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        PWM調制模式對TSMC-S/G系統(tǒng)的影響

        2015-11-15 09:19:08劉曉宇
        電工技術學報 2015年16期
        關鍵詞:模態(tài)系統(tǒng)

        劉曉宇 周 波 梁 瑩

        (南京航空航天大學 江蘇省新能源發(fā)電與電能變換重點實驗室 南京 210016)

        0 引言

        起動/發(fā)電系統(tǒng)是當前航空電源系統(tǒng)發(fā)展的重要趨勢[1,2]。功率變換器是起動/發(fā)電系統(tǒng)的關鍵部件。雙級矩陣變換器(Two-Stage Matrix Converter,TSMC)革除了直流儲能電容,具有緊湊的拓撲結構、優(yōu)越的輸入輸出性能、靈活的控制策略、能量雙向流動等特性,將TSMC與同步電機組合構成新型起動/發(fā)電系統(tǒng)(Two-Stage Matrix Converter-Starter/Generation,TSMC-S/G),可減小系統(tǒng)體積與重量,降低系統(tǒng)成本,使起動/發(fā)電系統(tǒng)更具發(fā)展?jié)摿蛻们熬啊?/p>

        在TSMC-S/G系統(tǒng)中,由于TSMC拓撲結構不對稱,將起動/發(fā)電機(S/G)置于TSMC的不同側,將構成不同的系統(tǒng)拓撲結構,直接影響到系統(tǒng)的控制策略。兼顧系統(tǒng)起動和發(fā)電時的性能以及控制策略的復雜度,本文將S/G置于TSMC的雙向開關側(簡稱為前級),將負載以及起動電源置于 TSMC的單向開關側(簡稱為后級)構成TSMC-S/G系統(tǒng),系統(tǒng)結構如圖1所示。

        圖1 TSMC-S/G系統(tǒng)拓撲圖Fig.1 Topology of TSMC-S/G system

        起動/發(fā)電系統(tǒng)起動工作時可采用矢量控制策略[3,4]或者無刷直流電機的三相六拍控制策略[5],為簡化起動控制算法,系統(tǒng)起動時采用無刷直流電機的三相六拍控制策略,并對TSMC采用PWM調制進行電流的調節(jié)[6]。常見的 PWM 調制模式可分為H_PWM-L_PWM、H_PWM-L_ON、H_ON-L_PWM、ON_PWM以及PWM_ON五種[7],采用不同的PWM調制模式會對系統(tǒng)造成不同的影響?,F(xiàn)有對 PWM調制模式的研究主要集中在不同的調制模式對電機電流、轉矩脈動的影響以及抑制轉矩脈動的方法上[8-14]。目前有關采用不同PWM調制模式對TSMC乃至TSMC-S/G系統(tǒng)產生影響的研究未見報道。對于本文所述TSMC-S/G系統(tǒng)而言,起動時采用不同的PWM調制模式將影響到流過TSMC直流母線的電流,由于 TSMC的前級沒有天然的續(xù)流通道,TSMC直流母線電流的正負直接關系到系統(tǒng)安全換流的控制策略,進而影響到起動轉矩;另一方面,不同的PWM調制模式也影響到電機非導通相的電流波形。本文分析了系統(tǒng)起動時采用不同的 PWM調制模式對TSMC直流母線電流、換流區(qū)轉矩的影響,給出了針對不同PWM調制模式的安全換流策略以及換流策略對轉矩的影響,分析了不同的PWM調制模式對非導通相端電壓以及電流的影響,給出了針對不同PWM調制模式下TSMC的調制策略,并通過仿真對理論分析進行了驗證,最終得到了最適合TSMC-S/G系統(tǒng)的起動調制策略,實驗驗證了此起動策略的可行性。

        1 系統(tǒng)起動的基本原理

        系統(tǒng)起動運行時等效電路如圖2所示,S/G每相繞組可以等效為由反電動勢、電感和電阻串聯(lián)而成,電能經過TSMC變換后驅動S/G起動。

        圖2 起動時系統(tǒng)等效電路Fig.2 Starting equivalent circuit of the system

        起動時S/G采用三相六狀態(tài)120°導通控制,每個狀態(tài)定子有兩相繞組有電流流過,并根據(jù)位置信號與定子導通相的關系以及 PWM調制模式來確定變換器的開關組態(tài),使電機定轉子磁動勢夾角保持在 60°~120°之間,以獲得最大的平均電磁轉矩驅動電機旋轉。下文將分析不同的 PWM調制模式對TSMC電流以及調制策略的影響。

        2 PWM調制模式對TSMC-S/G系統(tǒng)的影響

        2.1 PWM調制模式對TSMC直流母線電流以及安全換流策略的影響

        與傳統(tǒng)交-直-交型變換器不同,TSMC沒有中間儲能環(huán)節(jié),同時TSMC的前級沒有天然的續(xù)流通道,其直流母線的電流波形將直接影響到TSMC的安全換流策略,進而對起動轉矩造成影響,因而有必要對采用不同的PWM調制模式的TSMC直流母線電流波形進行分析。

        2.1.1調制模式對TSMC直流母線電流的影響

        系統(tǒng)起動時,電機電樞電流ia、ib、ic以及母線電流ip(idc)、in按如圖2所示方向定向。用開關函數(shù)Sxyz(x∈{a,b,c},y∈{p,n},z∈{1,2})表示每個開關器件的工作狀態(tài),當開關導通時Sxyz=1,關斷時Sxyz=0。由文獻[8]知直流母線電流idc=ip=-in可用開關函數(shù)矩陣表示為

        以 PWM_ON模式(開關管導通 120°時,前60°進行PWM調制,后60°保持恒通)為例分析。第Ⅰ扇區(qū)時,a相繞組正向導通,b相繞組反向導通,c相為非導通相,a相上橋臂開關Sap1采用PWM斬波調制,b相下橋臂開關 Sbn1恒通,如圖 3所示。Sap1導通時,電流經過 Sap1、VDap2流入a相繞組、再由b相繞組流出經過Sbn1、VDbn2回到電源,如圖4a所示,此狀態(tài)稱為導通模態(tài);Sap1關斷時,必須為a相電流提供續(xù)流通道,應導通a相下橋臂開關San2,電流流通路徑為San2→VDan1→a相繞組→b相繞組→Sbn1→VDbn2→San2,如圖4b所示,此狀態(tài)稱為關斷模態(tài)。計及換流過程,考慮到第Ⅵ扇區(qū)切換到第Ⅰ扇區(qū)時,c相正向電流換流,開關 Scn2也應導通。因此,每個開關周期有四個開關工作,可分為兩個工作模態(tài):導通模態(tài)與關斷模態(tài)。三相電流波形如圖3所示,可分為兩個區(qū)間:區(qū)間①為換流階段,電流由c相換至a相,稱為換流區(qū),由文獻[8]知各相電流可表示為式(2);區(qū)間②換流結束,稱為非換流區(qū),三相電流為ia=?ib=Iamp,ic=0。

        圖3 PWM_ON模式示意圖Fig.3 PWM_ON mode

        圖4 電流示意圖Fig.4 Schematic diagram of current

        綜上所述,可將第Ⅰ扇區(qū)分為四個區(qū)域對直流母線電流進行分析:①換流區(qū)的導通模態(tài);②換流區(qū)的關斷模態(tài);③非換流區(qū)的導通模態(tài);④非換流區(qū)的關斷模態(tài)。將各區(qū)域的電流表達式和開關函數(shù)代入式(1),可知采用 PWM_ON模式時,第Ⅰ扇區(qū)各區(qū)域直流母線電流均不小于零。其他扇區(qū)的分析方法同上,經分析可知采用 PWM_ON模式時直流母線電流idc≥0始終成立。

        其他四種調制模式對直流母線電流影響的分析方法與上文相似,不再贅述,結論如下。

        (1)非換流區(qū)的導通模態(tài)、非換流區(qū)的關斷模態(tài)以及換流區(qū)的導通模態(tài)下,除 H_PWM-L_PWM模式外,其他調制模式TSMC直流母線電流idc≥0始終成立。

        (2)換流區(qū)的關斷模態(tài)下,TSMC直流母線電流idc的正負與PWM調制模式有關:H_PWM-L_ON模式時,奇數(shù)扇區(qū)idc=0,偶數(shù)扇區(qū)idc<0;H_ON-L_PWM模式時,奇數(shù)扇區(qū)idc<0,偶數(shù)扇區(qū)idc=0;ON_PWM調制模式以及H_PWM-L_PWM模式時,idc<0始終成立;PWM_ON調制模式時,idc=0。以上結論見表1。

        表1idc與PWM調制模式的關系Tab.1 The relationship betweenidcand PWM mode

        2.1.2調制模式對安全換流策略的影響

        由上節(jié)分析可知,當電機工作在換流區(qū)時,采用不同的PWM調制模式idc可能會出現(xiàn)負值,鑒于TSMC無中間儲能環(huán)節(jié),必須為反向的idc提供電流通路,否則會導致直流母線出現(xiàn)電壓尖峰、損壞功率器件、換流失敗,因此研究安全換流策略十分必要。

        系統(tǒng)起動時,三相輸入電壓經TSMC后級二極管不控整流,為系統(tǒng)供電,如圖5a所示。直流母線電流idc<0即電流從前級回流向后級電源,如圖5b所示。二極管具有單向電流流動特性,電流不能反向流通。為實現(xiàn)TSMC前級的安全換流(為反向的idc提供電流通路),可借鑒同步整流的思想,使后級的 IGBT開關管配合導通以構建電流通路。在控制后級 IGBT時應注意避免輸入電壓源短路,可使后級整流時導通的二極管所對應的開關管配合導通[8],后級IGBT的開關組態(tài)如圖5c所示。

        圖5 電流示意圖以及IGBT開關組態(tài)Fig.5 Schematic diagram of current and

        上文分析的是TSMC前級的安全換流策略,以及為實現(xiàn)TSMC前級在換流區(qū)的安全工作,需要控制后級的 IGBT構建負向直流母線電流通路。實際上TSMC后級的IGBT在切換時也存在安全換流的問題。后級整流時二極管根據(jù)各相電壓相位自然換流,而 IGBT在換流時必須與相應二極管保持嚴格同步,不能出現(xiàn)提前導通或滯后關斷的情況,否則會引起電源短路[8]。為了避免出現(xiàn)提前導通或滯后關斷的情況,可在二極管換流時加入死區(qū),圖6為開關Svn向Swn換流時插入死區(qū)的示意圖,t1時刻Svn關斷,t2時刻 Swn導通,td=t2-t1為死區(qū)時間,應確保二極管VDv2與VDw2的自然換流發(fā)生在死區(qū)內。因此需要對輸入電壓高精度檢測,以確定二極管換流時刻,這不僅增加了系統(tǒng)成本,死區(qū)的插入還會造成電機電流畸變、轉矩跌落等不良影響(見后文中的仿真波形)。

        圖6 死區(qū)示意圖Fig.6 Schematic diagram of dead-area

        由上述分析可知,系統(tǒng)的安全換流策略與母線電流idc的正負息息相關。若采用PWM_ON控制時,直流母線電流idc不會出現(xiàn)負值,系統(tǒng)完全不用考慮上述的安全換流策略;但其他的調制模式則必須采用上述的換流策略以保證系統(tǒng)運行安全,這大大增加了系統(tǒng)的控制復雜度,同時換流策略的應用(死區(qū)的插入)也使系統(tǒng)性能有所下降。

        2.2 PWM調制模式對電機電流以及TSMC前級調制策略的影響

        2.2.1PWM調制模式對非導通相端電壓的影響

        當電機采用不同的 PWM調制模式時造成非導通相的端電壓不同,從而在非導通相產生不同的脈動電流[9,10]。

        圖2所示電機繞組端電壓方程可表示為

        式中,U0為電機中性點的電壓;p表示微分算子;Ra=Rb=Rc=R、La=Lb=Lc=L分別為繞組電阻和電感,設電機反電動勢

        E為反電動勢幅值,ω為電機的電角頻率。TSMC的母線電壓與電機繞組端電壓的關系可表示為

        將式(4)代入式(3)可得

        仍以 PWM_ON模式為例分析非導通相的端電壓以及脈動電流的產生原理:第Ⅰ扇區(qū)中,c相為非導通相,設 c相換流已經結束,此時電流ia=-ib=Iamp(見圖 3),代入式(5)并上下兩式相加可得

        因此c相端電壓為

        (1)關斷模態(tài)時。第Ⅰ扇區(qū)時ωt∈[30°,90°],PWM_ON 模式下關斷模態(tài)時,San2=1、Sbn1=1、Scn2=1,代入式(7)可得

        由于E>0,在[30°,60°]區(qū)間(第Ⅰ扇區(qū)前半段)內時有,可得U>U;

        cn在[60°,90°]區(qū)間(第Ⅰ扇區(qū)后半段)內時有<0,因此Uc<Un,即在關斷模態(tài)下,在扇區(qū)的后半部分,非導通相c相電壓將小于母線電壓Un。由 2.1.1節(jié)中分析可知,為了保證 c相正向電流換流,在第Ⅰ扇區(qū)時開關Scn2需導通(見圖3和圖4),若此時c相電壓小于母線電壓Un,圖4中二極管 VDcn1將承受正壓而導通(忽略二極管導通壓降),c相上將產生一個正向的脈動電流,脈動電流的大小與反電動勢的值有關[11]。

        (2)導通模態(tài)時。導通模態(tài)時,分析方法同上,可得Un<Uc<Up,即在導通模態(tài)下非導通相電壓始終保持在Un~Up之間,圖4中二極管VDcn1不會導通,c相上的正向脈動電流迅速減小到零。

        其他扇區(qū)的分析方法同上,PWM_ON調制模式下,非導通相脈動電流示意圖如圖7所示。

        圖7 PWM_ON模式時電流示意圖Fig.7 Current schematic diagram of PWM_ON mode

        其他四種調制模式對非導通相電流影響的分析方法與上文相似,不再贅述,結論如下。

        (1)非導通相上的脈動電流均出現(xiàn)在扇區(qū)的后半段的關斷模態(tài)下,在導通模態(tài)下脈動電流迅速減小到零。

        (2)是否出現(xiàn)脈動電流與所采用的PWM調制模式有關:H_PWM-L_PWM以及ON_PWM調制模式在任何扇區(qū)非導通相都不會產生脈動電流;H_PWM-L_ON調制模式在奇數(shù)扇區(qū)后半段,非導通相上會產生正向的脈動電流;H_ON-L_PWM 調制模式在偶數(shù)扇區(qū)后半段,非導通相上會產生負向的脈動電流;而 PWM_ON調制模式在每個扇區(qū)的后半段均產生脈動電流,奇數(shù)扇區(qū)產生正向的脈動電流,偶數(shù)扇區(qū)產生負向的脈動電流,以上結論見表2。

        表2 非導通相電流與PWM調制模式的關系Tab.2 The relationship between non-conducting winding current and PWM mode

        2.2.2TSMC前級調制策略的優(yōu)化

        非導通相上的脈動電流,會增大電機的轉矩脈動,對系統(tǒng)造成不良影響[6,7,9,11]。因此消除非導通相脈動電流可優(yōu)化系統(tǒng)性能,具有較大的現(xiàn)實意義。由分析可知,非導通相上的脈動電流是由用于實現(xiàn)換相續(xù)流的TSMC前級開關導通所引起。如上文分析所示,若在第Ⅰ扇區(qū)中c相電流續(xù)流結束后將Scn2關斷,盡管在扇區(qū)后半段非導通相c相電壓仍會小于母線電壓Un,但由于c相上沒有電流通路,則不會出現(xiàn)脈動電流,從而達到優(yōu)化系統(tǒng)性能的目的。其他扇區(qū)同理,優(yōu)化的PWM_ON模式示意圖如圖8所示。其他調制模式的優(yōu)化方法與此相同。

        圖8 優(yōu)化的PWM_ON模式示意圖Fig.8 Optimized PWM_ON mode

        3 仿真與實驗驗證

        3.1 仿真研究

        為了驗證上述理論分析的正確性,利用Matlab軟件對系統(tǒng)進行了建模,對各種 PWM 調制模式進行仿真。仿真參數(shù)為:開關頻率 20kHz,電源電壓有效值50V(50Hz),同步電機,額定電流7A。

        圖9 H-PWM_L-PWM模式Fig.9 H-PWM_L-PWM mode

        圖10 H-PWM_L-ON模式Fig.10 H-PWM_L-ON mode

        圖11 H-ON_L-PWM模式Fig.11 H-ON_L-PWM mode

        圖12 ON-PWM模式Fig.12 ON-PWM mode

        圖9~圖13分別為系統(tǒng)采用H_PWM-L_PWM、H_PWM-L_ON、H_ON-L_PWM、ON_PWM 和PWM_ON控制模式時的直流母線電流波形、轉矩波形、定子電流波形、死區(qū)信號以及各調制模式優(yōu)化后的定子電流波形。將圖9、圖10a、圖11a、圖12a中轉矩與電流的波形與圖13a中相比可知,插入的死區(qū)會使電流發(fā)生畸變,增大轉矩脈動。當采用PWM_ON控制模式時直流母線電流大于零,無需上文所述的換流策略,因此不必插入死區(qū),其轉矩脈動與電流畸變最??;其他調制模式則會在不同扇區(qū)換相階段出現(xiàn)idc小于零的情況,仿真結果均與2.1.1節(jié)中理論分析完全一致。由圖9a、圖12a可見采用H_PWM-L_PWM模式以及ON_PWM模式時非導通相不產生脈動電流,其他調制模式則會在不同扇區(qū)產生脈動電流,其仿真結果均與2.2.1節(jié)中理論分析完全一致。圖10b、圖11b、圖13b為采用優(yōu)化的調制模式后的電流波形,與圖10a、圖11a、圖13a相比可以看到非導通相電流得到明顯抑制,與理論分析相一致,仿真結果很好地證明了理論分析的正確性。

        圖13 PWM-ON模式Fig.13 PWM-ON mode

        3.2 TSMC控制策略分析

        由上文理論分析與仿真研究可知,對于 TSMC后級的控制復雜度而言,采用 PWM_ON調制模式時,無需控制后級的 IGBT,控制難度最低。而對于前級的控制策略而言,ON_PWM以及H-PWM_LPWM 模式無需優(yōu)化即可實現(xiàn)無非導通相電流。由于控制后級開關時需要嚴格同步,增加了控制復雜度與系統(tǒng)成本,而優(yōu)化后的 PWM_ON調制模式也可以完全消除非導通相電流,因而優(yōu)化的PWM_ON調制模式最適用于TSMC-S/G系統(tǒng)的起動,因此本系統(tǒng)采用優(yōu)化的 PWM_ON調制模式實現(xiàn)系統(tǒng)的起動實驗。

        4 實驗驗證

        以 TMS320LF2812為控制系統(tǒng)核心、以IGBT共射極連接構成的雙向開關為功率器件構建了實驗平臺,以一臺額定轉速2 000r/min、4對極正弦波同步電機為實驗樣機。實驗參數(shù)為:輸入三相相電壓有效值Uin=50V,頻率fin=50Hz;調制頻率fs=20kHz。圖 14a和圖 14b分別為采用 ON_PWM以及PWM_ON調制模式并且不控制 TSMC后級 IGBT時的直流母線電壓波形。由圖 14a可以看出由于ON_PWM 模式在每個扇區(qū)切換時直流母線上均會產生流向電源的電流,此時若不控制 TSMC后級IGBT構造電流通路,將會在母線上造成電壓尖峰;由圖14b可以看出當采用PWM_ON模式時,即使不構造電流通路,母線電壓也不會出現(xiàn)尖峰,實驗結果與理論分析相一致。

        圖14 母線電壓波形與扇區(qū)劃分Fig.14 Sector and DC bus voltage

        圖15a、圖15b分別為采用PWM_ON以及優(yōu)化的 PWM_ON調制模式得到的定子電流實驗波形,可以看出采用優(yōu)化的 PWM_ON調制模式后,非導通相電流(圖中圈出)得到明顯的抑制。圖16為給定轉速1 000r/min時采用優(yōu)化的PWM_ON調制模式的起動實驗波形。由圖可見,采用該調制模式后,電機經過起動加速運行階段,轉速很快準確地跟蹤給定,系統(tǒng)可以快速平穩(wěn)地實現(xiàn)起動運行。

        圖15 PWM_ON電機電樞電流波形Fig.15 Armature current waveforms of PWM_ON mode

        圖16 給定1 000r/min時起動波形Fig.16 Starting waveforms at 1 000r/min

        5 結論

        本文針對 TSMC-S/G系統(tǒng)起動時采用不同PWM 調制策略進行研究。針對系統(tǒng)拓撲特點,詳細分析了不同PWM調制模式對TSMC母線電流、換流區(qū)轉矩的影響,推導了直流母線電流與開關狀態(tài)的數(shù)學關系,給出了針對不同 PWM調制模式的安全換流策略,研究了調制模式對非導通相電流以及 TSMC的調制策略的影響,最終給出了最適合TSMC-S/G系統(tǒng)的起動調制策略,實驗驗證了理論分析的正確性,為TSMC-S/G系統(tǒng)的進一步研究與實踐奠定了基礎。

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