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        針對太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)的闡述

        2015-04-29 00:00:00王琳
        山東工業(yè)技術(shù) 2015年22期

        摘 要:太陽能資源清潔無污染,并且取之不盡用之不竭,通過運(yùn)用太陽能能源,可節(jié)省大量的不可再生能源,對于保護(hù)自然生態(tài)環(huán)境有著非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)將半導(dǎo)體照明系統(tǒng)和太陽能光伏發(fā)電技術(shù)有效結(jié)合起來,極大地提高了照明效率,因此應(yīng)積極優(yōu)化和完善太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)。本文簡要介紹了太陽能半導(dǎo)體器件特性,分析了太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)設(shè)計(jì),以供參考。

        關(guān)鍵詞:太陽能;半導(dǎo)體;照明系統(tǒng)

        DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2015.22.214

        近年來,全球能源危機(jī)日益加劇,常規(guī)能源已經(jīng)無法滿足世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的需求,太陽能作為一種重要的可再生綠色能源受到世界各國的青睞。太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)集成了半導(dǎo)體和太陽能資源的優(yōu)勢,有效提高了照明效率和綠色節(jié)能性,在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)加大對太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)的分析研究,充分發(fā)揮太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)優(yōu)勢。

        1 太陽能半導(dǎo)體器件特性概述

        太陽能半導(dǎo)體主要由光學(xué)系統(tǒng)、電極、PN結(jié)芯片等組成,晶片發(fā)光體面積約0.025平方毫米,整個(gè)發(fā)光過程經(jīng)歷三個(gè)階段:在正向偏壓條件下注入載流子;光能傳輸;復(fù)合輻射。在環(huán)氧樹脂物中封裝半導(dǎo)體晶片,電子流過晶片時(shí),帶正電的電子和帶負(fù)電的電子在空穴區(qū)域復(fù)合,空穴和電子消失產(chǎn)生光子,光子能量與空穴、電子之間的帶隙成正比,光顏色和光子能量相對應(yīng),根據(jù)可見光頻譜分析,紅色光和桔色光的光能量最少,紫色光和藍(lán)色光的光能量最多。隨著封裝技術(shù)、材料技術(shù)的快速發(fā)展,綠色LED光效約50lm/W,橙色和紅色LED光效100lm/W,LED的全色化、超高亮度和高效化特點(diǎn),其應(yīng)用范圍越來越廣泛,特別是在戶外照明系統(tǒng)中應(yīng)用效果較好。LED在色度方面實(shí)現(xiàn)了所有的可見光,尤其是超高亮度白光LED的涌現(xiàn),推動了照明光源的快速發(fā)展。一般情況下,光強(qiáng)1cd是高亮度LED和普通LED的分界點(diǎn),GalnAs、AIlnGaP和A1GaAs材料主要用于加工高亮度LED,其中高亮度紅光LED采用A1GaAs材料,高亮度黃綠、黃、橙和紅LED采用AIlnGaP,高亮度紫、藍(lán)和深綠LED采用GalnAs。

        LED半導(dǎo)體的發(fā)光效率較高,鹵鎢燈、白熾燈的光效為12~20流明/瓦,將講鈉90~130流明/瓦,熒光燈50~60流明/瓦,并且光譜窄、單色性好,不需要經(jīng)過過濾就可發(fā)出有色可見光。同時(shí),LED是一種全固體發(fā)光體,耐沖擊、耐震不容易破碎,無污染,可開發(fā)為小型輕薄的照明產(chǎn)品,方便維護(hù)檢修和安裝。并且LED光源的啟動時(shí)間較短,氣體放電光源的特性在很大程度上決定了啟動時(shí)間,這種采用環(huán)氧封裝的半導(dǎo)體光源,內(nèi)部不含有燈絲、玻璃等容易損壞的元器件,可經(jīng)得起沖擊和震動。

        2 太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        (1)系統(tǒng)組成。太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)由半導(dǎo)體照明負(fù)載、控制器、蓄電池和太陽能電池等組成,在基本結(jié)構(gòu)框架中設(shè)置備用電源,通過備用電源,即使長時(shí)間連續(xù)下雨,半導(dǎo)體照明負(fù)載由備用電源也可以持續(xù)進(jìn)行供電,確保在蓄電池不能及時(shí)供電時(shí)太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)也能安全、穩(wěn)定運(yùn)行。太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)運(yùn)行時(shí),太陽輻射能通過太陽能電池轉(zhuǎn)換為電能,太陽輻射強(qiáng)度和溫度對于太陽能電池輸出功率有著直接的影響,當(dāng)輻射強(qiáng)度較弱、溫度偏低時(shí),電池輸出功率無法始終保持穩(wěn)定性,因此必須在太陽輻射強(qiáng)度較大的時(shí)間段通過蓄電池及時(shí)存儲電能,便于在照明系統(tǒng)運(yùn)行過程中可靠、穩(wěn)定地向半導(dǎo)體照明系統(tǒng)供電??刂破魇翘柲馨雽?dǎo)體照明系統(tǒng)的核心,通過控制器科學(xué)管理蓄電池充放電過程,有效控制照明系統(tǒng)工作狀態(tài),使太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)在不同工作狀態(tài)下平穩(wěn)運(yùn)行。

        (2)轉(zhuǎn)換過程。半導(dǎo)體材料是太陽能電池的重要結(jié)構(gòu)材料,其最重要的特性就是光伏效應(yīng),P-N結(jié)太陽能半導(dǎo)體等效電路圖,如圖1所示,半導(dǎo)體接收太陽能輻射后發(fā)生光伏效應(yīng),經(jīng)過以下三個(gè)轉(zhuǎn)換階段。1)產(chǎn)生電子對。半導(dǎo)體在絕對零度狀態(tài)下,其內(nèi)部形成介電子帶,導(dǎo)帶上不含有電子,正常狀態(tài)下,半導(dǎo)體可看作是絕緣體,不顯示導(dǎo)電性。當(dāng)太陽能輻射到半導(dǎo)體時(shí),禁帶寬度比光子能量小很多,半導(dǎo)體會快速吸收這種光,若半導(dǎo)體晶格對太陽能輻射量吸收較多,這時(shí)可脫離電子對半導(dǎo)體晶格的約束,產(chǎn)生大量自由電子,形成空穴。因此為了使半導(dǎo)體晶格約束電子轉(zhuǎn)換為大量自由電子,半導(dǎo)體禁帶寬度應(yīng)小于光子能量,例如,硅禁帶寬度為1.15ev,半導(dǎo)體禁帶寬度和入射光能保持一致的條件下,光吸收效率較高,可產(chǎn)生大量空穴—電子對,然而當(dāng)比攜帶能量大的光子射入半導(dǎo)體時(shí),由于一部分光子被半導(dǎo)體晶格吸收,會損失一部分能量,造成發(fā)光效率下降;2)空穴—電子對分離。當(dāng)太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)周圍沒有電場時(shí),半導(dǎo)體中均勻的分布著大量光激發(fā)的空穴—電子對,由于外電路沒有電流流過,需要利用某種方式在太陽能半導(dǎo)體中產(chǎn)生勢壘,確保激發(fā)的空穴—電子對分開,持續(xù)的向照明系統(tǒng)外電路進(jìn)行供電。通常情況下,P-N結(jié)主要用于實(shí)現(xiàn)這種勢壘,P-N結(jié)對于空穴—電子分離發(fā)揮的作用是有限的,若沒有設(shè)置外部電路,分離后的電子聚集在P、N兩層中,P-N結(jié)正向,逐漸朝著電位勢壘降低方向發(fā)生偏轉(zhuǎn),分離停止后,恢復(fù)到正常狀態(tài)。P-N結(jié)之間電壓稱為開路電壓,照射光量和短路電流成正比;3)載流子移動??昭ā娮訉υ诠饽茌椛錀l件下不一定全部分離開來,分離數(shù)目和產(chǎn)生數(shù)目的比值稱為收集效率,在電荷濃度梯度和電場偏移效應(yīng)作用下發(fā)生移動。通常情況下,載流子具有自動恢復(fù)平衡狀態(tài)的傾向,若過剩載流子壽命比P-N結(jié)電子移動時(shí)間短,P-N結(jié)位置和過剩載流子壽命對于收集效率有著決定性影響,空穴移動到P層,電子移動到N層,正電荷和負(fù)電荷分別集中在半導(dǎo)體梁,使用導(dǎo)線連接這兩端,可產(chǎn)生電流。

        3 結(jié)束語

        近年來,太陽能半導(dǎo)體照明系統(tǒng)快速發(fā)展,被廣泛的應(yīng)用在各個(gè)照明領(lǐng)域,結(jié)合太陽能半導(dǎo)體器件應(yīng)用特性,在未來發(fā)展過程中進(jìn)一步優(yōu)化和完善半導(dǎo)體照明系統(tǒng),不斷提高其發(fā)光效率。

        參考文獻(xiàn):

        [1]孫艷玲.太陽能LED照明系統(tǒng)研究與設(shè)計(jì)[D].杭州電子科技大學(xué),2013.

        [2]李薇.太陽能LED照明系統(tǒng)的研究[D].北京工業(yè)大學(xué),2012.

        [3]徐鐵軍.太陽能LED照明系統(tǒng)優(yōu)化的應(yīng)用研究[D].華北電力大學(xué)(河北),2008.

        作者簡介:王琳(1985-),男,陜西西安人,本科,研究方向:太陽能級單晶硅。

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