賈俊榮
(閩江學院,福建 福州 35500110088)
三段線性穩(wěn)壓器雖然具有穩(wěn)定的輸出電壓、紋波系數(shù)小,但是需要采用工頻變壓器,效率低。而開關電源芯片的優(yōu)缺點與之相反,若將兩種器件結(jié)合使用,便可以較好地實現(xiàn)優(yōu)勢互補,設計出效率高且精密的穩(wěn)壓電源[1-2]。
本設計采用傳統(tǒng)復合型開關電源的設計方案:首先對電源電壓進行濾波處理,以TOP209P單片開電源芯片為核心進行設計,并與三段固定式集成穩(wěn)壓器7805配套使用,從而實現(xiàn)復合式開關電源設計[3-4]。
2.1.1 根據(jù)電壓和輸出功率設計輸入濾波電容,得到其參數(shù)值為0.01μ、輸入電壓最小值為90V。
2.1.2 初級紋波電流IR與初級峰值電流IP的比值KRP,u確定,KRp取值在0.4到1.0之間。
2.1.3 計算初級的參數(shù)
輸入電流的平均值IAVG=PO/ηVImin=27.7mA
初級峰值電流
初級脈動電流為21.9mA.
初級有效值電流
2.1.4 TOPSwitch芯片的選取
考慮到電流熱效應會使在25°下定義的極限電流值降低約10%,所選芯片的極限電流最小值ILIMIT(min)應滿足:0.9ILIMIT(min)≥Ip,因此選擇TOP209P芯片。
漏極鉗位電路由VD1、C6、R2組成,VD1選用方向耐壓為1 000V的超快恢復二極管1N4937。當MOSFET導通時,鉗位電路不起作用。在MOSFET截止瞬間,VD1導通,尖峰電壓被R2和C6吸收掉。
典型情況下,取最大輸入電壓380V,UL取165V,UOR取135V,得到總電壓為680V,即MOSFET至少能承受700V的電壓。為保護MOSFET不受損,在漏極設計增加了鉗位電路,可達到吸收尖峰電壓的效果。
2.3.1 計算高頻變壓器的初級電感量LP
輸出功率取2W,初級峰值電流取值為53.9mA,初級脈動電流與峰值電流的比例系數(shù)為0.4,取開關頻率為100kHz,取損耗分配系數(shù)為0.5,取電源效率80%。代入上式得LP=23.5H。
2.3.2 選擇磁心與骨架并確定參數(shù)
當P0=2W,采用三重絕緣線繞制的EE16型磁心。
2.3.3 為初級層數(shù)d和次級繞組匝數(shù)NS賦值
次級整流二極管導通后存在0.6V的壓降,次級匝數(shù)為(U0+0.6)*0.6匝/V=(5+0.6)*0.6匝/V=3.36匝,實取NS=4匝。
2.3.4 計算初級繞組匝數(shù)NP和反饋繞組匝數(shù)NF
輸出整流管1N5819的正向壓降UF1為0.6V,反饋電路整流管BAV21的正向壓降UF2為1.0V。
(1)次級匝數(shù)Np=NSUOR/·(UO+UF1),已知UOR=135V,UO=5V,UF1=0.6V,NS=4匝,代入得NP=96.4匝,實取97匝。
(2)計算反饋繞組匝數(shù)NF=NS(UFB+UF2)/(UO+UF1),已知UOR=135V,UO=5V,UF1=0.6V,NS=4匝,UFB=27.7V,UF2=1.0V,代入的NF=20.5匝,實取21匝。
2.3.5 根據(jù)公式計算有效骨架寬度bE(bE=d(b-2M)),將d=2,b=7.2mm,M=1.05mm代入得10.2mm。
初級導線的外徑,將bE(10.2mm)除以NP(97匝)得DPM=0.11mm,內(nèi)徑為DPm=0.06mm。
2.3.6 計算磁心中的最大磁通密度BM(BM=100IPlP/NPSJ),將IP=54.7mA,LP=23.5H,NP=97匝,SJ=0.18cm2代入上式得BM=0.2362。
2.3.7 磁心的氣隙寬度δ和留有氣隙時磁心的等效電感ALG
綜上所述,選取的EE16磁心符合設計要求。
取U1的最小值為90V,設定欠電壓閥值為70V。當輸入電壓小于70V時,U1經(jīng)過兩電阻分壓后加至二極管的負極上,二極管導通,使得三極管得以導通,從而控制端電壓跳變?yōu)榈碗娖?,TOP209P關斷。電壓若恢復正常參數(shù)值,二極管、三極管截止,在電路中不存在保護作用。保護電路的設計還可以防止TOP209P的誤啟動,僅當輸入電壓高于欠電壓值時才可以允許重新啟動。二極管能限制三極管的反向發(fā)射結(jié)電壓不至于過高。同樣,當交流電源突然掉電時,該電路也能起保護作用。
次級電路的輸出電壓,經(jīng)過二極管整流、電容濾波之后產(chǎn)生+7.5V電壓,直接連接LM7805的輸入端,正常工作可輸出5V穩(wěn)定電壓。三端穩(wěn)壓器LM7805的電壓調(diào)整率較小,Sv=±0.1%,I0max=1A>400mA。
在基本反饋電路上增加了一個穩(wěn)壓管和電阻,可改變負載調(diào)整率,范圍為±2%。穩(wěn)壓管選用1N5234/6.2V,一般取穩(wěn)定電壓值為22V,可采用增加反饋繞組匝數(shù)的方法,來獲得更高的反饋電壓,從而滿足電路的設計需要。
2.6.1 選擇反饋電路的類型以及反饋電壓UFB值
改進型基本反饋電路:UFB=27.7V,U0的準確度=±5%,SV=±1.5%,SI=±2.5%。
2.6.2 反饋電路中的整流管
BAV21滿足URM=200V≥UBRFB1.25=30.6V
2.6.3 選擇反饋濾波電容
反饋濾波電容選取0.1uF/50V陶瓷電容器。
2.6.4 控制端旁路電路
濾除控制端上的尖峰電壓決定自動重啟的頻率,取電容值47μF,自動重啟頻率為1.2Hz,時間周期0.83s,用于監(jiān)測失控的故障,若故障已經(jīng)被排除,則電路進行自動啟動,開關電源能夠恢復正常的工作狀態(tài)。
2.6.5 旁路電容、電阻的選取
電阻、電容電路可對控制回路進行補償。電路中控制端的電容元件一般選取值為47μF/10V,可為普通電解電容,與電容串聯(lián)的電阻元件的參數(shù)為6.8Ω。
本設計采用單片開關電源TOP209P與三段固定式集成穩(wěn)壓器7805實現(xiàn)了在輸入電壓為85v~265v,輸出能力為5V、400mA(2W)的復合式開關電源設計。該電源設計電路簡單、元件少、體積小,具有效率高、成本低、可靠性高,性能穩(wěn)定等優(yōu)點。
[1]鄧木生.基于TOP224Y復合型精密恒流源的設計[J].山西電子技術,2011(6):1-5.
[2]張小華,張春喜.基于TOPSwitch-Ⅱ的單片開關電源設計[J].通信電源技術,2008,25(1):43-48.
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