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        晶閘管變壓式電容無功補償方法的研究

        2015-02-19 07:29:28王建元馬雪珂
        東北電力大學學報 2015年2期
        關(guān)鍵詞:壓敏電阻晶閘管電容器

        王建元,馬雪珂

        (東北電力大學電氣工程學院,吉林吉林132012)

        電容無功補償裝置是電力系統(tǒng)、電力網(wǎng)絡(luò)及電力用戶廣泛應(yīng)用的裝置。它不僅可以提高功率因數(shù)、降低網(wǎng)損、提高電壓質(zhì)量,還可以提高超高壓線路的輸電能力。

        現(xiàn)行的電容無功補償方法均采用機械開關(guān)或晶閘管開關(guān)投切電容器組來改變運行的電容器容量,以實現(xiàn)無功功率的調(diào)節(jié)。機械開關(guān)投切電容器組(MSC)[1]雖投資較省,但沖擊電流較大,不能快速頻繁操作,只適用于靜態(tài)無功補償和調(diào)壓。晶閘管具有非??斓捻憫?yīng)速度,從20世紀70年代起開始應(yīng)用于交流輸電系統(tǒng)。基于晶閘管開關(guān)控制的動態(tài)無功補償裝置例如:晶閘管控制電抗器(TCR)[2-3]、晶閘管投切電容器組(TSC)[4-6]、晶閘管控制電抗器--固定電容器(TCR+FC)[7-10]、基于逆變原理的靜止無功發(fā)生器(SVG或STAT-COM)[11-14],還有磁控電抗器都能構(gòu)成性能良好的無功電壓調(diào)節(jié)控制裝置。TSC、TCR和SVG雖能實現(xiàn)快速動態(tài)補償,但是它們的單位造價都比較昂貴。以上裝置還有一個特點:晶閘管在斷續(xù)工作方式下直接承受其接入母線的網(wǎng)絡(luò)電壓(TCR)或2倍的網(wǎng)絡(luò)電壓(MSC、TSC、SVG)[10]。這就帶來了一些問題:裝置所接的母線電壓不宜太高,國內(nèi)TCR、TSC、STATCOM所接的最高母線電壓目前分別是35 kV、10 kV、4 kV,要應(yīng)用于220~500 kV變電站,主變壓器需設(shè)計第三繞組,甚至還需要加裝中間變壓器,因此構(gòu)成設(shè)備多,增加了工程綜合造價;晶閘管開關(guān)裝置在主電路上作為調(diào)節(jié)器件,斷態(tài)時承受的電壓較高,所需晶閘管的工作容量較大,而且晶閘管工作電壓高,觸發(fā)系統(tǒng)成本也高。因此,降低晶閘管工作電壓、提高裝置接入的母線電壓允許水平,且不過多增加附屬設(shè)備是減少補償裝置工程造價的重要途徑。文獻[16]提出了一種新型的電容無功功率補償方法—晶閘管變壓式電容無功功率補償,它是對俄羅斯類似CKY裝置[17]進行了改進而提出的,即改進CKY。文獻[18]在試驗室進行了改進CKY單相裝置的特性試驗,結(jié)果表明該裝置原理正確,投入和換級暫態(tài)性能良好。在此將補償裝置改造為容量為1 800 kvar的0 kV晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電容無功補償裝置,無功調(diào)節(jié)范圍為裝置額定容量的17.7% ~102.4%,且能實現(xiàn)13級分級調(diào)節(jié)。并且在故障情況下,對氧化鋅壓敏電阻接入系統(tǒng)前后的晶閘管開關(guān)的斷態(tài)電壓進行了仿真。

        1 改進CKY接線方式的工作原理

        改進CKY接線原理[16]見圖1,裝置的輔助變壓器一次側(cè)繞組直接接于工作母線上,二次繞組與晶閘管開關(guān)裝置和電容器組串聯(lián)后接于同一工作母線。通過改變輔助變壓器二次繞組的等效匝數(shù)以改變變比,同時也改變了變壓器二次繞組的附加電勢,進而改變了電容的電壓,從而調(diào)節(jié)電容發(fā)出的無功功率。

        電容器發(fā)出的無功為:

        式(1)中,UC為電容器兩端的電壓,XC為電容器容抗,U為工作母線電壓,K為輔助變壓器一、二次繞組的等效匝數(shù)之比。

        從圖1可看出改進CKY接線方式中晶閘管工作電壓低,控制簡單。本文提出的晶閘管串聯(lián)調(diào)壓電容無功補償方法不同于傳統(tǒng)的調(diào)節(jié)電容無功的方法,通過改變電容器端電壓來大幅度調(diào)節(jié)電容無功。因此晶閘管承受的斷態(tài)電壓較低,顯著減小了所需晶閘管的容量。這種方法的投資成本大大降低,是宜于在高壓電網(wǎng)中普遍使用的一種無功補償方法。

        圖1 補償裝置的原理接線

        2 單相10kV改進CKY裝置的參數(shù)設(shè)置

        改進CKY裝置的單相接線圖如圖2所示。裝置電源電壓UN=10 kV;電容器參數(shù)UCN=10 kV,ICN=180 A,QCN=1 800 kVar,XC=(500/9)Ω,C=0.573 uF;L為限流電感,用于限制故障短路電流和降低換級電流,XL=0.03XC,L=0.005 3 H。

        圖2 裝置單相接線圖

        圖2中,變壓器變比設(shè)為10/6 kV,變壓器二次側(cè)繞組由一個固定線圈及3個調(diào)節(jié)線圈構(gòu)成,它們對應(yīng)的匝數(shù)分別為w1∶w21∶w22∶w23∶w24=6∶3∶2∶1。1~12為晶閘管開關(guān),每個晶閘管開關(guān)均只含有一對反并聯(lián)的晶閘管,通過橋接晶閘管開關(guān)的通、斷組合而實現(xiàn)各調(diào)節(jié)線圈與固定線圈正接、反接或不接,從而改變變壓器二次繞組的等效匝數(shù)。RF為氧化鋅壓敏電阻,壓敏電阻動作將晶閘管兩端的電壓限制在保護水平以內(nèi)。R5、R6、R7是三個橋接晶閘管開關(guān)的分壓電阻,保證晶閘管兩端電壓維持在一定的范圍內(nèi)。有 R5∶R6∶R7=K22∶K23∶K24=15 000∶10 000∶5 000。

        以13級裝置實際接線計算,得知晶閘管開關(guān)斷態(tài)電壓最大值為0.15UN,晶閘管開關(guān)的總工作容量為0.43QCN,變壓器二次繞組附加電勢最大值為0.6UN,變壓器的最大工作容量0.32 QCN,可見晶閘管工作電壓低,改進CKY需要的變壓器和晶閘管容量小。

        3 升級調(diào)節(jié)時穩(wěn)態(tài)性能測試

        負荷無功功率為感性QLD=1 800 kvar,有功功率為PLD=3 716.53 kW,手動調(diào)節(jié)該裝置(由1級逐漸升到13級),通過電流表、電壓表直接測量各元件的電流、電壓有效值,以檢驗補償裝置無功調(diào)節(jié)性能及各元件的穩(wěn)態(tài)性能,測試結(jié)果如表1所示。

        表1中I為進線電流,U為母線電壓,IC為補償電流,UC電容電壓,QC為電容輸出的無功。由測量結(jié)果可知IC的調(diào)節(jié)范圍為(0.441 7~1.089)ICN,補償裝置向電網(wǎng)輸出無功由(318.6~1 844)kvar,無功調(diào)節(jié)范圍為(0.177 ~ 1.024)QCN。

        表1 升級調(diào)節(jié)時穩(wěn)態(tài)性能

        4 壓敏電阻的保護作用

        4.1 晶閘管開關(guān)串斷態(tài)過電壓產(chǎn)生分析

        將所有調(diào)節(jié)繞組等效成一個橋,且所有的晶閘管開關(guān)皆處于斷態(tài)時的等效圖[19]用圖3表示。

        圖3中固定繞組與等效調(diào)節(jié)繞組的變比皆為0.5 Kmax∶1,其中Kmax指TB的最大變比??煽闯龈骶чl管開關(guān)串承受的斷態(tài)電壓不同。1、4號晶閘管開關(guān)串導通時調(diào)節(jié)繞組正接,因此稱之為正接晶閘管開關(guān)串,同理2、3號是反接晶閘管開關(guān)串。正接晶閘管開關(guān)串承受的斷態(tài)電壓[20]為:

        圖3 晶閘管開關(guān)串斷態(tài)電壓的等效圖

        同樣,根據(jù)線性電路的疊加原理,反接晶閘管開關(guān)串斷態(tài)電壓為:

        顯然,uf(t)>uz(t),即反接的晶閘管開關(guān)串承受斷態(tài)電壓較高,以下只分析其斷態(tài)過電壓。晶閘管開關(guān)失掉脈沖后,在電流過零時斷開,電容電壓UC(0)=±U'cm為最大值,反接晶閘管開關(guān)串的斷態(tài)電壓為uf=u(t)-(±U'cm),持續(xù)時間較長。此時斷態(tài)過電壓較嚴重,幅值如下:

        4.2 未接壓敏電阻時斷態(tài)電壓仿真結(jié)果及分析

        當裝置工作于第13 級時,此時 2、3、6、7、10、11 號晶閘管開關(guān)開通,1、4、5、8、9、12 號晶閘管開關(guān)關(guān)斷。此時,U'cm=Um最大,根據(jù)式(3)及式(4)知此時斷態(tài)過電壓最高。t=0.8 s時2號晶閘管開關(guān)失去觸發(fā)脈沖,其電流過零時斷開,進而導致二次回路斷開。反接晶閘管開關(guān)的斷態(tài)電壓及電容電壓的仿真波形見圖4。

        從圖4波形可以看出uf斷態(tài)過電壓出現(xiàn)在0.805 s時刻。波形向下嚴重偏移,出現(xiàn)了一個很大的直流分量,這是因為晶閘管開關(guān)斷開瞬間,電容器電流過零點,電容電壓達到最大值,二次回路斷開后,使得斷態(tài)電壓中含有很高的直流分量,隨后電容電壓沿著均壓電阻回路放電,直至為零。還可看出,斷態(tài)電壓持續(xù)時間長,uf的峰值高達29.43 kV,大大超過了正常工作時的最大電壓。因此,必須采取有效的措施來抑制晶閘管開關(guān)的過電壓,使晶閘管元件不受損壞。

        圖4 晶閘管開關(guān)失掉脈沖時的波形

        4.3 裝設(shè)氧化鋅壓敏電阻后的斷態(tài)過電壓

        (1)氧化鋅壓敏電阻參數(shù)選擇[19]

        將壓敏電阻直接并接在2個橋接晶閘管串之間,ZnO壓敏電阻實際上是一種伏安特性呈非線性的敏感元件,在正常電壓條件下,這相當于一只小電容器,而當電路出現(xiàn)過電壓時,它的內(nèi)阻急劇下降并迅速導通,其工作電流增加幾個數(shù)量級,保證晶閘管兩端的電壓維持在一定的范圍內(nèi)。

        壓敏電阻的主要參數(shù)為U1mA(漏電流為1 mA時額定電壓),U1mA≥1.3√2U其中,U為壓敏電阻兩端正常工作的最大電壓的有效值,U=1.1 Ug,Ug為晶閘管開關(guān)工作電壓。對于10 kV系統(tǒng),可以確定Ug=3 kV,于是取 U1mA=6.067 kV。

        (2)接入氧化鋅壓敏電阻后斷態(tài)電壓的仿真

        現(xiàn)在將氧化鋅壓電阻接入,對故障情況下的斷態(tài)電壓進行仿真。在13級時2號導通的晶閘管開關(guān)突然失掉脈沖(t=0.8 s),此時的晶閘管串斷態(tài)電壓、電容電壓,壓敏電阻電流如5所示。從圖看出,晶閘管過零斷開后,壓敏電阻迅速動作,電容器迅速放電,較短時間內(nèi)即達到一定穩(wěn)態(tài)值,晶閘管開關(guān)的斷態(tài)電壓波形基本無偏移現(xiàn)象。從仿真波形可以得到uf的最大峰值為12.42 kV,小于反接晶閘管開關(guān)串的額定電壓15.46 kV。If暫態(tài)最大峰值為278.91 A。

        圖5 投入過壓保護后失掉脈沖時的波形

        5 結(jié) 論

        本文提出了新型快速無功補償方法,并基于該方法初步設(shè)計了單相10 kV容量為1 800 kvar的補償裝置,利用Matlab中的仿真軟件對改進CKY裝置的換級及調(diào)節(jié)特性過程進行仿真分析得出以下幾點結(jié)論:

        (1)裝置同樣具有以上無功補償裝置的快速頻繁調(diào)節(jié)性能,調(diào)節(jié)效果良好。但改進CKY裝置的最大特點是:改進CKY晶閘管工作電壓低,只及額定電壓的15%左右。該裝置所需晶閘管容量和變壓器容量小,成本低,只需使用32%補償裝置容量的變壓器,就可以直接接入10~110 kV母線,可以取消國內(nèi)快速補償裝置所需要的中間變壓器。其綜合工程造價不僅顯著降低,還有可能和真空斷路器投切電容器組相持平。

        (2)在故障情況下,改進CKY裝置的斷態(tài)過電壓比較嚴重,且持續(xù)時間較長,足以損壞晶閘管,必須采取一定的保護措施。裝置加裝氧化鋅壓敏電阻過壓保護后,在故障情況下,裝置的斷態(tài)過電壓被限制在允許的范圍之內(nèi)。

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