馬其琪,徐曉輝,孔雁凱,郭 濤
(1 中北大學(xué)電子測試技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,太原 030051;2 中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,太原 030051;3 洛陽理工學(xué)院工程訓(xùn)練中心,河南洛陽, 471023)
近年來,彈載存儲測試技術(shù)的研究已經(jīng)成為航空航天以及軍事技術(shù)學(xué)科的一個(gè)重要方向,具有廣泛的應(yīng)用前景,它是在特殊環(huán)境條件下完成各種參數(shù)測試的有效方法。彈載記錄器在應(yīng)用過程中,暴露出了產(chǎn)品可靠性低的問題。面臨的一大難題是如何提高產(chǎn)品可靠性,提高設(shè)備的各項(xiàng)性能指標(biāo)以及保證產(chǎn)品安全可靠的工作。為了準(zhǔn)確的獲取彈體在飛行過程中的各種姿態(tài)參數(shù),記錄器在設(shè)計(jì)、研制、生產(chǎn)、使用的全過程都必須重視可靠性研究。由于彈載記錄器一般是一次性使用的特殊設(shè)備,所以記錄器的可靠性問題就是飛行過程中的抗高過載問題。
彈體侵徹時(shí)在混凝土靶板接觸界面處產(chǎn)生很強(qiáng)的應(yīng)力,并向記錄器傳播應(yīng)力波;彈體逐漸進(jìn)入靶板,記錄器殼體的底部與混凝土接觸部分所受應(yīng)力最大,其次頂部中心的應(yīng)力也較大;彈體即將離開靶板時(shí),記錄器底部所受應(yīng)力仍是最大的,并且側(cè)面與彈體接觸部分所受應(yīng)力也很大。因此,彈體侵徹時(shí),記錄器外殼結(jié)構(gòu)的底部以及外殼結(jié)構(gòu)與彈體的接觸面承受的應(yīng)力最大。
圖1 彈體侵徹標(biāo)靶應(yīng)力分布圖
通過分析回收記錄器,可以總結(jié)出彈載記錄器的失效模式主要是:外殼失效,電路體失效。
彈載記錄器隨彈體侵徹目標(biāo)的過程相當(dāng)于是高速率沖擊碰撞過程。在高過載、高沖擊環(huán)境下,記錄器外殼因所承受的屈服應(yīng)力等原因會發(fā)生形變或斷裂,引起灌封材料的擠壓、拉伸、剪切應(yīng)力改變,使得電路灌封體出現(xiàn)裂紋甚至斷裂,最終導(dǎo)致電路板或芯片結(jié)構(gòu)薄弱部位應(yīng)力超過破壞強(qiáng)度而發(fā)生斷裂、電路短路或斷路等,從而導(dǎo)致記錄器失效。
在高過載沖擊動態(tài)載荷下,所發(fā)生在材料中的損傷和破壞,是與速率密切相關(guān)的動態(tài)過程,如果承受的載荷強(qiáng)度明顯超過了材料的屈服應(yīng)力強(qiáng)度,材料的薄弱環(huán)節(jié)就會變成各種損傷。
彈載記錄器在高過載、高沖擊環(huán)境下的損傷主要是記錄器的外殼因塑性變形引起的層裂,又由于外鋼殼蓋與內(nèi)鋼筒直接剛性接觸,內(nèi)鋼筒會發(fā)生振動,從而造成電路板的損壞,導(dǎo)致測試失?。?]。
(1)元器件失效機(jī)理分析
電子元器件最常見失效模式有:管腿腐蝕或斷腿、芯片破碎或粘結(jié)不良、內(nèi)部有可動多余物等。造成上述這些失效模式的原因主要有以下幾方面:
1)芯體破碎引起的失效
在制造生產(chǎn)過程中,芯體由于工藝水平的限制容易出現(xiàn)劃痕、裂紋、損傷等缺陷,這些缺陷部位會使芯體所受的應(yīng)力超過自身的強(qiáng)度極限時(shí)出現(xiàn)不穩(wěn)定的應(yīng)變-應(yīng)力關(guān)系,導(dǎo)致芯體破碎[2]。
2)元器件疲勞失效
在高過載、高沖擊環(huán)境下,當(dāng)彈載記錄器上電時(shí),芯片溫度會瞬間升高,由于熱膨脹的作用,引線會變長;當(dāng)記錄器斷電時(shí),芯片溫度降低,由于冷縮的作用引線會收縮。在不斷的張弛的作用下,引線根部的應(yīng)力最大,導(dǎo)致引線根部因疲勞而出現(xiàn)失效[3]。
3)芯片管腳斷裂引起的失效
管腳斷裂失效機(jī)理主要是疲勞斷裂、過應(yīng)力斷裂和焊接不良斷裂。由于彈載記錄器工作于高溫、高沖擊環(huán)境下,芯片管腳的工作環(huán)境條件較惡劣,發(fā)生斷裂現(xiàn)象很多[4]。
(2)印制電路板失效機(jī)理分析
印制電路板的主要失效模式有開路失效和短路失效,這些失效會引起信號傳送終止、信號中斷或信號改變。
(3)導(dǎo)線失效機(jī)理分析
導(dǎo)線的主要失效模式首先是斷裂。斷裂位置多發(fā)生于導(dǎo)線的活動部分與不可活動部分的交界附近。其次是導(dǎo)線表面發(fā)黑造成接觸不良。此外,導(dǎo)線在器件記錄器裝配過程中不可避免的要彎曲,在高沖擊環(huán)境下,受到張應(yīng)力的部位,受到的張應(yīng)力最大,從而造成失效。還有導(dǎo)線本身的工藝缺陷,在使用過程中因承受的機(jī)械應(yīng)力過大導(dǎo)致斷裂,也可能在貯存時(shí)受腐蝕發(fā)生失效[4]。
芯體破碎、材料性能變化、焊接不良等重要度較大。因此,外殼、電路體是彈載記錄器的薄弱環(huán)節(jié),在可靠性試驗(yàn)方案制定過程中,應(yīng)主要針對上述薄弱環(huán)節(jié)進(jìn)行試驗(yàn)方案設(shè)計(jì)。
本章主要對以往實(shí)際試驗(yàn)時(shí)出現(xiàn)的各種問題,對彈載記錄器重新進(jìn)行了抗高過載設(shè)計(jì),從電路結(jié)構(gòu)、殼體抗高過載以及緩沖保護(hù)等方面進(jìn)行設(shè)計(jì)。然后再對記錄器進(jìn)行打彈試驗(yàn),以驗(yàn)證可靠性設(shè)計(jì)。
由于應(yīng)用環(huán)境的特殊性,彈載記錄器必須具備體積小、功耗低的特點(diǎn)以及具有抗高過載的能力和測量高過載的能力。彈載記錄器由3個(gè)部分組成:外殼、存儲測試電路體和電池。彈載記錄器總體結(jié)構(gòu)如圖2所示。
圖2 彈載記錄器總體圖
2.1.1 彈載記錄器電路模塊
彈載記錄器的電路模塊是整個(gè)設(shè)備的關(guān)鍵部分,通常由信號調(diào)理電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、雙電源供電保護(hù)電路、FPGA電路等組成,如圖3所示。加速度計(jì)獲取的信號依次經(jīng)過信號調(diào)理電路、A/D轉(zhuǎn)換電路,最后進(jìn)入FPGA電路,而FPGA電路又是電路模塊的關(guān)鍵,它決定著電路的觸發(fā)電平、采樣頻率、延遲時(shí)間等參數(shù)[5]。
電路模塊的信號調(diào)理電路是把傳感器信號進(jìn)行調(diào)理后送到A/D轉(zhuǎn)換電路;雙電源供電自保護(hù)電路是采用雙電池為整個(gè)系統(tǒng)供電;中心控制電路是對A/D變換后的數(shù)據(jù)進(jìn)行編幀后送入存儲器中,并且可在讀數(shù)接口的控制下將存儲器中的數(shù)據(jù)讀出。
同時(shí),彈載記錄器遵循低功耗設(shè)計(jì)原則,信號調(diào)理模塊把采集到的信號調(diào)理至適合于A/D的采樣范圍內(nèi)。A/D轉(zhuǎn)換器的功能是在FPGA控制下,進(jìn)行信號采集,并將其送到FPGA邏輯模塊中。
實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí),存儲電路通過引線獨(dú)立出來,如圖3左上,將存儲器電路置于用于保護(hù)的內(nèi)鋼筒內(nèi)。
圖3 記錄器硬件電路
2.1.2 彈載記錄器抗高過載結(jié)構(gòu)
圖4是彈載記錄器的外殼及內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
圖4 記錄器殼體平視圖
彈載記錄器的頂蓋配有穿線孔、指示燈孔和讀數(shù)孔,并且和外鋼殼通過螺紋剛性連接。電路體和電池通過灌封膠固定在外殼體內(nèi)部。內(nèi)鋼筒和外鋼殼之間的灌封膠能避免兩者之間的剛性接觸。記錄器電路模塊中,存儲器的保護(hù)是重中之重。因此存儲器被單獨(dú)通過引線灌封在內(nèi)鋼筒內(nèi)。撞靶的過程中內(nèi)鋼筒可產(chǎn)生小的位移,減小內(nèi)部存儲器的過載,起到緩沖作用。記錄器內(nèi)鋼筒蓋和內(nèi)鋼筒也是通過螺紋連接,且頂部中央有出線孔,進(jìn)行了圓角處理。內(nèi)鋼筒內(nèi)部支撐壁頂部及底部與內(nèi)鋼筒的交界處都做了圓角處理,可以避免這些地方出現(xiàn)應(yīng)力集中,防止存儲器的損壞。毛氈作為緩沖材料吸收沖擊波的能量,對記錄器電路體進(jìn)行一定的防護(hù)。
即使是在撞靶過程中記錄器殼體失效,外殼頂端讀數(shù)口失效,也能通過存儲器上的讀數(shù)口讀取存儲器中的數(shù)據(jù),獲取并分析彈體飛行參數(shù)。
圖5 記錄器殼體內(nèi)部圖與內(nèi)鋼筒
2.1.3 彈載記錄器緩沖保護(hù)技術(shù)
彈載記錄器在彈體發(fā)射以及侵徹目標(biāo)過程中,承受著很高的過載沖擊力,另外還伴隨有振動、噪聲等,這些外在環(huán)境的影響會帶來很大的破壞。因此必須對記錄器進(jìn)行灌封,以保證其穩(wěn)定性,具有很高的抗沖擊特性。從兩個(gè)方面對存儲測試電路進(jìn)行緩沖保護(hù):加固保護(hù)和隔離保護(hù)。加固保護(hù)是用灌封膠將電路板灌封在具有高強(qiáng)度和剛度的機(jī)械殼體內(nèi)固化成模塊。隔離保護(hù)是采用合適的緩沖材料,例如在電路板上涂硅膠等途徑,耗散沖擊強(qiáng)度,以減小傳遞到設(shè)備上的應(yīng)力。
靶場試驗(yàn)是驗(yàn)證彈載記錄器抗高過載性能的有效途徑。本次試驗(yàn)以130 mm加農(nóng)炮在約200 m距離上侵徹12.5 mm鋼靶。通過回收記錄器數(shù)據(jù)驗(yàn)證記錄器的抗高過載性能。
圖6 靶場試驗(yàn)位置圖
回收并檢查記錄器,外殼已經(jīng)嚴(yán)重變形,部分殼體已經(jīng)斷裂,但是底部基本完好,如圖7所示,內(nèi)部鋼筒完好,讀數(shù)口完好,可以實(shí)現(xiàn)讀數(shù)功能。
圖7 記錄器回收以及內(nèi)鋼筒
讀取并處理鋼筒內(nèi)部存儲芯片上的數(shù)據(jù),可以獲取彈體飛行過程中的軸向加速度曲線,其中彈體在膛內(nèi)的加速度最大值可以達(dá)到6 000 g,而彈體在侵徹過程中的加速度則可以高達(dá)1.7×104g。
圖8 記錄器回收數(shù)據(jù)
圖9 濾波處理后的加速度
本次設(shè)計(jì)的彈載記錄器是針對原有的記錄器出現(xiàn)的問題加以優(yōu)化。經(jīng)過實(shí)際的靶場試驗(yàn),彈載記錄器能夠承受高達(dá)1.7×104g甚至更高的加速度沖擊,能夠很好的完成記錄彈體飛行數(shù)據(jù)的任務(wù)。
[1]劉俊,石云波,馬游春.高過載測試中結(jié)構(gòu)防護(hù)模型研究[J].測試技術(shù)學(xué)報(bào),2005,19(3):249-253.
[2]吳虹,李延夫.硅壓力傳感器可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)研究[J].微納電子技術(shù),2007(7/8):288-290.
[3]任鴻秋.存儲測試系統(tǒng)的可靠性分析[J].火力與指揮控制,2008,33(4):146-148.
[4]張棟,鐘培道,等.失效分析[M].北京:國防工業(yè)出版社,2004.
[5]趙小珍.電子記錄系統(tǒng)的抗高過載設(shè)計(jì)及應(yīng)用[D].太原:中北大學(xué),2008.