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        1×3多模干涉分束器的設(shè)計(jì)與仿真

        2015-10-09 03:11:55呂桓林劉洋洋張?jiān)拼?/span>鄒念育
        關(guān)鍵詞:正脊錐形波導(dǎo)

        呂桓林,劉洋洋,鄭 麗,張?jiān)拼?,鄒念育

        (大連工業(yè)大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院,遼寧大連 116034)

        1×3多模干涉分束器的設(shè)計(jì)與仿真

        呂桓林,劉洋洋,鄭麗,張?jiān)拼?,鄒念育

        (大連工業(yè)大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院,遼寧大連116034)

        利用導(dǎo)模傳輸分析方法描述了基于自映像原理的多模波導(dǎo)。以三維光束傳播方法設(shè)計(jì)仿真了基于聚合物材料的多模干涉分束器。計(jì)算了正脊型波導(dǎo)的單模尺寸,結(jié)果表明波導(dǎo)寬度小于1.2μm時(shí)滿足單模條件。進(jìn)一步探究了多模干涉分束器長(zhǎng)度和寬度的臨界參數(shù),其在可見(jiàn)光波段為輸出場(chǎng)提供了最大值。多模耦合區(qū)的大小為12μm×113.5μm2。在多模耦合區(qū)引入錐形波導(dǎo)結(jié)構(gòu),有效地提高了器件性能。此器件具有易制備、較低的制備容差敏感度和結(jié)構(gòu)緊湊的優(yōu)點(diǎn),符合光電集成的要求。

        多模干涉分束器;自映像效應(yīng);光束傳播方法

        0 引 言

        近年來(lái),通信網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)迅速發(fā)展,使得光分束器和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器成為光子學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一?;谧杂诚窭碚摰亩嗄8缮嫫骶哂衅骷o湊、制備容差性好、輸出功率均勻性好、偏振不敏感、插入損耗低等優(yōu)點(diǎn),成為光電子器件研究的熱點(diǎn)。多模干涉器廣泛應(yīng)用于光分束器[1-3]、馬赫-曾德光開(kāi)關(guān)[4-5]、微環(huán)諧振器等[6-8]。

        本文介紹了一種基于聚合物材料的1×3多模干涉分束器,計(jì)算了輸入/輸出端波導(dǎo)在0.65μm波段單模波導(dǎo)的尺寸,在輸入/輸出波導(dǎo)端引入了倒錐形波導(dǎo)結(jié)構(gòu),并利用三維光束傳播法對(duì)分束器進(jìn)行了設(shè)計(jì)和仿真。

        1 多模干涉器的原理

        MMI的基本結(jié)構(gòu)是由輸入單模波導(dǎo)和多模波導(dǎo)和輸出單模波導(dǎo)組成,其工作原理是由Ulrich提出的多模波導(dǎo)自映像效應(yīng)[9]。基于自映像效應(yīng),沿波導(dǎo)Z軸的傳播方向?qū)⒅芷谛缘漠a(chǎn)生輸入場(chǎng)的一個(gè)或者多個(gè)模像。圖1所示,多模波導(dǎo)起始坐標(biāo)為z=0,設(shè)該處的光場(chǎng)的分布為ψ(y,0)。根據(jù)導(dǎo)模傳輸分析方法[10],輸入場(chǎng)是多個(gè)輻射模的疊加:

        其中場(chǎng)激勵(lì)系數(shù)為:

        沿Z軸方向的場(chǎng)可以寫(xiě)為所有導(dǎo)模的線性疊加:

        定義兩個(gè)最低階模的拍長(zhǎng)為:

        因此傳播常數(shù)可以表達(dá)為:

        其中WM是波導(dǎo)的寬度,λ0為波長(zhǎng),nr為波導(dǎo)的有效折射率。拍長(zhǎng)Lπ和波導(dǎo)寬度WM是MMI設(shè)計(jì)中最關(guān)鍵的參數(shù)。因此可以得到z=L處的場(chǎng)分布為:

        對(duì)于強(qiáng)限制波導(dǎo)結(jié)構(gòu),MMI區(qū)域成3重像的最短長(zhǎng)度為:LMMI=Lπ

        圖1 多模波導(dǎo)中的輸入場(chǎng)模和映像分布Fig.1 Input field and mirrored images in the multimode waveguide

        2 設(shè)計(jì)模擬和仿真

        2.1材料的選擇

        目前制作分束器的材料有硅[11]、氮氧化硅、磷化銦[12]、鈮酸鋰、砷化鎵以及聚合物材料[13-14]?;跓o(wú)機(jī)材料的分束器雖具有光學(xué)性能穩(wěn)定和光傳輸損耗低等優(yōu)點(diǎn),但其在制備過(guò)程中需要昂貴的大型設(shè)備以及蒸發(fā)和外延等真空工藝,制備成本高、工藝過(guò)程復(fù)雜。相比傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)材料,聚合物具有與襯底易兼容、熱穩(wěn)定性高、具有較低的損耗、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn),更適于大批量生產(chǎn)的微納模壓印技術(shù),極大的降低制作工藝難度和成本,因此選用聚合物材料進(jìn)行設(shè)計(jì)制備。分束器采用聚合物材料PSQ,其折射率在一定范圍內(nèi)可調(diào),波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為如圖2所示的正脊型,下包層PSQ-LL折射率為1.458,芯層PSQ-LH折射率為1.529,上包層空氣折射率為1,芯層和PSQ-LH和下包層PSQ-LL有較大的折射率差4.64%,這使得光在波導(dǎo)中的傳輸損耗大大降低,多模波導(dǎo)中的成像點(diǎn)更加清晰。

        圖2 正脊型結(jié)構(gòu)橫截面圖Fig.2 Cross-section of the built-in 3Dridge structure

        2.2輸入/輸出波導(dǎo)單模尺度的計(jì)算

        基于Rsoft其中一個(gè)模塊BeamPROP對(duì)MMI波導(dǎo)進(jìn)行模擬仿真。圖3是1×3多模干涉耦合器的結(jié)構(gòu),由單模輸入端、多模干涉耦合區(qū)和三個(gè)單模輸出端組成,在輸入、輸出端設(shè)計(jì)了錐形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。圖2為輸入、輸出波導(dǎo)的正脊型結(jié)構(gòu)橫截面圖,需要設(shè)計(jì)波導(dǎo)的高度H和寬度W數(shù)值,保證輸入和輸出波導(dǎo)滿足單模條件。

        圖3 1×3多模干涉耦合器在CAD窗口的結(jié)構(gòu)Fig.3 1×3MMI structure in the CAD window

        對(duì)于輸入、輸出波導(dǎo)需要滿足單模傳輸條件,設(shè)定波導(dǎo)高度H=1.2μm,殘留層厚度S=0.2μm,利用BPM對(duì)波導(dǎo)寬度W參數(shù)進(jìn)行模擬,結(jié)果如圖4所示。當(dāng)波導(dǎo)高度取定值1.2μm時(shí),波導(dǎo)寬度小于1.2μm為單模。

        根據(jù)計(jì)算得出的輸入、輸出波導(dǎo)單模參數(shù),模擬出基模輪廓,如圖5所示。

        圖4 單模的掃描結(jié)果Fig.4 The single mode results of the scan

        圖5 計(jì)算得出的基模輪廓Fig.5 The computed fundamental mode profile

        2.3多模波導(dǎo)最佳映像點(diǎn)的計(jì)算及優(yōu)化

        模擬過(guò)程中所選用的有關(guān)參數(shù)如下:工作波長(zhǎng)為0.65μm,其偏振態(tài)為T(mén)E波;芯層寬度為1.2μm,高度為1.2μm;多模耦合區(qū)的寬度WM=12μm,利用BPM可以仿真得出LMMI=113.2μm時(shí),3個(gè)輸出端口光功率同時(shí)達(dá)到最大值。對(duì)MMI分束器沿Z軸方向的光功率分布進(jìn)行仿真,得到的結(jié)果如圖6,3個(gè)輸出波導(dǎo)的光能量均勻分布,最大值達(dá)到0.32,附加損耗較小,是一個(gè)較為理想的結(jié)果。

        圖6 利用優(yōu)化的LMMI數(shù)值對(duì)1×3多模干涉仿真Fig.6 Result of the TE 1×3MMI coupler simulation by the optimal value of LMMI

        通過(guò)圖6的仿真得出的LMMI是一個(gè)較為粗略的數(shù)值,為了得到最佳的結(jié)果,利用BPM模塊中的MOST對(duì)多模干涉區(qū)域的光場(chǎng)傳輸進(jìn)行優(yōu)化,可以得到如圖7所示的不同長(zhǎng)度的LMMI對(duì)應(yīng)的輸出的歸一化功率,當(dāng)LMMI=113.5μm時(shí)輸出功率最大。通過(guò)模擬結(jié)果表明,多模耦合區(qū)的大小為12μm×113.5μm2。容差性的大小反映了分束器制備的難易程度,容差性大的分束器制備成本低,并且其性能不易受影響。通過(guò)圖7可以看出,多模干涉耦合區(qū)LMMI變化范圍在±1μm時(shí),輸出端的歸一化功率數(shù)值變化極小。光波導(dǎo)器件的納米壓印工藝精度可以達(dá)到1μm以下,因此,設(shè)計(jì)的MMI分束器符合工藝制備的要求。

        圖7 MOST掃描監(jiān)測(cè)數(shù)值與LMMI關(guān)系Fig.7 Result of MOST monitor value and LMMI

        2.4輸入/輸出波導(dǎo)的設(shè)計(jì)及優(yōu)化

        輸入/輸出波導(dǎo)采用錐形結(jié)構(gòu),可使映像點(diǎn)更清晰,減小器件的附加損耗,改善分光比,提高單模輸入端與多模干涉區(qū)的耦合效率,進(jìn)一步提高器件的制作容差[15]。錐形波導(dǎo)長(zhǎng)度設(shè)為10μm,通過(guò)圖8模擬結(jié)果可以得出,Wtaper=2.2μm時(shí)候輸出功率達(dá)到最大值0.327,而如無(wú)倒錐形結(jié)構(gòu)時(shí),輸出波導(dǎo)功率為0.312。

        圖8 MOST掃描監(jiān)測(cè)數(shù)值與Wtaper關(guān)系Fig.8 Result of MOST monitor value and Wtaper

        計(jì)算結(jié)果表明,最優(yōu)的均勻性好和損耗低是在Z=113.5μm的位置。在波導(dǎo)的參數(shù)設(shè)置中,初設(shè)輸入單模波導(dǎo)的長(zhǎng)度為50μm,錐形波導(dǎo)的長(zhǎng)度為10μm,寬度為2.2μm,再次對(duì)MMI分束器進(jìn)行仿真得到電矢量沿傳輸方向的三維分布。

        圖9 1×3多模干涉耦合器電矢量振幅沿傳輸方向的三維分布Fig.9 The three-dimensional field distribution of the TE 1×3MMI coupler

        3 結(jié) 論

        采用三維光束傳播法對(duì)工作波長(zhǎng)為0.65μm的聚合物基1×3分束器進(jìn)行了模擬和分析,得到了優(yōu)化后的MMI多模波導(dǎo)的長(zhǎng)度,獲得了均勻性好的光分束器結(jié)構(gòu)參量,計(jì)算了輸入/輸出波導(dǎo)的單模尺寸,并且在輸入/輸出位置引入錐形波導(dǎo),提高了輸出端口的功率,這為下一步聚合物分束器的微納米模壓印制備提供了理論依據(jù)和設(shè)計(jì)參考。

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        Designandsimulationof1-by-3multimodeinterferencepowersplitter

        LYUHuanlin,LIUYangyang,ZHENGLi,ZHANGYuncui,ZOUNianyu
        (SchoolofInformationScienceandEngineering,DalianPolytechnicUniversity,Dalian116034,China)

        Theunderlyingself-imagingprincipleinmultimodewaveguideswasdescribedusinga guided modepropagationanalysis.Apolymermultimodeinterference(MMI)powersplitterwasdesigned andsimulatedbyusingthree-dimensionalpropagationmethod(3D-BPM).Themodecutoffataridge structurebecamesinglemodewascomputed.Theresultsshowedthatthewaveguidewassingle-mode forwidthbelow1.2μm.ThecriticalparameterslikelengthandwidthofMMIweresearched,which couldgivethemaximumoutputfieldforthevisiblewavelength.TheMMIsectionshasfootprintof 12μm×113.5μm2.Ataperedwaveguidewasinsertedbetweentheinput/outputwaveguidesandthe MMIzones,effectivelyimprovingtheperformanceoftheMMI.Thiscomponenthasadvantagessuch aseasyforfabrication,lowsensitivitytofabricationerror,andcompactsize,whicharesuitablefor theoptoelectronicintegration.

        multimodeinterference(MMI)splitter;self-imagingeffect;beampropagationmethod

        TN252

        A

        1674-1404(2015)02-0132-04

        2014-07-17.

        國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11105021).

        呂桓林(1980-),男,講師.

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