邱穎霞，胡　駿，劉建軍

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第38研究所，合肥230088）

?

HTCC一體化管殼失效問(wèn)題分析

邱穎霞，胡駿，劉建軍

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第38研究所，合肥230088）

摘要：針對(duì)HTCC一體化管殼在后道封裝中出現(xiàn)的瓷體裂紋、滲膠變色、多余物等失效問(wèn)題，通過(guò)過(guò)程應(yīng)力仿真、材料物理性能測(cè)試、失效點(diǎn)檢測(cè)、工藝對(duì)比實(shí)驗(yàn)等方法分析原因。并進(jìn)一步開(kāi)展了改進(jìn)驗(yàn)證。對(duì)HTCC一體化管殼工程化應(yīng)用具有借鑒意義。

關(guān)鍵詞：HTCC一體化管殼；瓷體裂紋；滲膠變色；多余物

1　引言

高溫共燒陶瓷（HTCC）基板具有機(jī)械強(qiáng)度較高、導(dǎo)熱系數(shù)較高、材料成本較低、化學(xué)性能穩(wěn)定、布線密度高等諸多優(yōu)點(diǎn)[1～3]。HTCC一體化管殼作為HTCC基板的衍生產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軍品微電路封裝[4]。在HTCC基板四周焊接可伐圍框并配套蓋板，通過(guò)平行縫焊形成氣密性封裝，滿(mǎn)足國(guó)軍標(biāo)的氣密性要求。與金屬管殼或普通電路板相比，HTCC一體化管殼使用過(guò)程中的可靠性影響因素較多。

HTCC基板是采用流延、印刷、疊層共燒制備[5]，基板材料和制備工藝決定了基板的性能，如強(qiáng)度、孔隙率等。HTCC一體化管殼裝配在印刷電路板或微波介質(zhì)板上使用時(shí)，因?yàn)樘沾膳c印刷電路板或微波介質(zhì)板的熱膨脹系數(shù)差異較大，易因應(yīng)力導(dǎo)致管殼瓷體裂紋失效。管殼平行縫焊工藝會(huì)產(chǎn)生自由粒子，自由粒子多余物會(huì)嚴(yán)重影響器件可靠性[6]。

本文分析采用HTCC一體化管殼封裝產(chǎn)品中出現(xiàn)的失效問(wèn)題。定型的管殼結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1，集成度高，采用平行縫焊工藝封口。封裝后電路采用回流焊工藝裝配于多層微帶電路板。

2　管殼瓷體裂紋失效

2.1瓷體裂紋現(xiàn)象及仿真分析

采用回流焊工藝將封裝后一體化管殼裝配于多層板微波介質(zhì)板，模塊測(cè)試合格后進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)（-55℃～85℃，25次）。溫循后一體化封裝器件失效，管殼瓷體在長(zhǎng)邊和短邊方向引腳附近出現(xiàn)彎月?tīng)盍鸭y。

圖1　管殼結(jié)構(gòu)示意圖（填充區(qū)域?yàn)榭煞ゲ牧?，空白區(qū)域?yàn)樘沾桑?/p>

采用ANSYS有限元軟件對(duì)一體化封裝器件自由狀態(tài)和裝配模塊后束縛狀態(tài)進(jìn)行應(yīng)力形變仿真。管殼陶瓷材料為95％氧化鋁，熱膨脹系數(shù)為7×10-6/℃，而多層微波介質(zhì)板X(qián)、Y方向熱膨脹系數(shù)分別為11× 10-6/℃和14×10-6/℃，焊接材料PbSn的熱膨脹系數(shù)為24.5×10-6/℃，回流焊峰值溫度約為260℃。

圖2　瓷體引腳彎月?tīng)盍鸭y

如圖3所示，封裝器件自由態(tài)下，25℃和260℃翹曲量曲線一致。裝配到模塊電路板后束縛條件下，如圖4所示，封裝器件的翹曲由微笑翹曲變?yōu)榭奁N曲（25℃：-21 μm；260℃：28 μm，正值表示中間部分凸，負(fù)值表示中間部位凹），從而導(dǎo)致同一位置的翹曲變化量大幅增加。翹曲的變化反映了陶瓷、多層板、焊料、可伐熱失配在回流焊和溫度循環(huán)過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力強(qiáng)弱。應(yīng)力在引腳、陶瓷、焊接面的薄弱處釋放。當(dāng)特定區(qū)域的應(yīng)力分布超過(guò)了該處陶瓷強(qiáng)度，導(dǎo)致瓷體脆性斷裂，形成電路失效。

圖3　自由狀態(tài)25℃和260℃的變形（25℃：-18 μm；260℃：-11 μm）

圖4　束縛狀態(tài)25℃和260℃的變形（25℃：-21 μm；260℃：28 μm）

2.2改進(jìn)措施及驗(yàn)證

器件本身應(yīng)滿(mǎn)足常規(guī)SMT工藝，因此改進(jìn)措施從兩方面著手，一是通過(guò)優(yōu)化管殼結(jié)構(gòu)，特別是引腳的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高管殼在工藝過(guò)程、環(huán)境試驗(yàn)中對(duì)應(yīng)力沖擊的耐受力；二是優(yōu)化瓷體材料，提高瓷體本身的強(qiáng)度。

在引腳處設(shè)計(jì)應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)來(lái)緩沖瓷體所受到的應(yīng)力。建立焊接結(jié)構(gòu)仿真模型見(jiàn)圖5，對(duì)引腳“Ω”彎設(shè)計(jì)做對(duì)比仿真，仿真結(jié)果見(jiàn)圖6。

圖5　焊接應(yīng)力分布仿真模型

圖6　引腳平直和“Ω”彎設(shè)計(jì)應(yīng)力情況對(duì)比

“Ω”彎設(shè)計(jì)能有效減低焊盤(pán)基板之間的應(yīng)力約10 MPa。“Ω”彎效果明顯，因此定型產(chǎn)品（圖1）中已加入“Ω”彎，在工程應(yīng)用中，需要注意“Ω”彎在工藝實(shí)現(xiàn)過(guò)程中的落實(shí)。

提高瓷體本身的強(qiáng)度也可以進(jìn)一步提高一體化封裝管殼對(duì)回流工藝的適應(yīng)性。HTCC一體化管殼常用瓷體材料有95％白色氧化鋁和90％黑色氧化鋁。對(duì)兩種材料按GB/T5993-1996進(jìn)行三點(diǎn)彎測(cè)試，見(jiàn)圖7，黑瓷平均斷裂強(qiáng)度為468 MPa，白瓷平均斷裂強(qiáng)度為439 MPa，黑瓷中雖然氧化鋁含量較少，但氧化鋁之外的其他功能相起到促進(jìn)燒結(jié)的作用，使瓷體燒結(jié)更致密。因此，黑瓷性能更好，作為優(yōu)選材料。

圖7　三點(diǎn)彎實(shí)驗(yàn)結(jié)果

通過(guò)管殼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的改進(jìn)和瓷體材料換型，HTCC一體化管殼裂紋失效率得到控制，能夠滿(mǎn)足工程化應(yīng)用。但由于瓷體材料存在難以完全檢測(cè)和避免的缺陷，仍存在隨機(jī)性的裂紋失效。

3　滲膠變色失效

高溫共燒陶瓷的內(nèi)部以W、Mo和Mn為基的共燒金屬漿料燒結(jié)互聯(lián)，表層電路考慮電性能及釬料或線、帶鍵合不潤(rùn)濕，需要Ni為底電鍍或化學(xué)鍍Au。在一體化管殼的組裝過(guò)程中，出現(xiàn)瓷體焊盤(pán)和導(dǎo)電膠變色現(xiàn)象，見(jiàn)圖8和圖9。變色焊盤(pán)鍵合絲強(qiáng)度明顯下降。

圖8　片式器件焊后變色

圖9　導(dǎo)電膠固化后變色

通過(guò)對(duì)焊盤(pán)表面形貌的分析，見(jiàn)圖10，金屬化部分孔隙較多，瓷體表面浸潤(rùn)性非常好，導(dǎo)電膠、貼片膠、焊膏等在瓷體表面擴(kuò)散并滲入瓷體引起變色。

圖10　陶瓷基板表面形貌

對(duì)管殼基板用特制處理液進(jìn)行表面處理，能明顯降低瓷體表面的浸潤(rùn)性，防止導(dǎo)電膠、貼片膠、焊膏等的擴(kuò)散與滲透。

4　多余物失效

新拆封空管殼平行縫焊后，進(jìn)行顆粒碰撞噪聲檢測(cè)（PIND）試驗(yàn)，管殼內(nèi)存在多余物。選取PIND失效管殼一只，用銑床輕輕將管殼蓋板邊緣刨薄，再用刀片將蓋板邊緣劃開(kāi)，輕輕取下蓋板。將開(kāi)蓋樣品用膠帶封好，防止有外來(lái)雜質(zhì)進(jìn)入管殼，同時(shí)手動(dòng)搖晃管殼，使管殼內(nèi)多余物脫落到膠帶上粘住，采用SEM-EDS能譜分析膠帶上顆粒的成分。

圖11　管殼內(nèi)的陶瓷顆粒多余物

如圖11所示，EDS結(jié)果表明部分顆粒還含有Al、Ti、Si等，這類(lèi)顆粒可能是底部的陶瓷基板在生產(chǎn)過(guò)程中由于材料脆性產(chǎn)生的陶瓷顆粒多余物。

圖12的EDS結(jié)果表明還有一部分顆粒呈橢球形，光滑圓潤(rùn)，且成份只含有Ni、Au，Ni:Au原子比約為41:59，鎳金合金在含鎳原子分?jǐn)?shù)42％時(shí)熔點(diǎn)最低，為950℃。由于平行縫焊瞬間溫度遠(yuǎn)高于950℃，可能造成可伐材料表面Ni、Au鍍層的飛濺。顆粒應(yīng)該是平行縫焊時(shí)可伐材料表面Ni、Au鍍層的部分熔融顆粒。

圖12　可伐鍍層飛濺的多余物

因此高溫共燒陶瓷基板和可伐框架在焊接前進(jìn)行徹底的清洗，優(yōu)化平行縫焊工藝，對(duì)多余物控制很重要。

5　結(jié)束語(yǔ)

HTCC一體化管殼具有高集成、高可靠性，在軍用電子微波組件中有廣泛的應(yīng)用前景。其工程化應(yīng)用過(guò)程中針對(duì)瓷體裂紋、焊盤(pán)滲膠、導(dǎo)電膠變色、多余物等涉及管殼和后道封裝工藝的典型失效問(wèn)題進(jìn)行分析、改進(jìn)、驗(yàn)證，對(duì)HTCC一體化管殼的應(yīng)用有借鑒意義。

參考文獻(xiàn)：

[1] MANCUSO Y, GREMILLET P, LACOMME P. T/R-modules technological and technical trends for phased array antennas [C]. Taipei: Microwave Conference, 2005.

[2] PATRICK S, HARDY S, ROLF R, et al. X-band T/R-module front-end based on GaN MMICs [J]. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2009 (4): 387-394.

[3]余雷，揭海，王安芳.基于高溫共燒陶瓷基板的三維互連技術(shù)[J].電子科技，2013，26（7）：157-159.

[4]李永彬，龐學(xué)滿(mǎn)，胡進(jìn)，等.一種毫米波表貼型外殼的微波設(shè)計(jì)[J].射頻與微波，2015，35（3）.

[5]姬忠濤，張正富.共燒陶瓷多層基板技術(shù)及其發(fā)展應(yīng)用[J].中國(guó)陶瓷工業(yè)，2006，13（4）.

[6]郭偉，葛秋玲.氣密性陶瓷封裝PIND失效分析及解決方案[J].電子與封裝，2007，7(11): 1-4.

邱穎霞（1979—），女，云南麗江人，工程師，本科，2001年畢業(yè)于華中科技大學(xué)，現(xiàn)在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第38研究所從事微組裝工藝技術(shù)研究。

Failure Analysis of HTCC Integral Substrate/Package

QIU Yingxia, HU Jun, LIU Jianjun
（China Electronics Technology Group Corporation No.38 Research Institute, Hefei 230088, China）

Abstract：Failure phenomenon of the HTCC integral substrate/package such as ceramic crack, gel or paste infiltration, redundant particles after sealing were found in packaging or reliability testing. FA analysis was carried out through simulation, material parameters test, visual inspections and antithesesexperiments. The results were instructional for mass production with using the HTCC integral substrate/package.

Keywords：HTCC integral substrate/package; ceramic crack; gel or paste infiltration; redundant particles

作者簡(jiǎn)介：

收稿日期：2015-11-26

中圖分類(lèi)號(hào)：TN305.94

文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

文章編號(hào)：1681-1070（2016）03-0041-04