯(lián)苯和芴,DBT的相對(duì)選擇系數(shù)k’分別為47.06,12.08,19.42;

        以P-CMSs為基質(zhì)的表面分子印跡材料為油品深度脫硫提供了一種新的思路。為了一次性吸附脫除更多的含硫化合物,真正意義上實(shí)現(xiàn)油品深度脫硫,進(jìn)一步的工作可嘗試制備苯并噻吩類硫化物復(fù)合模板分子印跡聚合物。

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        (編輯:龐富祥)

        Porous Carbon Microspheres Modified by Molecularly imprinted Polymer for Selectively Adsorbing Dibenzothiophene

        ZHENG Haiyan1a,ZHANG Junli2,LIU Weifeng1b

        (1.TaiyuanUniversityofTechnology,a.PolytechnicInstitute,b.KeyLaboratoryofInterfaceScienceandEngineeringinAdvancedMaterials,MinistryofEducation,ResearchCenteronAdvancedMaterialScienceandTechnology,Taiyuan030024,China;2.ShanxiCokeGroupCorporationCo.Ltd,Taiyuan030024,China)

        Abstract:Based on molecular imprinting technique, molecularly imprinted polymer (MIP) on the surface of modified porous carbon microspheres (P-CMSs) was prepared by using dibenzothiophene (DBT) as template molecule, methyl acrylic acid as functional monomer and ethylene glycol dimethacrylate as crosslinker. Field emission scanning electron microscopy and Fourier transformation infrared spectrometry were used to characterize the morphology and structure of the samples. The adsorption behaviors, including adsorption kinetics, isotherms and competitive adsorption, were detected in detail by gas chromatography. The results show that MIP/P-CMSs exhibited excellent selectivity towards DBT with higher binding capacity compared with P-CMSs. The adsorption equilibrium of MIP/P-CMSs was achieved within 150 min, and the adsorption capacity reached 123.70 mg/g. In addition, the adsorption of DBT on MIP/P-CMSs followed the pseudo-second-order model and Freundlich isotherm.

        Key words:molecularly imprinted polymer;porous carbon microspheres;adsorption;selectivity

        文章編號(hào):1007-9432(2016)02-0150-06

        *收稿日期:2015-10-21

        基金項(xiàng)目:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目:洋蔥狀富勒烯基復(fù)合熒光量子點(diǎn)體系的構(gòu)建(21176169);山西省研究生優(yōu)秀創(chuàng)新基金資助項(xiàng)目(20123029);太原理工大學(xué)校青年科技基金資助項(xiàng)目(2014TD015)

        作者簡(jiǎn)介:鄭海燕(1986-),女,山西運(yùn)城人,主要從事碳納米功能材料的研究,(E-mail)496881367@qq.com通訊作者:劉偉峰,講師,主要從事碳納米功能材料的研究,(E-mail)lwf061586@yeah.net

        中圖分類號(hào):TB332

        文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A

        DOI:10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2016.02.005

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